Benseddik Djaloud

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE
MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE

SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE KASDI MERBAH- OUARGLA

Facult des Sciences et technologie et scines de la matire
Dpartement de Gnie Electrique
Spcialit : Gnie lectrique et lectronique
Option : Automatique
Mmoire de Master
En vue de lobtention du diplme de master
Prsent par :
Othmane BENSEDDIK Fathi DJALOUD
THEME
Soutenu le : 27 /06/2012
Devant le jury compos de :
Nom & Prnom Grade Qualit Universit

A. BENMIR MAA President Ouargla
L. AOMAR MAA Examinateur Ouargla
L. KHETTACHE MAA Examinateur Ouargla
M.L. LOUAZENE MAA Promoteur Ouargla
2011/2012
Remerciement
Avant tout nous tenons nos remerciements notre dieu de nos avoir
donn la force et le courage.
A la suite Nous tenons remercier vivement Mr. LOUAZENE

Lakhdar notre promoteur qui a fourni des efforts normes, par ses
informations ses conseils et ses encouragements.
Nous tenons galement remercier messieurs les membres de jury pour

lhonneur quils nos ont fait en acceptant de siger notre soutenance,
tout particulirement : Mr.A. BENMIR pour nous avoir fait
lhonneur de prsider le jury de cette mmoire.
Nos vifs remerciements aussi Mr. L.AOMAR.

Et Mr.L.KHETTACHE, et Tous deux matres assistants luniversit
dOuargla, pour avoir accept dtre examinateurs de ce travail.
Et tous les professeurs de dpartement de Gnie lectrique

A tous ce qui furent un moment ou toute instante partie prenante de
ce travail.
Nos plus chaleureux remerciements pour tous ceux qui de prs et de loin
ont contribu la ralisation de cette mmoire.
Introduction gnrale .............................. 1
Chapitre 1: Etude d'un systme photovoltaque

1.1 Introduction ... 3
1.2 L'nergie solaire 3
1.3 La cellule PV .. 4
1.3.1 L'effet photovoltaque ... 5
1.3.2 Technologie d'une cellule photovoltaque 6
1.4 Regroupement des cellules ... 8
1.4.1 Regroupement en srie 8
1.4.2 Regroupement en parallle . 9
1.4.3 Regroupement (srie et parallle) .. 9
1.5 Modlisation dune cellule photovoltaque 10
1.5.1 Cellule photovoltaque idal . 10
1.5.2 Cellule photovoltaque rel 11
1.6 Module photovoltaque simens .... .. 12
1.7 Influence de la temprature . 16
1.8 Influence de l'clairement 17
1.10 Conclusion 19
Chapitre 2: Les convertisseurs statiques

2.1 Introduction ... 20
2.2 Les onduleurs . 20
2.2.1 Principe de fonctionnement dun onduleur 21
2.2.2 Onduleur Monophas .. 21
2.2.2.1 Onduleur monophas en demi-pont 21
2.2.2.2 Onduleur monophas en pont (PontH) 22
2.2.3 Onduleur triphas . 22
2.3 Les convertisseurs DC-DC .... 23
2.3.1 Le convertisseurs BOOST ... 23
2.3.2 Convertisseur Buck .. 25
2.4 Avantage de convertisseur BOOST . 26
I
2.5 Simulation du l hacheur .. 27
2.5.1 hacheur srie . 27
2.5.2 Hacheur parallle .................................. 31
2.6 Conclusion ... 33
Chapitre 3: Les mthodes doptimisation

3.1 Introduction 34
3.2 Connexion direct entre la source et la charge . 34
3.3 Le fonctionnement optimal du gnrateur photovoltaque 36
3.4 Principe de fonctionnement de MPPT .. 37
3.5 Gestion de la MPPT 38
3.6 Classification de l'algorithme de suiveur la puissance max 40
3.6.1 Les mthodes indirectes ... 40
3.6.1.1 La mthode de la tension de circuit ouvert du gnrateur 40
3.6.1.2 La mthode de court-circuit . 41
3.6.2 Les mthodes directes ... 41
3.6.2.1 La mthode Perturbe & Observe (P&O) 41
3.6.2.2 La mthode incrmentation de la conductance (IncCond) ... 44
3.6.2.3 Mthode a contre raction de la tension 46
3.6.2.4 Mthode contre raction de courant .. 47
3.7 Conclusion ... 47
Chapitre 4: Simulation d'un systme photovoltaque

4.1 Introduction 49
4.2 Simulation d'un systme photovoltaque 49
4.3 Simulation d'un systme photovoltaque avec et sans MPPT 54
4.4 Conclusion 60
Conclusion gnrale. 61
Bibliographique ... 63
Annexe . 65
II
Liste des tableaux
Tableau 1.1 Avantage et l'inconvnient d'une cellule photovoltaque .. 7

Tableau 1.2 caractristique lectrique d'un module photovoltaque SP 75 ventuelle . 12
Tableau 2.1 1 reprsente la variation de la valeur moyenne de la tension et du courant en fonction 27
de rapport cyclique
Tableau 2.2 reprsente la variation de la valeur moyenne de la tension et du courant en fonction de 29
rapport cyclique .
Tableau 4.1 La variation de la puissance para port la charge (sans MPPT) . 50
Tableau 4.2 La variation de la puissance para port la charge (avec MPPT) . 54
IV
Liste des figures
Chapitre 1 : Etude du systme photovoltaque

Figure 1.1 schma lectrique d'une cellule photovoltaque .. 4
Figure 1.2 schma d'une cellule photovoltaque ... 5
Figure 1.3 Caractristique de regroupement (Ns) cellule en srie .. 6
Figure 1.4 Caractristique d'un (Np) cellule en parallle . 8
Figure 1.5 Module de cellule photovoltaque idal .. 9
Figure 1.6 Module de la cellule photovoltaque ral 10
Figure 1.7 cellule photovoltaque a deux diodes .. 11
Figure 1.8 caractristique de P= f(V) a fonction de temprature . 16
Figure 1.9 caractristique de I=f(V) a fonction de temprature ... 17
Figure 1.10 caractristique I=f(v) a fonction de l'clairement ... 18
Figure 1.11 caractristique P=f(v) a fonction de l'clairement .. 18
Chapitre 2 : Les convertisseurs statiques

Figure 2.1 les diffrents types de convertisseurs statiques ... 20
Figure 2.2 Schma de Principe dun Onduleur Monophas En Demi-Pont . 21
Figure 2.3 Schma de Principe dun Onduleur Monophas En Pont ... 22
Figure 2.4 Schma de Principe dun Onduleur Triphas En Pont 23
Figure 2.5 Le convertisseur boost 24
Figure 2.6 Signaux typiques de convertisseur boost 24
Figure 2.7 Convertisseur buck . 25
Figure 2.8 Signaux typiques de convertisseur buck 26
Figure 2.9 schma de simulation de convertisseur Buck . 27
Figure 2.10 La tension aus borne de la charge ... 28
Figure 2.11 la valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge ... 28
Figure2.12 la valeur moyenne du courant aux bornes de la charge .. 29
Figure2.13 La tension aus bornes de la charge . 30
Figure2.14 la valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge ... 30
Figure2.15 la valeur moyenne du courant aux bornes de la charge .. 31
Figure 2.16 schma bloc de simulation du convertisseur boost . 31
Figure 2.17 La tension aux bornes dentre ... 32
V
Figure 2.18 La valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge .. 32
Figure 2.19 La valeur moyenne de courant 33
Chapitre 3: Les mthodes doptimisation

Figure 3.1 Connexion directe entre un GPV et une charge .. 34
Figure 3.2 Points de fonctionnement d'un GPV en connexion directe, en fonction de la charge 35
Figure 3.3 Etage d'adaptation d'un GPV-charge .. 36
Figure 3.4 La caractristique I-V, P-V et la trajectoire de PPM .. 37
Figure 3.5 Chane lmentaire de conversion photovoltaque . 38
Figure 3.6 Recherche et recouvrement du Point de Puissance Maximale 39
Figure 3.7 Schma de converge vers le PPM par P&O 42
Figure 3.8 Algorithme de MPPT a base de la mthode P&O .. 43
Figure 3.9 Trajectoire par Incrmentation de Conductance 45
Figure 3.10 Algorithme dincrmentation de la conductance 45
Figure 3.11 Mthode contre raction de la tension 46
Figure 3.12 Mthode contre raction de courants .. 47
Chapitre 4: Simulation d'un systme photovoltaque

Figure 4.1 schma synoptique de systme PV contrl par une commande MPPT 49
Figure 4.2 Schma block de la connexion directe dun gnrateur PV . 50
Figure 4.3 La puissance, la tension et le courant produit par la GPV sans MPPT... 51
Figure 4.4 schma block d'un systme photovoltaque avec une commande MPPT .. 52
Figure 4.5 schma block d'algorithme MPPT ................................................................................. 53
Figure 4.6 schma block de la commande MLI . 53
Figure 4.7 Le courant gnre par la charge et GPV .. 55
Figure 4.8 La tension gnre par la charge et GPV ... 55
Figure 4.9 La puissance gnre par la charge et GPV .. 56
Figure 4.10 La comparaison entre la puissance de GPV sans et avec MPPT ... 57
Figure 4.11 la tension en fonction de temps ... 58
Figure 4.12 la tension de la charge en fonction de temps .... 58
Figure 4.13 la puissance en fonction de temps .. 59
Figure 4.14 la puissance de la charge en fonction de temps 59
VI
Introduction gnrale
La plus grande partie de lnergie consomme actuellement provient de lutilisation des

combustibles fossiles comme le ptrole, le charbon, le gaz naturel ou encore lnergie
nuclaire. ces ressources deviennent de plus en plus rares, pendant que les demandes
nergtiques du monde slvent continuellement. Il est estim que les rserves mondiales
seront puises vers 2030 si la consommation nest pas radicalement modifie, et au
maximum vers 2100 si des efforts sont produits sur la production et la consommation [1].
Etant donn que cette forme dnergie couvre une grosse partie de la production
nergtique actuelle, il savre ncessaire de trouver une autre solution pour prendre le relais,
la contrainte impose est dutiliser une source dnergie conomique et peu polluante car la
protection de lenvironnement est devenue un point important.
A ce sujet, Les nergies renouvelables, comme lnergie solaire photovoltaque, olienne
ou hydraulique, apparaissent comme des nergies inpuisables et facilement exploitables.
Si lon prend lexemple du soleil, une surface de 145000km (4% de la surface des dserts
arides) de panneaux photovoltaques (PV) suffirait couvrir la totalit des besoins
nergtiques mondiaux [2].
Dans ce dernier cas, la conception, loptimisation et la ralisation des systmes

Photovoltaques sont des problmes dactualit puisquils conduisent srement une
meilleure exploitation de lnergie solaire. Pour une installation photovoltaque, la variation
de lclairement ou de la charge induit une dgradation de la puissance fournie par le
gnrateur photovoltaque, en plus ce dernier ne fonctionne plus dans les conditions
optimums.
Dans ce contexte, de nombreux chercheurs se sont attachs inventer des systmes
permettant de rcuprer toujours le maximum dnergie : cest le principe nomm maximum
power point tracker (MPPT) qui est lobjet principal de se mmoire.
Dans ce travail nous nous somme intresses l'tude et l'optimisation du fonctionnement
d'un systme photovoltaque, Ce mmoire est partag en quatre chapitre :
Dans le premier chapitre nous prsentons une gnralit sur la technologie
photovoltaque. En commenant par des notions sur le rayonnement, Dans deuxime temps
nous montrons le principe de l'effet photovoltaque, ensuite on va montrer l'influence de la
temprateur et l'clairement sur le rendement. Et nous finissons ce chapitre par la
modlisation du notre panneau.
Le deuxime chapitre prsente les diffrents types des convertisseurs statiques utilis dans
le systme photovoltaque et leur principe du fonctionnement.
Dans le troisime chapitre nous montrons le problme de la connexion direct entre le
gnrateur photovoltaque et la charge et la solution de ce problme, ensuite nous
prsentons les diffrents techniques pour suivre et optimiser la puissance maximale.
Dans le quatrime et dernier chapitre, nous prsentons une simulation complte avec et
sans optimisation d'un systme photovoltaque alimente une charge rsistive, nous
terminerons ce travail par une conclusion gnrale.
Chapitre 1 Etude du systme photovoltaque
1.1 Introduction
L'nergie solaire photovoltaque provient de la transformation directe d'une partie du
rayonnement solaire en nergie lectrique. Cette conversion d'nergie s'effectue par le biais
d'une cellule dite photovoltaque (PV) base sur un phnomne physique appel effet
photovoltaque. Ce chapitre prsente les concepts dont la connaissance est ncessaire la
comprhension du fonctionnement des cellules photovoltaques constitues de semi-
conducteur en silicium.
On commencera par brve rappelle sur le principe de la conversion de l'nergie solaire en
nergie lectrique. Nous prsenterons ensuite la modlisation de la chane de conversion
photovoltaque puis dcrirons les modles mathmatiques et nous montrerons ensuite
l'influence de la temprature et l'clairement sur le rendement. A la fin on termine par
conclusion.
1.2 L'nergie solaire

La distance de la terre au soleil est environ 150 million de kilomtres et la vitesse de la
lumire est d'un peu plus de 300000 km/h [3], les rayons du soleil mettent donc environ 8
minutes nous parvenir. La constante solaire est la densit d'nergie solaire qui atteint la
frontire externe de l'atmosphre faisant face au soleil. Sa valeur est communment prise
gale 1360W/m2. Au niveau du sol, la densit d'nergie solaire est rduit 1000 W/ m2
cause de l'absorption dans l'atmosphre. Albert Einstein dcouvert en travaillant sur l'effet
photolectrique que la lumire n'avait pas qu'un caractre ondulatoire, mais que son nergie
est porte par des particules, les photons. L'nergie d'un photon tant donne par la relation :
h : la constante de planck,
C : la vitesse de la lumire.
Ainsi, plus la longueur d'onde est courte, plus l'nergie du photon est grande [4].
Une faon commode d'exprimer cette nergie est:
UKMO 2012 3
Le soleil met un rayonnement lectromagntique figure (1.1) compris dans une bande de
longueur donde variant de 0,22 10 microns ( m) [3]. Lnergie associe ce rayonnement
solaire se dcompose approximativement ainsi :
9% dans la bande des ultraviolets (<0,4 m),

47% dans la bande visible (0,4 0,8 m),
44% dans la bande des infrarouges (>0,8 m).
Irradiance
(w.m , .m)
Figure 1.1 : Spectre d'irradiante solaire.

1.3 La cellule PV
Les cellules photovoltaques ou les plaques solaires sont des composants
optolectroniques qui transforment directement la lumire solaire en lectricit par un
processus appel effet photovoltaque , a t dcouverte par E. Becquerel en 1839 [5].
Elles sont ralises l'aide de matriaux semi-conducteurs, c'est dire ayant des proprits
intermdiaires entre les conducteurs et les isolants.
La taille de chaque cellule va de quelques centimtres carrs jusqu' 100 cm2 ou plus sa
forme est circulaire, carre ou drive des deux gomtries.
Les cellules se branchent en srie, ce qui permet aux lectrons gnrs par une cellule d'tre
repris par la suivante. Le but est d'avoir une diffrence de potentiel normalement entre 6 et 24
V.la figure (1.2) suivante reprsente le schma lectrique d'un cellule photovoltaque [6].
UKMO 2012 4
Rs
+
ICC D Rsh V cellule

Figure 1.2: Schma lectrique d'une cellule photovoltaque
Les rsistances Rs et Rsh permettent de tenir en compte des pertes lies aux dfauts de
fabrication .Rs reprsente les diverses rsistances de contact et de connexion tandis que Rsh
caractrise les courants de fuite dus diode et aux effets de bord de la jonction [7].
1.3.1 L'effet photovoltaque

Une cellule photovoltaque est base sur le phnomne physique appel effet
photovoltaque qui consiste tablir une force lectromotrice lorsque la surface de cette
cellule est expose la lumire. La tension gnre peut varier entre 0.3 V et 0.7 V en
fonction du matriau utilis et de sa disposition ainsi que de la temprature de la cellule et du
vieillissement de la cellule [8]. La figure (1.3) illustre une cellule PV typique o sa
constitution est dtaille. Les performances de rendement nergtique atteintes
industriellement sont de 13 14 % pour les cellules base de silicium monocristallin,11 12
% avec du silicium poly cristallin et enfin 7 8 % pour le silicium amorphe en films minces
[9].La photopile ou cellule solaire est llment de base dun gnrateur photovoltaque [10].
UKMO 2012 5
Photone
Contacte avant Grille
Zone dope N
dplacement
d'lectron V
I
Zone dope P
Jonction PN
Figure 1.3 : Schma d'une cellule photovoltaque
1.3.2 Technologie d'une cellule photovoltaque
Silicium monocristallin
Le silicium cristallin est actuellement loption la plus populaire pour les cellules
commerciales, bien que beaucoup dautres matriaux soient disponibles. Le terme cristallin
implique que tous les atomes dans le matriau PV actif font partie dune structure cristalline
simple o il nya aucune perturbation dans les arrangements ordonns des atomes.
Silicium poly cristallin

Il est compos de petits grains de silicium cristallin. Les cellules base de silicium poly
cristallin sont moins efficaces que les cellules base de silicium monocristallin. Les joints de
grains dans le silicium poly cristallin gnent lcoulement des lectrons et rduisent le
rendement de puissance de la cellule. Lefficacit de conversion PV pour une cellule base de
silicium poly cristallin modle commercial stend entre 10 et 14%.
UKMO 2012 6
Silicium amorphe (a-si)

Le silicium est dpos en couche mince sur une plaque de verre ou un autre support
souple. L'organisation irrgulire de ses atomes lui confre en partie une mauvaise semi-
conduction. Les cellules amorphes sont utilises partout o une solution conomique est
recherche ou lorsque trs peu d'lectricit est ncessaire, par exemple pour l'alimentation des
montres, des calculatrices, ou des luminaires de secours. Elles se caractrisent par un fort
coefficient d'absorption, ce qui autorise de trs faibles paisseurs, de l'ordre du micron. Par
contre son rendement de conversion est faible (de 7 10 %) et les cellules ont tendance se
dgrader plus rapidement sous la lumire [4].
Nouvelle technologie
On utilise de plus en plus de matriaux organiques dans le domaine de loptolectronique,
avec des perspectives dlectronique organique voire molculaire, pour lclairage laide de
diodes lectroluminescentes organiques (OLED : Organic Light- Emitting Diode). Bien que
les optimisations des matriaux mettre en uvre ne soient pas les mmes, le domaine du
photovoltaque bnficie depuis quelques annes des avances technologiques de
loptolectronique. Ainsi, bien que cette filire soit vraiment rcente, les progrs annuels sont
spectaculaires. Les matriaux organiques, molculaires ou polymriques, base de carbone,
dhydrogne et dazote, sont particulirement intressants en termes dabondance, de cot, de
poids et de mise en uvre [11].
Le tableau (1.1) prsente les avantages et les inconvnients pour les technologies les plus
utiliser d'une cellule photovoltaque.
Type Silicium mono Silicium poly Amorphe
cristallin Cristallin
Dure de vie 35 ans 35 ans < 10 ans
Bon rendement en Souplesse Prix moins
Avantage Bon rendement en soleil soleil direct (mois que lev que les
direct le monocristallin mais cristallins
plus que l'amorphe) Bon rendement en diffus
Mauvais rendement en Mauvais rendement en Mauvais rendement en
Inconvnient soleil diffus (temps soleil diffus (temps plein soleil.
nuageux...),prix lev nuageux...),prix lev
Tableau 1.1: Avantage et inconvnient des cellules photovoltaques

UKMO 2012 7
1.4 Regroupement des cellules

1.4.1 Regroupement en srie
Une association de (Ns) cellule en srie figure (1.4) permet d'augmenter la tension du
gnrateur photovoltaque. Les cellules sont alors traverses par le mme courant et la
caractristique rsultant du groupement srie est obtenues par addition des tensions
lmentaires de chaque cellule. L'quation rsume les caractristique lectriques d'une
association srie de (Ns) cellules [11].
VcoNs: la somme des tensions en circuit ouvert de Ns cellules en srie.

IccNs: courant de court circuit de Ns cellules en srie.
Icc
1 cellule
NP cellule cellule
Icc Vco
Ns
0 Vco Vsco
Figure 1.4: Caractristique courant tension de Ns cellule en srie
UKMO 2012 8
1.4.2 Regroupement en parallle

Une association parallle de (NP) cellule figure (1.5) est possible et permet d'accroitre le
courant de sortie du gnrateur ainsi cr. Dans un groupement de cellules identiques
connectes en parallle, les cellules sont soumises la mme tension et la caractristique
rsultante du groupement est obtenue par addition des courants [12].
Avec:
IccNp: la somme des courants de cout circuit de (NP) cellule en parallle

VcoNp: tension du circuit ouvert de (Np) cellules en parallle
I Np cellule Icc.Np
Np cellule en parallle
Icc Np
1cellule cellule Vco
Icc
0 Vco V
Figure 1.5 : Caractristique courant tension de (Np) cellule en parallle
1.4.3 Regroupement (srie et parallle)

On utilise gnralement ce type dassociation pour en tirer une tension importante
puisque lassociation en srie des photopiles dlivre une tension gale la somme des
tensions individuelles et un courant gal celui dune seule cellule. La caractristique dun
groupement de deux modules solaires est reprsente ci-dessous, ce qui peut tre gnralis
sur une gamme de Ns modules solaires en srie. Ce genre de groupement augmente le
courant.
Afin dobtenir des puissances de quelques kW, sous une tension convenable, il est ncessaire
dassocier les modules en panneaux et de monter les panneaux en ranges de panneaux srie
et parallle pour former ce que lon appelle un gnrateur photovoltaque [7].
UKMO 2012 9
1.5 Modlisation dune cellule photovoltaque

1.5.1 Cellule photovoltaque idal
Une cellule photovoltaque peut tre dcrite de manire simple comme une source idale
de courant qui produit un courant IPh proportionnel la puissance lumineuse incidente, en
parallle avec une diode figure(1.6) qui correspond laire de transition p-n de la cellule PV.
Aprs la loi de nuds:
!
Id
Iph V
Figure 1.6 : Modle de cellule photovoltaque idal
Pour un gnrateur PV idel, la tension aux bornes de la rsistance est gale celle aux
bornes de la diode :
"
La diode tant un lment non linaire, sa caractristique I-V est donne par la relation :
*$
#$ #% &'() & , , -
*+
Avec:
#% : Le courant de saturation inverse de la diode.
: la tension au borne de diode
.: =KT/q potentielle thermique
Donc la relation (1.7) sera :
*$
#)/ #% &'() & , , 0
*+
UKMO 2012 10
1.5.2 Cellule photovoltaque rel

Le model photovoltaque prcdent ne rendait pas compte de tous les phnomnes
prsents lors de la conversion dnergie lumineuse. En effet, dans le cas rel, on observe une
perte de tension en sortie ainsi que des courants de fuite. On modlise donc cette perte de
tension par une rsistance en srie RS et les courants de fuite par une rsistance en parallle
RP [2].
I Rs
Id Ip
Iph Rp V
Figure 1.7 : Modle de la cellule photovoltaque rel
Donc on a :
* 1 23 #
& ,
2)
* 1 # 23
4 &'() & , ,
*+
Avec:
I : Le courant fourni par la cellule
6
5 777
: Le photo-courant dpendant de lclairement (G).
4 : Le courant de saturation de la diode.

K : constante de Boltzmann (1,381 .10-23 joule/Kelvin).
q:charge d'lectron =1,602 .10-19 C.
n: Le facteur de qualit de diode.
T: La temprature de cellule en kelvin.
Donc (1.11) sera:
* 1 # 23 * 1 23 #
4 &'() & , , & ,
*+ 2)
UKMO 2012 11
1.6 Module photovoltaque Simens

Nous avons choisi une module Simens SP75 compos de 32 cellules en silicium
monocristallin connectes en srer ayant une puissance maximal de 75w est considr dans
les conditions standards G=1000w/m2, T=25C. Pour raliser la modlisation de ce module,
nous avons utilis MATLAB comme outil de tests et de simulation.
Puissance maximale pmax : 75 wc

Tension a vide Vco : 21.7 V
Courant de court circuit Isc : 4.8A
Tension au point de puissance maximale Vmpp : 17 V
Courant au point de puissance maximale Impp: 4.4A
Noct 45 2 C
Coefficient de temprature :
Tension vide TVco : -0.77v/C
Courant court circuit TIsc: 2.6 ma / C
Tableau 1.2 : Caractristique lectrique d'un module photovoltaque SP75 ventuelle
Le courant de saturation de la diode est donn par la suite:
8
4 >?@ AB (1.15)
9:;<= F
CDE
Pour calculer I on considre Rp =inf donc Ip=0 dans ce cas, l'quation (1.11) devient:
IJK LM
4 <'() <G H3 NOP
F F
Avec Rs dans le point Voc :

1Q 1Q
0 4& , RS & , !
. .
UKMO 2012 12
Donc :
UK N IV
23 [?\] ^_ (1.18)
UI KW XYZ
` [a
Telle que:
UK NIV
23 [?^] \ -
UIbcb KW XYZ< F
` [a
Toutes les constantes dans les quations ci-dessus peuvent tre dtermines en utilisant les
donnes de fabricants de panneaux photovoltaques.
La mthode choisie pour la simulation de ce modle est la mthode de Newton Raphson qui
est dcrit comme suit :
e (N
(dJ Sd 0
e (N
Avec : * *f%
f'(x) : Le driv de la fonction

xn : La prsente itration.
xn+1 : Litration suivante.
1Q
g 5 4 hRS &i , k
j .
* 1 #l 23
#3f #l #% < F
l *+
dJ d 23 * 1 #l 23
#% <l *+F m'() l *+ n
5 o 5 opRg m 1 qr o opRg n
ki : le coefficient de variation du courant en fonction de la temprature.

kv : le coefficient de variation du tension en fonction de la temprature.
UKMO 2012 13
Tref : la temprature de rfrence 298 k(25C).

G : l'irradiation solaire.
6
#)/ j 1 sr o opRg < F
777
Le courant de saturation du T(ref) crire :

t
o d i u
4 4 opRg & , h'() & , & ,k
opRg jq o opRg
On peut crire l'quation (1.25):
5 1 sr o opRg
4
54 1 sv o opRg
RS & j . ,
Pour la modlisation ou schma block on donne :
i o Q
w v 0 '() h & 1 , k !
js
Telle que :
Nss : Nombre de module connect en srie (dans notre cas =1)
Npp : Nombre de module connect en parallle (dans notre cas =1)
NS : Nombre de cellule connect en srie.
UKMO 2012 14
A partir des quations (1.24-1.26-1.27) on peut donne le schma block de :Iph , I0 et Im
Le courant Iph:
[G]
Ki 1000
[Ipv]
[T]
[dT] Ipvn
Tref
Le courant I0:
Ki
Vocn
[dT]
Iscn
[Io]
Kv u
e
[Vta]
[dT]
1
le courant Im:
[V]
Rs
[Npp]
u [Ipv]
[Nss] e
[Npp]
1 [Im]
[I]
[Nss]
q/(n*k*Ns) [Io]
[Vta]
[Npp]
[T]
UKMO 2012 15
1.7 Influence de la temprature

Lquation de Boltzmann donne : 5 4 RS i 4xso , lexprience montre que la
tension de circuit ouvert dune cellule solaire diminue avec laugmentation de la temprature
de la cellule [13,14].
Nous prsentons ci-dessous les caractristiques I-V et P-V (figure 1.8 et 1.9) dun module
photovoltaque SP75 pour un niveau densoleillement G donn et pour diffrentes
tempratures :
Pour la figure (1.8) Nous remarquons que le courant dpend de la temprature puisque le
courant augmente lgrement mesure que la temprature augmente, on constate que la
temprature influe ngativement sur la tension de circuit ouvert. Quand la temprature augmente
la tension de circuit ouvert diminue. Et par contre la puissance maximale du gnrateur subit une
diminution lorsque la temprature augmente figure (1.9).
SP 75 Module photovoltaique
6
G=1000w/m2
4
Courant (A)
T=0C
1 T=25C
T=50C X: 17.35 X: 23.84
T=75C Y: 0.009769 Y: 0.01203
0
0 5 10 15 20X: 19.54 25
Tension (V) Y: 0.0007647
Figure 1.8 : La caractristique de I=f(V) en fonction de temprature
UKMO 2012 16
80
G=1000w/m2
70
60
50
Puissance (W) 40
30
20
T=0C
T=25C
10 T=50C
T=75C
0
0 5 10 15 20 25
Tension (V)
Figure 1.9 : La caractristique de P= f(V) en fonction de temprature
1.8 Influence de l'clairement

Le mme travail comme prcdente, nous avons fix la temprature pour diffrents
clairements figure (1.10 et 1.11).
pour la figure (1.10) on remarque que pour l'clairement G=1000 w/m2 le courant Isc=4.8A
et pour G=800w/m2 le courant Isc=3.84A on peut voir que le courant subit une variation
importante, quand l'clairement augmente le courant de court-circuit est augmente, mais par
contre la tension varie lgrement .Ce qui se traduit par une augmentation de la puissance,
lorsque lclairement est augmente figure (1.9).
UKMO 2012 17
SP 75 module photovoltaique
6
X: 0 T=25C
Y: 4.8
5
X: 0
Y: 3.84
4
Courant (A)
X: 0
Y: 2.88
3
X: 0
Y: 1.92
2 G=200w/m2
X: 0 G=400w/m2
Y: 0.96
G=600w/m2
1
G=800w/m2
G=1000w/m2
0
0 5 10 15 20 25
Tension (V)
Figure 1.10 : La caractristique I=f(v) en fonction de l'clairement
80
70 T=25C
60
50
Puissance (W)
40
30
G=200w/m2
20 G=400w/m2
G=600w/m2
10 G=800w/m2
G=1000w/m2
0
0 5 10 15 20 25
Tension (V)
Figure 1.11 : La caractristique P=f(v) en fonction de l'clairement
UKMO 2012 18
1.10 Conclusion
Dans ce chapitre nous avons prsent les principales caractristiques et les technologiques
des lments constitutifs dun gnrateur PV et nous avons montr comment augmenter le
courant ou la tension d'un gnrateur photovoltaque ainsi nous avons montr bien
l'influence de la temprature et l'clairement sur le rendement de la cellule, et on constate que
la puissance ne dponde pas seulement de la temprature mais dponde aussi de lclairement.
UKMO 2012 19
Chapitre 2 Les convertisseurs statiques
2.1 Introduction
Les convertisseurs sont des appareils servent transformer la tension continue fournie par
les panneaux ou les batteries pour l'adapter des rcepteurs fonctionnant en une tension
continue diffrente ou une tension alternative.
Ltude du convertisseur est intressante dans la mesure o il est utilis dans la plupart des
nouveaux types de sources de production dnergie disperse connecte au rseau (olienne,
photovoltaque, pile combustible).
Source continue R cepteur

Hacheur continue
(=)
Onduleur
Redresseur
Source alternative R cepteur

Gradateur
alternative(~)
(~)
Figure 2.1 : les diffrents types de convertisseurs statique
Dans ce chapitre nous prsentons les dfrents types des convertisseurs statiques quon
peut utiliser dans le systme photovoltaque. Premirement on commence par les
convertisseurs (DC-AC) et sont dfrents type, et en termine par les convertisseurs (DC-DC)
[15].
2.2 Les onduleurs
Londuleur est un convertisseur statique DC/AC de haute performance il convertit la
tension continue, en tension alternative contrle de faon trs prcise. La source de tension
continue soit un arognrateur ou des panneaux solaires.
La commande de l'onduleur est base sur la prdiction de la tension de sortie dun pas en
avant que nous appellerons Dead beat control par cette commande, la tension de sortie de
londuleur est force de suivre une rfrence sinusodale chantillonne pour la production
la sortie du filtre une onde proche dune sinusode avec un taux de distorsion harmonique trs
rduit.
UKMO 2012 20
2.2.1 Principe de fonctionnement dun onduleur

Un onduleur est un dispositif lectronique assurant la conversion statique dune
tension/courant continu en tension /courant alternatif. Il est dit autonome sil assure de lui
mme sa frquence et sa forme donde .Deux types donduleurs sont donc utiliss pour
assurer une telle conversion
Onduleur Monophas.
Onduleur Triphas.
2.2.2 Onduleur Monophas

Ce type donduleur dlivrant en sa sortie une tension alternative monophase, est
gnralement destine aux alimentations de secours. Deux classes donduleurs monophass
sont distinguer, suivant leur topologie.
2.2.2.1 Onduleur monophas en demi-pont
Le schma de principe dun tel onduleur mont en demi-pont est montr sur la figure (2.2).
E/2 D1 S1
.
Charge
0 Vo(t)
.
S2
E/2 D2
.
Figure 2.2: Schma de Principe dun Onduleur Monophas En Demi-pont.
Il est constitu principalement de deux interrupteurs de puissance nots S1 et S2

commande complmentaire .La dure de conduction de chacun des interrupteurs est alors
dun demi cycle (180) correspondant la frquence du signal de sortie requis.
Lors de la fermeture de linterrupteur S1, la tension aux bornes de la charge serait donc de
+ E/2, et prend la valeur E/2 quand le second interrupteur, S2 est ferm
UKMO 2012 21
La conduction simultane des deux interrupteurs est vite par llaboration dune
commande adquate qui tient compte des diffrentes caractristiques des imperfections de ces
interrupteurs de puissance (temps de monte tr, temps de descente tf et temps de stockage ts).
Les diodes D1. D2, dites de rcupration, assurent la conduction dun courant ngatif en
cas de dphasage de ce dernier par rapport la tension aux bornes de la charge.
2.2.2.2 Onduleur monophas en pont (Pont H)
Londuleur en pont est reprsent en figure (2.3) il comporte quatre interrupteurs de

puissance dsigne par S1, S2, S3 et S4 quand les interrupteurs S1 et S2, sont ferms
simultanment la tension impose aux bornes de la charge prend la valeur + E, et de E lors
de la fermeture simultane des deux autres interrupteurs S3 et S4.
Deux interrupteurs du mme bras ne peuvent pas conduire simultanment, cause dun
court-circuit de la source de tension continue.
.
.
D1 S1 D3 S3
.
Charge .
E
Vo(t)
.
S4 S2
D4 D2
.
Figure 2.3 : Schma de Principe dun Onduleur Monophas En Pont.
2.2.3 Onduleur triphas
Ce type donduleur est gnralement recommand pour des applications de grande

puissance .La structure de tel convertisseur se fait par lassociation, en parallle, de trois
onduleurs monophass en demi pont (ou en pont) donnant trois tensions de sortie dphases
de 120 degrs, lune par rapport lautre.
UKMO 2012 22
.
E S1 S5 S3
.
u v w
.
S4 S2 S6
E
.
Figure 2.4: Schma de Principe dun Onduleur Triphas En Pont
Figure (2.4) illustre la topologie dun onduleur triphas six interrupteurs de puissance. Le
dcalage entre les signaux de commande est de 60 [16].
2.3 Le convertisseurs DC-DC

Le hacheur est un convertisseur continue/continue permettant de convertir une nergie
continue un niveau donn de tension (ou de courant) en une nergie continue un autre niveau
de tension (ou de courant). Son utilisation savre ncessaire pour stocker lnergie
photovoltaque dans des batteries, ou pour alimenter une charge continue le schma quivalent du
hacheur se reprsente selon la figure ci dessous : Deux topologies de basse de circuit de
conversion (DC/DC) seront dcrits dans le paragraphe suivant [17].
2.3.1 Le convertisseurs BOOST

Le convertisseur boost est connu par le nom d'lvateur de tension peut tre reprsent
par le circuit de la figure (2.5).
Cest un convertisseur direct DCDC. La source d'entre est de type courant continu (inductance en
srie avec une source de tension) et la charge de sortie est de type tension continue (condensateur en
parallle avec la charge rsistive). L'interrupteur K1 peut tre remplac par un transistor puisque le
courant est toujours positif et que les commutations doivent tre commandes (au blocage et
l'amorage).
UKMO 2012 23
L K1
K2 C R
Ve Vt Vs
Figure 2.5 : Le convertisseur boost
(2.1)
Figure 2.6: Signaux typiques de convertisseur boost
UKMO 2012 24
Fonctionnement
L'interrupteur K1 est ferm pendant la fraction T de la priode de dcoupage T. La
source d'entre fournit l'nergie la charge R au travers de l'inductance L.
Lors du blocage du transistor, la diode K2 assure la continuit du courant dans l'inductance.
L'nergie emmagasine dans cette inductance est alors dcharge dans le condensateur et la
rsistance de la charge.
Les formes d'ondes en conduction continue sont reprsentes la figure (2.6). En rgime permanent, la
valeur moyenne de la tension aux bornes de l'inductance est nulle, ce qui impose la relation suivante :
(2.2)
(2.3)
2.3.2 Convertisseur Buck

Un convertisseur Buck, ou hacheur srie, est un appareil qui convertit une tension
continue en une autre tension continue de plus faible valeur.
Hacheur de type BUCK, buck chopper.
K2 L
Ve C R Vs
K1
Figure 2.7: Convertisseur buck
Le hacheur srie est un convertisseur direct DCDC, La source d'entre est de type
tension continue et la charge de sortie continue de type source de courant. L'interrupteur K1
peut tre remplac par un transistor puisque le courant est toujours positif et que les
commutations doivent tre commandes (au blocage et l'amorage).
Fonctionnement
L'interrupteur K1 est ferm pendant la fraction T de la priode de dcoupage T. La source

d'entre fournit l'nergie la charge R au travers de l'inductance L.
UKMO 2012 25
Lors du blocage du transistor, la diode K2 assure la continuit du courant dans l'inductance.

L'nergie emmagasine dans cette inductance est alors dcharge dans le condensateur et la
rsistance de charge.
Les formes d'ondes en conduction continue sont reprsentes la figure (2.8). En rgime
permanent, la Valeur moyenne de la tension aux bornes de l'inductance est nulle. La tension
de sortie est donne par la relation suivante :
(2.4)
Figure 2.8: Signaux typiques de convertisseur buck
2.4 Avantage de convertisseur BOOST
Malgr le rendement lev du convertisseur buck dans les systmes avec des sources de
puissance conventionnelles, le convertisseur boost peut tre plus appropri aux systmes
photovoltaques avec le suiveur du point de puissance maximale (MPPT) puisque le
convertisseur fonctionne au mode de courant continu extrayant autant de puissance que
possible partir des cellules solaires. Par consquent le rendement nergtique du
convertisseur boost peut tre plus grand que le convertisseur buck. Le convertisseur boost est
gnralement employ pour obtenir une tension plus leve de sortie, tandis que le
convertisseur buck est employ pour abaisser la tension de sortie [18].
UKMO 2012 26
2.5 Simulation du l hacheur

Pour montrer le rle des convertisseurs (boost-bock) nous avons utilis logiciel Matlab
pour la simulation et nous prenons (E=24V, L=1H, R=30 ).
2.5.1 hacheur srie
Scope2
Pulse
Generator
g m
i i
+ a k +
- -
Current Measurement1 Gto1 Current Measurement
i
-
Current Measurement2 Series RLC Branch +
v In Mean
-
+
DC Voltage Source
Voltage Measurement Scope
Mean Value
Diode1
In Mean
Scope3
Mean Value1
Figure 2.9: schma de simulation de convertisseur Buck
a) Charge rsistive R
Le tableau ci-dessous reprsente la variation de la valeur moyenne de la tension et du courant
en fonction de rapport cyclique :
0.20 0.30 0.40 0.50

UC moy(V) 4.86 7 .27 9.67 12.07
IC moy(A) 0.16 0.24 0.32 0.40
Tableau 2.1: la variation de la valeur moyenne de la tension et du courant en fonction de

rapport cyclique.
UKMO 2012 27
Uc
25
20
15
tension(v)
10
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
temp(t)
Figure 2.10 : La tension aux bornes de la charge.
Ucmoy
14
12
10
courant(A)
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
temp(t)
Figure 2.11: la valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge.
UKMO 2012 28
Icmoy
0.45
0.4
0.35
0.3
courant(A )
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
temp(t)
Figure 2.12 : la valeur moyenne du courant aux bornes de la charge.
b) Charge rsistive R-L

Le tableau ci-dessous reprsente la variation de la valeur moyenne de la tension et du
courant en fonction de rapport cyclique :
0.20 0.30 0.40 0.50

UCmoy(V) 4.806 7 .203 9.602 12.00
ICmoy(A) 0.16 0.240 0.32 0.40
Tableau (2.2): la variation de la valeur moyenne de la tension et du courant en fonction de rapport

cyclique.
UKMO 2012 29
La tension Uc
25
20
15
T ension(v)
10
-5
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
Figure 2.13 : La tension aux bornes de la charge.
La tension Ucmoy
15
10
Tension(V)
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
Figure 2.14: la valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge
UKMO 2012 30
Le courant Icmoy
0.5
0.45
0.4
0.35
0.3
ourant(A)
0.25
C
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4
Temps(s)
Figure 2.15 : la valeur moyenne du courant aux bornes de la charge.
La tension de sortie du hacheur nest pas continue mais toujours positive. Lorsque la
priode est assez faible (frquence de 100 1000 Hz) la charge ne voit pas les crneaux
mais la valeur moyenne de la tension.
On remarque quelle que soit la nature de la charge, on aura Le hacheur
srie est bien abaisseur de tension (hacheur dvolteur).
2.5.2 Hacheur parallle
i
+ i
- +
-
ipv ipv1
L
R
+
v +
- v
Rs -
vpv C
C1
DC Voltage Source
In Mean
I
Pulse Mean Value
Generator
In Mean
V
Mean Value1
Figure 2.16: schma bloc de simulation du convertisseur boost
UKMO 2012 31
Uc
25
24.5
Tonsion(V)
24
23.5
23
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01
Temp(T)
Figure 2.17 : La tension aux bornes de l'entre
Ucmoy
70
60
50
T o n s io n (V )
40
30
20
10
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temp(T)
Figure 2.18 : La valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge
UKMO 2012 32
Icmoy
1.4
1.2
c o u ra n t(A )
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temp(T)
Figure 2.19 : La valeur moyenne du courant
On remarque que la tension de sortie ne pas le mme que l'entre ce qui exprime le rle
de convertisseur lvateur (boost).
2.6 Conclusion
Dans ce chapitre nous avons prsent les caractristiques lectriques des convertisseurs
statiques (convertisseur DC-DC/DC-AC).nous avons montr par simulation que la valeur
moyenne de la tension de sortie peut tre ajuste en jouant sur la valeur du rapport cyclique.
Nous avons bas sur ltude des convertisseurs du courant continu (boost-buck) pour le but
d'utiliser dans le chapitre suivante.
UKMO 2012 33
Chapitre 3 Les mthodes d'optimisation
3.1 Introduction
Le cot lev des gnrateurs photovoltaques peut justifier ladjonction dun
appareillage annexe, mme sophistiqu, permettant de grer au mieux lnergie disponible. En
particulier, sur la caractristique courant-tension du gnrateur (qui dpend des conditions
dclairement, de temprature, de vieillissement) il existe un point de fonctionnement o la
puissance dbite est maximale.
Loptimisation consiste raliser ce point en permanence en agissant de faon

automatique sur la charge vue par le gnrateur. Cette adaptation de charge, dont le principe
est maintenant classique, seffectue en gnral laide dun convertisseur statique dont les
pertes doivent tre aussi faibles que possible et qui peut, par ailleurs, assurer une fonction de
mise en forme dune grandeur de sortie (conversion continu-alternatif ou continu-continu
avec modification de tension par exemple).
Dans ce chapitre on va tudier les dfrents technique de suivre le point de

fonctionnement d'un gnrateur photovoltaque, d'abord on voir la problmatique de la
connexion direct entre le GPV et la charge et en suite nous prsentons les dfrents
mthodes (directes et indirectes) pour optimiser la puissance et on terminera par une
conclusion.
3.2 Connexion direct entre la source et la charge

Dans le cas dune connexion directe qui est finalement aujourdhui lutilisation terrestre
la plus rpandue de lnergie solaire, le point de fonctionnement du GPV dpend de
limpdance de la charge laquelle il est connect [19]. Ce choix est principalement li la
simplicit, la fiabilit et le faible cot figure (3.1)
Diode anti retour
Puissance charge
Figure 3.1 : Connexion directe entre un GPV et une charge.
UKMO 2012 34
L'inconvnient de ce type, la puissance extraite dun GPV connecte directement une

application est souvent trs loigne du maximum de puissance que peut dlivrer le GPV,
comme lillustre la figure (3.2).
Figure 3.2 : Points de fonctionnement d'un GPV en connexion directe, en fonction de la charge.
Comme le montre dans la figure (3.2), un GPV peut tre connect directement trois
types de charges :
- une charge de type source de tension continue,
- une charge de type source de courant continue,
- une charge purement rsistive.
Comme illustrer prcdemment il ya trois points de fonctionnement A, B, C respectifs

peuvent tre identifis fournissant une puissance PA, PB et PC. Ces cas de figures montrent que
le GPV est mal exploit et ne fournit pas la puissance maximale [20].
UKMO 2012 35
3.3 Le fonctionnement optimal du gnrateur photovoltaque

La conception de systme PV optimiser est par nature difficile. en effet, cot source ,pour
gnrateur PV , la production de puissance varie fortement en fonction de l'clairement de la
temprature ,mais aussi du vieillissement global du systme .cot charge , que ce soit de
nature continue (DC) ,ou bien alternative (AC), comme le rseau lectrique ,chacune a son
comportement propre qui peut tre alatoire .pour que le gnrateur fonctionne le plus
souvent possible dans son rgime optimale ,la solution communment adopte est alors
d'introduire un convertisseur statique figure (3.3) qui jouera le rle d'adaptateur source
charge [21 ,22].
Adaptateure
I1 I2
Convertisseur V
Charge
Ve statique Vs DC
GPV
GPV
Figure 3.3 : Etage d'adaptation d'un GPV-charge
Si on prend lexemple du convertisseur DC-DC (lvateur), la tension et le courant de sortie

de convertisseur en fonction du rapport cyclique de sortie crire par les relations:
Aussi, le rapport cyclique scrit en fonction des rsistances Rpv et RS:
=1-
UKMO 2012 36
Puisque le rapport est infrieur 1 ( < 1), le convertisseur ne joue le rle dun lvateur
que si la charge RS remplit la condition suivante:
Dans les conditions optimales et pour une charge RS donne, la rsistance interne du panneau
( Rpv = Ropt ) et le rapport cyclique ( = opt ) obissent donc lquation:
3.4 Principe de fonctionnement de MPPT

Un MPPT, de l'anglais Maximum Power Point Tracking est un principe permettant de
suivre, comme son nom l'indique, le point de puissance maximale d'un gnrateur lectrique
non linaire. En consquence, pour un mme clairement, la puissance dlivre sera diffrente
selon la charge. Un contrleur MPPT permet donc de piloter le convertisseur statique reliant
la charge (une batterie par exemple) et le panneau photovoltaque de manire fournir en
permanence le maximum de puissance la charge chaque instant. La figure (3.4) reprsente
la trajectoire du point de puissance maximale produite par le gnrateur.
sp75 Module photovoltaique sp75 Module photovoltaique

80 6
T=25C
1000W/m2 T=25C
70
5 1000W/m2
60 800W/m2
800W/m2
4
Puissance (W)
50 2
600W/m
Courant (A)
40 600W/m2
2 3
400W/m
30
400W/m2
2
20 200W/m2
200W/m2
10 1
0
0 5 10 15 20 25 0
Tension (V) 0 5 10 15 20 25
Tension (V)
Figure 3.4 : La caractristique I-V, P-V et la trajectoire de PPM
La Figure (3.5) prsente le schma de principe dun module photovoltaque dot dun
tage dadaptation DC-DC entre le GPV et la charge de sortie. Cette structure correspond un
systme plus communment appel systme autonome. Il permet le plus souvent dalimenter
une batterie servant de stocke lnergie pour une charge qui ne supporte pas les fluctuations
de tension. Cet tage dadaptation dispose dune commande MPPT (Maximum Power Point
UKMO 2012 37
Tracking) qui lui permet de rechercher le PPM que peut fournir un panneau solaire
photovoltaque. Lalgorithme de recherche MPPT peut tre plus ou moins complexe en
fonction du type dimplantation choisi et des performances recherches. Cependant au final,
tous les algorithmes performants doivent jouer sur la variation du rapport cyclique du
convertisseur de puissance associ [4].
I1 I2
V1 V2
Rapport
GPV
Figure 3.5 : Chane lmentaire de conversion photovoltaque.
pour assurer le fonctionnement d'un GPV a son point de puissance maximale (PPM),des
contrleur MPPT sont utiliss ,ces contrleurs sont destins a minimiser l'erreur entre la
Puissance de fonctionnement et puissance maximale de rfrence variable en fonction des
conditions climatiques baser sur des mthode optimale (voir la suite)[21].
3.5 Gestion de la MPPT
La figure (3.6) illustre trois cas de perturbations. Suivant le type de perturbation, le point
de fonctionnement bascule du point de puissance maximal PPM1 vers un nouveau point P1 de
fonctionnement plus ou moins loign de loptimum.
Dans ce cas est pour une variation densoleillement il suffit de rajuster la valeur du
rapport cyclique pour converger vers le nouveau point de puissance maximum PPM2. Dans le
cas b pour une variation de charge on peut galement constater une modification du point de
fonctionnement qui peut retrouver une nouvelle position optimale grce laction dune
commande. Enfin dans le dernier cas c de variation de point de fonctionnement peut se
UKMO 2012 38
produire li aux variations de temprature de fonctionnement du GPV .Bien quil faut

galement agir au niveau de la commande [23].
Charge: constante Charge: variable

T:constante T:constante
L'clairement: variable L'clairement: constante
PPV(w) Caractristique Ppv(w) Caractristique
PPM1 de la charge PPM1 la charge
la variation la variation
de ! PPM2 de P1
variation
P1 variation de de la
l'clairement charge
E2 E1
VPV(v) VPV(v)
(a) (b)
Charge: constante
T: variable
L'clairement: constante
PPV(w) Caractristique de
la variation PPM1 la charge
de ! PPM2
P1
La variation de
E1 E1 la Temprature
T2 T1
VPV(v)
(c)
Figure 3.6 : Recherche et recouvrement du Point de Puissance Maximale a) suite une variation
d'clairement, b) suite une variation de charge, c) suite une variation de temprature
UKMO 2012 39
3.6 Classification de l'algorithme de suiveur la puissance max

La classification des algorithmes du suiveur peut tre base sur la fonction des techniques
ou des stratgies de commande utilises. Ainsi, deux catgories peuvent tre prsentes:
mthodes directes et indirectes.
3.6.1 Les mthodes indirectes

Les mthodes indirectes utilisent des bases de donnes regroupant les caractristiques des
panneaux photovoltaques (PV) dans diffrentes conditions climatiques (temprature,
ensoleillement) mais aussi des quations mathmatiques empiriques permettant de
dterminer le point de puissance maximum. Ces mthodes sont souvent propres chaque type
de panneau et donc difficile gnraliser : la mthode dajustement de courbe, la mthode
look-up table , la mthode de la tension de circuit ouvert du gnrateur, la mthode de court
circuit.
3.6.1.1 La mthode de la tension de circuit ouvert du gnrateur

Cette mthode, est base sur la tension du gnrateur PV au point de puissance maximale
qui est approximativement proportionnelle sa tension circuit ouvert Voc. La constante
proportionnelle k1, dpend de la technologie de cellules photovoltaques, du facteur de forme
et des conditions mtorologiques.
"#$$
K1= "%&
'() * (3.8)
La tension de circuit ouvert du gnrateur PV est mesure et stocke en arrtant le systme,

cette opration seffectuant une certaine frquence. Le MPP est calcul suivant lquation
(3.1), et la tension de fonctionnement est ajuste sur le point de puissance maximale. Bien que
cette mthode soit apparemment simple, il est difficile de choisir une valeur optimale de k1.
Cette mthode souffre donc dinexactitude mais prsente lavantage dtre simple et bas
prix. Aussi, linterruption de service la limite des systmes avec stockage o la dconnexion
des panneaux est transparente pour lutilisateur.
UKMO 2012 40
3.6.1.2 La mthode de court-circuit

Cette mthode est similaire la prcdente et est base sur la proportionnalit existant
entre le courant de court circuit et le courant au point de puissance maximale (quation 3.9):
+,--
K2 = / '() * (3.9)
+ .
Cette mthode prsente les mmes avantages et inconvnients que ceux de la mthode de la
tension de circuit ouvert.
3.6.2 Les mthodes directes

Les mthodes directes sont des mthodes qui utilisent les mesures de tension et de courant
des panneaux et dont lalgorithme est bas sur la variation de ces mesures.
Lavantage de ces algorithmes est quils ne ncessitent pas une connaissance pralable des
caractristiques des panneaux PV. Parmi ces mthodes, on retrouve la mthode de
diffrenciation, la mthode Perturbe & Observe (P&O), lincrment de conductance
3.6.2.1 La mthode Perturbe & Observe (P&O)

Le principe des commandes MPPT de type P&O consiste perturber la tension VPV
dune faible amplitude autour de sa valeur initiale et danalyser le comportement de la
variation de puissance PPV qui en rsulte Ainsi, comme lillustre la figure (3.7), on peut
dduire que si une incrmentation positive de la tension VPV engendre un accroissement de la
puissance PPV, cela signifie que le point de fonctionnement se trouve gauche du PPM.
Si au contraire, la puissance dcrot, cela implique que le systme a dpass le PPM. Un

raisonnement similaire peut tre effectu lorsque la tension dcrot. A partir de ces diverses
analyses sur les consquences dune variation de tension sur la caractristique PPV(VPV), il est
alors facile de situer le point de fonctionnement par rapport au PPM, et de faire converger ce
dernier vers le maximum de puissance travers un ordre de commande.
UKMO 2012 41
Ppv
PPM
Le systme converge de PPM Le systme s'loigne de PPM
p<0
Puissance(w) p>0
v>0 v<0
Vpv
Figure 3.7: Schma de converge vers le PPM par P&O .
La figure (3.8) reprsente lalgorithme classique associ une commande MPPT de type
P&O, o lvolution de la puissance est analyse aprs chaque perturbation de tension. Pour
ce type de commande, deux capteurs (courant et tension du GPV) sont ncessaires pour
dterminer la puissance du PV chaque instant [24].
UKMO 2012 42
Oui
Non Non Oui
!"
Non Oui Non Oui

0 !" 0 !"
0 0 0 0
Figure 3.8 : Algorithme de MPPT a base de la mthode P&O
Telle que :
Ppvn:la nouvelle puissance
Ppvn-1:l'enceint puissance dans le temps (t-1)
01 2314 231456 (3.10)
03 789: 789:56
La mthode P&O est aujourdhui largement utilise de part sa facilit dimplmentation,

cependant elle prsente quelques problmes lis aux oscillations autour du PPM quelle
engendre en rgime tabli car la procdure de recherche du PPM doit tre rpte
priodiquement, obligeant le systme osciller en permanence autour du PPM, une fois ce
dernier atteint. Ces oscillations peuvent tre minimises en rduisant la valeur de la variable
de perturbation. Cependant, une faible valeur dincrment ralenti la recherche du PPM, il faut
UKMO 2012 43
donc trouver un compromis entre la prcision et la rapidit. Ce qui rend cette commande
difficile optimiser [24].
3.6.2.2 La mthode incrmentation de la conductance

L'avantage de cet algorithme est la vitesse de recherche du point de puissance
maximale quand les conditions atmosphriques changent rapidement ; la description de
l'algorithme sera prsente par la suite [25].
La puissance produite par le gnrateur PV peut tre exprim par:
789 89 89
La conductance et l'incrmentation de la conductance peuvent tre identifies en drivant

l'quation par rapport la tension Ppv:
6 ;$<= ><= ;><=

? (3.13)
" ;"<= "<= ;"<=
Ainsi on a not avec G la conductance et avec G l'incrment de la conductance :

><=
@ "<=
;><=
0@ ;"<=
UKMO 2012 44
;$<=
Ppv =0
"<=
;$<= ;$<=
>0 PPM <0
"<= "<=
Puissance(w)
Vpv
Figure 3.9 : Trajectoire par Incrmentation de Conductance
0
0
Non Oui
0 "
Oui
0><= 5><= 0A3 "
0"<= "<=
Non
Non Oui
Oui Oui
0><= 5><=
! 0A3 !"
0"<= "<=
0 0 0 0
# $
Figure 3.10 : Algorithme dincrmentation de la conductance

UKMO 2012 45
On peut crire aussi:
;$<=
B : Le point de fonctionnement est gauche du PPM.
;"<=
;$<=
;"<=
0 : Le point de fonctionnement sur le PPM.
*B : Le point de fonctionnement est droit de PPM.
3.6.2.3 Mthode contre raction de la tension

Ce gnre de mcanisme repose sur le contrle de la tension de fonctionnement des
panneaux par comparaison de cette tension avec une rfrence [26] .Cela gnrer une tension
d'erreur qui fait varier le rapport cyclique de la MLI de la commande a fin d'annuler cette
erreur comme le montre la figure (3.11):
Charge
Vpv
+
% &
- +
Vre
Figure 3.11 : Mthode contre raction de la tension
Les inconvnients de cette configuration sont les mmes que pour la mthode de
connexion directe (gnrateur PV + charge de profil). C'est--dire, le systme ne peut pas
s'adapter aux conditions variables d'environnement, telles que l'irradiante et la temprature.
Les avantages de cette technique c'est une technique simple, conomique et emploie
seulement une commande de boucle de feedback [28].
UKMO 2012 46
3.6.2.4 Mthode contre raction de courants
Dans toutes les mthodes (MPPT) prsentes jusqu'ici, une mesure de Ipv et Vpv a t
employe pour obtenir des information sur la puissance de sortie du panneau. Cette nouvelle
mthode (MPPT) utiliser seulement une mesure de courant pour obtenir l'information sur le
point oprationnel et actuel du systme figure (3.13).
L'avantage de cette mthode est qu'elle est simple, contrairement aux mthodes mentionnes
prcdemment [12].
I1 I2
Capteur du
courant
Contrleur
MPP
Figure 3.12 : Mthode contre raction de courants
3.7 Conclusion
A travers de ce chapitre, nous avons montr les limites de la connexion directe et la
caractristique I-V d'un panneau photovoltaque n'est pas linaire.
Nous avons vu galement les algorithmes MPPT ont t couverts en dtail. Comme ont t
faits connatre, il y a beaucoup de manires distinguer et de grouper les techniques pour
suivre le MPP au gnrateur PV. Cependant, en ce chapitre, les techniques directes et
indirectes taient choisies et dveloppes en dtail.
Les techniques indirectes ont le dispositif particulier de l'obtention de la puissance maximale

soit lensoleillement, soit la temprature. Ils doivent mesurer une partie de la tension, du
courant du gnrateur PV, ou employer des donnes empiriques par des expressions
UKMO 2012 47
mathmatiques d'approximation numrique pour estimer le MPP du gnrateur spcifique de

PV install dans le systme. Bien que, dans beaucoup de cas, ils puissent tre simples et peu
coteux, ils ne sont pas totalement souples.
D'autre part, la technique directe offre les avantages suivants: ni une grande base de donnes,
ni une grande mmoire ncessaire pour calculer le MPP; elle est totalement souple en ce qui
concerne le profil de charge, le suiveur de MPP est indpendant de la variation des paramtres
du gnrateur PV.
UKMO 2012 48
Chapitre 4 Simulation du systme photovoltaque
4.1 Introduction
Dans ce chapitre, notre travail consiste simuler un systme PV de moyenne puissance

(100 W) fonctionnant en rgime continu dans les conditions optimales indpendamment des
conditions mtorologiques et de la variation de la charge.
Plus particulirement, nous prenons un systme photovoltaque figure (4.1), gnrateur PV

SP75, convertisseur dnergie DC-DC (lvateur avec CS = 200 F , CE = 2200 F , L=300 H , f
=10kHz) et une charge rsistive RS = 50 adapt par une commande MPPT travaillant une
frquence de 10 kHz[27,28].
Figure 4.1: Schma synoptique du systme PV contrl par une commande MPPT
4.2 Simulation d'un systme photovoltaque
Pour raliser cette simulation, nous avons utilis le logiciel MATLAB comme outil de
tests et de simulation.
Simulation sans MPPT (connexion direct)
La connexion directe du panneau solaire figure (4.2) reste actuellement le mode de

fonctionnement le moins cher. L'inconvnient majeur de ce fonctionnement est la dpendance
directe de la puissance fournie par le gnrateur envers l'clairement. On veut observer la
puissance maximale produit par le gnrateur photovoltaque, on utilise une rsistance
variable comme une charge tableau (4.1).
UKMO 2012 49
Figure 4.2 : schma block de connexion directe d'un gnrateur photovoltaque
Rsistance (ohm) Courant(A) Tension(V) Puissance(W)

200 0.10 21.59 2.33
50 0.42 21.38 9.14
30 0.706 21.19 14.97
10 2.022 20.23 40.92
8 2.06 19.85 49.26
6 3.19 19.17 61.27
3.86 4.4 16.99 74.81
Tableau4.1: la variation de la puissance para port la charge (sans MPPT)
A partie de ce tableau en remarque que :

pour une augmentation de la rsistance de charge R le courant tend vers la valeur '0' et
la tension tend vers la valeur de Voc .
pour une diminution de R on trouve augmentation de la puissance.
pour une augmentation de R on trouve diminution de la puissance. pour la puissance
max en trouve Ropt=3.86( ).
UKMO 2012 50
La figure (4.3) montre la puissance et le courant et la tension du module lorsque le

systme photovoltaque reli au module solaire photovoltaque sans MPPT, La puissance
maximale 9.14w qui est obtenue par le systme dans les conditions G=1000w/m^2 et
T=25C. Comme nous avons observ dans le profil le courant est presque nul par ce que la
charge est il grande et la tension gale a la tension de court circuit, la puissance est trs faible
par rapport la puissance nominale du systme.
Le courante et la tension et la puissance de GPV

1
C ourant(A )
-1
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
23
T ens ion(V )
22
21
20
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
11
P uis s anc e(w )
10
8
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps
Figure 4.3 : La puissance, la tension et le courant produit par le GPV sans MPPT
Simulation avec MPPT

Comme nous avons montr dans le chapitre prcdente pour le gnrateur
photovoltaque (PV) fonctionne dans les conditions optimales, il doit tre dot dun
quadriple dadaptation figure (4.4). Cette adaptation se ralise en cherchant de faon
UKMO 2012 51
automatique le point de puissance maximale (PPM) du gnrateur PV figure (4.5 et 4.6) et

ceci lorsque le systme est plac dans un environnement o les conditions mtorologiques
(ensoleillement, temprature) et charge sont stables.
Figure 4.4: Schma bloc de la simulation d'un systme PV avec la commande MPPT
UKMO 2012 52
Figure 4.5 : Schma bloc d'algorithme MPPT
Figure 4.6: Schma bloc de la commande MLI
UKMO 2012 53
La charge 50 30 10 8 3.86
L'clairement 1000w/m^2 1000w/m^2 1000w/m^2 1000w/m^2 1000w/m^2
La puissance 74.86w 74.86w 74.86w 74.86w 74.81w
Le courant 4.35A 4.35A 4.37A 4.36A 4.40A
La tension 17.17V 17.14V 17.12V 17.16V 16.99V
Tableau 4.2: La variation de la puissance para port la charge (avec MPPT)

En remarque toujours le systme photovoltaque donne la puissance max se que exprimer le
rle de la commande MPPT.
4.3 Rsultats de simulation

Dans les figures (4.7 et 4.8 et 4.9), est pour un clairement constant de 1000 W/m2 et une
temprature de 25C, les rsultats typiques de simulation des caractristiques lectriques la
sortie du panneau et la sortie du hacheur de type lvateur contrl par la commande MPPT
il apparat que:
Les diffrentes grandeurs lectriques (puissances, tensions et courants) se stabilisent autour
des valeurs fixes par notre cahier de charge:
Aprs un rgime transitoire de dure 2 ms, la commande MPTT fait osciller le point de
fonctionnement autour du point du PPM.
La puissance fournie par le gnrateur PV se stabilise autour de 75 W et celle fournie la
charge autour de 68 W, la sortie du panneau, la tension et le courant se stabilisent
respectivement autour de 17 V et 4.4 A.
Au niveau de la charge, la tension et le courant se stabilisent respectivement autour de 58 V et
1.2 A.
UKMO 2012 54
Courant de la charge
1.2
Courant(A) 0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
Courant de GPV
4.45
4.4
Courant(A)
4.35
4.3
4.25
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
Figure 4.7: Le courant gnre par la charge et GPV

Tension de la charge
60
50
Tension(V)
40
30
20
10
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
Tension de GPV
17.5
Tension(V)
17
16.5
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
Figure 4.8: La tension gnre par la charge et GPV
UKMO 2012 55
La puissance de la charge
80
60
Puissance (W) 40
20
0
0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
La puissanse de GPV
74.9
Puissance(W)
74.8
74.7
74.6
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
Figure 4.9 : La puissance gnre par charge et GPV
Notons que la diffrence entre la puissance la sortie du panneau et celle fournie la

charge reste dans la limite de 6 Watts. Ces pertes sont attribues aux pertes par commutation
et par conduction dans le transistor Mosfet, dans la diode et dans les diffrents composants de
la commande MPPT.
La figure (4.10) montrent que le systme de charge rsistive sans MPPT a une mauvaise
efficacit cause de la non adaptation entre le module PV et la charge de type rsistance.
UKMO 2012 56
10.5
P sans MPPT
10
P uis sanc e(w)

9.5
8.5
8
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
74.9
P uis s ance(w)
74.8 P avec MPPT
74.7
74.6
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
Figure 4.10 : La comparaison entre la puissance de GPV sans et avec MPPT
Avec les valeurs simuler des caractristiques du panneau pour G= 1000W/m2:

On connexion direct on a :
Ipv=0.42A, Vpv=21.38V ,Ppv=9.14W.
Au point maximum de puissance, le rendement est nSMPPT =12.18%. Et avec MPPT

On a : IPV =4.35 A, VPV=17.17V, PPV=74.86w et
Au point maximum de puissance, le rendement est nMPPT =99.81%.
Pour montrer bien l'efficacit de la commande MPPT sur la puissance maximale, nous avons
simul le systme avec diffrents clairements et une temprature fixe T=25C, les rsultats
obtenus est la suivante :
UKMO 2012 57
Sans MPPT
La tension de la charge pour diffrents clairement
24
G=800w/m2
22
20
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
22
20 G= 600w/m2
18
Tension(v)
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
22
20
G= 400w/m2
18
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
19.345
G= 200w/m2
19.345
19.345
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
Figure (4.11): La tension en fonction de temps
V sortie de convertisseur
100
G= 800w/m2
50
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
50
G= 600w/m2
Tension (v)
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
40
G= 400w/m2
20
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
25
G= 200w/m2
20
15
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(w)
Figure (4.12): La tension de la charge en fonction de temps
UKMO 2012 58
Avec MPPT
La puissance max pour diffrents clairement
10
8 P pour 800w/m2
6
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
10
P pour 600w/m2
8
Puissance(w)
6
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
10
P pour 400w/m2
8
6
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
7.4845
P pour 200w/m2
7.4845
7.4845
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
Figure (4.13) : La puissance en fonction
MPPT pour diffrents clairement

60.2
MPPT pour 800w/m2
60
59.8
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
44.6
44.4 MPPT pour 600w/m2

Puissance(w)
44.2
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
28.8
MPPT pour 400w/m2
28.6
28.4
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
12.426
MPPT pour 200w/m2
12.424
12.422
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
Figure (4.14) : La puissance de la charge en fonction de temps
UKMO 2012 59
A travers les figures (4.11, 4.12 et 4.13, 4.14) obtenus nous avons montr que le
convertisseur DC-DC et la commande MPPT effectuent correctement leurs rles. Le
convertisseur fournit dans les conditions optimales une tension sa sortie suprieure celle
fournie par le gnrateur PV. La commande MPPT adapte le gnrateur PV la charge:
transfert de la puissance maximale. En remarque toujours que le rsultat reste le mme pour
diffrents clairements.
4.4 Conclusion
Dans ce chapitre nous avons prsent la simulation d'un systme PV avec et sans MPPT
et on conclue que un systme de conversion d'nergie, constitu par un panneau PV, et un
convertisseur DC-DC et un suiveur du point de puissance maximale (MPPT) par la mthode
de Perturbe et observe conduit un fonctionnement optimal du systme. La recherche du
point de puissance maximale est fait d'une manire stable et robuste, les rsultats obtenus
montrent que pendant une dure infrieure 2 ms et en variant dune manire automatique le
rapport cyclique du signal qui commande linterrupteur du convertisseur dnergie le systme
converge vers les conditions optimales indpendamment des conditions mtorologiques et de
la variation de la charge ces rsultats, forts intressants, montrent que lutilisation de la
commande MPPT permet damliorer dune manire considrable le rendement des
installations photovoltaques.
UKMO 2012 60
Conclusion gnrale
Conclusion gnrale
La demande mondiale en nergie volue rapidement et les ressources naturelles de
l'nergie telles que l'uranium, le gaz et le ptrole diminuent en raison d'une grande diffusion et
dveloppement de l'industrie ces dernires annes. Pour couvrir les besoins en nergie, des
recherches sont conduits l'nergie renouvelable. Une des nergies renouvelables qui peut
accomplir la demande est lnergie solaire photovoltaque, cest une nergie propre,
silencieuse, disponible et gratuite. Cest dailleurs ce explique que son utilisation connat une
croissance significative dans le monde.
L'utilisation d'nergie solaire comme source alternative d'nergie, souffre du cot lev
des cellules solaires, du faible rendement et de puissance intermittent selon la fluctuation des
conditions atmosphriques. Par consquent, n'importe quelle conception de systme
d'application d'nergie solaire, devrait prendre en compte ces inconvnients. Ce travail sagit
dune contribution l'optimisation du fonctionnement dun systme photovoltaque.
Les travaux prsents concernent plus particulirement la problmatique du couplage entre un
gnrateur photovoltaque et une charge de type continue. En effet, ce type de couplage
souffre encore du problme du transfert de puissance du gnrateur photovoltaque la
charge qui est souvent trs loin des possibilits du gnrateur.
Avant daborder la problmatique de conversion, nous avons tout dabord tudi le
contexte et la problmatique de lnergie solaire photovoltaque. Ceci savrer ncessaire pour
acqurir une connaissance approfondie du comportement dun gnrateur photovoltaque.
Nous avons tabli des programmes de calculs sous lenvironnement Matlab 7.0 permettant de
tracer la caractristique I-V pour diffrentes clairements et tempratures solaires et de
calculer la puissance maximale dlivre par la cellule photovoltaque correspondante.
Nous rappelons dans le deuxime chapitre les principales caractristiques des convertisseurs
statiques dont il faut tenir compte pour dimensionner les tages dadaptation entre le
gnrateur photovoltaque et la charge.
Pour mieux analyser les contraintes de lexploitation dun systme photovoltaque, nous
avons tudie plusieurs mthodes doptimisation.
Dans le dernier chapitre, nous avons analys dans le simulateur Matlab 7.0 le fonctionnement
optimal dun systme PV, de moyennes puissances dont la rgulation de la puissance est
effectue par une commande MPPT, suites aux variations des conditions mtorologiques
(clairements,) et de la charge.
Conclusion gnrale
Les rsultats obtenus montrent loscillation instantane du point de fonctionnement du

module photovoltaque autour du PPM indpendamment des variations de lclairement et
la charge. Le bon fonctionnement du convertisseur DC-DC Boost (rendement de lordre de 92
%) et les faibles pertes de puissances fournies par ce module (infrieures 8 %) nous ont
permis de conclure le bon fonctionnement et les performances satisfaisantes du systme PV
ralis au cours de ce travail. En perspective, ce travail sera poursuivi par une ralisation
pratique de commande MPPT fin de valider les rsultats obtenus.
Rfrences bibliographiques
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[33] http://www.mathworks.es.
Annexe
Annexe 1:
Programme associ avec le panneau solaire :
clc;
%% paneaux solar sp 75 module
Iscn =4.8; %Nominal short-circuit courant [A]
Vocn =21.7; %Nominal array open-circuit voltage[v]
Imp = 4.41; %Array current @ maximum power point [A]
Vmp = 17; %Array Voltage @ maximum power point [v]
Pmax_e = Vmp*Imp; %Array maximum power [W]
Kv = -0.77; %Voltage/temperature coefficient [V/K]
Ki = 2.06e-3; %Current/temperature coefficient [A/K]
Ns = 32; %Nunber of series cells
Tn = 25+273.15; %module temperateur[k]
Gn=1000; %Irradiance
%% parameters module
Npp=1;
Nss=1;
%% converter Boost
L=0.34*10^-3;
Ce=9400*10^-6;
Co=4700*10^-6;
%Vo=12;
%% Constants
k = 1.3806503e-23; %Boltzmann [J/K]

q = 1.60217646e-19; %la charge [C]
a = 1;% Diode constant
%% Algorithm parameters
%Increment of Rs
Rsinc = 0.01;
%Maximum tolerable power error
tol = 0.0001;
%Maximum number of iterations for each value of "a"
nimax = 5000;
%Voltage points in each iteration
nv = 50;
%% Adjusting algorithm
% Reference values of Rs and Rp
Rs_max = (Vocn - Vmp)/ Imp;
Rp_min = Vmp/(Iscn-Imp) - Rs_max;
% Initial guesses of Rp and Rs
Rs = 0;
Rp = Rp_min;
% The model is adjusted at the nominal condition
T = Tn;
G = Gn;
Vtn = k * Tn / q; %Thermal junction voltage (nominal)
Vt = k * T / q; %Thermal junction voltage (current temperature)
Annexe
%Ion = Iscn/(exp(Vocn/a/Ns/Vtn)-1); % Nominal diode saturation current

%Io = Ion;
perror = Inf; %dummy value
% Iterative process for Rs and Rp until Pmax,model = Pmax,experimental
ni = 0;
while (perror>tol) && (Rp > 0) && (ni < nimax)
ni = ni + 1;
% Temperature and irradiation effect on the current

dT = T-Tn;
Ipvn = (Rs+Rp)/Rp * Iscn; % Nominal light-generated current
Ipv = (Ipvn + Ki*dT) *G/Gn; % Actual light-generated current
Isc = (Iscn + Ki*dT) *G/Gn; % Actual short-circuit current
Io = (Ipv - Vocn/Rp)/(exp(Vocn/Vt/a/Ns)-1); %%
% Increments Rs
Rs = Rs + Rsinc;
Rp_ = Rp;
Rp = Vmp*(Vmp+Imp*Rs)/(Vmp*Ipv-
Vmp*Io*exp((Vmp+Imp*Rs)/Vt/Ns/a)+Vmp*Io-Pmax_e);
% Solving the I-V equation for several (V,I) pairs
clear V
clear I
V = 0:Vocn/nv:Vocn; % Voltage vector
I = zeros(1,size(V,2)); % Current vector
for j = 1 : size(V,2) %Calculates for all voltage values
% Solves g = I - f(I,V) = 0 with Newton-Raphson
g(j) = Ipv-Io*(exp((V(j)+I(j)*Rs)/Vt/Ns/a)-1)-(V(j)+I(j)*Rs)/Rp-I(j);
while (abs(g(j)) > 0.001)
g(j) = Ipv-Io*(exp((V(j)+I(j)*Rs)/Vt/Ns/a)-1)-(V(j)+I(j)*Rs)/Rp-I(j);
glin(j) = -Io*Rs/Vt/Ns/a*exp((V(j)+I(j)*Rs)/Vt/Ns/a)-Rs/Rp-1;
I_(j) = I(j) - g(j)/glin(j);
I(j) = I_(j);
end
end % for j = 1 : size(V,2)
% Calculates power using the I-V equation

P = (Ipv-Io*(exp((V+I.*Rs)/Vt/Ns/a)-1)-(V+I.*Rs)/Rp).*V
Pmax_m = max(P);
Annexe
perror = (Pmax_m-Pmax_e);
end % while (error>tol)
if (Rp<0)
Rp = Rp_
end
Ion = Io;
%% Outputs
% I-V curve
figure
subplot(2,1,1)
grid on
hold on
title('Adjusted I-V curve');
xlabel('V [V]');
ylabel('I [A]');
xlim([0 Vocn*1.1]);
ylim([0 Iscn*1.1]);
plot(V,I,'LineWidth',2,'Color','b')
plot([0 Vmp Vocn ],[Iscn Imp 0 ],'o','LineWidth',2,'MarkerSize',5,'Color','r')
%%P-V curve
subplot(2,1,2)
grid on
hold on
title('Adjusted P-V curve');
xlabel('V [V]');
ylabel('P [W]');
xlim([0 Vocn*1.1]);
ylim([0 Vmp*Imp*1.1]);
plot(V,P,'LineWidth',2,'Color','b')
plot([0 Vmp Vocn ],[0 Pmax_e 0 ],'o','LineWidth',2,'MarkerSize',5,'Color','r')
disp(sprintf('Model info:\n'));
disp(sprintf(' Rp_min = %f',Rp_min));
disp(sprintf(' Rp = %f',Rp));
disp(sprintf('Rs_max = %f',Rs_max));
disp(sprintf(' Rs = %f',Rs));
disp(sprintf(' a = %f',a));
disp(sprintf(' T = %f',T-273.15));
disp(sprintf(' G = %f',G));
disp(sprintf(' Pmax,m = %f (model)',Pmax_m));
disp(sprintf(' Pmax,e = %f (experimental)',Pmax_e));
disp(sprintf(' tol = %f',tol));
disp(sprintf('P_error = %f',perror));
disp(sprintf(' Ipv = %f',Ipv));
disp(sprintf(' Isc = %f',Isc));
disp(sprintf(' Ion = %g',Ion));
disp(sprintf('\n\n'));

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REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE

UNIVERSITE KASDI MERBAH- OUARGLA

Nom & Prnom Grade Qualit Universit

A la suite Nous tenons remercier vivement Mr. LOUAZENE

Nous tenons galement remercier messieurs les membres de jury pour

Nos vifs remerciements aussi Mr. L.AOMAR.

Et tous les professeurs de dpartement de Gnie lectrique

Chapitre 1: Etude d'un systme photovoltaque

Chapitre 2: Les convertisseurs statiques

Chapitre 3: Les mthodes doptimisation

Chapitre 4: Simulation d'un systme photovoltaque

Tableau 1.1 Avantage et l'inconvnient d'une cellule photovoltaque .. 7

Chapitre 1 : Etude du systme photovoltaque

Chapitre 2 : Les convertisseurs statiques

Chapitre 3: Les mthodes doptimisation

Chapitre 4: Simulation d'un systme photovoltaque

La plus grande partie de lnergie consomme actuellement provient de lutilisation des

Dans ce dernier cas, la conception, loptimisation et la ralisation des systmes

1.2 L'nergie solaire

Une faon commode d'exprimer cette nergie est:

9% dans la bande des ultraviolets (<0,4 m),

Figure 1.1 : Spectre d'irradiante solaire.

ICC D Rsh V cellule

1.3.1 L'effet photovoltaque

Contacte avant Grille

Figure 1.3 : Schma d'une cellule photovoltaque

1.3.2 Technologie d'une cellule photovoltaque

Silicium poly cristallin

Silicium amorphe (a-si)

Tableau 1.1: Avantage et inconvnient des cellules photovoltaques

1.4 Regroupement des cellules

VcoNs: la somme des tensions en circuit ouvert de Ns cellules en srie.

Figure 1.4: Caractristique courant tension de Ns cellule en srie

1.4.2 Regroupement en parallle

IccNp: la somme des courants de cout circuit de (NP) cellule en parallle

Figure 1.5 : Caractristique courant tension de (Np) cellule en parallle

1.4.3 Regroupement (srie et parallle)

1.5 Modlisation dune cellule photovoltaque

Figure 1.6 : Modle de cellule photovoltaque idal

1.5.2 Cellule photovoltaque rel

Figure 1.7 : Modle de la cellule photovoltaque rel

4 : Le courant de saturation de la diode.

1.6 Module photovoltaque Simens

Puissance maximale pmax : 75 wc

Tableau 1.2 : Caractristique lectrique d'un module photovoltaque SP75 ventuelle

Le courant de saturation de la diode est donn par la suite:

Avec Rs dans le point Voc :

f'(x) : Le driv de la fonction

ki : le coefficient de variation du courant en fonction de la temprature.

Tref : la temprature de rfrence 298 k(25C).

Le courant de saturation du T(ref) crire :

On peut crire l'quation (1.25):

Pour la modlisation ou schma block on donne :

A partir des quations (1.24-1.26-1.27) on peut donne le schma block de :Iph , I0 et Im

1.7 Influence de la temprature

Figure 1.8 : La caractristique de I=f(V) en fonction de temprature

Figure 1.9 : La caractristique de P= f(V) en fonction de temprature