COLE POLYTECHNIQUE

FILIRE

MP

CONCOURS DADMISSION 2003

PREMIRE COMPOSITION DE PHYSIQUE

(Dure : 4 heures)
Lutilisation des calculatrices est autorise pour cette preuve.

Microscopie force lectrostatique

Le problme expose le principe de fonctionnement dun microscope force lectrostatique.
Cette technique danalyse de surfaces permet de raliser des cartographies de gradients de forces
lectrostatiques, avec une rsolution latrale de lordre de quelques dizaines de nanomtres.
La premire partie du problme dcrit le principe de mesure de la pulsation propre dun oscillateur mcanique. Dans les deuxime et troisime parties, sont abords des exemples de mesure
de forces dues des charges surfaciques capacitives ou des charges stockes au voisinage de la
surface du matriau tudi. Enn la quatrime partie exploitera des rsultats exprimentaux.
Un grand soin devra tre apport aux schmas et aux applications numriques.
Donnes numriques :
Charge lmentaire
Permittivit du vide

e = 1, 6 1019 C
0 = 8, 8 1012 F m1

I - Oscillateur mcanique
1. On considre loscillateur mcanique reprsent gure 1,
compos dune masse m et dun ressort de constante de raideur
k, lensemble tant suspendu au point P . La cote zM du point
M situ la base de la masse est note z0 + (t), o z0 dsigne
la cote de la position dquilibre de M lorsque P est xe en P0 .
Ce point P est maintenant anim autour de P0 dun mouvement sinusodal vertical, impos par un vibreur et donn par
a(t) = a0 cos t avec a0 > 0. On suppose de plus que la masse
m est soumise une force de frottement uide de type visqueux
f = ez avec = d et > 0.
F
dt

P
zP
k
ez

m
zM

M
Figure 1

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a) crire lquation direntielle vrie par (t).

b) On se place en rgime sinusodal


 forc ; on note respectivement A et B les amplitudes
jt
et la vitesse de la masse. Calculer le rapport B/A ;
complexes associes a(t) = Re A e
le mettre sous la forme (k/)H() et exprimer H() en fonction de , laide des paramtres

1
mk.
0 et Q, o 0 = k/m et Q =

c) Donner lallure du graphe du module de H() en fonction de ; on supposera Q  1.

Que reprsentent 0 et Q ?
d) Faire un graphe de largument de H() en fonction de . Sur quelle plage de pulsations
d 
en fonction de Q et 0 .
se produisent essentiellement les variations de ? Calculer
d =0
2. On cherche dterminer exprimentalement la valeur de 0 . Deux capteurs donnent lun
une tension uA (t) = u0 cos t proportionnelle a(t), lautre une tension uB (t) proportionnelle

la vitesse (t)
de M .
a) Ces tensions sont appliques aux deux entres dun circuit multiplieur qui donne une
tension de sortie uS (t) proportionnelle leur produit, soit : uS (t) = K uA (t) uB (t) o K est une
constante. Montrer que uS (t) possde une composante continue et une composante sinusodale.
Dterminer la dpendance en de la composante continue. Proposer un montage lectrique
simple pour liminer la composante sinusodale de uS (t). La mesure en fonction de de cette
composante continue permet-elle de dterminer 0 avec une grande sensibilit ?
b) Le capteur de vitesse est remplac par un capteur de position de la masse dlivrant
une tension proportionnelle (t). On utilise le mme circuit multiplieur que prcdemment
et on dtecte la composante continue de la tension de sortie. Quelle est sa dpendance en ?
Ce montage permet-il une mesure plus prcise de 0 ? Justier votre rponse.
c) On mesure exprimentalement 0 en ajustant la valeur de an dobtenir = 0.
Exprimer laide de Q lincertitude relative 0 /0 de cette mesure pour une incertitude exprimentale sur .
d) Application numrique : estimer 0 /0 pour = 8 103 rad et Q = 200. Quelle est
lincertitude sur la frquence propre de loscillateur, sachant quelle est voisine de 60 kHz ?
3. La masse de loscillateur mcanique est maintenant soumise une force supplmentaire
verticale applique au point M . On suppose que son amplitude FC (zM ) varie avec la cote
zM = z0 + (t) du point M . On nglige la variation de la position dquilibre statique z0 due
la force FC .
a) En se limitant de faibles dplacements autour de z0 , montrer que loscillateur mcanique prsente une variation apparente de constante de raideur k que lon exprimera laide
de la fonction FC (zM ).

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b) En dduire la variation de pulsation propre de loscillateur, que lon exprimera en

fonction de 0 , k et k, en supposant |k|  k.
c) On suppose xe lincertitude exprimentale comme au I.2.d). Quelle variation
relative minimale de la constante de raideur peut tre dtecte ? Commenter le rle du facteur
de qualit.

La microscopie force lectrostatique utilise un oscillateur mcanique quivalent celui dcrit

dans la partie I. An dobtenir une rsolution spatiale submicronique, on se sert en pratique dun
dispositif de trs faibles dimensions, o laire de lextrmit M de loscillateur est de lordre de
100 nm2 . En utilisant des cramiques pizolectriques, on est de plus capable de dplacer cet
oscillateur au-dessus de la surface tudier. La prcision de positionnement de loscillateur est
meilleure que le nanomtre dans les trois directions de lespace. On enregistre alors en tout point
les variations de pulsation propre de loscillateur, ce qui permet dtablir une cartographie des
eets lectrostatiques la surface du matriau.
On cherche dans les parties II et III prciser les forces lectrostatiques pouvant agir sur
loscillateur, an de dterminer la sensibilit de ce dispositif de microscopie.
II - Mesure de forces capacitives
1. On utilise une gomtrie plane pour dcrire la surface
de lextrmit M de loscillateur et la surface du matriau,
toutes deux supposes conductrices et parallles. Le condensateur plan ainsi form (gure 2) est reli un gnrateur de
tension U . On note S laire des faces en regard,  la distance
entre ses deux armatures, et C() sa capacit. Loscillation
de larmature M est damplitude ||  . On nglige tout
eet de bord dans les calculs dlectrostatique. On cherche
calculer la force capacitive Fcapaez sexerant sur larmature
M qui constitue la masse oscillante.

z


M
U

surface

Figure 2

a) Pour cela on considre tout dabord le modle dune distribution surfacique de charges,
plane et dextension innie, de densit uniforme et place dans le vide. En utilisant les proprits de symtrie de cette distribution, prciser, de chaque ct du plan de charges, la direction
du champ lectrique et dterminer sa valeur en fonction de et de 0 .
b) Relier la valeur du champ lectrique entre les armatures du condensateur la densit
surfacique de charge de larmature haute. Dduire de ces rsultats que le champ lectrique
cr par les charges de larmature basse au niveau de larmature haute est la moiti du champ
lectrique total au voisinage de cette armature.
c) Exprimer Fcapa en fonction de la charge de larmature haute et du champ lectrique
total au voisinage de cette armature. En dduire : Fcapa = 0 SU 2 /22 . Commenter le signe de
Fcapa .
d) En dduire lexpression de la variation capa de pulsation propre de loscillateur.

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2. La surface tudier prsente un relief dpaisseur h   et daire S
 S. Loscillateur,

toujours connect au gnrateur de tension U , est dplac rectilignement au-dessus de la surface
et paralllement celle-ci (gure 3).
z


M2

M1
S

h
0

S

surface

Figure 3
a) Quelle est la variation h = capa (2) capa (1) de capa entre les points M2 et M1 ?
b) Application numrique : calculer la variation relative de pulsation propre de loscillateur
au passage du relief pour U = 12 V, h = 10 nm,  = 80 nm, S = 100 nm2 , et k = 1 Nm1 .
Ce relief peut-il tre dtect exprimentalement ?
c) Calculer la variation de force Fcapa (2) Fcapa (1) correspondante.
d) Application numrique : calculer lallongement du ressort de loscillateur au passage sur
le relief. Commenter.
III - Mesure de charges
Dans cette partie, on cherche dtecter, par microscopie force lectrostatique, des charges lectriques stockes
dans un isolant dpos sur la surface conductrice tudie. Les
charges sont uniformment rparties lintrieur du volume
dni par 0 < z < h (zone grise de la gure 4). On note
la densit volumique de charges dans cet espace que lon assimile au vide ; une zone daire S contient une charge totale
q = Sh. Lorigine des potentiels lectriques est choisie sur
la surface conductrice tudie.

z


M
U

h
0

surface

Figure 4

1. Dans cette question, la surface de loscillateur et la surface conductrice sont places au

mme potentiel (U = 0).
a) Donner les quations vries par le potentiel lectrostatique V (z) dans chacune des
rgions 0 < z < h et h < z <  situes entre les armatures du condensateur.
b) Exprimer V (z). Montrer que le champ lectrostatique en z =  vaut h2 /20 .
c) Faire un graphe du potentiel V (z) ; on prendra h/ = 0, 2.

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2. On suppose maintenant U = 0.
a) Montrer que la fonction V (z) est maintenant la somme de la fonction calcule la
question prcdente et de celle correspondant au condensateur connect au gnrateur de tension
U en labsence de charges.
b) Reprsenter graphiquement V (z).
3. On cherche maintenant calculer la force dorigine lectrostatique qui sexerce sur larmature mobile du condensateur en prsence de la charge volumique q.
a) Dduire de la question prcdente la valeur du champ lectrique E() au voisinage
immdiat de larmature haute mobile, puis la densit surfacique de charge de cette armature.
b) Par une dmarche similaire celle du II.1, exprimer la force cherche en fonction du
champ lectrique E(), puis en fonction de U et q.
c) Distinguer dans lexpression obtenue les termes capacitifs des termes lis la charge q.
En supposant ngligeable le terme de charges en q 2 , donner lexpression de la variation q de
la pulsation propre de loscillateur due la charge q.
d) Comment distinguer exprimentalement entre une variation de pulsation propre de
loscillateur lie un eet de relief de celle lie un eet de charges ?
4. Les charges q sont en pratique stockes dans un matriau qui attnue dun facteur r la
variation de pulsation propre q .
a) Application numrique : en utilisant les donnes numriques du II.2.b), estimer la
charge minimale qmin pouvant tre dtecte ; quel nombre de charges lmentaires correspond
qmin ? On donne r = 12.
b) Lautre eet du matriau dans lequel sont stockes les charges est de modier les termes
de forces capacitives ; la prsence du matriau de hauteur h et daire S
sapparente alors un
relief de hauteur h sur la surface (cf. II.2 et gure 5). On suppose que loscillateur est dplac
rectilignement au-dessus de la surface et paralllement celle-ci.
Calculer le rapport R = q /h entre les eets de charge et les eets capacitifs. Exprimer
ce rapport en fonction de q, r et de la charge QM stocke sur larmature haute dans la situation
du II.1 (h = 0 , U = 0). Faut-il se placer au plus prs de la surface du matriau pour amliorer
la visibilit du terme de charges ?
z


M1

M2

S

h
0

Figure 5
5

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IV - Analyse de rsultats exprimentaux

Un microscope force lectrostatique utilise comme systme oscillant une lame souple (ou
cantilever ) portant lextrmit mobile une pointe mtallise ; la gure 6 donne un clich
dun tel systme obtenu par un microscope lectronique balayage (MEB).

Figure 6

Dplacement de la frquence de rsonance (Hz)

La gure 7 donne trois enregistrements de la variation de la frquence de rsonance du

systme oscillant lorsque la pointe est dplace paralllement une surface conductrice sur
laquelle est dpose un lot de silicium de 100 nm de diamtre. Une charge lectrique q peut tre
transfre cet lot par une technique dinjection .

0
q=0

U =0V
fcapa

q = 0 U = 6 V

80
100

fh

120
140

fq

q = 0
U = 6 V

200

400

Distance (nm)
Figure 7
Les valeurs de la tension U applique et de la charge q correspondant ces enregistrements sont :
pour le premier ( partir du haut de la gure) U = 0 et q = 0
pour le deuxime U = 6 V et q = 0
pour le troisime U = 6 V avec q = 0.
6

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Bien que le modle de gomtrie plane tudi dans les parties prcdentes ne soit pas directement utilisable, il donne des interprtations qualitatives correctes mais les valuations de
capa et de h (cf. II.1 et 2) doivent tre modies pour tenir compte de la gomtrie relle
des surfaces en regard. Cependant, on montre que le rapport R = q /h suit la loi obtenue
en III.4.b condition dutiliser une valeur adapte (valeur eective ) de la surface S.
1. Prciser le signe de q correspondant au troisime enregistrement.
2. On donne : pour le silicium, r = 12, pour le systme oscillant  = 100 nm. Pour llot de
lexprience, la valeur eective de S est 2 000 nm2 .
partir des enregistrements, dterminer R. En dduire la valeur de q et le nombre nq de
charges lmentaires correspondant.

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