Ce document décrit une expérience visant à étudier les caractéristiques d'un transistor JFET. Il présente le fonctionnement de base d'un transistor JFET et détaille les étapes pour caractériser ses propriétés statiques et dynamiques, ainsi que pour réaliser un amplificateur de tension à l'aide de ce composant.
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Ce document décrit une expérience visant à étudier les caractéristiques d'un transistor JFET. Il présente le fonctionnement de base d'un transistor JFET et détaille les étapes pour caractériser ses propriétés statiques et dynamiques, ainsi que pour réaliser un amplificateur de tension à l'aide de ce composant.
Ce document décrit une expérience visant à étudier les caractéristiques d'un transistor JFET. Il présente le fonctionnement de base d'un transistor JFET et détaille les étapes pour caractériser ses propriétés statiques et dynamiques, ainsi que pour réaliser un amplificateur de tension à l'aide de ce composant.
Ce document décrit une expérience visant à étudier les caractéristiques d'un transistor JFET. Il présente le fonctionnement de base d'un transistor JFET et détaille les étapes pour caractériser ses propriétés statiques et dynamiques, ainsi que pour réaliser un amplificateur de tension à l'aide de ce composant.
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TP 4.
Etude dun transistor JFET Par Dimitri galayko
Unite denseignement Elec-info
pour master ACSI `a lUPMC Octobre-decembre 2005
Introduction
Dans ce TP nous allons etudier un transistor appartenant `a la famille
des transistors `a effet de champ, un transistor `a jonction couramment appele JFET (comme Junction Field Effect Transistor ). Sa structure est un peu differente de celle du transistor MOSFET `a enrichissement que nous avons etudie en cours et qui est utilise dans les circuits integres. Cependent, le principe de fonctionnement de tous les transistors `a effet de champ est sensiblement le meme : un controle de la conduction du canal par la tension entre la grille et la source. Un transistor JFET a les memes caracteristiques quun transistor MOSFET `a enrichissement que nous avons etudie en cours, `a ceci pr`es que la tension de seuil Uth est negative, et lorsque la tension grille-source est nulle, la conduction du canal est maximale. Pour bloquer le transistor, i.e. pour ` part faire disparatre le canal, il faut appliquer une tension UGS negative. A cela, le comportement et les caracteristiques des transistors de deux types sont les memes. Autrement dit, un transistor JFET se comporte de la meme mani`ere quun transistor MOSFET `a appauvrissement, i.e. un transistor MOSDET dans lequel un canal conducteur est implemente `a letape de la fabrication. Nous montrons un exemple des caracteristiques de transmission et de sortie dun transistor JFET (figure 1). Dans ce TP nous allons etudier les caracteristiques dun transistor JFET et nous allons voir comment il peut etre utilise pour une amplification de signal.
Caractristique de sortie dun transistor en rgime de saturation
Famille des caractristiques de sortie dun transistor
2 UGS=0 V
1.5
1.5
ID, A
ID, A
UGS=1 V
1 UGS=2 V UGS=3 V
0.5
0.5
UGS=4 V UGS=5 V
0 7
3 2 UGS, V
10 UDS, V
15
Fig. 1 Caracteristiques dun transistor JFET. Notez que UGS est
toujoursnon-positive.
Etude des caract eristiques statiques dun transistor JFET
Nous allons mesurer les caracteristiques statiques dun transistor JFET
en utilisant les sources de tension continue reglables et le multim`etre dont chaque poste est equipe (figure 2). Rappelons, quune caracteristique statique et une fonction algebrique reliant deux ou plusieurs grandeurs. On la mesure en regime de courant continu : on applique les tensions et les courants correspondant aux arguments, et on mesure, avec un voltm`etre ou avec un amp`erem`etre, la valeur de la grandeur de sortie. On constitue ainsi une table de valeurs que lon utilise ensuite pour tracer un graphique. Nous utilisons un transistor BF245B dont les fiches techniques sont donnees dans lannexe. Cest un transistor avec un canal n.
Dimitri galayko
UPMC, Master ACSI
UE Elec-info, M1
20
ID G
UGS
UDS
Fig. 2 Schema de mesure des caracteristiques statiques. Attention ! La
tension grille-source UGS est non-positive ! Attention ! Les tensions grille-source et grille-drain dun transistor JFET avec un canal n ne doivent jamais etre positives ! ` la difference dun transistor MOSFET, dans un tranA sistor JFET la grille est isolee du canal non pas par une couche doxyde, mais par une jonction pn polarisee `a linverse. Si jamais le potentiel du canal (de type n) est plus bas que le potentiel de la grille (de type p), la diode grillecanal devient passante : la structure peut se deteriorer.
2.1
Caract eristiques de sortie
Mesurez la caracteristique de sortie pour les UGS suivants : 0 V, -2 V, -4
V en faisant varier la tension UDS entre 0 et 16 V : avec un pas de 1 V entre 0 et 5 V, et avec un pas de 2 V entre 6 et 16 V. Estimez la resistance de sortie petit signal en regime de saturation.
2.2
Caract eristique de transmission
En fixant la tension UGS `a 15 V, mesurez la caracteristique de transmission en faisant varier la tension UGS entre 0 et -8 V avec un pas de 1 V. En deduisez la tension de seuil, i.e. la tension qui bloque le transistor. ` partir de ces donnees, estimez la transconductance petit signal gm en A etudiant la zone la plus lineaire de la caracteristique de transmission.
Dimitri galayko
UPMC, Master ACSI
UE Elec-info, M1
4 UDD R Uout ID Uin
Fig. 3 Schema de lamplificateur pour une caracterisation en regime statique.
3 3.1
Etude dun etage ` a source commune ` Etude de caract eristique de transmission
Nous allons maintenant etudier un etage damplification a` source commune contenant une resistance en serie avec le canal (dipole drain-source) du transistor (figure 3). 1) En prenant R=4.7 kOhms et en appliquant la tension dalimentation UDD = +15V , tracer la caracteristique de transmission en regime de courant continu (tension de sortie en fonction de la tension dentree). Pour cela appliquez les tensions Uin entre -5V et 0V avec un pas de 0.5 V. Tracer le graphique de la caracteristique. 2) Identifier les zones de fonctionnement. Quelle zone va-t-on choisir pour effectuer une amplification lineaire dune tension variable ? Quel est le gain dun tel amplificateur ? O` u placera-t-on le point de fonctionnement ? Quelle est lamplitude maximale de la tension sinusodale que lon pourra amplifier avec un tel amplificateur ?
3.2
R ealisation dun amplificateur de tension
On va superposer sur la tension continue Uin une tension sinusodale uin .
Pour cela on branche le generateur de tension sinusodale en serie avec la source de tension continue (figure 4). On fixe la frequence de la sinusode `a 500 Hz. 1) Reglez lamplitude de la tension sinusodale de sorte a` ce quelle balaie la plage des tensions dentree entre 0 et 5 V. Afficher simultanement la tension Dimitri galayko
UPMC, Master ACSI
UE Elec-info, M1
UDD R Uout ID Uin DC Uin
RS 50 uin Generateur Fig. 4 Schema de lamplificateur pour une caracterisation en regime dynamique.
Dimitri galayko
UPMC, Master ACSI
UE Elec-info, M1
6 de sortie sur la voie 1 de loscilloscope, la tension dentree sur la voie 2. Activez le mode XY de loscilloscope et observez le trace de la caracteristique de transmission. Comparez avec la caracteristique de transmission que vous avez mesuree manuellement. 2) Faites revenir loscilloscope en mode normal, tout en affichant en meme temps les tensions dentree et de sortie. Reglez la tension generee par la source continue au niveau necessaire pour assurer un fonctionnement lineaire (cette tension doit avoir ete calculee precedemment). Reglez lamplitude de la tension dentree `a la valeur maximale pour laquelle une amplification lineaire est possible (calculee precedemment). Observez la tension de sortie : vous devez voir une onde sinusdale non-deformee ou faiblement deformee. En calculant la relation entre les amplitudes des deux ondes, estimez le gain et comparez le avec la valeur deduite du graphique de la caracteristique de transmission. 3) Augmentez lamplitude de la tension sinusodale : comment evolue la forme donde de la tension de sortie ?
