Convertisseurs Photovoltaiques

Convertisseurs photovoltaques
Lumire incidente
Grille conductrice Silicium type n
Jonction
Mtal conducteur
Silicium type p
Alain Ricaud, Nov 2007
Les convertisseurs photovoltaques
Sommaire
LES CONVERTISSEURS PHOTOVOLTAQUES ............................................................... 4 1 RAPPELS DE DEFINITIONS .................................................................................................... 6 1.1 Units photomtriques ............................................................................................... 6 1.2 Grandeurs lies lclairement ................................................................................ 6 2 GISEMENT SOLAIRE ........................................................................................................... 10 2.1 Profils types dirradiations mensuelles .................................................................. 10
2.1.1 2.1.2 2.1.3 Lille (lat : 51).................................................................................................................................... 10 Chambry (lat 46) ............................................................................................................................. 11 Ajaccio (lat 42) ................................................................................................................................. 11
2.2 Flux d'nergie et flux de photons ............................................................................ 13 LA CONVERSION PHOTON-ELECTRON................................................................................ 14 3.1 Les matriaux semi-conducteurs l'quilibre thermodynamique: ....................... 14
3.1.1 Dfinition:.......................................................................................................................................... 14 3.1.2 Structure lectronique des semi-conducteurs: ...................................................................................... 14 3.1.2.1 Approche atomique ou approximation des liaisons fortes: .......................................................... 14 3.1.2.2 Structure cristalline: ................................................................................................................. 16 3.1.2.2.1 Rseau et maille lmentaire.................................................................................................. 16 3.1.2.2.2 Rseau rciproque et zone de Brillouin: ................................................................................. 16 3.1.2.2.3 Reprage des plans cristallins: ............................................................................................... 17 3.1.2.2.4 Structure cubique faces centres: ......................................................................................... 17 3.1.2.2.5 Structure cristalline du silicium:............................................................................................. 18 3.1.2.2.6 Loi de Bragg:....................................................................................................................... 18 3.1.2.3 Approche quantique: ................................................................................................................ 19 3.1.2.3.1 Equation de Schrdinger: ...................................................................................................... 19 3.1.2.3.2 Thorie de Sommerfeld: ........................................................................................................ 20 3.1.2.3.3 Densit d'tat par unit de volume et d'nergie: ...................................................................... 21 3.1.2.3.4 Electrons dans un potentiel priodique: .................................................................................. 22 3.1.2.3.5 Premire zone de Brillouin: ................................................................................................... 23 3.1.2.4 Proprits lies la structure en bandes: .................................................................................... 23 3.1.2.4.1 Schma des bandes de semi-conducteurs usuels: .................................................................... 24 3.1.2.4.2 Vitesse de groupe: ................................................................................................................. 24 3.1.2.4.3 Masse effective: .................................................................................................................... 25
3.2
Rpartition des lectrons lquilibre thermodynamique :.................................. 26
3.2.1 Mtal, isolant et semi-conducteur: ....................................................................................................... 26 3.2.1.1 Mtaux: ................................................................................................................................... 27 3.2.1.2 Semi-conducteurs: .................................................................................................................... 27 3.2.1.3 Isolants: ................................................................................................................................... 27 3.2.2 Fonction de Fermi-Dirac:.................................................................................................................... 27 3.2.2.1 Mtaux: ................................................................................................................................... 28 3.2.2.2 Semi-conducteurs: .................................................................................................................... 29 3.2.3 Rle des dfauts et des impurets: ....................................................................................................... 31 3.2.3.1 Donneurs: ................................................................................................................................ 31 3.2.3.2 Accepteurs: .............................................................................................................................. 32 3.2.3.3 Position du niveau de Fermi:..................................................................................................... 33
3.3
3.3.1
Interaction rayonnement-matire : ......................................................................... 35

Notion de paire lectron-trou .............................................................................................................. 36
LA CELLULE SOLAIRE IDEALE ............................................................................................ 37 4.1 Mcanismes lmentaires ........................................................................................ 37

4.1.1 Absorption du rayonnement dans le matriau ...................................................................................... 37 4.1.1.1 Transitions directes et indirectes ............................................................................................... 39 4.1.2 Sparation des charges........................................................................................................................ 41
4.2
Calcul du courant ..................................................................................................... 42

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc page 2 /84
4.3 Calcul de la tension.................................................................................................. 42 4.4 Calcul du rendement ................................................................................................ 43 5 LA PHOTODIODE A SEMI-CONDUCTEUR............................................................................. 45 5.1 Structure de collecte................................................................................................. 45
5.1.1 5.1.2 5.1.3 5.1.4 Jonction PN........................................................................................................................................ 45 Barrire de potentiel ........................................................................................................................... 47 Application d'un potentiel externe ....................................................................................................... 47 Collecte.............................................................................................................................................. 48
5.2
Gnration du photo-courant .................................................................................. 49
5.2.1 Description qualitative ........................................................................................................................ 49 5.2.1.1 Court-circuit :........................................................................................................................... 49 5.2.1.2 Circuit-ouvert : ......................................................................................................................... 51
5.3 5.4 5.5

5.5.1 5.5.2 5.5.3 5.5.4 5.5.5 5.5.6 5.5.7
Caractristique I = f (V) .......................................................................................... 52 Localisation des pertes ............................................................................................ 53 Schma quivalent .................................................................................................... 56
Gnrateur de courant......................................................................................................................... 56 La photopile, gnrateur mixte ............................................................................................................ 57 Influence de l'clairement ................................................................................................................... 59 Influence de la temprature ................................................................................................................. 60 Perte de puissance par rsistance srie ................................................................................................. 61 Photodiodes grilles mtalliques: ....................................................................................................... 62 Influence de la rsistance shunt ........................................................................................................... 63
5.6
Modlisation et caractristique dans l'obscurit ................................................... 64
5.6.1 Courant dobscurit ............................................................................................................................ 64 5.6.1.1 Courant de diffusion ................................................................................................................. 64 5.6.1.2 Courant de gnration-recombinaison ....................................................................................... 65 5.6.2 Effets de la temprature ...................................................................................................................... 66 5.6.3 Modlisation ...................................................................................................................................... 68
5.7
5.7.1 5.7.2
Cellules haut rendement ....................................................................................... 69

Structure quatre miroirs.................................................................................................................... 69 Cellule PERL de lUNSW .................................................................................................................. 70
LE MODULE PHOTOVOLTAQUE ......................................................................................... 73 6.1 Notion de puissance crte (Pc) et de temprature d'utilisation (TUC) ................ 73 6.2 Le groupement de cellules en srie ......................................................................... 73 6.3 Le groupement de cellules en parallle .................................................................. 74 6.4 L'encapsulation des modules ................................................................................... 75 6.5 Le test des modules................................................................................................... 76 6.6 Standards, mesures et garanties.............................................................................. 77
6.6.1 6.6.2 6.6.3 6.6.4 Vieillissement acclr ....................................................................................................................... 77 Standards ........................................................................................................................................... 77 Mesures sur le terrain ......................................................................................................................... 78 Garanties............................................................................................................................................ 78
6.7
Dsquilibres en fonctionnement ............................................................................ 79
6.7.1 La photopile fonctionnant en rcepteur................................................................................................ 79 6.7.2 Dsquilibre dans un groupement srie ............................................................................................... 79 6.7.2.1 Protection par diode.................................................................................................................. 80 6.7.3 Dsquilibre dans un groupement parallle.......................................................................................... 81 6.7.3.1 Gnralisation des protections par diodes .................................................................................. 82
ADRESSES INTERNET UTILES ........................................................................................... 84
Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc
page 3 /84
Rappels de dfinitions
Units photomtriques
Alain RICAUD
Consultant-associ et grant de CYTHELIA, Prsident de SCREEN SOLAR, Professeur Associ lUniversit de Savoie. [email protected]
Biographie
N en 1947. Mari, 3 enfants, 3 petits enfants. Ingnieur de lEcole Suprieure dElectricit, Docteur es-Sciences et MBA ICG Paris. Dbut de carrire en tant quingnieur process chez IBM-France La Gaude et chercheur au Laboratoire dElectro-optique de Nice sur le silicium et ses proprits lectro-optiques. En 1979, Alain Ricaud devient Directeur Gnral de la socit France-Photon Angoulme (30 personnes) lun des premiers producteurs de cellules et modules photovoltaques. Il contribue la construction des premires centrales PV de dmonstration en Corse (50 kW), Crte, Guyane franaise et Pakistan. En 1985, il est R&D Director puis General Manager de Solarex corp. (400 personnes), Washington, filiale du groupe Amoco et n2 mondial de lindustrie photovoltaque. A partir de 1989, il est Directeur Gnral de Solems SA (48 personnes), Palaiseau, joint venture des groupes TOTAL et MBB, o il dveloppe des dispositifs lectro-optiques en couches minces pour photopiles au silicium amorphe et applications aux crans plats. Entre 1995 et 1996, il est Directeur commercial de HCT Shaping Systems SA, Lausanne, leader mondial des machines de sciage fil pour lindustrie PV et des semiconducteurs. Depuis sa cration en 1994, Alain Ricaud est Consultant-associ et grant majoritaire de CYTHELIA consultants, sarl de 12 associs et 8 employs. CYTHELIA est un cabinet dexpertise et de conseil en nouvelles technologies de lnergie, spcialis dans le photovoltaique (stratgie, technologie, marchs) et dans les constructions trs basse consommation (zero-energy-net). Missions de conseil auprs d'entreprises industrielles et de collectivits dsireuses d'intgrer une activit dans le domaine photovoltaque. Alain Ricaud a enseign, lEPFL Lausanne, au Master ENSAM Bastia, au Master La Rochelle, au Master europen de lEcole des Mines Sophia-Antipolis, au Master MatERE de Poitiers, au Master CEDER de Versailles, au CIFRES de Dakar, lASDER, lEcole Centrale de Lyon et lINES. Il est actuellement Professeur Associ lUniversit de Savoie (Polytech Savoie). Expert auprs de lANR et de l ANVAR, ainsi que des DG TREN et DGR, de lUE. Titulaire de 6 brevets dinvention Auteur de 20 publications internationales et de deux ouvrages : Photopiles solaires paru aux PPUR, Lausanne 1997 Modules photovoltaques en couches minces , Techniques de lIngnieur, Paris 2005. Editeur de La Lettre du Solaire , publication mensuelle depuis Oct 2000.
page 4 /84
Units photomtriques

Nous allons nous familiariser avec les cellules solaires en entrant dans le sujet de faon itrative. Aprs un bref rappel de dfinitions, quelques donnes de base sur le gisement solaire et sur le spectre solaire de rfrence, nous allons d'abord tudier les principes de base des semiconducteurs, notamment leur structure en bandes dnergies et la rpartition des lectrons lquilibre thermodynamique. Puis nous tudierons linteraction lumire-matire permettant la conversion de lumire en lectricit : absorption de la lumire, cration de porteurs libres, sparation des charges, rcupration du courant. Puis nous considrerons la photopile comme une bote noire dont on ne veut pas connatre les mcanismes dtaills de fonctionnement interne; cette dmarche permet de ne pas s'enfermer dans une description trop traditionnelle des photopiles existantes; elle permet d'ouvrir le champ de la dcouverte d'autres principes de mise en oeuvre. Cette dmarche est dautant plus ncessaire que lon parle maintenant de photopiles de troisime gnration dont les rendements thoriques pourraient atteindre 87% ! Nous tudierons ensuite la photodiode semi-conducteur, dispositif le plus rpandu, sans trop rentrer dans les dtails de la physique des semi-conducteurs, mais seulement travers ses caractristiques lectriques en fonction de lclairement, de la charge et de la temprature. Nous analyserons enfin comment se comporte un groupement de cellules en srie, pour former un module, le groupement de modules en srie et en parallle pour former des panneaux et nous tudierons les problmes de dsquilibre dans les rseaux, problmes dont limportance pratique croit avec la gnralisation des modules intgrs au bti dans un cadre urbain.
page 5 /84
Units photomtriques
Rappels de dfinitions On rappelle ici les dfinitions de base des grandeurs utilises en nergie solaire:
1.1 Units photomtriques
Grandeur flux lumineux clairement (irradiance) E intensit I luminance (brillance) L
units nergtiques Watt (W) W/m W/Sr W/m.Sr
units visuelles lumen (lm) lm/m= lux candela (cd) cd/m= nit
Tableau 1 : grandeurs et units photomtriques
1.16 105 lux 5 760 C (temprature de la surface du soleil) quivaut 1 030 W/m, pour le spectre AM 1 (une traverse d'atmosphre), soit 112 lm/W.
1.2 Grandeurs lies lclairement
Dure dinsolation : les dures d'insolation sont mesures avec des hliographes dont le seuil est de 120 W /m. Par exemple, Embrun dans le Brianonnais jouit de 2 700 h d'ensoleillement par an (7.4 h/jour) contre seulement 1 750 Rennes (4.8 h/j). On notera que le nombre thorique maximal est de 4 380 h (12h/jour). Attention ne pas confondre le nombre dheures densoleillement et le nombre dheures quivalent plein soleil, driv de lirradiation globale annuelle mesure dans le plan horizontal: par exemple,1500 kWh/m.an Brianon quivaut 1 500 h plein soleil et non pas 2 700 densoleillement. Irradiation : les rsultats de mesures d'clairement intgres dans le temps, sont en gnral prsents sous forme de tableaux mensuels de relevs journaliers exprims en kWh/m, en J/cmou en Langleys 1. Nous utiliserons les kWh/m. jour, les kWh/m.mois et les kWh/m.an Fraction solaire : c'est le paramtre reprsentatif des conditions de nbulosit du ciel. La nbulosit est le rapport entre la surface du ciel couverte par les nuages et la surface totale du ciel au-dessus du territoire correspondant. Cette notion ntant que descriptive, on la relie la fraction d'insolation qui est une grandeur mesurable ds qu'on connat les dures d'insolation enregistres par l'hliographe et qui s'en dduit par le rapport = S/S0 avec S = dure d'insolation mesure et S0 dure maximale d'insolation. Rayonnement global : le rayonnement solaire arrivant au sol a au moins deux composantes: une composante directe I et une composante diffuse D, le tout formant le rayonnement global G.
1 On retiendra au passage les correspondances suivantes: 1 J /cm = 2.39 kcal /m = 2.78 Wh /m 1 Langley = 1 cal/cm = 11.62 Wh/m.
page 6 /84
Grandeurs lies lclairement
Rayonnement diffus : la composante diffuse provenant de toute la vote cleste, elle n'a pas d'orientation privilgie. Elle ne peut donc tre concentre par des instruments optiques.Le rayonnement diffus est plus riche en bleu que le rayonnement global. Les photopiles tant des dtecteurs slectifs, ce point a son importance. Albdo : c'est la fraction d'un rayonnement incident diffuse ou rflchie par un obstacle. Ce terme tant gnralement rserv au sol ou aux nuages, c'est une valeur moyenne de leur rflectance pour le rayonnement considr et pour tous les angles d'incidences possibles. Par dfinition, le corps noir possde un albdo nul. I faudra tenir compte de l'albdo du sol pour le dimensionnement d'installations solaires installes sur une surface enneige (refuges de montagne), sur l'eau (boues de navigation), dans les zones dsertiques, ou mme sur les toitures des immeubles.
Bien distinguer lclairement direct de lclairement diffus ; toujours tenir compte de lalbedo pour calculer lclairement global. La composante du diffus dans un plan d'inclinaison quelconque i
D= 1 + cos i 1 cos i . Dh + . . G h 2 2
Figure 1 : Composante diffuse en provenance du sol sur un capteur inclin dun angle quelconque.
Absorption : les rayons UV lointains sont totalement absorbs dans l'ionosphre et dans la stratosphre. Dans la gamme de longueur d'ondes qui nous intresse (0.2 2 m) pratiquement seuls l'ozone, la vapeur d'eau et le gaz carbonique dans une moindre mesure, interviennent de manire sensible dans l'absorption gazeuse. Epaisseur datmosphre : prenant pour rfrence unit, l'paisseur verticale de l'atmosphre moyenne rduite 7.8 km (conditions dites normales), supposant cette couche plane et stratifie horizontalement, la longueur du trajet rectiligne d'un rayon lumineux inclin d'un angle h par rapport l'horizontale sera donne par la formule: OA OM = sinh A une pression p diffrente de 1013 mbar et une altitude z (km), on dsignera par masse atmosphrique ou nombre d'air masse le nombre:
page 7 /84
m=
pm 1 z . . exp 1013 sinh 7.8
O pm est la pression atmosphrique au niveau de la mer. La pression atmosphrique au niveau de la mer peut varier autour de sa valeur de rfrence gale 1 013 hPa (mbar) entre 950 hPa (dpression) et 1 050 hPa (anticyclone). Exemples: soleil au znith, niveau de la mer: AM 1, soleil 42 sur l'horizon: AM 1.5, soleil 30 sur l'horizon: AM 2
Diffusion : La diffusion de la lumire est une redistribution spatiale du rayonnement par des particules matrielles. C'est un phnomne complexe puisqu'il intgre la fois la diffraction, la rfraction et la rflexion par les particules. L'indice de rfraction des particules diffusantes, mais aussi et surtout leurs dimensions par rapport la longueur d'onde de la lumire, modifient sensiblement la rpartition spectrale et l'intensit lumineuse. La variation spectrale de la densit optique est lie aux longueurs d'onde suivant une loi du type: = a . p
L'exposant p affect la longueur d'onde varie donc entre 1 et 4 sauf dans le cas des grosses gouttelettes nuageuses o p = 0. La valeur 1.3 est une moyenne acceptable qui a t propose par Angstrm au vu de nombreuses mesures. Le coefficient de trouble d'Angstrm varie entre 0.02 pour un ciel bleu profond, 0.10 pour un ciel moyen, 0.20 pour les zones urbaines pollues et 0.8 pour un ciel laiteux (Tableau 2).
Trouble de Link : le facteur de trouble de Link TL est reli au coeff de trouble dAngstrm : a (qui donne la couleur du ciel) et la hauteur deau condensable w, par la formule : TL = 1,6 + 16 a + 0,5.ln t
Elle est relie la tension de vapeur par la formule empirique de Hahn: w (cm)=0.17 t, o t (mbar) reprsente la tension de vapeur d'eau au sol. Pour des sites de faible altitude, on peut relier le facteur de trouble de Link la couleur du ciel :
Trouble de Link Couleur du ciel Visibilit au sol Trouble dAngstrm Hauteur deau condensable w (g/cm ou cm) 0.5 1.0 2.0 4.0 Bleu profond Bleu pur >100 km 60 100 0.015 0.045 TL 2.0 2.3 2.6 2.9 TL 2.6 2.9 3.2 3.5 Moyen 30 50 0.110 TL 3.4 3.7 4.0 4.3 Laiteux 12 25 0.300 TL 4.9 5.2 5.6 5.9
Tension de vapeur deau t (hPa) 3-5 6-8 9-16 18-30
Tableau 2 : Facteur de trouble de Link Il convient toutefois d'apporter la correction lie l'altitude (TL = - 0,35.z avec z en km) trs approximative mais justifie en moyenne. TL = 3,2 0,5 en rgions tempres (mini en hiver : 2,5 3, maxi en t : 3,5 4).TL = 3,9 0,4 en rgions intertropicales humides (maxi en saison sche : 4,5 5)
page 8 /84
Constante solaire: le Tableau 3 indique les valeurs de la constante solaire en fonction de la masse datmosphre traverse (nombre d'air masse). 0 1 353 1 931 1.5 834 2 755 3 610 4 530 5 430
m E(W/m)
Tableau 3 : Valeur de la constante solaire en fonction de lpaisseur m datmosphre traverse
Concernant la rpartition spectrale, on retiendra pour le spectre AM0 les proportions suivantes:
AM0 0.2 4m 1 350 W/m 2
UV 0.1 0.4m 9%
Visible 0.4 0.75 m 42%
IR 0.75 5 m 49%
Tableau 4 : Rpartition nergtique du spectre solaire de rfrence AM0
La Figure 2 donne les irradiances spectrales correspondantes.
Figure 2 : Irradiance spectrale pour une atmosphre peu pollue de type mditerranen (n= 1.3, = 0.04, = 2 cm) (1) AM0, (2) AM1, (3) AM1.5, (4) AM2.
La rpartition spectrale de l'clairement nergtique solaire de rfrence qui a t adopte par la France (norme NFC57-100), puis par la CEI (IEC 1215) est une rpartition de l'clairement nergtique solaire global (direct + diffus), correspondant artificiellement un clairement de 1000 W / m avec une traverse AM 1.5 d'atmosphre, sur une surface plane incline de 37 par rapport l'horizontale, l'albdo (facteur de rflexion au sol) tant de 0.2, et les conditions mtorologiques les suivantes: hauteur d'eau condensable: w = 1.42 cm ; hauteur rduite d'ozone: = 0.34 cm ; trouble atmosphrique: TL = 2.7 5
Duffin & Beckman ont trouv 1367 W /m en 1991 Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc page 9 /84
Gisement solaire
Profils types dirradiations mensuelles
Spectre solaire nergtique normalis: AM1.5 (W/cm2.m) 0,18 0,16 0,14 0,12 0,10 0,08 0,06 0,04 0,02 0,00 0,3 0,5 0,7 0,9 1,1 1,3 1,5 1,7 1,9 2,1 2,3 2,5
Figure 3 : Spectre solaire nergtique normalis 100 mW /cm: AM1.5 from R.Hulstrom, R. Bird, C.Riordan, Solar cells, Vol. 15, p.365 1985
Gisement solaire
2.1 2.1.1 Profils types dirradiations mensuelles Lille (lat : 51 )
Irradiation annuelle pour une surface horizontale: 973 kWh /m.an (30% direct, 70% diffus) Irradiation annuelle pour une surface verticale: 704 kWh /m.an (38% direct, 62% diffus) Irradiation annuelle linclinaison optimale 25 +/- 5 : 1 013 kWh /m.an
Anne : Gisement Solaire Lille 3 50,6 0 0 0 500 450 400 350 300 250 200 150 100 50 0 Jan Fv Mar Avr Mai Jui Jul Aou Sep Oct Nov Dc 1er 2e tr 3e tr 4e tr tr I direct faade D diffus faade G global faade
Figure 4 : Lille : irradiation mensuelle pour une surface horizontale(kWh/m)
page 10 /84
Gisement solaire
2.1.2
Chambry (lat 46 )
Irradiation annuelle pour une surface horizontale 1 267 kWh /m.an (56% direct, 44% diffus) Irradiation annuelle pour une surface verticale 975 kWh /m.an (59% direct, 41% diffus) Irradiation linclinaison optimale 33 +/- 5 1 408 kWh /m .an
Anne : Gisement Solaire Chambry SGDI 5,91 45,56 281 0 0 500 450 400 350 300 250 200 150 100 50 0 Jan Fv Mar Avr Mai Jui Jul Aou Sep Oct Nov Dc 1er 2e tr 3e tr 4e tr tr I direct faade D diffus faade G global faade
Figure 5 : Chambry: irradiation mensuelle pour une surface horizontale (kWh/m)
2.1.3
Ajaccio (lat 42 )
Irradiation annuelle pour une surface horizontale 1 551 kWh /m.an (60% direct, 40% diffus) Irradiation annuelle pour une surface verticale 1 135 kW /m.an (59% direct, 41% diffus) Irradiation linclinaison optimale 30 +/- 5 1 705 kWh /m .an
page 11 /84
Gisement solaire
Anne : Gisement Solaire Ajaccio ESRA 8,7 41,9 6 0 0 500 450 400 350 300 250 200 150 100 50 0 Jan Fv Mar Avr Mai Jui Jul Aou Sep Oct Nov Dc 1er 2e tr 3e tr 4e tr tr I direct faade D diffus faade G global faade
Figure 6 : Ajaccio : irradiation mensuelle pour une surface horizontale (kWh/m)
Figure 7 : Irradiation annuelle relative en France, fonction de lorientation et de linclinaison: plus de 95% pour orientation Sud +/- 45 et pour inclinaison 35 +/- 20
page 12 /84
Gisement solaire
Flux d'nergie et flux de photons
2.2
Flux d'nergie et flux de photons
Les spectres M ( ) permettent aussi de connatre le nombre N ( ) des photons contenus dans un tranche de longueur d'onde donne. . d N ( ) = M ( ). . hc
Cette information est indispensable pour le calcul du photocourant d'une photopile.
Figure 8 : Flux de photons pour une atmosphre peu pollue de type mditerranen (n= 1.3, = 0.04, = 2 cm) (1) AM0, (2) AM1, (3) AM1.5, (4) AM2.
Les flux de photons correspondant aux spectres de la Figure 1 sont reprsents Figure 3 et le flux de photons correspondant au spectre solaire normalis AM1.5 est reprsent Figure 9.
Flux de photons AM 1,5 ( /cm.m.s) normalis 100mW/cm 5,E+17 5,E+17 4,E+17 4,E+17 3,E+17 3,E+17 2,E+17 2,E+17 1,E+17 5,E+16 0,E+00 0,3 0,5 0,7 0,9 1,1 1,3 1,5 1,7 1,9 2,1 2,3 2,5
Figure 9 : Flux de photons AM 1,5 ( /cm.m.s) normalis 100mW/cm
page 13 /84
La conversion photon-lectron
Les matriaux semi-conducteurs l'quilibre thermodynamique:
Une photopile est un transformateur d'nergie convertissant un rayonnement lectromagntique en courant lectrique. L'intrt de l'utilisation de semi-conducteurs pour la ralisation de cellules solaires tient la possibilit de moduler dans le temps et dans l'espace la concentration interne des porteurs de charges. Cette facult est elle mme dpendante de la structure lectronique fondamentale des semi-conducteurs qui les diffrencie nettement des mtaux et dans une moindre mesure des isolants.
3.1 Les matriaux semi-conducteurs l'quilibre thermodynamique:
L'objectif de ce premier chapitre est de prsenter en termes simples le modle physique du schma des bandes dans les semi-conducteurs cristallins et de donner les formules de base qui rgissent la rpartition des lectrons l'quilibre thermodynamique et les mcanismes de la conduction lectrique.
3.1.1 Dfinition:
Aprs la dcouverte du transistor en 1948, l'tude des semi-conducteurs est devenue l'un des principaux domaines de la physique. Parmi les semi-conducteurs, peuvent tre classs: - des lments simples tels que le carbone, le germanium, le silicium, l'tain... - des composs minraux binaires (InSb, GaAs,CdTe,GaP,InP,...) - des composs organiques trs nombreux L'tude de ces derniers est en plein dveloppement; on notera que l'intrt de leur tude est li la prsence parmi eux de corps constitutifs des organismes vivants (chlorophylle, hmoglobine, acide dsoxyribonuclique...) Leur tat physique lui-mme peut revtir divers aspects. En effet si la majorit des semi-conducteurs sont cristalliss, il existe aussi des semi-conducteurs amorphes et des semiconducteurs liquides. Ces dernires affirmations semblent contredire l'ide gnralement rpandue selon laquelle le caractre semi-conducteur est li l'arrangement rigoureusement priodique des atomes d'un cristal. On admet maintenant que dans les semi-conducteurs liquides et solides amorphes, subsistent des groupes ordonns d'atomes contenant une dizaine d'atomes pour lesquels l'ordre cristallin existe courte distance et se dfait au-del des deux ou trois premiers voisins. Nous dfinirons un semi-conducteur comme: "un matriau o les lectrons priphriques se rpartissent une temprature suprieure au zro absolu, entre deux bandes d'nergie au moins, spares par un intervalle d'nergie (gap), relativement faible (de l'ordre de 1 eV)".
3.1.2 Structure lectronique des semi-conducteurs:
Dans un atome isol on sait que les lectrons ne peuvent pas prendre n'importe quelle nergie. Les rgles de distribution des niveaux nergtiques ont t nonces par Niels Bohr en 1913. Lorsque les atomes sont rassembls pour former un solide, les niveaux discrets de chaque atome se diffrencient pour former des bandes continues d'nergie. C'est ce que l'on appelle la structure de bande des solides.
3.1.2.1 Approche atomique ou approximation des liaisons fortes:
Cette mthode de calcul consiste observer l'interaction entre niveaux atomiques de deux atomes qui rsulte du rapprochement de ceux-ci pour former un solide.
page 14 /84
Si l'on considre par exemple la structure lectronique du Germanium: 6 2 6 10 2 2 1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p , (ou de tout lment de la colonne IV), on remarque que les
2 2
lectrons des couches priphriques (dits de valence) 3s 3p , sont ceux qui forment la structure lectronique utile la liaison chimique. Rapprochons deux atomes de la colonne IV. A faible distance de sparation, le couplage entre niveaux conduit la division et au recouvrement des orbitales s et p. Le rsultat de la mise en interaction est le remplissage complet des niveaux s et p infrieurs (dits liants) par les 8 lectrons de valence disponibles alors que les niveaux s et p suprieurs (dits anti-liants) restent vides. La Figure 10 illustre ce rsultat.
Figure 10 : Formation dune liaison covalente entre deux atomes de la colonne IV par hybridation sp3 dtats atomiques s2et p6.
La runion de N atomes aboutirait un schma semblable, o chaque niveau est largi en une bande d'nergie contenant 4 N tats lectroniques dont la largeur crot quand la distance interatomique dcrot. Ce phnomne est analogue celui qu'on obtient en couplant N oscillateurs accords initialement et sparment sur la mme frquence. A mesure que le couplage augmente, il apparat N frquences de rsonance de plus en plus cartes les unes des autres. On remarquera au passage grce ce modle simplifi que la bande de valence est forme d'orbitales p et la bande de conduction d'orbitales s. C'est la situation des semiconducteurs de la colonne IV du tableau priodique. Cette description qui aboutit la notion de bande interdite n'a pas besoin de supposer l'existence d'un rseau cristallin. Elle n'est fonde que sur l'effet des interactions courte distance entre atomes et s'applique donc aussi aux semi-conducteurs amorphes et liquides . La Figure 11 montre titre d'exemple, l'aspect des bandes d'nergie obtenues pour le Germanium par le calcul suivant la mthode de Mott et Jones.
Figure 11 : Approximation des liaisons fortes : cristal covalent avec formation dtats hybrides. Une bande interdite spare la bande liante de la bande anti-liante Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc page 15 /84
3.1.2.2
Structure cristalline:
3.1.2.2.1
Rseau et maille lmentaire
L'arrangement des atomes d'un cristal s'effectue suivant un rseau dfini par trois vecteurs de translation fondamentaux: a 1 , a 2 , a 3 tels quon atteigne tous les noeuds du rseau par des translations du type: T= n1.a1 + n2.a2 + n3. a3 avec n1, n2, n3 entiers positifs. On peut construire 14 rseaux diffrents: ce sont les fameux 14 rseaux de Bravais .
Une maille lmentaire ne comporte de noeuds qu' ses 8 sommets, chacun appartenant 8 mailles lmentaires adjacentes. Ainsi, dans le volume du cristal, la maille lmentaire ne comporte qu'un seul noeud. Le plus petit volume obtenu en joignant entre eux les plans mdiateurs aux lignes qui relient entre eux les noeuds du rseau s'appelle cellule de Wigner-Seitz (Figure 12).
Figure 12 : Cellule de Wigner-Seitz dun rseau carr
3.1.2.2.2
Rseau rciproque et zone de Brillouin:
Pour un jeu donn de vecteurs de base ai on peut dfinir un jeu de vecteurs gj, tel que le produit scalaire: a i .g j = 2 . ij et le paralllpipde dcrit par les vecteurs g j est la cellule rciproque ou maille lmentaire du rseau rciproque. Si G = m1.g1+ m2.g2+ m3.g3 on aura le produit scalaire T.G = 2 N. Tous les vecteurs T qui pour un vecteur G donn satisfont cette quation sont dans un plan normal G. Ainsi, chaque vecteur G peut tre utilis pour reprer un jeu de plans du rseau cristallin. Le volume V* du rseau rciproque est inversement proportionnel au volume V de la cellule lmentaire du rseau direct: ak ai ( 2 ) 3 en effet: V = a 1 .( a 2 a 3 ) et sachant que g j = 2 . , il vient: V * = a j .( a k a i ) V La transposition de la cellule lmentaire de Wigner-Seitz au rseau rciproque s'appelle zone de Brillouin (Figure 13).
Figure 13 : Rseau cristallin et son rseau rciproque linaire.
page 16 /84
3.1.2.2.3
Reprage des plans cristallins:
En choisissant pour les mi les plus petites valeurs entires possibles, on obtient les plus courtes translations possibles dans le rseau rciproque. Les mi sont alors appels indices de Miller. Ils sont systmatiquement utiliss par les cristallographes et les physiciens du solide pour identifier un plan ou une direction. Par exemple les wafers des photopiles sont ralises partir de silicium monocristallin d'orientation (111) ou (100). Les conventions relatives aux indices de Miller sont les suivantes (Figure 14): pour identifier un plan (h,k,l), on dtermine les coordonnes des intersections du plan avec les trois axes ai. On prend l'inverse des nombres trouvs et on conserve le triplet des plus petits nombres entiers qui prsentent entre eux le mme rapport que ces inverses. Les plans ayant une symtrie quivalente telle que (100), (010), (001) sont dsigns par le symbole gnrique {100}. Les directions perpendiculaires aux plans du mme nom sont dsignes par [h,k,l]. Un jeu de directions quivalentes est dsign par <h,k,l>. Pour le silicium et le germanium, les plans de clivage les plus faciles sont {111}. Par contre pour l'AsGa qui a une structure de Figure 14 : Indices de Miller des plans cristallins rseau similaire, mais une lgre les plus courants dans un cristal cubique o a est la constante de rseau. composante ionique dans les liaisons, le plan de clivage prfrentiel est {110}.
3.1.2.2.4
Structure cubique faces centres:
Une structure cristalline est obtenue en ajoutant un motif l'un des 14 rseaux de base de Bravais. Le motif peut n'tre constitu que par un atome prsent en chaque noeud du rseau: c'est le cas des lments suivants : Al, Ag, Cu, Ni, Au, Pb dans la structure cubique faces centres (Figure 15).
Figure 15 : Les trois rseaux de Bravais du systme cubique : cubique simple, cubique centr, cubique faces centres Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc page 17 /84
3.1.2.2.5
Structure cristalline du silicium:
Elle est identique la structure diamant elle-mme drive de la structure cubique faces centres, o un motif de deux atomes en position (0,0,0) et (1/4,1/4,1/4) est associ chaque noeud de la maille lmentaire. La structure diamant est donc forme par deux rseaux CFC dplacs l'un par rapport l'autre d'un quart de diagonale du cube. Dans le cas de la blende (ZnS) ou de l'arsniure de gallium (GaAs), un des rseaux est occup par les atomes d'une espce et le second par ceux de l'autre espce. Dans ces structures, chaque atome a 4 plus proches voisins et 12 seconds voisins. Si a est le ct du cube, la maille lmentaire a3 est un rhombodre de volume et il y a 4 deux atomes par maille lmentaire (2x1/8 + 6x1/8 + 1). (Figure 16).
Figure 16 : Structure diamant
3.1.2.2.6
Loi de Bragg:
Pour tudier les structures cristallines, les cristallographes utilisent la diffraction des rayons X dont la longueur d'onde est de l'ordre de la distance inter atomique (quelques A). Bragg a montr par un raisonnement de mcanique classique que les conditions de rflexion des ondes incidentes sont imposes par une relation entre la longueur d'onde, la distance des plans rticulaires et l'angle d'incidence de l'onde sur ces plans. La Figure 17 montre une srie de plans rticulaires quidistants d'une distance d dfinis par un vecteur G. Chaque noeud du rseau est la source d'une onde diffuse. Toutes ces ondes sont susceptibles d'interfrer. La diffrence de marche entre les rayons rflchis par des plans adjacents est = 2 d sin .
Figure 17 : Conditions de rflexion de Bragg
page 18 /84
La diffusion lastique d'une onde monochromatique et plane dont le vecteur d'onde incident k fait un angle avec le plan, impose les conditions suivantes: - lastique= pas de perte d'nergie k = k ' - interfrences additives = 2d sin = N C'est la loi de Bragg. Les ondes incidentes ne satisfaisant pas cette relation ne sont pas rflchies par le rseau cristallin. Il est facile de montrer que cette condition est quivalente : k'= k + G (1) k ' 2 = ( k + G ) 2 = k 2 + 2 k .G + G 2 la condition de diffusion lastique imposant k ' 2 = k 2 , on a la relation: 2k .G + G 2 = 0
soit encore:
(2)
2 kG .cos(
Si G est un vecteur du rseau rciproque (G = n
2 ), alors la relation de Bragg est vrifie. d Une consquence fondamentale de la loi de Bragg va apparatre lorsque nous tudierons la propagation dans les cristaux des ondes de la mcanique quantique associes aux lectrons : toute onde qui satisfera la condition de Bragg sera rejete par le rseau cristallin; seules pourront se propager celles qui ne satisfont pas la condition.
Approche quantique:
2 2 k sin = G
+ ) + G 2 = 0
3.1.2.3
3.1.2.3.1
Equation de Schrdinger:
Dans ce paragraphe, on va dterminer la distribution en nergie des lectrons apports par les atomes constituant le semi-conducteur en utilisant d'abord le modle de Sommerfeld pour expliquer le pseudo-continuum des tats nergtiques, puis le modle de Brillouin pour expliquer l'existence de bandes permises et interdites. Considrons un rseau cristallin cubique de priodicit atomique a. Les fonctions d'ondes associes aux tats permis sont solutions de l'quation de Schrdinger: h2 (3) ( r ) + V ( r ) = E ( r ) 2m o m est la masse de l'lectron, E son nergie et V le potentiel auquel il est soumis. La fonction ( r ) tant la composante spatiale de la fonction d'onde associe aux lectrons: (4) ( r , t ) = ( r ).exp( it )
dans laquelle on peut sparer la partie temporelle quand l'nergie est dfinie et indpendante du temps. On sait (voir cours de mcanique quantique) que pour un potentiel constant, les solutions sont des ondes planes de la forme: (5) avec: ( r ) = A .exp( i . k . r ) + B.exp( i. k . r ) k2 p2 E = h2 +V= +V 2m 2m
page 19 /84
3.1.2.3.2
Thorie de Sommerfeld:
Historiquement, la premire thorie lectronique des mtaux qui fit appel la mcanique quantique, dite thorie de Sommerfeld ou de l'lectron libre (1928), faisait comme seule hypothse que le solide constituait une bote l'intrieur de laquelle le potentiel valait V0 et 0 l'extrieur. Elle aboutissait certains rsultats concordant bien avec l'exprience pour les mtaux mais pas pour les semi-conducteurs. Dans un solide infiniment grand o k peut prendre n'importe quelle valeur, la relation entre k et E(k) (encore appele relation de dispersion), n'est autre qu'une parabolode dans laquelle: h2 .k 2 E V0 = . (6) 2m et les surfaces isonergtiques sont un continuum de sphres concentriques.
Figure 18 : Solide infiniment grand : (a) courbe de dispersion nergtique des lectrons ; (b) surfaces isonergtiques.
Dans un solide de dimensions finies, les conditions aux limites vont imposer certaines valeurs de k et de E. En particulier, pour signifier que l'lectron ne peut tre en dehors d'un cristal de dimensions Lx,Ly,Lz on imposera la condition aux limites: (7) ( 0) = ( L x ) = ( L y ) = ( L z ) = 0
Comme pour les cordes vibrantes, la solution est une fonction sinusodale avec un nombre entier de demi-priodes entre 0 et L. L'nergie n'est plus une fonction continue de k ; elle est quantifie en niveaux discrets: (8)
E V0 =
h2 2 2 (k2 x + k y + kz ) 2m
les valeurs des ki tant: 0 ,
n 2 4 n . , ,... avec L i = i , soit k i = i . Li Li 2 Li
page 20 /84
Figure 19 : Solide de dimensions finies : quantification des niveaux ; les surfaces isonergtiques sont encore des sphres concentriques mais disjointes
3.1.2.3.3
Densit d'tat par unit de volume et d'nergie:
Les tats d'nergie permis peuvent tre reprsents sur la parabolode d'quation: h2 2 2 (9) E V0 = (k2 x + k y + kz ) 2m 2 ( 2 )3 une dimension et trois par des points dont les abscisses sont espaces de: Li V dimensions. Dans l'espace des k, chaque extrmit d'un vecteur k possible correspond donc ( 2 ) 3 83 un noeud du rseau maille paralllpipdique de dimension : = , o V est le Lx . Ly . Lz V volume du cristal rel. Les tats de mme nergie E0 sont situs dans l'espace des k sur une sphre de rayon:
2m .( E0 V0 ) . h2 Pour dnombrer ces tats, il suffit de compter le nombre de paralllpipdes lmentaires contenus dans la sphre de rayon k et de volume :
2 k = k x2 + k y + k z2 =
4 4 2m . k 3 = ( .( E 0 V0 )) 2 3 3 h2
3
4 2m .( 2 .( E 0 V0 )) 2 (10) N ( E 0 ) = 3 h et le nombre d'tats possibles ( 2 )3 V dans un intervalle d'nergie dtermin compris entre E0 et E 0+ dE vaudra: (11)
3
N ( E ) dE =
V 2m .( 2 ) 2 .( E V0 ) 2 . dE 2 4 h
page 21 /84
C'est la densit d'tats offerte l'lectron par le cristal de volume V. Compte tenu du principe de Pauli (ou de dgnrescence de spin), il faut multiplier par deux cette densit d'tats pour obtenir le nombre de places possibles d'lectrons. Ces tats discrets d'nergie sont en fait trs voisins les uns des autres. On est en prsence d'un pseudo continuum d'tats. Pour s'en convaincre, il suffit d'crire que l'nergie moyenne d'agitation thermique d'un lectron: kBT = 0.026 eV = 4.2 10-21Joule Pour un cristal de 1cm de ct, on obtiendrait : 1 L2 . h 2 2 n=( ) 10 6 2 2 m. -34 et un intervalle de 5. 10 Joule entre deux tats successifs.
3.1.2.3.4 Electrons dans un potentiel priodique:
On vient de voir que la thorie de Sommerfeld ne suffit pas pour expliquer que les bandes d'nergies permises sont spares par des bandes interdites. Considrons donc maintenant un lectron plong dans un potentiel priodique (comme on en trouve dans un cristal) tel que: V(r)= V(r+a) o a est un vecteur quelconque de translation du rseau cristallin. Dans ce cas, Bloch a montr en 1928 que la solution de l'quation de Schrdinger est une fonction telle que: (12) ( r ) = u ( r ).exp( ik . r ) o u ( r ) = u ( r + a ) est une fonction ayant la priodicit du rseau cristallin. Si k est un vecteur g du rseau rciproque, rappelons que a.g = 2 . N , alors : ( r + a ) = u ( r + a ) exp( ig ( r + a )) = u ( r ) exp(ig . r ) exp(ig. a ) = ( r ) exp(ig. a ) = ( r ) et la fonction d'onde est priodique de priode a.
Figure 20 : Bandes dnergie pour un lectron se dplaant dans un cristal linaire. Bandes permises et interdites associes aux rflexions de Bragg en bords des zones de Brillouin.
page 22 /84
A la limite des zones de Brillouin, l'onde associe l'lectron est rejete par le rseau comme nous l'avons dmontr plus haut par la condition de Bragg. Pour cette valeur de k la fonction d'onde reprsente un systme d'ondes stationnaires et deux nergies distinctes apparaissent spares par un "gap". Ces coupures dans la propagation des ondes de Bloch dfinissent les limites de la premire, deuxime, troisime, etc... zones de Brillouin (Figure 20). Le nombre de valeurs permises des vecteurs k dans une zone de Brillouin est gal au nombre de mailles lmentaires contenues dans le volume V du cristal.
3.1.2.3.5 Premire zone de Brillouin:
Une importante proprit de symtrie fait que tous les tats permis peuvent tre ramens dans la premire zone de Brillouin. En effet, si k est un vecteur d'onde quelconque et si k' est un autre vecteur d'onde tel que k' = k + g, on peut crire la fonction d'onde associe ce dernier: ( r ) = u ' ( r ).exp(ik ' .r ) = u ' ( r ).exp(ig. r ) .exp( ik . r ) comme la fonction entre crochets possde la mme priodicit a que u(r), et que nous n'avons fait aucune hypothse sur cette dernire fonction, les fonctions k ( r ) et k ' ( r ) sont identiques et donc reprsentent le mme tat de l'lectron pourvu que k'= k+g (Figure 21). Pour obtenir toutes les valeurs des fonctions de Bloch, il suffit donc d'effectuer l'tude de ces fonctions dans un volume de l'espace rciproque contenant tous les vecteurs k non quivalents. Si l'on centre ce volume au point k=0, on l'appelle premire zone de Brillouin.
3.1.2.4 Proprits lies la structure en bandes:
Dans notre modle simplifi (Figure 21), la bande de valence qui est la dernire bande remplie d'lectrons, a une courbure ngative au voisinage de k= 0. Son sommet est not Ev. La bande de conduction , immdiatement suprieure a une courbure positive et son minimum est not Ec. La diffrence entre le sommet de la bande de valence et le bas de la bande de conduction est la bande interdite ou gap: Eg = Ec -E v.
Figure 21 : Schma des zones rduites dans le cas dun cristal linaire
page 23 /84
3.1.2.4.1
Schma des bandes de semi-conducteurs usuels:
Dans un modle tridimensionnel rel, la situation peut tre beaucoup plus complique; dans une direction k donne, une branche peut avoir plusieurs maxima et minima l'intrieur d'une mme zone de Brillouin. Il peut y avoir aussi plusieurs bandes se chevauchant dans une mme direction. En fait l'valuation thorique de la fonction E(k) constitue un norme problme mme dans le cas de cristaux assez simples. Heureusement, dans la pratique, il suffit d'avoir une bonne connaissance de E(k) au voisinage des minimum-minimorum et des maximums-maximorums d'une bande pour rsoudre les problmes qui nous intressent. Les surfaces iso-nergtiques sont en gnral des ellipsodes de rvolution au voisinage des extrma de bandes. La Figure 22 reprsente le schma des bandes du germanium, du silicium et de l'arsniure de gallium et les surfaces iso-nergtiques correspondantes dans la premire zone de Brillouin pour des directions de k pertinentes.
Figure 22 : Structure des bandes dnergie du Ge, du Si, et de lAsGa (daprs Cohen et Berstresser, Phys. Rev., 141, 789, 1966)
3.1.2.4.2
Vitesse de groupe:
La vitesse moyenne d'un lectron dans un tat quantique dfini par le vecteur d'onde k, est gale la vitesse de groupe de l'onde qui lui est associe. On aura donc (voir cours ondes et particules): 1 E (13) v x = = . une dimension k x h k x et en gnralisant trois dimensions: r 1 v = .grad k E h
page 24 /84
Il en rsulte que les tangentes aux courbes E(k) aux bords des zones de Brillouin, sont horizontales puisque l'onde de particule est alors stationnaire (il n'y a pas propagation). On retrouve la mme proprit dans la configuration rduite, aux bords et au centre de la premire zone de Brillouin.
3.1.2.4.3 Masse effective:
La symtrie du potentiel dans un cristal fait que la fonction de dispersion E(k) est une fonction paire. Sa premire drive est donc nulle au voisinage des extrmums Ec et Ev. Dans le cas gnral o les surfaces isonergtiques sont des ellipsodes de rvolution, on pourra crire par exemple au voisinage de l'extrmum de la bande de conduction: k i .k j h2 (14) E ( k ) = E c + 2 i , j m ij Le tenseur mij s'appelle le tenseur de masse effective. Dans le cas d'une symtrie sphrique il peut se rduire un scalaire m* et on crira tout simplement: h2 . k 2 E( k ) = Ec + pour la bande de conduction 2 m c
h2 . k 2 et E( k ) = E v + pour la bande de valence. 2 m v Les masses effectives sont donc lies la courbure de bande au voisinage des extrma et l'on peut crire d'une faon plus gnrale:
2E (15) m*= h k 2 k =0 Le concept de masse effective est une manire simplifie de prise en compte de l'influence du rseau cristallin dans la dynamique de mouvement des lectrons. On remarque en particulier que les lectrons du haut de la bande de valence ont une masse effective ngative. Nous verrons le sens qu'il faut accorder cette quantit en introduisant la notion de trous ou lacunes, qui eux auront bien une masse positive mais aussi une charge positive.
2 1
Les semi-conducteurs du type Si, Ge, GaP ont une structure de bande "gap" indirect, en ce sens que les extremums Ec et Ev ne se situent pas au mme point de l'espace des k. Dans la Figure 22, les courbes de dispersion du silicium font apparatre 6 minima quivalents dans la bande de conduction dans la direction gnrique <100>. Autour de ces minima, l'nergie peut se dvelopper suivant la formule:
2 2 h2 ( k 0 k x ) 2 ( k y + k z ) (16) E ( k ) = E c + .( + ) 2 m m cl ct Nous sommes l en prsence d'une situation tout fait particulire o la masse est anisotrope. Il y a donc lieu de distinguer la masse longitudinale dans la direction [100], des masses transversales dans les deux directions perpendiculaires de l'espace des k.
La masse effective utilise dans le calcul de la densit d'tat de la bande de conduction

2 1
vaudra alors:
2 3 3 m cd = 6 .( m cl . m ct )
page 25 /84
Rpartition des lectrons lquilibre thermodynamique :
De mme, on peut montrer que la bande de valence comprend trois bandes proches dont deux sont dgnres au voisinage de k=0 (bande forte courbure dite des trous lourds et bande faible courbure dite des trous lgers) et la troisime est lgrement dplace vers le bas de 0.044 eV par l'nergie d'interaction spin-orbite. Pour le calcul de la densit d'tats effective de la bande de valence, on utilisera une masse compose par la formule:
2 2 3 m d = ( m lh + m hh ) Dans la suite, les masses effectives de valence seront toujours prises en valeur absolue. 3 3 2
3.2
Nous allons voir que l'occupation par des lectrons des tats permis d'nergie dans un semi-conducteur est hautement variable. Elle est contrle principalement par la temprature et par l'incorporation d'atomes trangers, appels impurets. L'objectif de ce chapitre est de donner l'expression de la concentration d'lectrons dans la bande de valence et de trous dans la bande de conduction, en fonction de la temprature, de la nature et de la concentration des impurets. Mais voyons d'abord en quoi diffrent un mtal, un semi-conducteur et un isolant.
3.2.1
Mtal, isolant et semi-conducteur:
Nous avons appris plus haut que par maille lmentaire du cristal rel, il existe dans chaque bande permise un tat d'nergie possible, soit 2 places possibles d'lectrons. La Figure 23 schmatise l'occupation des bandes d'un solide mtallique (a)-(b), ou isolant (c) T= 0K l'tat fondamental (nergie minimale). Les bandes se garnissent en fonction des nergies croissantes des lectrons, conformment au principe de Pauli.
Figure 23 : Schma doccupation des bandes au zero absolu, dun solide mtallique monovalent (a), dun mtal polyvalent (b) et dun isolant(c).
page 26 /84
3.2.1.1
Mtaux:
Si le nombre d'lectrons par maille lmentaire est impair, la dernire bande garnie est moiti remplie. Tous les corps de cette catgorie sont des mtaux: c'est le cas des mtaux monovalents (a) alcalins: Li, Na, K, Rb, Cs et nobles: Cu, Ag, Au. C'est aussi le cas des mtaux trivalents: Al, Ga, In, Ti, o les trois lectrons de valence garnissent une bande et demi. Si le nombre d'lectrons par maille lmentaire du cristal est pair, la dernire bande garnie est compltement occupe. Mais le haut de cette bande peut tre recouvert en partie par une bande suprieure vide (b). C'est le cas des mtaux divalents, ttravalents, et pentavalents (As, Sb, Bi, qui possdent deux atomes par maille et donc 10 lectrons de valence par maille et qu'on appelle semi-mtaux). Ce sont en gnral de mauvais conducteurs.
3.2.1.2 Semi-conducteurs:
Le haut de la dernire bande occupe peut tre plus ou moins loign de la bande vide suivante. Pour qu'il y ait conduction lectrique, il faut que l'nergie des lectrons puisse changer sous l'effet d'un champ lectrique. Compte tenu des tensions de claquage de la plupart des matriaux, les champs lectriques que l'on peut appliquer ne dpassent pas 106 V/cm produisant sur une distance inter atomique des nergies de l'ordre du meV (10-3eV). La conduction n'est possible que s'il existe des niveaux vides trs voisins des niveaux occups.
3.2.1.3 Isolants:
La conduction est impossible au zro absolu dans le cas (c). Seule la largeur de cette bande interdite permet de diffrencier un isolant d'un semi-conducteur. Les corps isolants au zro absolu deviennent plus ou moins conducteurs quand la temprature crot. En pratique on met dans la classe des isolants les matriaux dont l'nergie d'activation intrinsque ou "gap" est suprieure 5 eV.
3.2.2 Fonction de Fermi-Dirac:
Considrons maintenant l'occupation des bandes une temprature T diffrente de 0. La probabilit d'occupation par un lectron d'un tat d'nergie E, la temprature T est donne par la fonction de distribution de Fermi-Dirac (reprsente sur la Figure 24):
1 E EF 1 + exp( ) kT o k dsigne la constante de Boltzmann et EF, dnote nergie de Fermi, est une nergie de rfrence dtermine par la loi de conservation du nombre total de particules dans le systme.
(19)
f ( E, T) =
Pour E-EF>>kT, la fonction de distribution f prend la forme bien connue de la statistique E EF classique de Boltzmann:(20) f ( E , T ) = exp ( ) kT Le nombre d'lectrons dans une bande sera donn par l'intgrale sur tous les tats possibles: (21) nb (T ) = 2 N ( E ). f ( E )dE , le facteur 2 tenant compte de la dgnrescence de spin.
page 27 /84
Figure 24 : Fonction de distribution de Fermi
3.2.2.1
Mtaux:
Dans le cas des mtaux, o la densit d'tats par unit de volume s'crit, en prenant l'origine des nergies au bas de la dernire bande occupe et en admettant que dans cette dernire bande la rpartition N(E) est parabolique:
3 1
1 2m (22) N ( E ) dE = .( 2 ) 2 . E 2 .dE 2 4 h tant donn le caractre rapidement dcroissant de la fonction de Fermi-Dirac, l'intgrale peut s'tendre jusqu' l'infini: n(T ) = 2 N ( E) f ( E )dE =
0
1 2 2
2m 2 2 E E F 1 ) E (1 + exp ) dE 0 h kT
3 1
qui, moyennant quelques approximations, peut se calculer pour donner:
(23)
1 2m 2 2 2 n(T ) = . . .E F 2 2 h 2 3
o l'on peut montrer que le niveau de Fermi EF varie trs peu en fonction de T.
page 28 /84
3.2.2.2
Semi-conducteurs:
Sous l'influence de la temprature quelques lectrons de la bande de valence peuvent acqurir suffisamment d'nergie pour franchir la bande interdite. Dans un semi-conducteur, deux bandes vont donc participer la conduction: - la bande de conduction faiblement occupe - la bande de valence presque compltement occupe. Les zones considrer seront les extrmits de bande. On admettra, qu'en leur voisinage, la fonction de rpartition est parabolique, la seule diffrence avec le cas prcdent tant que la masse des lectrons sera le tenseur de masse effective de densit d'tat, vu plus haut, inversement proportionnel la courbure de bande.
Figure 25 : Schma doccupation des bandes la temprature ambiante dun solide conducteur (a), dun semi-conducter (b) et dun isolant (c)
Dans le bas de la bande de conduction nous noterons: 3 1 1 2mc 2 N c ( E) = .( ) . ( E E ) (24) c 2 2 2 h 2
page 29 /84
et dans le haut de la bande de valence, nous adopterons la convention de prendre la valeur absolue de la masse effective et nous compterons l'nergie en sens contraire de celle des lectrons. En effet, si la probabilit de trouver un lectron au-dessus du niveau de Fermi est: 1 (25) f ( E E F , T ) = E EF 1 + exp( ) kT la probabilit de trouver une place libre au mme niveau d'nergie est la probabilit complmentaire: E EF exp( ) 1 kT = = f ( E F E , T) (26) 1 f ( E E F , T ) = EF E E EF 1 + exp( ) 1 + exp( ) kT kT La probabilit de trouver un trou une distance EF-E au dessous du niveau de Fermi est donc la mme que celle de trouver un lectron une distance E-EF au dessus du niveau de Fermi. Les trous obissent donc la statistique de Fermi-Dirac la condition de compter leur nergie ngativement par rapport celle des lectrons. Nous avons calculer des intgrales du type:
1 1 2m 2 E E F 1 2 (1 + exp( . ( E E ) )) .dE (27) n(T ) = 0 2 2 E kT 2 h 0 ce qui donne pour les lectrons: 3 E Ec E Ec 1 2 m e kT 2 (28) n c ( T) = ( ) .exp( F ) = N C .exp( F ) 2 4 . h kT kT tout se passe comme si les lectrons libres avaient leur disposition un nombre de places disponibles au bas de la bande de conduction qui est une densit effective d'tats: 3 1 2 m e kT 2 (29) N c ( T ) = ( ) . 4 . h 2 3
De mme pour les trous, on aura: 1 2m 2 E E 1 (30) pv (T ) = . 2 ( E v E ) 2 .(1 + exp( F )) .dE 2 E kT 2 h v soit de faon similaire: E EF (31) p ( T ) = N v ( T ).exp v kT avec une densit effective d'tats de trous dans la bande de valence: 3 1 2 m h kT 2 (32) N v ( T) = ( ) . 4 . h2 On remarque que le produit : E Ev ) (33) n ( T ) p ( T ) = N c ( T ). N v ( T ).exp ( c kT est indpendant de la position du niveau de Fermi. Le niveau de Fermi d'un semi-conducteur intrinsque est obtenu en faisant: n(T)=p(T) N v E c + E v 3kT m E c + E v kT h (34) E Fi = + .Ln = + . Ln m 2 2 N 2 4 c e
3 1
page 30 /84
Aussi le niveau de Fermi d'un semi-conducteur intrinsque est trs proche du milieu de la bande interdite la temprature ordinaire. La concentration intrinsque des porteurs de charge est donne en faisant: Eg (35) n2 i = n . p = N c . N v .exp kT d'o
3.2.3
4 ni = 4.91015 me .m h .T 2 . exp
Eg
2kT
soit 1.6 1010 cm-3 pour le Silicium
Rle des dfauts et des impurets:
Toute modification la priodicit du rseau est un dfaut qui peut crer de ce fait des niveaux d'nergie supplmentaires. Deux cas typiques peuvent tre distingus: - les niveaux superficiels (niveaux dopants) aux voisinages des bords de bandes. Ils ont une influence directe sur la densit d'lectrons et de trous. C'est grce eux que l'on peut raliser les jonctions P-N des diodes. - les niveaux profonds (niveaux recombinants) proches du milieu de bande interdite. Ils peuvent jouer un rle de centres de recombinaison pour les porteurs mobiles, trs nfaste dans le cas des photopiles.
3.2.3.1 Donneurs:
Un donneur est une impuret en position de substitution dans le rseau, un lment atomique dont le nombre d'lectrons de valence est suprieur celui de l'atome du rseau qu'il remplace. L'exemple classique est un lment du groupe V du tableau priodique (P,As,Sb) en substitution dans le rseau du silicium. Nous pouvons calculer son nergie en utilisant le modle hydrognode. Par exemple, sur les 5 lectrons de valence d'un atome de phosphore implant dans le rseau du silicium, 4 servent tablir les liaisons chimiques covalentes, le cinquime tant plus ou moins libre en fonction des forces en comptition qui s'exercent sur lui. A basse temprature cet lectron est attir par le champ coulombien associ la diffrence de la charge du noyau de Phosphore par rapport celles des atomes de Silicium. A haute temprature, cet lectron faiblement li se libre dans la bande de conduction. L'atome donneur est alors ionis positivement. L'analogie avec un atome d'hydrogne immerg dans un milieu de constante lectrique gale celle du cristal et dont l'lectron aurait la masse effective de conduction donne, en se rappelant que l'nergie de liaison dans l'atome d'hydrogne: 1 m.q 4 1 13.6eV (36) E H = 4 . 2h 2 . n 2 = n2 0 en choisissant comme origine des nergies le bas de la bande de conduction et n reprsentant le nombre quantique principal: 13. 6eV m 1 (37) E P = . c. 2 2 n me r
2
m Sachant que c 0.50 et que r = 11. 8, on trouve pour n=1: Ep= -0.048 eV. me Cette nergie est de l'ordre de 2 kT la temprature ambiante. L'agitation thermique brisera donc trs facilement les liaisons.
On peut de manire similaire, valuer le "rayon" de Bohr effectif de l'atome donneur, en se rappelant que dans l'atome de Bohr: 4 0 h 2 (38) rH = = 0.53 me . q 2 en faisant les mmes hypothses que prcdemment: me (39) rP = 0.53. . r = 12 .5 mc soit environ 25 distances interatomiques. Si ND est le nombre d'atomes donneurs, le nombre d'lectrons dans la bande de conduction n=ND puisqu' la temprature ambiante toutes les impurets sont ionises. Dans le silicium o le nombre d'atomes par cm3 est de 5 1022, une concentration d'impurets de 1 ppm, reprsente 5 1016 cm-3 lectrons de conduction, nombre trs grand en comparaison du nombre de porteurs intrinsque ni=1.6 10 10 calcul prcedemment. On dit que le matriau est dop de type N ou simplement que le semi-conducteur ainsi dop est de type N.
3.2.3.2 Accepteurs:
Un accepteur est une impuret en position de substitution dans le rseau comportant un nombre d'lectrons de valence infrieur celui de l'atome qu'elle remplace. Tel est le cas des atomes du groupe III ( B, Al, Ga) pour un rseau cristallin form d'atomes du groupe IV. La liaison manquante (dfaut d'lectron de valence) peut tre dcrite comme un trou positif. L'nergie du trou est compte partir du haut de la bande de valence E v et crot dans le sens oppos celui des nergies lectroniques. A la temprature ambiante, l'accepteur s'ionise et le trou peut tre combl par un lectron de la bande de valence qui laisse un trou derrire lui. Comme on l'a suppos pour les donneurs on admettra qu' la temprature ambiante, tous les accepteurs sont ioniss, par consquent: p=NA. On notera que les formules prcdentes donnant l'nergie de liaison et le rayon effectif, ne s'appliquent rigoureusement que dans les cas simples de donneurs ou d'accepteurs proches de bandes isotropes et non dgnres. La Figure 26 rsume en 4 colonnes le schma des bandes simplifi, la densit d'tats, la distribution de Fermi et le nombre de porteurs mobiles pour les trois configurations de semi-conducteur intrinsque, dop N et dop P.
page 32 /84
Figure 26 : Les trois configurations possibles dun semiconducteur :a) tat intrinsque ; b) dop n ; c) dop p. Schma des bandes simplifi, allure de la densit dtats, distribution de Fermi et nombre de porteurs libres ( daprs SM Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley Interscience, N-Y, 1969)
3.2.3.3
Position du niveau de Fermi:
La Figure 29 montre en particulier que l'introduction d'impurets impose une modification de la position du niveau de Fermi pour prserver la neutralit lectrique. On a en effet dans le cas d'un semi-conducteur de type N, ayant ND donneurs: (40) n = N+ D + p o le nombre d'atomes donneurs ioniss est donn par la statistique de Fermi-Dirac:
E ED (41) N = N D .(1 f ( ED , T )) = N D .1 + 2 exp( F ) kT le facteur 2 tant un facteur de dgnrescence li au spin.

+ D
page 33 /84
Symtriquement, dans le cas d'un semi-conducteur de type P, ayant NA accepteurs: E E F 1 1 (42) N exp( A ) A = N A .(1 + 4 kT cette fois le facteur 1/4 est un facteur de dgnrescence li l'existence de deux bandes de valence doublement dgnres pour k=0. Dans un semi-conducteur de type N, la conservation de la charge s'crira donc: E EF E EF 1 (43) N C exp ( C ) = ND. + N V .exp( V ). E E kT kT F D 1 + 2 exp( ) kT Une mthode graphique lgante, dveloppe en 1950 par W. Shockley pour dterminer, une temprature donne, la position du niveau de Fermi est dcrite dans la Figure 27. Dans l'exemple, il s'agit de silicium de type N, dop au phosphore avec une concentration d'atomes donneurs de 1016cm-3.
Figure 27 : Mthode graphique de dtermibation du niveau de Fermi dun semi-conducteur (daprs Shockley, Electrons and holes in semiconductors, van Nostrand, Princeton, 1950)
On trouve pour un semi-conducteur de type N: et pour un semi-conducteur de type P:
(44) (45)
NC ND N E F = E V + kT. Ln V NA E F = E C kT. Ln
page 34 /84
Interaction rayonnement-matire :
3.3
Figure 28 : Structure lectronique des trois grandes familles de solides
La Figure 28 reprsente schmatiquement cette structure lectronique pour les trois grandes familles de matriaux: les mtaux, les isolants et les semi-conducteurs . Lorsqu'un photon interagit avec un lectron, il transfre intgralement son nergie ce dernier, la condition que le niveau nergtique final de l'lectron soit autoris et libre. Ainsi dans un mtal tous les niveaux suprieurs EF tant autoriss et la quasi totalit de ces niveaux tant inoccups temprature ambiante, toutes les longueurs d'onde peuvent tre absorbes. Mais l'lectron excit revient immdiatement dans son tat initial (en un temps de l'ordre de la picoseconde), l'nergie perdue tant transforme en chaleur (augmentation de l'tat vibrationnel des atomes du rseau). On dit que l'nergie apporte par le rayonnement est convertie en phonons travers la thermalisation des lectrons. Un mtal rflchit et absorbe le rayonnement mais il n'est pas possible d'utiliser l'nergie reue par les lectrons autrement que sous forme thermique. Dans un isolant, le photon n'interagit avec l'lectron que s'il peut fournir cet lectron une nergie suprieure la largeur de la bande interdite Eg afin d'atteindre les premiers niveaux autoriss et libres. Il faudra donc Eph> 5 eV soit < 0.25 m. Comme la quasitotalit du spectre solaire est suprieure 0.3 m, le rayonnement solaire ne peut pas tre absorb par les isolants. Dans un semi-conducteur, la largeur de la bande interdite est plus faible que pour les isolants et varie d'environ 0.6 eV 2 eV. Elle est de 1.12 eV pour le silicium cristallin (cSi) et de 1.8 eV pour le silicium amorphe (a-Si). Les photons d'nergie Eph > 1.12 eV, soit une longueur d'onde < 1.12 m, pourront fournir leur nergie aux lectrons de la bande de valence. Cet lectron ainsi libr de la liaison chimique pourra se promener "librement " dans le cristal comme un lectron de conduction. Si l'nergie du photon Eph est suprieure l'nergie du gap Eg, l'excs d'nergie est perdu par thermalisation.
page 35 /84
3.3.1
Notion de paire lectron-trou
La transition lectronique qui vient d'tre dcrite a en fait gnr deux types de porteurs de charge: - des lectrons de conduction - des liaisons chimiques manquantes, absences d'lectron de valence appeles lacunes ou trous. On a cr une paire lectron-trou dont les deux composantes se meuvent dans le matriau suivant des modalits diffrentes. Le trou peut en effet se dplacer dans le matriau par le saut en sens inverse d'un lectron de valence qui se dplace de liaison chimique lacunaire en liaison chimique lacunaire. Ainsi la mobilit d'un trou est toujours plus faible que celle d'un lectron de conduction. L'absorption d'un photon produit en gnral un lectron et un trou chauds puisque leur nergie cintique totale peut tre trs suprieure kT. Cette nergie cintique supplmentaire est inutile dans la conversion photovoltaque; elle est rapidement perdue par interaction avec les phonons du rseau. C'est le phnomne de relaxation dont la dure est de l'ordre de la pico-seconde. Pour le restant de leur dure de vie, les porteurs en excs peuvent tre considrs comme indiscernables des porteurs prsents l'quilibre thermodynamique; on dit qu'ils sont thermaliss. Si la transition lectronique concerne un lectron de l'intrieur de la bande de valence (couches profondes), la thermalisation aura lieu pour les deux types de porteurs. En dfinitive, on ne dispose aprs thermalisation que d'une paire lectron-trou d'nergie Eg (Figure 29).
Figure 29 : Relaxation des porteurs en excs dnergie par rapport au gap
Contrairement ce qui se passe dans un mtal, ces paires lectron-trou pourront tre utilises pour gnrer un courant lectrique avant de disparatre par recombinaison. La dure de vie des porteurs dans un semi-conducteur est un million de fois plus grande que dans un mtal. Il est alors possible de sparer les lectrons des trous par un champ lectrique afin de les collecter pour crer un courant lectrique utilisable.
page 36 /84
La cellule solaire idale
Mcanismes lmentaires

4.1 Mcanismes lmentaires
L'optimisation de la conversion de l'nergie solaire en lectricit requiert au moins que trois phnomnes physiques de base aient lieu quasi-simultanment: -l'absorption du maximum possible de photons; -la transformation de l'nergie ainsi absorbe en charges lectriques libres; -la collecte sans perte de ces derniers dans un circuit lectrique extrieur. Une photopile solaire doit donc tre constitue: -d'un matriau absorbant dans la bande optique du spectre solaire, possdant au moins une transition possible entre deux niveaux d'nergie, transformant l'nergie lumineuse sous forme potentielle et non thermique, - et d'une structure de collecte de faible rsistance lectrique.
4.1.1 Absorption du rayonnement dans le matriau
Le premier phnomne optimiser est l'absorption de la partie la plus intense du spectre solaire par un matriau appropri, ayant pour rsultat la libration d'lectrons qui deviennent alors des porteurs de charge lectrique mobiles laissant derrire eux des vacances, des trous, qui leur tour peuvent se dplacer dans le matriau, en gnral une vitesse diffrente par le rarrangement des lectrons qui les entourent. On serait en droit de penser que le matriau idal doit tre choisi parmi les matriaux petits "gap" afin d'absorber tous les photons solaires y compris les photons infrarouges dont l'nergie est infrieure l eV. C'est oublier que, ce faisant, on abaisse la valeur de la tension de sortie de la photopile qui est gale Eg/q. En ralit, elle est directement proportionnelle au "gap" du matriau ; en tous cas elle ne peut lui tre suprieure. Comme la puissance du photo gnrateur est au plus gale au produit du courant par la tension, un compromis sur la valeur du "gap" est donc invitable. Il est en gnral compris entre 1 et 1.5 eV et ne dpend que du matriau utilis. A cause de nombreuses sources de pertes, dans la ralit, la tension de circuit ouvert d'une photopile dpasse rarement la valeur de la moiti du "gap". On conoit bien que le systme idal deux niveaux n'est pas adapt un spectre continu de longueurs d'ondes comme le spectre solaire (Figure 30).
page 37 /84
500
1000
[nm]
1500
2000
2500
Figure 30 : Fraction dutilisation du spectre solaire dans le silicium cristallin
Pour mieux adapter le systme le physicien a trois possibilits: - soit on convertit le spectre solaire en une raie de largeur rduite dont la longueur d'onde est la mieux adapte au gap du matriau photosensible. - soit on cre des niveaux relais en milieu de bande interdite permettant le transfert nergtique dun lectron de la bande de valence au niveau relais, puis du niveau relais la bande de conduction grce deux photons faiblement nergtiques - soit on empile plusieurs matriaux dont les gaps vont en dcroissant, chaque tranche de matriau convertissant la partie du spectre correspondant son propre gap (photopiles multicolores). Cette dernire solution a t ralise un niveau de pilote industriel avec trois photopiles empiles (Figure 31).
500
1000
[nm]
1500
2000
2500
Figure 31 : Fraction dutilisation du spectre solaire dans le tandem GaAs-Ga-Sb
page 38 /84
Dans le cas de la photopile idale on fera l'hypothse que 100 % du rayonnement pntre dans le matriau, sachant qu'en ralit il faudra tenir compte de la rflexion sur la face avant et de l'absorption du verre protecteur, de la rflexion due au changement d'indice, et de la perte de surface active due l'ombre porte par les grilles mtalliques de collecte. L'absorption optique provient du fait que l'nergie d'un photon incident, peut si elle est suffisante, dclencher le transfert d'un lectron de la bande de valence vers la bande de conduction. La dtermination exprimentale du seuil d'absorption optique constitue un moyen simple de mesurer avec prcision la largeur Eg de la bande interdite. Par dfinition, si ( ) est le coefficient d'absorption optique d'un matriau, l'intensit transmise par un matriau absorbant s'crit: I ( z ) = I 0 .exp( ( ). z ) le produit ( ) .z tant parfois dnomm densit optique. Le dtail de la structure de bande influera beaucoup sur ( ) selon que les transitions seront de type direct ou indirect (Figure 32). L'absorption diminue lorsque la longueur d'onde augmente. A la limite, les photons d'nergie infrieure au gap n'tant pas absorbs, ils traversent le matriau comme s'il n'existait pas. Nous retiendrons pour l'instant que les faibles longueurs d'onde sont absorbes prs de la surface du matriau gnrant donc des paires lectrons-trous prs de la surface libre; en raison des nombreux dfauts d'un cristal sa surface, les paires lectrons-trous auront tendance se recombiner, limitant par l-mme la rponse de la photopile pour la partie la plus bleue du spectre. Les photons rouges seront absorbs plus profond dans le matriau; le problme rsoudre sera alors de faire en sorte que les paires lectron-trous gnres en profondeur ne se recombinent pas avant d'tre collectes.
(m) % (2.7 1017 photons / cm .s) () (cm-1) x0 (m)
0.40 0.50 0.53 0.60 0.70 0.80 0.90 1.00 1.06 1.15
4 13 16 25 42 58 72 82 90 96
50 000 10 000 7 500 4 500 2 000 900 300 100 15 0.4
0.4 2 3 5 11 26 76 230 1535 57500
Tableau 5 : Coefficient d'absorption du silicium monocristallin en fonction de la longueur d'onde
Afin de se faire une ide qualitative assez juste de labsorption dans le silicium (matriau gap indirect et par consquent peu absorbant dans le rouge), le Tableau 5 donne le pourcentage du nombre de photons disponibles pour la conversion photovoltaque sous un clairement AM 1 de 100 mW /cm ainsi que le coefficient d'absorption ( ) du silicium monocristallin en fonction de la longueur d'onde et la profondeur x0 est la profondeur pour laquelle l'intensit sortante vaut le dixime de l'intensit entrante. Ainsi donc la rponse spectrale d'une photopile au Silicium est-elle limite entre 0.4 et 1.15m. On remarque que 5 m de silicium permettent dabsorber 25% du spectre et que 76m de silicium permettent dabsorber 72% du spectre.
4.1.1.1 Transitions directes et indirectes
La Figure 32 montre quil existe deux types de transitions : les transitions directes, et les transitions assistes. Dans le cas (a) (AsGa par exemple), le maximum de la bande de
valence (qui dans tous les cas se situe k = 0), correspond au minimum-minimorum de la bande de conduction. On dit que c'est un semi-conducteur gap direct.
Figure 32 : Absorption dun photon dans un matriau semiconducteur : a) structure de bande gap direct ; b) structure de bande gap indirect .
Dans le cas d'une transition directe (AsGa, CdS) la conservation du moment (de l'impulsion) est satisfaite, puisque k = k' = 0. Dans ce cas, le front d'absorption en fonction de l'nergie des photons est trs raide; il varie typiquement en:
1
( h ) = ( h E g ) 2
Figure 33 : Absorption optique de lAsGa, matriau gap direct : a) coef dabsorption ; b) rpartition du nombre de photons disponibles pour la conversion photovoltaque sous AM1 (Daprs E. Fabre, Acta Electronica, 20.1, 1977)
En revanche, dans le cas (b) de la Figure 32 les matriaux gap indirect (Silicium, Germanium), pour satisfaire la relation de conservation de l'impulsion, il faut qu'une troisime
page 40 /84
particule intervienne; en effet, le vecteur k initial est diffrent du vecteur k' final et la diffrence de quantit de mouvement: h( k ' k ) >> h. k ph puisque le moment associ un photon est trs petit pour ces longueurs d'ondes. La troisime particule mise en jeu, doit avoir une nergie faible devant Eg et un vecteur d'onde: K = k'- k. Ds que T est diffrent de 0K, ces particules existent dans le rseau. Ce sont les phonons , particules associes aux modes de vibrations quantifies du rseau qui assistent les transitions. Puisqu'il s'agit d'un problme trois corps, on comprend que la probabilit d'absorption soit plus faible que dans les transitions directes. Comme le montre les Figure 33 et Figure 34 o l'on compare les deux types de transitions dans le cas de matriaux purs 0K, le front d'absorption est cette fois beaucoup plus progressif; il varie typiquement en:
( h ) = ( h E g ) 2
Figure 34 :Absorption optique du Silicium cristallin, matriau gap indirect : a) coef dabsorption ; b) rpartition du nombre de photons disponibles pour la conversion photovoltaque sous AM1 (Daprs E. Fabre, Acta Electronica, 20.1, 1977)
4.1.2
Sparation des charges
Le second phnomne optimiser est la rapide sparation des lectrons et des trous avant qu'ils ne se recombinent, et leur entranement vers les lectrodes collectrices. Cette sparation est obtenue par un champ lectrique (permanent et indestructible) qui est le plus souvent gnr par la jonction de deux semi-conducteurs de nature et de type diffrents (htrojonctions), ou par la barrire de potentiel entre un mtal et un semi-conducteur (diode Schottky), ou bien plus simplement encore, l'interface de deux zones d'un mme semiconducteur dont les concentrations en lectrons libres sont diffrentes (homo jonction ou jonction p-n). Mais rien n'impose que ces deux phnomnes aient lieu au sein du mme matriau. Au contraire si l'on veut optimiser la structure de la photopile, il peut tre avantageux de sparer
page 41 /84
Calcul du courant
les fonctions d'absorption des photons et de collecte des charges mobiles au prix d'une petite complication dans la structure et le procd de fabrication.
4.2
Calcul du courant
Dans le modle idal, un photon absorb fournit un lectron; on dit que le rendement quantique est gal un. Pour obtenir le courant il suffit de considrer une tranche d'nergie pour laquelle le nombre de photons correspondant cette nergie est donn par le tableau de Thekaekara (Annexe 1) et la formule: N( )=M( ). /hc d et d'intgrer sur la totalit du spectre jusqu' la longueur d'onde de coupure correspondant au gap du matriau. On aura par exemple pour le Silicium cristallin: Eg=1.12 eV, M( ) = 560 W/m.m 17 soit un flux de 3.2 10 photons/cm.m.s ,quivalent un courant de court-circuit: Jsc = 50 mA /cm par tranche de 1m Et l'intgrale: .d M ( ). hc = 53 mA/cm pour le spectre AM0. Pour le spectre AM1.5, l'intgrale ne vaudra plus que: .d M ( ). hc = 36 mA/cm. Pour un facteur de concentration de 300 en AM1.5, le courant serait denviron 10A /cm.
4.3 Calcul de la tension
La tension de circuit ouvert Vco d'une photopile lmentaire idale devrait tre gale Eg/q. Elle est donc proportionnelle au gap. 3 On dfinit un facteur de tension: v = q Voc/Eg
Pierre Baruch et Bernard Theys, du groupe de physique des solides de l'Universit ParisVI, ont dmontr par une approche classique purement thermodynamique, les limites thoriques du rendement d'une photopile, notamment travers le facteur de tension de circuit ouvert qui dpend lui-mme de la temprature de cellule, du coefficient de concentration du soleil, de la gomtrie de la cellule, et des processus de recombinaisons. Ils ont montr qu'on peut mettre le rendement de tension sous la forme:
Tc Tc Tc v = 1 T ( k . E . log ) ( k . E . log f )
R
[4.3]
o est l'angle solide sous lequel la source lumineuse, corps noir la temprature TR , est vue depuis la cellule la temprature Tc , suppose plane et active sur une seule face. - le premier terme est le rendement de Carnot. - le deuxime terme est reprsentatif de l'irrversibilit lie l'angle solide fini. Il ne peut y avoir rversibilit que si la source est vue sous un angle 4 . Et que toutes les recombinaisons sont radiatives. L'expression ici obtenue n'est valable que pour << 4 . - le troisime terme reprsente les irrversibilits dues aux recombinaisons des paires lectrons-trous. Le meilleur des cas est obtenu si l'on a des recombinaisons radiatives de bande bande. Mais mme dans ce cas, il reste l'irrversibilit de au fait que la source de lumire est un corps noir au large spectre, alors que
En ce qui concerne les photodiodes, la temprature ambiante, pour des dopages gaux aux densits d'tat, la hauteur maximum thorique de la barrire de potentiel dans le silicium vaudrait: 1.08 V. Ce cas n'est jamais rencontr en pratique cause des faibles dures de vie associes aux dopages levs. En ralit, dans une photopile au silicium, la barrire de potentiel Vb = 830 mV. Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc page 42 /84
Calcul du rendement
l'mission thermique est centre autour de: E g kTc . On peut rcrire l'quation [4.3] sous la forme d'un pur rendement de Carnot o la temprature apparente de la source de viendrait TR telle que:
1 1 k = + (log + log f ) TR TR E G
Dans le cas d'une cellule au Silicium, Eg = 1.12 eV, illumine sous AM0, avec une densit de porteurs libres de 1016cm-3, une paisseur de 100 m, et une temprature de cellule de Tc = 300 K., sans concentration :
v = q
Avec une concentration 50 :
Vco = 0.57 et Vco= 0.630 V. Eg
v = q
Vco = 0.66, et Vco=0.730 V. Eg
4.4
Calcul du rendement
Sachant que le courant dcrot quand le gap augmente et que la tension crot avec celui ci, la puissance que l'on peut extraire d'une photopile est le meilleur compromis obtenu par le produit : Jsc. Eg = q . Et Le rendement thorique de la photopile lmentaire idale en fonction du gap du matriau, est donn sur la Figure 35 pour un spectre AM0 et AM1.5. On voit qu'elle passe par un maximum pour Eg = 1.1 eV qui est prcisment la valeur du gap du silicium cristallin. Le rendement photovoltaque d'une telle photopile est voisin de 46 % dans l'intervalle 0.9 1.5 eV. Pour AM0 il est sensiblement infrieur, 43.5 %, mais cela correspond une puissance de sortie suprieure puisque l'clairement intgr du spectre AM0 est suprieur celui du spectre AM1.5.
Figure 35 : Rendement thorique de la photopile lmentaire idale sous AM0 et sous AM1.5. Pour comparaison, on a montr le rendement thorique calcu en tenant compte des pertes (T = 300 K).
page 43 /84
Calcul du rendement
Rendement idal Thermodyn. Wirkungsgrad Meilleur rendement observ

30 25 Wir ku 20 ng sgr 15 ad [%] 10 5 0 0,6 0,8 1,2 1,4 1,6 Bandlcke [eV] Gap (eV) 1,0 1,8 2,0 Ga As P 0.5 Ga Sb In
0.5
Si
Ga
Figure 36 : Rendement idal et meilleur rendement observ en fonction du Gap sous AM1.5.
page 44 /84
La photodiode semi-conducteur
Structure de collecte
L'effet photovoltaque tel qu'il se manifeste dans les photodiodes peut se dfinir comme la variation de la barrire de potentiel de la jonction quand elle est soumise un rayonnement lumineux. En fait, la gnration de porteurs en excs dans le matriau induit une polarisation directe de la jonction qui a pour effet de diminuer la barrire de potentiel et qui permet au photocourant de circuler dans un circuit extrieur. Nous allons considrer la barrire de potentiel forme par l'homo-jonction de deux rgions semi-conductrices d'un mme matriau et de types de conductivit opposs.
5.1 Structure de collecte
Pour tre utilisables les paires lectrons-trous doivent tre dissocies dans le volume du matriau. Pour ce faire on cre un champ lectrique interne en instituant une barrire de potentielle permanente dans le matriau. On peut raliser cette modification de diffrentes manires: - par variation abrupte du dopage du semi-conducteur ce qui conduit la jonction PN; - par variation de la composition du matriau, ce qui conduit aux structures composes bande interdite variable ; - par variation des deux, ce qui conduit aux htrojonctions.
5.1.1 Jonction PN
Sur la Figure 37 on a reprsent deux semi-conducteurs de mme bande interdite Eg et de types n et p. La diffrence d'nergie entre leurs niveaux de Fermi est gale la diffrence entre leurs potentiels chimiques.
Figure 37 : De morceaux dun mme semiconducteur de type N et P
Si on les met en contact intime par un procd ad-hoc, par dfinition, leurs potentiels chimiques doivent s'galiser; on constate alors l'existence de trois zones (Figure 38). D'abord gauche, la zone p non perturbe qui se trouve encore en quilibre thermodynamique; de mme l'autre extrmit, la zone n; et entre les deux, une zone interfaciale charge, vide de ses porteurs mobiles majoritaires qui ont diffus vers les zones de plus faible concentration, laissant derrire eux des atomes d'impurets ioniss, donc des charges fixes. On appelle cette rgion: zone de charge d'espace ou zone de dpltion. C'est le seul lieu du semi-conducteur qui soit hors d'quilibre et o il n'y a plus neutralit lectrique en tout point.
page 45 /84
Ces charges fixes sont l'origine d'un champ lectrique approximativement linaire dont l'intensit culmine au point de jonction. Ce champ est son tour l'origine d'un courant de porteurs minoritaires dirig en sens inverse du courant de porteurs majoritaires et tel que: pour les trous: Idp + Iip = 0 et pour les lectrons: Idn + Iin = 0 A l'quilibre thermodynamique, le courant total traversant la jonction est nul; chaque courant de diffusion tant compens par un courant de conduction de porteurs de mme type mais en sens inverse.
Figure 38 : Jonction PN lquilibre : a) distribution des impurets ionises ; b) distribution du champ lectrique ; c) variation du potentiel ; d) diagramme des bandes dnergie
page 46 /84
5.1.2
Barrire de potentiel
Dans une jonction isotherme, en l'absence de tout champ extrieur, les trous, porteurs majoritaires de la rgion P tendent diffuser vers la rgion N o ils sont peu nombreux, donnant naissance un courant de diffusion Idp de P vers N. Il en est de mme en sens inverse pour les lectrons, ces deux courants additionnant leurs effets pour former le courant de diffusion des majoritaires dont l'intensit serait trs grande si elle n'tait compense par le champ local , dirig de N vers P qu'ils ont eux-mmes cr en laissant derrire eux deux zones remplies de charges fixes de natures opposes. On dit qu'il apparat la jonction une barrire de potentiel qui s'oppose la diffusion des porteurs majoritaires. La hauteur de la barrire qui s'oppose au courant de majoritaires peut tre dduite du schma c de la Figure 38; on aura la relation:
Vb = q
(1)
Vn Vp q q q kT N .N kT N N Vb = Log( c 2 v ) ( Log c + Log v ) q ni q n n0 pp 0 n n0 = N D , p n0 = p p0 = N A , n p0 Vb = n2 i ND n2 i = NA
Eg
Ec n E F
E F E cp
Eg
Sachant par ailleurs que: du ct n: et du ct p: (2) (3)
on en dduit:
(4)
NA . N D kT Log q n i2
A la temprature ambiante, pour des dopages gaux aux densits d'tat, la hauteur maximum thorique de la barrire de potentiel dans le silicium vaudrait: 1.08 V. Ce cas n'est jamais rencontr en pratique cause des faibles dures de vie associes aux dopages levs. En ralit, dans une photopile au silicium, la jonction est rendue trs dissymtrique, le ct p tant pais et peu dop (5.1015) est appel base et le ct n, expos la lumire, trs mince et
fortement dop (5.1018), appel metteur, ce qui donne pour la barrire de potentiel Vb = 0.83 V. 5.1.3 Application d'un potentiel externe
Dans la jonction non polarise, la nullit du courant relatif un type de porteur rsulte de l'quilibre entre deux actions trs fortes dues l'une la diffusion, l'autre au champ lectrique. Dans une jonction polarise, la densit de courant due un type de porteur va tre provoque par un dsquilibre relativement faible entre ces deux actions. Il apparat alors en tout point du semi-conducteur un certain champ lectrique supplmentaire. Dans les zones homognes P et N il se produit une lgre chute ohmique de tension ne reprsentant qu'une fraction faible de la tension extrieure applique Va. Presque toute celle-ci se trouve applique aux limites de la zone dilectrique dplte (encore dite zone de transition). On aura pour les concentrations de porteurs aux limites de la zone de charge d'espace:
n p ( xp) n n (+ x n )
p n (+ x n ) (Va Vb = exp. q ( ) p p ( x p ) kT
page 47 /84
La relation entre largeur de zone de charge d'espace et barrire de potentiel reste valable pour un potentiel Va appliqu de l'extrieur. On aura dans ce cas: qw 2 Vb Va = . 1 1 2 0 ( + ) NA ND (13)
La variation de potentiel est la plus prononce dans la zone dplte du ct du (x n ) NA matriau le moins dop: = ( x p ) N D Si la jonction est connecte une source extrieure de tension, celle-ci impose une variation de potentiel chimique et dcale les niveaux de Fermi (Thorie des quasi niveaux de Fermi de Shockley). Dans la zone de charge d'espace, les niveaux de Fermi des lectrons et des trous, confondus et horizontaux l'quilibre, vont se ddoubler en deux quasi-niveaux de Fermi EFn et EFp s'appliquant respectivement aux lectrons et aux trous. Bien que ddoubls, on admet qu'ils sont horizontaux dans la rgion de charge d'espace. Cela signifie que dans cette zone les lectrons sont l'quilibre entre eux et les trous sont l'quilibre entre eux. En polarisation directe, la barrire de potentiel est abaisse et la diffrence des quasiniveaux de Fermi est gale qVa. Dans ce cas : qVa n p . p p = n2 ) i .exp( kT (17) et on a en x = - xp: et en x = + xn: (18) (19) qVa . kT qV p n = p n0 .exp a kT n p = n p0 .exp
On retiendra que l'application une jonction d'une tension externe Va provoque aux limites de la zone de transition une modification de la concentration des porteurs minoritaires dans le qV rapport exp( a ) . kT En rgime de faible injection (densit gnre de paires lectrons trous infrieure 1014 cm-3), l'accroissement relatif des porteurs majoritaires reste ngligeable.
5.1.4 Collecte
Une telle jonction cre entre les deux zones un champ lectrique lev et permanent rsultant du seul contact entre les deux matriaux. Tout porteur de charge mobile ayant pu diffuser (par l'effet du gradient de concentration) jusqu' cette zone de champ, est vigoureusement drain vers le ct N pour les lectrons et le ct P pour les trous. Ds que les porteurs de charge se trouvent dans une zone de leur type, ils ne risquent plus de se recombiner autrement que par les dfauts du rseau ou de la surface. Ils sont alors collects par une grille mtallique o ils peuvent circuler sans contrainte. En ce qui concerne les trous de la zone P, ils sont remplacs par des lectrons injects par la grille de collecte.
page 48 /84
Gnration du photo-courant
5.2
L'effet photovoltaque tel qu'il se manifeste dans les photodiodes peut se dfinir comme la variation de la barrire de potentiel de la jonction quand elle est soumise un rayonnement lumineux, et donc la gnration de paires lectrons-trous de part et dautre.
Figure 39 : Schma de principe dune photo-diode jonction P-N
En effet, la gnration de porteurs en excs dans le matriau induit une polarisation directe de la jonction qui a pour effet de diminuer la barrire de potentiel et qui permet un photocourant de sadditionner au courant de minoritaires pour circuler dans un circuit extrieur.
5.2.1 Description qualitative
La caractristique d'une jonction claire est identique celle de la mme jonction dans l'obscurit ceci prs qu'un photocourant vient s'ajouter au courant d'obscurit avec les caractristiques suivantes: - il circule en sens inverse du courant direct - il est proportionnel l'clairement - il est indpendant de la tension applique de l'extrieur.
5.2.1.1 Court-circuit :
Si les deux lectrodes sont en court-circuit travers un ampremtre, les lectrons drains par le champ interne de la jonction vont donner naissance un courant de court-circuit Icc qui correspond au photocourant Iph gnr par le rayonnement. Pour une distribution spectrale donne, ce photocourant est proportionnel l'irradiance du rayonnement incident et la surface active de captation. Il dpend trs lgrement de la temprature. Pour les cellules au Silicium monocristallin, il vaut 0.35 A / W, ce qui correspond environ 2.8 A pour une cellule de 100 mm de ct claire par un spectre AM 1.5. La Figure 40 reprsente les profils de concentration de porteurs d'une jonction n+p illumine par la face n dans les conditions de court-circuit. Les paires lectron-trous sont gnres dans la base, dans la zone de charge d'espace et dans l'metteur. Les porteurs de charge en excs diffusent sous l'effet des gradients de concentration. Dans des conditions de faible injection (sous la constante solaire, on a un flux de lordre de 1017 photons/cm.s qui gnre dans une paisseur de 100 m environ 1014 cm-3 paires lectrons-trous, soit beaucoup moins que le nombre de porteurs majoritaires et infiniment plus que le nombre de porteurs minoritaires) on aura: n = p p dans l'metteur N n n0 et n = p = n dans la base P p p 0
page 49 /84
Les lectrons en excs crs dans la base de type P et les trous en excs crs dans l'metteur de type N diffusent vers la jonction o ils sont happs par le champ.
Figure 40:Profil de concentration des porteurs dans une photodiode au silicium claire par sa face N dans les conditions de court-circuit (daprs W. Palz, Solar Electricity, UNESCO, Butterworths, 1978.
Les paires lectrons-trous cres dans la zone de charge d'espace, ainsi que tous les porteurs qui s'y trouvent injects, sont exposes un champ lectrique intense de l'ordre de 10 4 V/cm. Soumis un champ d'une telle intensit, les porteurs n'obissent plus la loi qui relie la vitesse au champ par la mobilit. Ils atteignent en fait une vitesse limite de l'ordre de 10 7 cm/s. Le temps de transit dans la zone de dpltion est de l'ordre de 10 -13s. Ceci explique pourquoi le photo-courant est indpendant de la tension applique. Sous l'effet de cette sparation des charges, la jonction se polarise dans le sens direct et en circuit ouvert, la barrire de potentiel s'abaisse Vb-Vco. Elle ne pourrait s'annuler compltement que pour un clairement infini. Ceci explique pourquoi la tension de circuit ouvert natteint jamais la valeur thorique donne par la valeur de la barrire lobscurit : Vb
page 50 /84
5.2.1.2
Circuit-ouvert :
Si la cellule est laisse en circuit ouvert, les porteurs gnrs par le rayonnement et spars par le champ interne vont s'accumuler de part et d'autre de la jonction (lectrons ct P et trous ct N), induisant une autopolarisation de la jonction dans le sens passant. Cette autopolarisation induit un courant de diode dans le sens direct gal et oppos au photocourant. La tension alors mesure aux bornes des lectrodes est appele tension de circuit ouvert Voc. C'est la tension qu'il faudrait appliquer la diode dans le sens passant pour gnrer un courant gal au photocourant. La Figure 41 reprsente les profils de concentration de porteurs d'une jonction n+p illumine par la face n dans les conditions de circuit ouvert.
Figure 41:Profil de concentration des porteurs dans une photodiode au silicium claire par sa face N dans les conditions de circuit-ouvert. (daprs W. Palz, Solar Electricity, UNESCO, Butterworths, 1978)
En somme, aussi bien en tat de court circuit o la tension est nulle, qu'en tat de circuit ouvert o le courant est nul, aucune puissance ne peut tre extraite de la photopile.
page 51 /84
Caractristique I = f (V)
5.3
Caractristique I = f (V)
Si l'on place maintenant une charge non nulle et non infinie aux bornes de la photodiode, on se trouve dans un cas intermdiaire entre le court-circuit et le circuit ouvert. Le courant va se rpartir entre la charge extrieure et la diode. Il en rsultera une tension de travail infrieure la tension de circuit ouvert. Une caractristique fondamentale des photodiodes est que pour une irradiance et une temprature donne, elles n'imposent ni le courant ni la tension de fonctionnement. Seule la courbe I(V) est fixe. C'est la valeur de la charge R qui va dterminer le point de fonctionnement. La Figure 42 montre en particulier que, ferme sur une charge de rsistance R1, la cellule ne cdera qu'une puissance PR1 bien infrieure la puissance optimale Pop qu'elle pourrait dbiter. On verra plus loin les consquences de ce comportement lorsque l'on veut adapter l'impdance d'un systme quelles que soient les conditions d'clairement.
Figure 42 : Caractristique I(V) dune photopile dbitant sur une charge rsistive
La caractristique courant-tension d'une photopile peut se mettre sous la forme mathmatique:
I = I ph I 0 .(exp
q (V + Rs I ) V + Rs I 1) nkT Rsh
page 52 /84
Localisation des pertes
I(V) et P(V) ave c Rs=0,5 et Rsh = 10000 0,045 0,040 0,035 0,030 0,025 0,020 0,015 0,010 0,005 0,000 0,00 I (A) P (W) I id (A) P id (W)
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
Figure 43 : Caractristique I (V) et P(V)
Le deuxime terme de l'quation est l'expression qui donne le courant de diode ou courant dobscurit; il peut sexprimer de faon plus dtaille sous la forme dun courant de diffusion et dun courant de gnration-recombinaison.
q (V + Rs I ) q (V + Rs I ) 1) + I 0 g .( exp 1) kT 2 kT Nous verrons dans la suite pourquoi le courant de diode est en fait la superposition de deux mcanismes et la raison de la distinction entre courant de diffusion et courant de recombinaison. I d = I 0d .(exp
5.4 Localisation des pertes
Les principaux facteurs de pertes sont les suivants: Rendement quantique < 1; absorption incomplte des photons Excs d'nergie par rapport au gap
2
n1 n 2 - Reflexion par la surface: R = n +n formule de Fresnel en incidence normale. 1 2 - Ombrage de la surface active par les grilles de collecte - Rendement de collecte - Facteur de tension de circuit ouvert - Facteur de forme comprenant dans le cas d'une photodiode: - Rsistance shunt - Facteur d'idalit - Rsistance srie La Figure 44 illustre l'exploitation du spectre solaire AM0 pour une photopile au Silicium cristallin. La zone A correspond l'nergie des photons non absorbs parce que pas assez nergtiques; la zone B correspond aux photons dont l'excs d'nergie par rapport au gap est thermalis. Typiquement, la perte en A est de 23.5 %, elle peut tre plus leve si le matriau n'a pas une paisseur suffisante ou ce qui revient au mme si son coefficient d'absorption est trop faible. La zone B qui correspond la thermalisation des lectrons reprsente 33 % de pertes pour le Silicium. La somme de ces deux pertes, 56.5 % applique au photocourant si la
collecte tait parfaite et si le facteur de tension tait gal au gap, donne pour le rendement thorique du matriau Silicium: Jsc. Eg = = 43.5 % q . Et
Figure 44 :Exploitation du spectre solaire AM 0 par une photopile Si. La zone A correspond l'nergie perdue par les photons non absorbs. La zone B correspond l'excs d'nergie, non utilis, des photons d'nergie suprieure au gap.
Lorsque l'on parle du rendement thorique d'une photopile, il faut clairement distinguer le rendement thorique du matriau, du rendement thorique du dispositif. S'il s'agit d'une photodiode de type jonction P-N par exemple, le modle de Shockley implique une perte due au courant de saturation et aux recombinaisons des porteurs dans la zone de charge d'espace. Il s'ensuit que mme une diode idale aura un facteur de forme d'au plus 84 %. Les pertes par rflexion peuvent tre minimises par des traitements de surface convenables (une texturisation, une couche antireflet ou les deux la fois). Ainsi on peut ramener le coefficient de rflexion naturel du Silicium de 30 % seulement 3 ou 4 %. Les pertes de surface active par les grilles de collecte peuvent tre rduites 8 % et mme moins si l'on utilise des matriaux hautement conducteurs.
page 54 /84
Figure 45 : Caractristique I(V) dune photodiode
Une caractristique idale de photopile aurait une courbe I = f (V) dcrite par deux droites perpendiculaires, la photopile se comportant comme une source de courant idale Ii jusqu' une tension limite Eg/q ou comme une source de tension idale Eg/q jusqu' un courant Ii (Figure 45). En fait, le facteur de tension q Voc/ Eg peut varier de 0.50 0. 75 suivant les matriaux, le facteur de concentration et le soin avec lequel la photopile a t ralise. La rsistance shunt ou la conductance parallle, qui caractrise la rsistance interne de la source de courant peut varier de 1000 10000 .cm. La conductance est la pente de la caractristique pour V= 0. La rsistance srie qui caractrise essentiellement la rsistance d'accs au coeur de la photopile, peut varier de 1 3 .cm. Elle se compose de la rsistance mtallique des grilles, de la rsistance de contact grille-silicium, et de la rsistance de couche du silicium. On peut finalement dcrire un diagramme de pertes d'nergie de la faon suivante pour une photopile au Silicium extrmement performante: - Absorption incomplte: 23.5 % - Excs d'nergie par rapport au gap: 33 % - Rflexion par la surface: 3% - Perte de surface active par les grilles: 7 % - Perte de collecte: 5% - Perte de tension: 40 % - Perte de facteur de forme: 27 % comprenant Rsistance shunt: 3% Rsistance srie: 6% Facteur d'idalit de la diode: 16 % Le rendement final d'une telle photopile serait de 19.20 %.
page 55 /84
Schma quivalent
Le facteur de forme peut s'crire sous une forme mathmatique simple avec une trs bonne approximation:
Figure 46 :Expression graphique du facteur de forme d'une photopile
5.5 5.5.1
Schma quivalent Gnrateur de courant
Une cellule solaire ne peut tre assimile aucun gnrateur classique. On peut en effet la considrer comme un gnrateur tension constante dans la partie verticale de sa caractristique et comme une source de courant constant dans la partie horizontale de sa caractristique (Figure 47).
Figure 47 : Cellule solaire comme un gnrateur tension constante dans la partie verticale de sa caractristique et comme une source de courant constant dans la partie horizontale de sa caractristique.
page 56 /84
Schma quivalent
En fait la cellule photovoltaque possde les avantages combins dune source de courant et dune source de tension, sans en supporter les inconvnients : ainsi, on peut laisser un module en court-circuit, ou en circuit ouvert sans aucun problme.
5.5.2 La photopile, gnrateur mixte
La Figure 49 reprsente le schma lectrique quivalent d'une photopile sous clairement. Il correspond en fait un gnrateur de courant imparfait mont en parallle sur une diode imparfaite.
Figure 48 : Schma lectrique quivalent dune photopile sous clairement
page 57 /84
Schma quivalent
Figure 49 : Schma hydraulique quivalent d'une photopile (daprs A. Laugier et J.A Roger, Les Photopiles solaires, Lavoisier, Technique et Documentation, Paris, 1981)
page 58 /84
Schma quivalent
5.5.3
Influence de l'clairement
Figure 50 :Influence du flux lumineux sur la courbe de puissance dune photopile
Nous avons vu plus haut que le courant de court-circuit est pratiquement gal au photocourant, lui-mme directement proportionnel la surface claire et l'irradiance pour un spectre donn. Le courant de court-circuit dune photopile est donc strictement proportionnel lclairement. Une fois calibr, il peut tre utilis pour la mesure de lirradiance. Mais qu'en est-il de la tension de circuit ouvert ? L'quation caractristique, s'crit pour un courant d'utilisation nul:
q (V + Rs I ) V + Rs I 1) nkT Rsh Si l'on fait Rsh infini et Rs nulle, l'quation donnant la tension de circuit ouvert devient: I ph = I 0 .(exp
I ph kT Voc = n. q Log ( I ) 0
On voit donc que la tension de circuit ouvert est proportionnelle au Log de l'irradiance. Il s'ensuit qu'elle varie peu et d'autant moins que le facteur de diode n est voisin de 1. On aura typiquement pour n=1, delta Voc= 60 mV par dcade. Pour un clairement de 100 lux (1/1000 de soleil) la tension sera encore de 400 mV. Cette proprit est utilise pour les photopiles usage intrieur, notamment celles qui quipent les calculettes
page 59 /84
Schma quivalent
Le rseau de courbes de la Figure 50 met en vidence le problme de l'adaptation d'impdance en fonction de l'clairement. En particulier pour une charge rsistive, il est clair que l'adaptation d'impdance ne peut se faire que pour une seule valeur de l'clairement. On constate aussi que les points de puissance optimale se situent sur une courbe dont l'allure est assez proche d'une droite verticale; ainsi une batterie d'accumulateurs dont le point de fonctionnement est une tension fixe, est-elle parfaitement adapte la caractristique d'une photodiode. A y regarder de plus prs, on constate mme que le systme constitu par le couple photodiode-batterie est autorgul en ce sens que le courant de charge diminue naturellement quand la tension de batterie augmente lgrement en fin de charge.
5.5.4 Influence de la temprature
La temprature est un paramtre important dans le comportement des photopiles, ne serait-ce que parce qu'une cellule expose une irradiance de 1 kW /m n'en transforme en lectricit que 12 % au plus, le reste (soit 88 % !) tant dissip en chaleur. Ainsi si la photopile n'est pas correctement ventile, elle peut monter trs haut en temprature et voir ses performances lectriques se dgrader. La Figure 51 montre l'influence de la temprature sur la courbe de puissance d'une photopile au silicium cristallin. On observe une augmentation du photocourant, notamment cause de la diminution de la largeur de bande interdite. Cette augmentation est de l'ordre de 25 A /cm.K, soit une variation de + 0.1 % /K. En mme temps, on assiste une augmentation notable du courant direct de diode, entranant une diminution nette de la tension de circuit ouvert (environ - 2.2 mV /K, soit une variation relative de -0.4 % / K). L'augmentation de temprature se traduit au total par une baisse relative de la puissance disponible de -0.35 % / K et par une modification de la valeur de la charge permettant d'extraire cette puissance maximum.
Figure 51 : Influence de la temprature sur la courbe de puissance dune photopile
page 60 /84
Schma quivalent
5.5.5
Perte de puissance par rsistance srie
La rsistance srie agit sur la pente de la caractristique dans la zone o la photodiode se comporte comme un gnrateur de tension. Elle ne modifie pas la tension de circuit ouvert, mais lorsqu'elle anormalement leve, elle peut diminuer la valeur du courant de court-circuit. La rsistance srie est gouverne par la rsistivit du matriau, par les rsistances de contact des lectrodes et par la rsistance de la grille collectrice.
Caractristique I (V) foncti on de la rsi stance srie 0,040 0,035 0,030 0 0,025 0,020 0,015 0,010 0,005 0,000 0,00 0,5 1 2
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
Figure 52 : Effet de la rsistance srie (RS variant de 0 2 ohm.cm) sur la pente de la caractristique au voisinage du point de circuit ouvert
Les caractristiques I(V) pour diffrents clairements sobtiennent par simple translation de lordonne lorsque la rsistance srie est nulle. En dautres termes la forme de la courbe est invariante lorsquon change lintensit lumineuse. Il nen va pas de mme si lon tient compte dune rsistance srie non nulle. Reprenant lquation de base: I = I ph I 0 .(exp
q.( V + R s I) V + R sI 1) nkT R sh
et ngligeant leffet de la conductance shunt, on trouve que la tension de circuit ouvert:
Vco =
I cc nkT . Log q I0
reste inchange quand RS augmente et que le courant de court circuit, varie sensiblement ds que RsIcc>> et pour le courant optimum: Im devient ) et la puissance optimale devient : Si le produit RsI nest pas ngligeable devant V, et que lon veut dterminer la caractristique I (L2) partir de la caractristique connue I (L1), il faut ajouter la translation parallle lordonne: I L = IL1 I L2, une translation parallle labscisse: RS IL, pour tenir compte de la chute de tension proportionnelle la diffrence des courants et la rsistance srie. A linverse, si lon dispose de deux courbes traces pour des intensits lumineuses diffrentes, on peut en dduire dune manire lgante la rsistance srie. La mthode a t suggre par Swanson ds 1960, a t dcrite par Martin Wolf et Hans Rauschenbach (Solar cells, IEEE, 1976) et est reprsente par la figure ci-dessus. alors Rs = . Si I2 = I1 - IL et V2 = V1 -RsIL
page 61 /84
Schma quivalent
Figure 53 : Mthode exprimentale de mesure de la rsistance srie par variation de l'clairement.
5.5.6
Photodiodes grilles mtalliques:
Il est intressant de pouvoir quantifier les lments constitutifs dune grille de collecte. Le calcul dvelopp ci-dessous se limite une grille simple un seul niveau et de gomtrie rectangulaire.
Figure 54: Elments constitutifs dune grille de collecte de gomtrie simple.
Les lments prendre en compte dans le calcul des pertes engendres par les mtallisations frontales grille sont les suivants: - ombrage cr par la grille, que lon dsigne par Po. - perte due au courant horizontal dans lmetteur, que lon dsigne par Ps. - perte de contact linterface silicium-mtal, Pi. - perte de conduction dans les doigts mtalliques, Pd. - perte de conduction dans le bus principal, Pb. Llment de cellule sans pertes fournirait:
Pm = A. B. J m . Vm
La perte par ombrage est obtenue partir du coefficient de couverture de la grille:
Po = (
T S + ). Pm L+ T B
La perte dans le silicium est obtenue par intgration du courant entre deux doigts:
3 RCE . J 2 m . L . A. B PS = 12( L + T) o RCE est la rsistance par carr de lmetteur ( R CE = , e tant lpaisseur de lmetteur). e
page 62 /84
Schma quivalent
La perte de contact linterface silicium -mtal:

2 RCI .J 2 m . L . A. B Pi = TT.(L + T)
o RCI est la rsistivit de linterface exprime en ohm.cm. La perte de conduction dans les doigts mtalliques est obtenue en intgrant le courant sur toute la longueur du doigt:
2 R CD . J m . L2 .A.B3 Pd = 3T.(L + T)
o RCD est la rsistance par carr de la mtallisation. Enfin, la perte dans le bus:
2 Jm 3 S .B2 .A 3.R CB T Pb = .(1 .( + )) 3.S 2 B L+T
La rsistance srie de lensemble sobtient partir des pertes par effet Joule, soit:
RS =
[J
.(A . B A .S N. B. T)]
Pb + Pd + PS + Pi
On peut alors optimiser la gomtrie de la grille en annulant la drive de la rsistance srie par rapport aux diffrents paramtres. On jouera notamment sur la distance L entre doigts et sur la rsistance par carr de lmetteur. Les valeurs types des pertes relatives sont pour une photopile industrielle au silicium cristallin de 100 cm de surface totale: - pour la perte dombrage (le coefficient de couverture), environ 6 7%. - pour la perte dans le silicium, environ 2 3 %. - pour la perte dans linterface, environ 0.5 1 %. - pour la perte dans les doigts, environ 0.5 1 %. - pour la perte dans le bus, environ 3 4 % dpendant grandement de sa gomtrie. - soit au total pour la rsistance srie: 6 9 %.
5.5.7
Influence de la rsistance shunt
Il s'agit le plus souvent d'une conductance de fuite. C'est comme si l'on devait soustraire au photo-courant, outre le courant de diode, un courant supplmentaire proportionnel la tension dveloppe. La rsistance shunt est en gnral trs leve.
page 63 /84
Modlisation et caractristique dans l'obscurit
Caractristi que I (V) fonction de la rsistance shunt 0,040 0,035 0,030 infini 0,025 0,020 0,015 0,010 0,005 0,000 0,00 1,E+04 400 100
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
Figure 55 : Effet de la rsistance shunt (RSH = 100 ohm.cm) sur la pente de la caractristique en courtcircuit
On peut percevoir une anomalie la lecture de la caractristique par la prsence d'une lgre pente au voisinage du point de courant de court-circuit. Une rsistance shunt trop faible aura un impact sur la tension de circuit ouvert de la photopile; cause de cela une photopile dont la rsistance shunt est trop faible ne donnera plus de tension sous faible clairement. 5.6 Modlisation et caractristique dans l'obscurit
On peut toujours modliser une photopile en utilisant l'quation implicite :
I = I ph I 0 .(exp
5.6.1 Courant dobscurit
q.( V + R s I) V + R sI 1) nkT R sh
Le deuxime terme de l'quation n'est rien d'autre que l'expression qui donne le courant de diode; le facteur n caractrisant la qualit de la diode : plus il est proche de 1 et plus la diode est idale. Il est dusage de reprsenter ce courant de diode sous la forme de la superposition linaire d'un courant de diffusion en provenance de lensemble du matriau et d'un courant de gnration-recombinaison essentiellement issu de la rgion de charge despace.
I d = I 0d .(exp
5.6.1.1 Courant de diffusion
q (V + Rs I ) q (V + Rs I ) 1) + I 0 g .( exp 1) kT 2 kT
Le courant de diffusion scrit :
qVa J d = J 0 .(exp 1) kT p n0. D p np0. D n J 0 = q.( + ) Lp Ln

o J0 = J0d est le courant de diffusion de la jonction pour V = 0.
page 64 /84
Dans le cas d'une jonction dissymtrique n+p:
J0 q
D n . n p0 Ln
qD n n i2 D n n i2 = . = q. . Ln NA n NA
2
La variation du courant de saturation avec la temprature est de la forme:
E g J 0 T .exp kT Dn T n avec 1
3+
Le courant de saturation diminue quand augmente la hauteur du gap et il varie trs largement avec la temprature. Entre -13C et +77 C, il varie d'un facteur 20 000 pour le silicium.
5.6.1.2 Courant de gnration-recombinaison
Par ailleurs, comme toute recombinaison nette de porteurs de charges provoque un courant, dans une jonction polarise dans le sens direct, les concentrations de porteurs dans la zone de charge d'espace deviennent assez leves pour provoquer des recombinaisons par piges dans cette zone. Pour des polarisations directes faibles (200 500 mV), la valeur du courant de recombinaison peut tre suprieure celle du courant de diffusion. La densit de courant de recombinaison est donne par l'intgrale du taux net de recombinaison par unit de volume u sur toute la zone de charge d'espace :
J r = q x udx
p
+ xn
on trouve : J r =
qWv th N R . n i qV .(exp a 1) 2 2kT
On notera que la densit de courant de recombinaison est proportionnelle ni alors que la composante du courant de diffusion tait proportionnelle au carr de ni. Ces deux composantes du courant direct n'ont donc pas le mme comportement avec la largeur du gap et avec la temprature. En labsence de rsistance srie et de conductance shunt, l'expression de la densit du courant total d'une jonction n+p l'obscurit, s'crira comme la somme des deux composantes que nous venons de calculer:
D n n i2 qVa qWv th N R n i qVa J = Jd + J r = q . .(exp 1) + (exp 1) n NA kT 2 2 kT
page 65 /84
Mod le deux expone ntiel les avec Rs et Rsh 1,E+01 1,E+00 1,E-01 0,0 1,E-02 1,E-03 1,E-04 1,E-05 1,E-06 1,E-07 1,E-08 1,E-09 1,E-10 1,E-11 1,E-12 Rsistance srie 0,1 0,2 0,3 Re combinai sons Shunt 0,4 0,5 0,6 Diffusion 0,7
Id (diffusion) Irg (recombinais on) Idark (obs curit)
Figure 56 :Modle deux exponentielles (courant de diffusion + courant de recombinaison) avec les effets de Rs et Rsh
On aura comme valeurs typiques de densit de courant d'obscurit: pour la zone fortement dope (metteur): J0E = 4.10-15 A/cm et pour la zone faiblement dope (base): J0B = 4.10-12 A/cm. A l'obscurit, le courant de diffusion est donc principalement d la base peu dope. La densit de courant de recombinaison dans la zone de charge d'espace peut tre obtenue par un calcul plus dtaill; en extrapolant pour V=0, on en dduit une densit de courant d'obscurit:
J 0rg =
qn i . w 2 n . p
Un valeur typique pour une jonction n+p au silicium est J 0rg = 10 -8 A/cm. Comme on le voit sur la Figure 56, Jrg bien que trs souvent 1000 10 000 fois plus grand que Jd pour V=0, augmente deux fois moins vite et ne reprsente qu'une portion ngligeable du courant direct pour une polarisation de 0.6 V. En gnral, au point de fonctionnement normal dune homo-jonction N+P classique (0.45-0.55 V), Jrg et Jd ont peu prs la mme valeur. Cependant si la dure de vie dans l'metteur devient trs basse ou si la jonction est de mauvaise qualit, Jrg peut devenir suprieur Jd ce qui rduit la performance de la photopile ; le coude de la caractristique I (V) de la diode tant plus rond.
La Figure 56 reprsente donc sur une chelle semi-logarithmique en polarisation directe, le courant de diode dune jonction N+P au silicium cristallin modlise, de 1 cm de surface. On note que pour des tensions infrieures 0.2 V, cest le paramtre shunt Rsh qui contrle la forme de la courbe. Pour des tensions suprieures 0.2 V et infrieures 0.5 V, le courant augmente en exp (qV/2kT), ce qui traduit le fait qu'il est contrl par des phnomnes de gnration-recombinaison (Irg). Le comportement normal de diode o le courant direct crot en exp (qV/kT) ne se manifeste qu'en dessus de 0.5 V, l o le courant est contrl par les phnomnes de diffusion (Id). Au-del de 0.7 V, cest la rsistance srie Rs qui contrle la forme de la courbe.
5.6.2 Effets de la temprature Pour accder aux paramtres caractristiques dune photopile, et pour connatre leur dpendance en temprature, on a l'habitude d'tudier le comportement de la cellule sur une plaque chauffante, dans le noir, en polarisation directe et inverse.
page 66 /84
La Figure 57 prsente les caractristiques sous obscurit, en polarisation directe et inverse, de cellules solaires de 25 cm de surface pour deux tempratures diffrentes T1 >T2.
Figure 57 : Caractristique sous obscurit dune jonction de grandes surface
A nouveau, on voit quen polarisation directe, et pour des tensions comprises entre 0.2 et 0.5V, le courant augmente en exp (qV/2kT), ce qui traduit le fait qu'il est contrl par des phnomnes de gnration-recombinaison de porteurs dans la rgion de charge despace. Le comportement normal de diode o le courant direct crot en exp(qV/kT) ne se manifeste qu'au dessus de 0.5 V, l o le courant est contrl par la diffusion. En polarisation inverse (attention au changement d'chelle dans les tensions), les courants mesurs sont de plusieurs ordres de grandeur suprieurs ce que prvoit la thorie de Shockley (courbe de rfrence en pointill). On remarque en particulier que le courant d'obscurit n'est pas un vrai courant de saturation. En augmentant la polarisation inverse au-del de -30 V on atteindrait le coude d'avalanche correspondant au claquage de la diode. C'est ainsi que l'on dcle les micro-shunts d'une jonction de grande surface; on peut parfois les liminer par l'envoi d'impulsion de courant contrles en polarisation inverse.
page 67 /84
5.6.3
Modlisation
JONCTION PLANAR N+P Paramtre Unit I(V) idale I(V) relle Influence Permitivit lectrique du vide epsilon0 F/cm 8,85E-14 8,85E-14 Permitivit lectrique relative du silicium epsilonSi 11,8 11,8 Gap du Silicium Eg eV 1,119 1,102 Temprature T (K) 293 323 1,38e-23 .T kT 4,04E-21 4,46E-21 Charge de l'lectron q Cb 1,60E-19 1,60E-19 Densit d'tats intrinsque ni cm-3 4,09E+09 4,29E+10 Densit apparente d'tats dans la bande de conduction Nc cm-3 2,80E+19 3,24E+19 Densit apparente d'tats dans la bande de valence Nv cm-3 1,00E+19 1,16E+19 Nombre de donneurs d'lectron Nd cm-3 5,00E+19 1,25E+19 Vco Mobilit des lectrons n cm /V.s 1500 1500 Dure de vie des lectrons Taun s 1,00E-04 1,00E-04 Vco+ coude Coefficient de diffusion des lectrons Dn n . kT/q 3,79E+01 4,18E+01 Longueur de diffusion des lectrons Ln cm 6,16E-02 6,46E-02 Vitesse de recombinaison en face arrire des lectrons Sn cm/s 1,00E+02 1,00E+02 Vco Epaisseur claire de l'metteur Emetteur cm 4,00E-05 4,00E-05 Nombre d'accepteur d'lectron Na cm-3 1,00E+16 2,00E+15 Vco Mobilit des trous p cm /V.s 50 50 Dure de vie des trous Taup s 1,00E-08 1,00E-08 coude Coefficient de diffusion des trous Dp p . kT/q 1,26E+00 1,39E+00 Longueur de diffusion des trous Lp cm 1,12E-04 1,18E-04 Vitesse de recombinaison en face avant des trous Sp cm/s 1,00E+03 1,00E+03 Vco Epaisseur claire de la base Base cm 2,40E-02 2,40E-02 Densit de courant metteur Joe A/cm 2,51E-16 1,11E-13 Densit de courant base Job A/cm 8,30E-14 4,60E-11 Vco Densit de courant de diffusion Jod A/cm 8,32E-14 4,61E-11 Densit de courant de recombinaison gnration J0rg A/cm 1,16E-08 2,54E-07 coude Facteur de concentration de la lumire Conc 1 1 Vco Longueur de la zone de charge d'espace en zone n xn cm 5,00E-07 9,38E-07 Longueur de la zone de charge d'espace en zone p xp cm 3,54E-05 7,42E-05 Epaisseur de la zone de charge d'espace w cm 3,54E-05 7,42E-05 Courant maximal gnrable par la source (dpendant Il A/cm 0,043 0,036 Icc de l'paisseur de silicium) Facteur de transmission de couche anti-reflet 1,000 0,960 Facteur d'idalit FI 0,822 0,779 coude Rsistance srie Rs ohm.cm 0,05 0,5 pente Vco Rsistance shunt Rsh ohm.cm 100000 10000 pente Isc Barrire de potentiel la jonction Vb V 0,959 0,842 Tension de circuit ouvert (calcul par Macro) Vco idal V 0,678 Tension de circuit ouvert (calcul par Macro) Vco rel V 0,566 Calcul de la puissance maximum Pmax W 0,024 0,015 Facteur de forme FF 0,819 0,753 Rendement Eta % 23,66% 15,35% Courant d'metteur Jle A/cm 0,000877 0,001737 Courant de la zone dplte Jlzd A/cm 0,003118 0,003118 Courant de la base Jlb A/cm 0,033956 0,031158
Tableau 6 : Les paramtres caractristiques d'une photopile au Silicium cristallin de type N+P
page 68 /84
Cellules haut rendement
4,5E-02 4,0E-02 3,5E-02 3,0E-02 2,5E-02 2,0E-02 1,5E-02 1,0E-02 5,0E-03 0,0E+00 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40 0,45 0,50 0,55 0,60 0,65 0,70 0,75
Figure 58 : Courbes I (V) idale et relle dduites des paramtres du Tableau 6
I(V) idale I(V) relle
5.7
Ds 1980, il a t montr que le rendement thorique dune photodiode au silicium cristallin pouvait atteindre 27% [4]
5.7.1 Structure quatre miroirs
Les principes des structures proposes reposaient sur les dispositions suivantes: - diminution de la rsistivit de la base, do une diminution du courant de saturation et une augmentation de Vco. - pour compenser la diminution corrlative des longueurs de diffusion, rduction de lpaisseur de la base et tablissement dune cavit optique deux miroirs, pour augmenter le chemin optique des photons non absorbs. - tablissement dun champ acclrateur des porteurs majoritaires au fond de la base et la surface de lmetteur. - passivation des surfaces avant et arrire pour rduire les vitesses de recombinaison superficielle. Une cellule quatre miroirs devra tre conue avec le souci premier de passiver au maximum les surfaces avant et arrire. Les contacts ne se feront que de faon trs ponctuelle travers des zones surdopes. La partie trs dope des metteurs sera minimise en volume de faon diminuer lincidence de la recombinaison. Des pyramides inverses devront rduire les pertes par rflexion dune part, et dautre part agiront comme rflecteur de la lumire rflchie par le miroir arrire.
[4]
Ultra high efficiency thin silicon P-N junctions solar cells using reflecting surfaces , Loferski and al, 14th IEEE, San Diego, 1980.
page 69 /84
Figure 59 :Courant de court-circuit et tension de circuit ouvert dans la configuration dune cellule optimise 4 miroirs (daprs Spitzer, Loferski et all, IEEE,1980)
5.7.2
Cellule PERL de lUNSW
Ce sont les groupes de Martin Green de lUniversit de New South Wales (Australie) et de R. Swanson de Standford University (USA), maintenant president de la socit Sun Power (Sunnyvale, Ca), qui ont obtenu les meilleurs rendements avec le silicium monocristallin sans concentration. La cellule PERL de lUNSW est reprsente schmatiquement sur la Figure 47. Comme son nom lindique, Passivated emitter, rear locally diffused , cette cellule est conue avec le souci premier de passiver au maximum les surfaces avant et arrire. Les contacts ne se font que de faon trs ponctuelle travers des zones surdopes. La partie trs dope de lmetteur est minimise en volume de faon diminuer lincidence de la recombinaison. Les pyramides inverses de la face frontale rduisent les pertes par rflexion dune part et dautre part agissent comme rflecteur de la lumire rflchie par le contact arrire.
page 70 /84
Figure 60 :Cellule de laboratoire de type PERL dveloppe par lUNSW.
Un rendement de 24.2 % a t atteint avec ICC = 43 mA/ cm, VOC = 696 mV et FF = 0.81. La Figure 61 montre le schma dune cellule utilisant les mmes astuces mais avec des techniques de mtallisations plus proches des possibilits industrielles, notamment la technique LGBC, Laser Grooved Buried Contact o le mtal peut tre du Nickel chimique comme dcrit plus haut dans ce chapitre.
Figure 61 : Cellule industrielle contacts enterrs type Saturn de BP Solar
page 71 /84
Figure 62 : Cellules au c-Si, gauche monocristallin, droite multi-cristallin.
Figure 63 : Tuile en silicium amorphe a-Si :H
page 72 /84
Le module photovoltaque
Notion de puissance crte (Pc) et de temprature d'utilisation (TUC)
6
6.1
Notion de puissance crte (Pc) et de temprature d'utilisation (TUC)
La puissance crte d'un module photovoltaque s'exprime en Watt-crte (Wc): c'est la puissance qu'il peut fournir s'il est ferm sur sa charge optimale et soumis un clairement de 1 000 W / m (spectre AM 1.5) alors que la temprature des cellules est de 25 C. La temprature d'utilisation de cellule (TUC en franais et NOCT en anglais), est la temprature qu'atteint une cellule encapsule dans un module soumis un clairement de 800 W/m, une temprature ambiante de 20 C, une inclinaison de 45 et avec un vent de 1 m/s dans les conditions de circuit ouvert. Corrlativement, la puissance NOCT (TUC), dun module photovoltaque est la puissance qu'il peut fournir s'il est ferm sur sa charge optimale et soumis un clairement de 800 W / m (spectre AM 1.5) alors que la temprature des cellules est la TUC. Cette puissance est beaucoup plus proche de ce que lon obtient dans la ralit que la puissance crte. En premire approximation, la temprature d'une photopile est directement proportionnelle l'irradiance et peut tre obtenue par la formule empirique:
Tc = Ta +
o Em est l'irradiance exprime en W/m.
Em (TUC 20) 800
Une formule plus prcise que la prcdente :
Tc = Ta +
Em (TUC 20 ).(1 ) 800 .
Avec , le rendement du module, qui peut tre, en premire approximation, pris gal au rendement nominal donn par les constructeurs. Le produit . reprsente le coefficient dabsorption du module (coefficient dabsorption modules et coefficient de transmission du vitrage ). Il existe une mthode simple pour mesurer la temprature d'utilisation de cellule grce l'extrme sensibilit de la tension de circuit ouvert aux variations de temprature.
6.2 Le groupement de cellules en srie
Typiquement la tension d'extraction de la puissance maximum d'une cellule au Silicium cristallin vaut 475 mV dans les conditions STC. Pour obtenir la tension compatible avec la charge d'une batterie d'accumulateurs au plomb, on doit assembler au moins 34 cellules en srie. En effet, la tension de fin de charge d'un lment de batterie au plomb est de 2.42 V, ce qui impose une tension maximum au niveau de la batterie de 14.5V. A cela il faut ajouter les pertes dans les cbles, la tension de dchet de la diode anti-retour et l'effet de la temprature. Sachant que les modules fonctionnent en gnral une temprature de l'ordre de 45 C (TUC), la chute de tension par cellule est de 44 mV. Pour une batterie d'accumulateurs au plomb de P lments, le nombre optimal N de cellules sera donn par la formule:
Le groupement de cellules en parallle
N=
(P 2.42) + 0.6
0.475 0.044
La caractristique courant-tension d'un groupement quelconque de photopiles sera homothtique de la courbe I(V) d'une cellule de base. Il en sera de mme pour tout le rseau de caractristiques. En consquence, tout ce qui a t dit pour une cellule reste valable pour un groupement de cellules. Le courant gnr par Ns gnrateurs en srie tant le mme dans toute la branche, on prendra soin de ne connecter en srie que des cellules identiques ayant mme densit de courant. D'o la ncessit en production de tester toutes les cellules et de les classer en fonction de leur rendement. La Figure 64 prsente la courbe de puissance du groupement ainsi ralis. La caractristique rsultante est obtenue en multipliant point par point et pour un mme courant la tension individuelle par Ns. En particulier, l'impdance optimale du groupement sera Ns fois plus grande que celle de la cellule de base. Les rsistances sries s'ajoutent et les rsistances parallles s'ajoutent galement. Comme l'augmentation de la rsistance srie est synonyme de perte de puissance, on se souciera donc en priorit de la rsistance d'interconnexion des cellules dans un assemblage srie. Le facteur de forme d'un module ne peut en gnral pas tre meilleur que celui de ses lments constitutifs. En fait il se rapprochera de celui de la plus mauvaise des cellules. On peut en dduire une mthode de dtection des dfaillances d'une cellule dans un module.
Figure 64 :Groupement de cellules en srie
6.3
Le groupement de cellules en parallle
La Figure 65 prsente la courbe de puissance d'un groupement de Np cellules ou de Np modules en parallle. Cette fois-ci, c'est la tension de chacun des lments qui doit tre identique, les courants s'ajoutant, la nouvelle courbe est obtenue en multipliant point par point et pour chaque valeur de tension, le courant de la cellule lmentaire par Np. L'impdance optimale du groupement sera Np fois plus faible que celle de l'lment de base. Ce sont les inverses des rsistances srie qui s'ajoutent ainsi que les conductances shunt.
page 74 /84
L'encapsulation des modules
Figure 65 : Groupement de cellules en parallle
6.4
L'encapsulation des modules
L'industrie photovoltaque terrestre tant la fille en ligne directe des programmes spatiaux des annes 70 de la NASA, on ne sera pas surpris d'apprendre que la fiabilit a toujours t une proccupation majeure des ingnieurs de conception. Par dfinition, la fiabilit d'un module photovoltaque est la probabilit qu'il produise sans faille et pour une dure dtermine, un certain courant une certaine tension lorsquil est clair dans des conditions dfinies. Certains modules encapsuls dans de la rsine silicone, fonctionnent depuis prs de 25 ans sans aucun problme 5.
Figure 66 : Principe dencapsulation des modules par laminage chaud
Les modules modernes sont construits avec comme superstrat, un verre tremp haute transmission, devant rsister la grle, un encapsulant base d'thylne-vinyl-actate recouvert l'arrire d'une feuille de Tedlar-Aluminium-Tedlar ou de polythylne Pour chapper aux risques de fuites dans les installations haute tension, une distance suffisante est recommande entre le cadre mtallique et les cellules.
Modules France-Photon de 1981 exposs au Centre de Recherche de lUnion Europenne ISPRA.
page 75 /84
Le test des modules
En outre, il est recommand de placer une diode parallle toutes les 18 cellules pour viter les problmes de points chauds lors d'occultations partielles d'une cellule. Autant d'exemples simples de rgles de l'art qu'il suffit de respecter pour ne pas s'exposer des dfaillances. Celles qui ont t rapportes en 1994 dans le champ des modules ARCO Carrissa Plain en Californie provenaient d'une extrapolation hardie des conditions de fonctionnement normal garanties. Le jaunissement prmatur des modules, qui en mme temps perdaient une partie de leur puissance, n'avait d'autre cause que la concentration des miroirs plans (ils doublaient la valeur de l'clairement et levaient la temprature de fonctionnement des niveaux qui n'taient pas admissibles pour ce type d'encapsulation). Il y a de trs nombreux autres types d'encapsulants, spcialement pour les films minces qui ne requirent pas la fonction d'enrobage indispensable aux cellules paisses. En outre, quand le verre n'est pas absolument ncessaire, et en particulier pour les applications mobiles, plusieurs type de polymres fluors ont t dvelopps pour servir en face avant de protection transparente et flexible. Ce type de superstrat n'est cependant pas garanti pour les expositions de longue dure en environnement extrieur. En matire d'encapsulation, deux philosophies s'affrontent depuis que l' industrie des photopiles existe. Il y a d'un ct les partisans de l'tanchit totale (encapsulation bi-verre allant jusqu' la ncessit de scellement de la tranche) et de l'autre, ceux qui , reconnaissant humblement que l'tanchit la vapeur d'eau n'existe pas ( ne serait-ce que par les connexions de sortie du module), prfrent recommander une couverture en face arrire qui "respire", en d'autres termes qui puisse restituer le jour le peu de vapeur d'eau qui a russi pntrer la nuit. Les botiers de connexion lectrique sont en gnral fixs sous les modules en partie basse. Ils reprsentent un point critique du module car un endroit favorable l'accumulation d'eau de condensation, de poussires et d'insectes. L'exprience montre qu'une tanchit totale des botes bornes n'est pas souhaitable, et qu'un orifice de respiration et d'vacuation de l'eau de condensation doit tre mnag au bas de la bote.
6.5 Le test des modules
Chez tous les fabricants, tous les modules sont tests en usine l'aide d'un simulateur flash dont la dure de quelques ms permet d'obtenir un clairement de 1kW /m sans pour autant rchauffer le module. Les tests sont donc effectus suivant les conditions standard (STC). Certains fabricants apposent sur chacun des modules une tiquette individuelle indiquant les paramtres principaux effectivement mesurs dans les conditions standard (STC) et le comportement du module en utilisation relle (FOC), et donnent en sus une garantie de puissance minimum pour une dure de 10 ans.
La norme franaise NF EN 50380 de Juin 2003 Spcifications particulires et information sur les plaques de constructeurs pour les modules photovoltaques dfinit clairement les spcifications techniques obligatoires pour un module.
page 76 /84
Standards, mesures et garanties
Figure 67 : Etiquette dun module Solarex
6.6 6.6.1
Standards, mesures et garanties Vieillissement acclr
Dans le but d'estimer la dure de vie des modules et de donner aux clients les garanties auxquelles ils ont droit, des tests d'acclration des contraintes d'environnement ont t systmatiquement tudis dans les laboratoires, discuts en commissions, approuvs dans des comits nationaux et internationaux depuis prs de vingt ans. Les principes admis gnralement consistent acclrer les dgradations connues des modules travers un stockage haute temprature, un test de chaleur humide, des cycles chaud-froid, des cycles gel-dgel, une exposition prolonge aux ultraviolets, des tests d'occultation partielle, etc... Dans tous les cas, comme les nergies d'activation des processus sont mal connues, il est recommand que les tests d'acclration des contraintes se fassent dans les conditions les plus proches des conditions relles, afin de ne pas provoquer de dfaillances non pertinentes. D'autres tests s'y ajoutent: inspection visuelle, performances lectriques aux conditions standard, isolation lectrique, charge mcanique, torsion, robustesse des connexions, mesure de la temprature de fonctionnement des cellules, etc...
6.6.2 Standards
Plusieurs documents officiels servent de rfrence la communaut internationale de l'industrie photovoltaque; on mentionnera par ordre chronologique de publication: - "Jet Propulsion Laboratory, Block V"-USA. - "Norme franaise NFC 57-101,102, 103, relative aux modules photovoltaques au silicium cristallin pour applications terrestres" (1982). - "Qualification test procedures for crystalline silicon photovoltac modules", specification n 503 CEC-JRC- Ispra. - "IEC 1215". Le groupe 2 du Comit technique de la CEI (Commission Internationale Electrotechnique) aprs une dizaine d'annes d'efforts conjoints de la part des USA, Canada, France, Allemagne et Japon, a publi un document, assez proche en fait de la Spec 503 CECJRC d'Ispra. - "Interim qualification tests and procedures for terrestrial Photovoltac thin film flat-plate modules" NREL, USA. Les normes actuellement en usage pour les modules photovoltaques au silicium cristallin usage terrestre sont: NF EN 61215: 1995-09 et NF EN 61215: 2005-08. Les
Standards, mesures et garanties
qualifications de la conception et lhomologation sont rgies par la CEI 61215 (1993, modifie en aot 2005) et conduites par les laboratoires JRC de lUE ISPRA (Italie). Les modules au silicium amorphe ont caus bien du tracas aux membres des comits de normalisation cause de leur fcheuse tendance se dgrader sous clairement et de se stabiliser avec des bonheurs divers suivant les techniques de dpt. Au dbut des annes 90, des groupes de chercheurs se sont constitus travers le monde entier pour stimuler les expriences et coordonner leurs interprtations (SMART aux USA, EMMA en France, SESAME en Allemagne). Un travail considrable a t entrepris par la CEI, par le JRC dIspra (Spec 70 X), et par les pays dj cits pour laborer des recommandations temporaires concernant le comportement spcifique des modules au a-Si:H en particulier et des films minces en gnral. Les normes actuellement en usage pour les modules photovoltaques en couches minces pour application terrestre sont: NF EN 61646: 2005-01. Les qualifications de la conception et lhomologation sont rgies par la CEI 61646 (1996) et conduites par les laboratoires JRC de lUE ISPRA (Italie).
6.6.3 Mesures sur le terrain
A partir des mesures de terrain, il est possible de remonter aux valeurs standard : STC: Es= 1000 W /m, Ts=25C. Les formules de correction utiliser sont les suivantes:
1000 I s = I m + I ccm E 1 + (Ts Tm ) m
Vs = Vm Rs .( Is Im ) K .Is .(Ts Tm ) + .N.(Ts Tm )

Is, Vs sont le courant et la tension corrigs leur valeur standard. Tm = temprature de cellule mesure, Em = irradiance mesure, Im = courant de charge mesur, Vm= tension de charge mesure, Ts= temprature standard (25 C) = coeff de temprature du courant (+ 22 A/cm.K) = coeff de temprature de la tension (-2.2 mV /K et par cellule) N= nombre de cellules en srie K = coefficient de courbure (2 m / K) Ce dernier coefficient permet de tenir compte d'une perte de tension supplmentaire au voisinage du coude de la caractristique. Il ne faut bien sr pas en tenir compte en circuit ouvert. Les normes actuellement en usage pour les procdures pour les corrections en fonction de la temprature et de lclairement appliquer aux caractristiques I(V) mesures des modules photovoltaques au silicium: NF EN 60891: 1995-02.
6.6.4 Garanties
La plupart des modules PV sont garantis entre 2 et 5 ans suivant les fabricants. Ces derniers offrent en outre une garantie des performances lectriques plus de 80% (ou 90%) de la valeur indique sur ltiquette au bout de 25 ans (ou de 20 ans).
Dsquilibres en fonctionnement
6.7 6.7.1
Dsquilibres en fonctionnement La photopile fonctionnant en rcepteur
La Figure 68 montre la caractristique complte (dans les trois quadrants) d'une photopile sous illumination. Le quadrant 1 correspond au fonctionnement en gnrateur avec I>0 et V>0. Si la tension aux bornes de la cellule est en raison du circuit extrieur, amene dpasser Voc (quadrant 2), la cellule travaille alors en rcepteur de trs faible impdance, comme une diode polarise en direct. Si c'est le courant qui traverse la cellule qui, en raison du circuit extrieur, est amen dpasser la valeur du courant de court-circuit, la cellule va nouveau travailler en rcepteur, mais cette fois de trs forte impdance, comme une diode polarise en inverse . On notera dans ce cas, qu'en raison de la rsistance srie Rs, la jonction n'est polarise en inverse qu' partir du point A pour lequel V= -RsI.
Figure 68 : Caractristique courant-tension dune photopile claire et polarise par une source extrieure
6.7.2
Dsquilibre dans un groupement srie
Figure 69 : Groupement en srie de deux cellules non identiques
page 79 /84
La Figure 69 donne la caractristique rsultante (l'addition point par point) de deux photopiles montes en srie dont l'une est moins performante que l'autre. Pour une charge dont l'impdance correspond la droite L, la cellule 2 voit sa tension s'annuler: elle ne fonctionne alors ni en gnrateur ni en rcepteur. Pour une charge dont l'impdance est plus faible, la cellule 2 devient rceptrice polarise en inverse, et pour une charge nulle (courtcircuit), les tensions aux bornes des cellules sont identiques mais de polarit opposes. La cellule 1 fournit alors de la puissance la cellule 2 . Si l'on extrapole le raisonnement un nombre Ns de cellules en srie (Figure 70), dont l'une seulement est partiellement occulte, pour une charge nulle (courant de court-circuit), cette dernire supportera une tension en polarit inverse gale (Ns-1).V o V est la polarisation directe des cellules non occultes. Dans ces conditions, on notera que le courant de courtcircuit de l'ensemble est infrieur au courant de court-circuit des cellules non occultes.
Figure 70 :Groupement en srie de Ns-1 cellules identiques (1) et une cellule de performances infrieures (2)
On remarque que plus la rsistance shunt des cellules est faible et plus faible sera la tension de polarisation inverse de la cellule occulte. Inversement, des cellules idales dont la rsistance shunt serait infinie seront trs sensibles au problme d'occultation partielle. En effet, si la pente de la caractristique est trs plate dans cette zone, il suffit que le courant forc dans la photopile occulte soit lgrement au-dessus de son courant d'illumination pour envoyer le point de fonctionnement dans des zones de tension trs fortement ngative. Quand on sait par ailleurs que la tension de claquage d'une diode au silicium tourne autour de 30 V, il devient clair que ce type de dsquilibre peut rapidement dtriorer par claquage la cellule occulte avec une puissance lectrique relativement modeste.
6.7.2.1 Protection par diode
Il peut arriver qu'une photopile occulte ait supporter la tension directe de plusieurs modules en srie, donc une polarisation inverse dpassant 30V, soit la tension de claquage. Une photopile standard ne peut supporter que des tensions inverses de l'ordre de la dizaine de volts. Si l'on monte une diode au silicium en parallle tte-bche (Figure 71), sur une branche de 18 photopiles en srie (la moiti d'un module), la cellule occulte ne peut alors tre polarise que par 17 cellules au maximum. En cas de dsquilibre, il faut bien sr que la diode puisse laisser passer le courant des modules qui se trouvent dans la branche et en fonctionnement normal la diode de protection doit pouvoir tre polarise avec une tension inverse gale la tension de travail du module. Moyennant ces prcautions dans le choix de la diode de "by Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc page 80 /84
pass", on peut tre assur que les modules ainsi protgs ne subiront pas de "hot-spot" (point chaud) cause d'un dsquilibre d'clairement ou de rseau.
Figure 71 : Protection par diode anti-parallle dun groupement de photopiles en srie
6.7.3
Dsquilibre dans un groupement parallle
La Figure 72 montre la caractristique rsultante de deux photopiles montes en parallle. C'est maintenant la tension qui est commune aux deux diodes; il faut donc additionner les courants. Pour une charge correspondant la pente de la droite L, la cellule 2 ne produit aucun courant. Pour une charge d'impdance plus leve, la cellule 2 passe dans le quadrant 2 fonctionnant en rcepteur en polarisation directe.
Figure 72 :Groupement en parallle de deux cellules non identiques
Comme prcdemment on peut extrapoler au cas de Np photodiodes en parallle (Figure 73). Au del d'une certaine valeur de l'impdance de charge, la cellule occulte passe en rcepteur. En conditions de circuit ouvert, l'lment occult doit pouvoir dbiter un courant (Np-1).I la tension Voc. On notera que la tension de circuit-ouvert de l'ensemble est infrieure la tension de circuit ouvert individuelle des photopiles non occultes. On remarquera que plus la rsistance srie est forte et plus faible sera le courant inverse de la cellule occulte. A l'inverse, une photopile idale dont la rsistance srie serait trs faible verra son point de fonctionnement basculer vers de fortes valeurs de courant
page 81 /84
ngatif pour maintenir sa tension gale celle des autres. Le dsquilibre sera d'autant plus critique que l'impdance de charge est leve. L encore, une cellule peut avoir dissiper une puissance lectrique telle que l'encapsulation subisse de svres dgradations.
Figure 73 : Groupement en parallle de Np-1 cellules identiques (1) et une cellule de performances infrieures (2) 6.7.3.1 Gnralisation des protections par diodes
Pour viter qu'une branche de cellules connectes en srie ne reoivent de l'nergie d'autres branches connectes en parallle, il faut installer dans chacune des branches des diodes srie comme indiqu dans la Figure 75.
Figure 74 : Protection par diodes srie dun groupement parallle
page 82 /84
En fonctionnement normal, ces diodes sries devront supporter le courant dbit par la branche et induiront une chute de tension de 0.6 V dans la branche. Il n'est pas ncessaire de monter une diode par panneau. Mais une par branche est recommande. Dans certaines installations, plusieurs branches sont regroupes pour une seule diode srie (Figure 75).
Figure 75 : Protection recommande par diodes anti-parallle et par diodes srie dun groupement srieparallle de modules
Les normes franaises actuellement en usage pour la qualification de scurit des modules photovoltaques, notamment les exigences relatives la construction (encore en projet) : PR NF EN 61730-1: 2004-07, et les exigences relatives aux essais : PR NF EN 61730-2: 200407.
page 83 /84
Adresses internet utiles

http://www.etl.go.jp Available irradiations databases in the world http://www.eurec.be EUREC tutorial 1998 (IEA Task VII): Photovoltaics, harvesting the sun in the urban landscape http://re.jrc.cec.eu.int, www.hespul.org Comment remplir sa demande de connection au rseau www.iea-pvps-task10.org
http://www.eren.doe.gov/power, U.S. Department of Energy, Office of Power Technologies http://www.eren.doe.gov/pv, U.S. Department of Energy, Photovoltaics Program http://www.nrel.gov/ncpv, National Center for Photovoltaics http://www.eren.doe.gov/csp, Concentrating Solar Power http://www.eren.doe.gov/solarbuildings, Solar Buildings http://www.nrel.gov, National Renewable Energy Laboratory http://www.sandia.gov/pv, Sandia National Laboratories http://www.eren.doe.gov/millionroofs, Million Solar Roofs http://www.nrel.gov/surviving_disaster, Surviving Disaster with Renewable Energy http://www.eren.doe.gov/femp, Federal Energy Management Program
page 84 /84

Convertisseurs Photovoltaiques

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Convertisseurs Photovoltaiques

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Convertisseurs Photovoltaiques

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Convertisseurs photovoltaques

Grille conductrice Silicium type n

Alain Ricaud, Nov 2007

Les convertisseurs photovoltaques

Rpartition des lectrons lquilibre thermodynamique :.................................. 26

Interaction rayonnement-matire : ......................................................................... 35

LA CELLULE SOLAIRE IDEALE ............................................................................................ 37 4.1 Mcanismes lmentaires ........................................................................................ 37

Calcul du courant ..................................................................................................... 42

Les convertisseurs photovoltaques

Gnration du photo-courant .................................................................................. 49

5.3 5.4 5.5

Modlisation et caractristique dans l'obscurit ................................................... 64

Cellules haut rendement ....................................................................................... 69

Dsquilibres en fonctionnement ............................................................................ 79

ADRESSES INTERNET UTILES ........................................................................................... 84

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc

Les convertisseurs photovoltaques

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc

Grandeur flux lumineux clairement (irradiance) E intensit I luminance (brillance) L

units nergtiques Watt (W) W/m W/Sr W/m.Sr

Tableau 1 : grandeurs et units photomtriques

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc

Grandeurs lies lclairement

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc

Grandeurs lies lclairement

pm 1 z . . exp 1013 sinh 7.8

Tension de vapeur deau t (hPa) 3-5 6-8 9-16 18-30

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc

Grandeurs lies lclairement

Tableau 3 : Valeur de la constante solaire en fonction de lpaisseur m datmosphre traverse

AM0 0.2 4m 1 350 W/m 2

Visible 0.4 0.75 m 42%

Tableau 4 : Rpartition nergtique du spectre solaire de rfrence AM0

La Figure 2 donne les irradiances spectrales correspondantes.

Profils types dirradiations mensuelles

Figure 4 : Lille : irradiation mensuelle pour une surface horizontale(kWh/m)

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc

Profils types dirradiations mensuelles

Figure 5 : Chambry: irradiation mensuelle pour une surface horizontale (kWh/m)

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc

Profils types dirradiations mensuelles

Figure 6 : Ajaccio : irradiation mensuelle pour une surface horizontale (kWh/m)

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc

Flux d'nergie et flux de photons

Flux d'nergie et flux de photons

Cette information est indispensable pour le calcul du photocourant d'une photopile.

Figure 9 : Flux de photons AM 1,5 ( /cm.m.s) normalis 100mW/cm

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc

Les matriaux semi-conducteurs l'quilibre thermodynamique:

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc

Les matriaux semi-conducteurs l'quilibre thermodynamique:

Les matriaux semi-conducteurs l'quilibre thermodynamique:

Rseau et maille lmentaire

Figure 12 : Cellule de Wigner-Seitz dun rseau carr

Rseau rciproque et zone de Brillouin:

Figure 13 : Rseau cristallin et son rseau rciproque linaire.

Convertisseurs photovoltaques_Alain Ricaud_Nov-07 - Compresse.doc

Les matriaux semi-conducteurs l'quilibre thermodynamique: