Electronique Analogique3 Freddy Mudry

3 Circuits transistors bipolaires
3.1 Introduction
Malgr la suprmatie actuelle des transistors MOS dans les circuits intgrs trs
large chelle d'intgration (Very Large Scale Integration, VLSI : 10'000 plus de
100'000 transistors par circuit), le transistor bipolaire reste trs utilis dans les
circuits composants discrets ou les circuits intgrs qui exigent :
des courants de sortie levs (tage de sortie) ;
une grande vitesse de commutation (circuits logiques ultra-rapides) ;
un gain de tension lev ;
un faible bruit (pr-amplicateurs hi-) ;
la ralisation de fonctions linaires hautes performances.
Le transistor bipolaire porte son nom en raison de son fonctionnement li aux
deux types de porteurs libres, les lectrons et les trous. C'est un dispositif semiconducteur prsentant trois couches alternes n, p et n pour un transistor npn ou
p, n et p pour un transistor pnp. La couche mdiane est la base. Les deux couches
externes sont l'metteur et le collecteur.
C
n
B
p
n
B
e
E
E
Fig. 3.1: Principe du transistor npn et son symbole
L'intgration d'un transistor sur un cristal de silicium correspond ainsi la juxtaposition d'une jonction np (base-metteur) et une jonction pn (base-collecteur). Grce
la polarisation positive de la jonction BE, on rend conductrice cette dernire et
les lectrons se dplacent de l'metteur vers la base. Cependant, comme le champ
lectrique cr par la tension positive du collecteur est trs lev, presque tous les
lectrons mis sont collects par ce dernier. Le courant de base est alors 100 500 fois
plus faible que les courants de collecteur et d'metteur. La jonction base-metteur

travaille donc comme une jonction conductrice alors que la jonction collecteur-base
est polarise en sens inverse. Le courant de collecteur correspond alors au courant
de saturation inverse de la jonction.
Il est important de prciser qu'un transistor rel n'a pas une structure aussi symtrique que peut le faire accroire la description qui prcde. En eet, pour des raisons
physiques et technologiques :
le transistor rel doit avoir une base trs mince (quelques diximes de microns) ;
l'metteur et le collecteur dirent par leur gomtrie et leur dopage ;
l'metteur est bien plus dop que la base ; etc.
3.2 quations et caractristiques d'un transistor

Comme on vient de le voir, la jonction BE du transistor fonctionne comme une diode
conductrice. la dirence de celle-ci, le facteur technologique
des transistors au
silicium est gal 1. On ne le fera donc pas apparatre dans la fonction exponentielle
traduisant le comportement de la diode.
IC
IB
C
B
UCE
UBE
-IC
-IB
-UCE
-UBE
E
npn
E
pnp
Fig. 3.2: Symboles, courants et tensions
Considrant le transistor npn et son symbole (gure 3.2), sa description passe par
l'criture des quations ci-dessous (elles sont similaires pour le transistor pnp) :
1. quation des courants
IE = IB + IC
(3.1)
2. quation de la jonction base-metteur conductrice

UBE /VT
IB = ISB e
o, comme pour la diode,
thermique
kT
VT
et
ISB
est le potentiel thermique quivalent l'nergie
des porteurs de charge
VT =
(3.2)
kT
' 26 mV @ T = 300 K
q
est le courant de saturation inverse de la jonction
(3.3)
BE
(de l'ordre du fA).
3. quations du courant de collecteur

a)
IC
command par le courant
IB
IC (IB ) = IB
o
(3.4)
est le gain en courant du transistor (pratiquement suprieur 100) ;
3.2 quations et caractristiques d'un transistor

IB( UBE )
IC( UCE ), IB = param
100
30
90
IB = 100A
25
80
IB = 80A
70
20
I [mA]
I [A]
60
I = 60A
B
15
50
40
IB = 40A
10
30
20
IB = 20A
5
10
0
0
0.2
0.4
UBE [V]
0.6
0.8
IB( UBE )
4
6
UCE [V]
10
IC( UCE ), IB = param
100
30
90
25
IB = 100A
20
IB = 80A
15
IB = 60A
10
IB = 40A
IB = 20A
80
70
IC [mA]
IB [A]
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2
0.4
UBE [V]
0.6
0.8
4
6
UCE [V]
10
Fig. 3.3: Caractristiques d'un transistor bipolaire rel (en haut) et celles d'un tran-
sistor idal reprsent par un modle d'ordre 0 (en bas)
b)
IC
command par la tension
UBE
(quation (3.2) dans (3.4)) :

UBE /VT
IC (UBE ) = (ISB ) e
UBE /VT
= IS e
(3.5)

c)
IC
dpendant de
UCE
UCE
IC (UCE ) = IC (IB ) 1 +
VA

VA ,
(3.6)
dit potentiel de Early, sert dcrire la pente non nulle des carac-
tristiques de sortie du transistor ; sa valeur est de l'ordre de la centaine

de volts.
Les caractristiques correspondant ces quations sont illustres par les deux graphes
du haut de la gure 3.3. Les graphes du bas montrent les caractristiques d'un transistor idal reprsent par son modle d'ordre 0.
Hypothse simplicatrice
Tenant compte des quations (3.1) et (3.4), le courant
d'metteur s'crit
IE = IC + IB = ( + 1) IB
(3.7)
Comme le gain en courant est gnralement suprieur 100, il vient
+1'
IE ' IC
(3.8)
3.3 Modle linaire

Comme on ne sait pas calculer des systmes caractriss par des quations non
linaires, on doit se contenter d'approximations linaires d'ordre 0 ou d'ordre 1. La
gure 3.3 montre les caractristiques d'un modle d'ordre 0 o les caractristiques
relles sont remplaces par des segments de droite de pente nulle ou innie et la
gure 3.4 illustre son schma quivalent d'ordre 0.
IC = IB
IB
IC
IB
UCE
UBE
UBE
Vj
UCE
Fig. 3.4: Modle linaire d'ordre 0 d'un transistor
On constate alors que la tension entre base et metteur est admise constante si le
transistor conduit et que le courant de collecteur ne dpend que du courant de base.
Ainsi, vue de l'extrieur, l'entre
BE
du transistor se ramne une source de tension
indpendante
UBE = Vj ' 0.6 V

alors que la sortie
CE
(3.9)
du transistor se ramne une source de courant idale com-
mande par le courant de base
IC = IB
(3.10)
3.4 Circuit gnral

3.3.1 Domaines de fonctionnement du transistor
Les circuits transistors sont gnralement constitus d'une ou plusieurs alimentations relies aux transistors par des rsistances. La gure 3.5 illustre un schma
type de circuit transistor dans lequel le courant de collecteur varie avec la tension
d'alimentation
VBB
applique la base du transistor.
RC
IC
RB
IB
VCC
IE
UC
VBB
UE
RE
Fig. 3.5: Circuit gnral
Pour que le transistor puisse fonctionner dans un domaine linaire (gure 3.6), le
courant de collecteur doit tre compris entre 0 et sa valeur de court-circuit
0 < IC < IC,max =

De la mme manire, la tension
UCE
VCC
RC + RE
(3.11)
ne peut pas tre ngative ni suprieure la
tension d'alimentation ; on a donc :
VCC > UCE > 0

L'tat du transistor dpend des valeurs de
1. si
2. si
3. si
IC
et
UCE
(3.12)
(gure 3.6) :
IC = 0, on dit que le transistor est bloqu (alors UCE = VCC ) ;

UCE = 0, le transistor est dit satur (alors IC ' IC,max ) ;
0 < IC < IC,max ou 0 < UCE < VCC , le transistor est actif .
3.4 Circuit gnral

Le circuit de la gure 3.5 est important car, suivant le point de vue que l'on prend,
il peut tre considr comme
une source de courant,
un amplicateur de tension,
un circuit binaire,
un amplicateur de courant,
une source de tension.
Pour le voir, considrons les courants et tensions du circuit de la gure 3.5.

IC
VCC
UCE
VCC
RC +RE
bloqu
actif
satur
bloqu
actif
satur
VBB
VBB
VBB,sat
Vj
Vj
VBB,sat
Fig. 3.6: Domaines de fonctionnement du transistor
3.4.1 Courant de collecteur

La dpendance du courant de collecteur
IC
par rapport la tension
VBB
se calcule
partir de l'quation de la maille d'entre :
VBB = RB IB + UBE + RE IE
(3.13)
Comme l'on a
UBE = Vj ,
il vient :
IC
IB =
,
1
IE = IC + IB = 1 +
1
1
VBB Vj = RB + RE 1 +
d'o :
IC =
!!
IC
(3.14)
IC
VBB Vj

RE 1 +
+ RB
(3.15)
Comme le gain en courant est gnralement bien suprieur 100, on a
1
et
l'expression du courant de collecteur s'crit plus simplement
IC =
En analysant l'expression du courant
VBB Vj
RE + RB /
IC ,
on constate que, dans le domaine actif, le
courant de collecteur ne dpend pas de la rsistance

se comporte donc comme une
(3.16)
source de courant
RC .
Vu de celle-ci, le transistor
dpendant de
VBB .
Comme on l'a
dj dit, ce rsultat n'est vrai que dans le domaine actif du transistor :
0 < IC <
VCC
RC + RE
(3.17)
3.4.2 Tension de collecteur

Si l'on considre la tension de collecteur, celle-ci vaut simplement :
UC = VCC RC IC
(3.18)
3.4 Circuit gnral

donc :
UC = VCC
RC
(VBB Vj )
RE + RB /
(3.19)
Cette tension est limite par le blocage et la saturation du transistor :
RE
RE + RC
VCC > UC > VCC
(3.20)
Entre ces deux points, la pente de la caractristique vaut :
dUC
RC
=
<0
dVBB
RE + RB /
(3.21)
Cette pente constante peut, dans une premire approximation, tre considre comme
le gain d'un
amplicateur de tension
ampliant les variations de
UC
VBB .
UE
VCC
VCC
VCC
VBB
Vj
RE
RC +RE
VBB
Vj
VBB,sat
VBB,sat
Fig. 3.7: Caractristiques du circuit gnral
Circuit binaire
caractristique
Si on ne met pas de rsistance d'metteur (RE = 0), la pente de la

UC (VBB ) devient trs forte et elle vaut RC /RB . Le circuit travaille
alors essentiellement en tat de blocage ou de saturation.

Cette situation est gnralement choisie lorsque l'on veut utiliser le transistor en
tant que
circuit binaire
qui, pour une faible variation de la tension
rapidement d'un tat l'autre. La tension de collecteur

bien dnis 0 et
UC
VBB ,
bascule
possde alors deux tats
VCC .
Dans ces deux tats statiques, la puissance consomme est pratiquement nulle (voir
section 3.4.5). Cependant, il ne faut pas oublier que de la puissance est dissipe lors
de chaque commutation ; c'est pourquoi la puissance consomme par les systmes
logiques augmente avec la frquence d'horloge du systme.
3.4.3 Tension d'metteur

Si l'on considre la tension d'metteur, celle-ci vaut simplement
UE = RE IE ' RE IC
(3.22)

donc
UE =
La tension d'metteur
UE
RE
(VBB Vj )
RE + RB /
(3.23)
est galement limite par le blocage et la saturation du
transistor
0 < UE < VCC
RE
RE + RC
(3.24)
Entre ces deux points, la pente de la caractristique vaut :
RE
dUE
=
<1
dVBB
RE + RB /
(3.25)
Du point de vue de l'metteur, son potentiel suit la tension
VBB
Vj
prs avec une
pente infrieure l'unit. Il n'y a donc pas d'amplication de la tension, mais par
contre, le courant fourni par la source
d'un facteur
VBB
On a donc aaire un
Dans le cas o le terme
RB /
la rsistance d'metteur est ampli
amplicateur de courant ou de puissance.
est beaucoup plus petit
RE ,
la tension
UE ' VBB Vj
est indpendante de la charge
une
source de tension.
(3.26)
RE . Du point de vue de celle-ci, le transistor reprsente
3.4.4 tat de saturation

Lorsque le transistor sature au-del du point dlimitant le domaine actif et le domaine de saturation, le courant de base
et
IE .
La source de courant
IB
IB
n'est plus ngligeable par rapport
IC
est en eet remplace par un court-circuit et le
schma permettant de calculer l'tat de saturation est alors celui de la gure 3.8.
RC
RB
IC
IB
VBB
VCC
IE
Vj
RE
Fig. 3.8: Circuit gnral en tat de saturation
A partir de ce schma, on montre aisment que les courants et tensions d'un transistor en tat de saturation valent
IE = IB + IC
(3.27)
3.4 Circuit gnral

UE = UC = VCC IC RC
(3.28)
UB = UE + Vj
(3.29)
IB =
E
VBB Vj VCC RER+R
C
RB +
(3.30)
RE RC
RE +RC
E
VCC (VBB Vj ) RER+R
B
IC =
RC +
(3.31)
RE RB
RE +RB
On voit ainsi que le courant de base augmente fortement avec
VBB
alors que le
courant de collecteur diminue lgrement. On ne peut donc plus admettre
IE ' IC .
On notera d'autre part que les tensions de collecteur et d'metteur ne sont pas
constantes mais qu'elles augmentent lgrement avec
VBB .
3.4.5 Puissance dissipe par un transistor

Le transistor est un composant actif capable, comme nous venons de le voir, d'amplier des tensions ou des courants. Mais cela, il le fait en dissipant de l'nergie. Pour
s'en convaincre, il sut d'observer le transistor de la gure 3.2 o le transistor peut
tre vu comme un quadriple qui reoit des courants (IB et
non nulles (UBE et
UCE ).
IC )
sous des tensions
La puissance dissipe par le transistor vaut donc
P = UBE IB + UCE IC
Comme le courant de base est beaucoup plus petit que le courant de collecteur et que
la tension
UBE
est faible, on peut ngliger le premier terme par rapport au second.
On admet donc que la puissance dissipe par le transistor vaut
P ' UCE IC
(3.32)
3.4.6 Exemple
On considre ici le circuit de la gure 3.9 avec les valeurs numriques suivantes
R1 = 47 k,
R2 = 4.7 k,
= 200,
RC = 10 k,
Vj = 0.6 V,
RE = 1 k
VCC = 12 V
Pour ce montage, on calculera

1. le gnrateur de Thvenin vu par la base ;
2. les courants
IC, max
3. la puissance
dissipe par le transistor ;
4. les courants
IB
et
et
IC
IC ;
lorsque
RE = 0.1 k.
Solution

VCC
R1
RC
R2
RE
Fig. 3.9: Exemple de circuit transistor
10
3.5 Polarisation
3.5 Polarisation
Pour qu'un transistor puisse tre utilis comme amplicateur, il faut d'abord le polariser en xant son point de fonctionnement
Q0
autour duquel prendront place des
variations qui seront amplies (gures 3.10). Graphiquement, le point de fonctionnement peut tre dtermin par l'intersection entre la droite de charge du gnrateur
qui alimente le transistor et les caractristiques
IC (UCE )
de celui-ci. Les extrmits
de la droite de charge dlimitent le domaine de fonctionnement du transistor.

IB( UBE )
IC( UCE )
50
12
IB = 40A
45
10
IB = 35A
40
35
IB = 30A
8
30
I = 25A
IC [mA]
25
I [A]
1/rbe
6
IB = 20A
Q0
20
Q
1/rce
IB = 15A
15
IB = 10A
10
2
IB = 5A
0.2
0.4
UBE [V]
0.6
0.8
10
15
UCE [V]
Fig. 3.10: Point de fonctionnement et droite de charge du gnrateur
Dans le cas o le courant de collecteur
UCE
IC
est nul, la tension collecteur-metteur
est maximum ; on dit alors que le transistor est bloqu. Lorsque le courant
atteint sa valeur maximum
IC, max ,
la tension
UCE
IC
est pratiquement nulle ; on dit
alors que le transistor est satur. Entre ces deux valeurs extrmes, le transistor est
actif et il peut amplier les variations qu'on lui applique en entre.
3.5.1 Convention d'criture

Les tensions et courants de polarisation (continus) s'crivent en majuscules
UBE , UCE
IB , IC , IE
(3.33)
alors que les variations des tensions et des courants autour du point de fonctionnement sont reprsentes par des minuscules (gure 3.11)
ube , uce
ib , ic , ie
(3.34)
11

Les signaux complets sont dcrits par des variables minuscules et des indices majuscules :
uBE (t), uCE (t)
iB (t), iC (t), iE (t)
(3.35)
uCE(t)
iC(t)
ic
IC
uce
UCE
Fig. 3.11: Point de fonctionnement et variations
Enn, les tensions d'alimentations sont toujours dcrites avec un double indice majuscule prcisant l'lectrode laquelle elle est relie :
VBB , VCC , VEE
(3.36)
Le calcul d'un amplicateur se dcompose toujours en deux parties. On commence

par calculer son point de fonctionnement (ou sa polarisation) en utilisant un modle
dit grands signaux. Puis, considrant les variations des courants et tensions autour
du point de fonctionnement, on calcule leur eet avec un modle dit petits signaux.
Comme ces deux modles sont linaires, le rsultat global est la somme des deux
rsultats prcdents.
3.5.2 Modle grands signaux

Le modle grands signaux sert calculer le point de fonctionnement ou la polarisation du transistor autour duquel prendront place les variations (petits signaux).
Pour le calcul du point de fonctionnement, seules les sources continues sont prises
en compte ; les sources alternatives sont annules. La caractristique exponentielle
du transistor est alors remplace par un modle d'ordre 0 o la tension entre base
et metteur est considre constante si le transistor conduit.
IC = IB
IB
IC
IB
UBE
UCE
UBE
Vj
UCE
Fig. 3.12: Modle grands signaux utilis pour le calcul de la polarisation
L'entre est ainsi vue comme une source de tension indpendante :
UBE = Vj ' 0.6 V
(3.37)
et la sortie est une source de courant idale commande par le courant de base :
IC = IB
12
(3.38)
3.6 Amplication
3.6 Amplication
Une fois que le point de fonctionnement est x, on peut amplier des variations
autour de celui-ci. Pour calculer l'eet de ces variations, on utilise un modle petits
signaux qui tient compte de la pente des caractristiques du transistor.
D'un point de vue mathmatique, cela revient placer l'origine des axes sur le
point de fonctionnement
Q0 .
Pratiquement, cela est quivalent considrer que les
tensions et courants continus sont annuls et que seules grandeurs alternatives sont
prises en compte.
3.6.1 Modle petits signaux

Les variations des signaux prennent place autour du point de fonctionnement. En
traant des tangentes en cet endroit (gure 3.10) et en calculant leur pente, on
obtient naturellement les paramtres d'un amplicateur. Dans le cas du transistor,
le modle utilis est alors celui d'une source de courant commande par le courant
ou la tension d'entre (gure 3.13). Partant des caractristiques du transistor, plus
prcisment de leurs pentes au point de fonctionnement, on obtient les paramtres
petits signaux du transistor dont le calcul est prsent dans la section 3.6.2.
ic
ib = gmube
ib
ic
ib
uce
ube
rbe
ube
rce
uce
Fig. 3.13: Modle petits signaux utilis pour le calcul de l'amplication
Paramtres du transistor
Un transistor peut tre reprsent par un amplica-
teur de courant ou par un amplicateur transconductance dont les paramtres

dpendent du courant de collecteur
IC
choisi comme point de fonctionnement. Le
calcul dtaill de leurs valeurs est fait dans le paragraphe suivant ; on se contente ici
de les expliciter. Les paramtres de l'amplicateur quivalent au transistor sont :
1. la rsistance d'entre
rbe
rbe =
VT
IC
avec
VT = 26 mV @
T=300 K
(3.39)
telle que
ube = rbe ib
2. la source de courant icc commande par
icc = ib = gm ube
ib
(3.40)
ou par
avec
ube
gm =
IC
VT
(3.41)
13

3. la rsistance de sortie
rce
rce
Remarque
1
VA
=
gce
IC
VA ' 100 V
avec
ou
(3.42)
Par la suite, on prendra garde bien distinguer entre le courant
icc
fourni par la source de courant et le courant de collecteur ic qui dpend de icc et de
uce
ic = icc +
1
uce
rce
avec
icc = ib = gm ube
(3.43)
Dans la plupart des situations relles, on pourra ngliger la rsistance de sortie
rce
car sa valeur est souvent trs leve (plusieurs dizaines de k) par rapport la
rsistance de collecteur
RC .
3.6.2 Calcul des paramtres petits signaux

Les valeurs des paramtres du transistor prsents ci-dessus se calculent en considrant les pentes des caractristiques autour du point de fonctionnement x par la
polarisation du transistor. On prsente ci-dessous la dmarche pour les obtenir.
Rsistance d'entre
Les variations de la tension d'entre
riations du courant de base
ib ;
leur rapport dnit la
ube
entranent des va-
rsistance d'entre rbe
transistor. Mathmatiquement, il est plus simple de calculer son inverse
gbe
=
gbe
du
1 ic
1 dIC
ib
=
=
ube
ube
dUBE
UBE
1 d
Is e VT
dUBE
1 1
=
VT
Is e
UBE
VT
1 1
IC
VT
L'inverse de cette admittance est la rsistance d'entre du transistor
rbe
On voit ainsi que la variation
ube
ube
1
VT
=
=
ib
gbe
IC
(3.44)
de la tension d'entre du transistor
ube = rbe ib
est gale la chute de tension sur la rsistance direntielle
14
(3.45)
rbe .
3.6 Amplication
Source de courant
ib
Les variations du courant d'entre
icc ;
gain
tions sur la source de courant
amplicateur de courant
de
entranent des varia-
le transistor peut ainsi tre envisag comme un

:
icc (ib ) = ib
(3.46)
On peut galement considrer que ce sont les variations de la tension d'entre

entranent les variations de la source de courant ; on a alors aaire un
transconductance
icc (ube ) = gm ube

avec
gm
UBE
icc
IC
=
=
Is e VT
ube
UBE
UBE
On constate ainsi que la transconductance

polarisation
gm
(3.47)
1
VT
Is e
UBE
VT
IC
VT
dpend directement du courant de
IC
icc
=
ube
VT
commande par ib
gm
et que la source de courant est
(3.48)
ou
ube
icc = ib = gm ube
Comme ib
= ube /rbe = ube gm / ,
on en dduit que
rbe =
Rsistance de sortie
(3.49)
rbe
et
gm
ube
=
ib
gm
(3.50)
UCE .
Les variations
uce
de cette dernire entranent des
variations du courant de collecteur ic indpendamment de
ic (uce ) = ic |ib =0 = gce uce =
l'admittance gce de sortie
gce
Son inverse,
ic
uce
=
ib =0
ib
rce

uce

ic
ou
ube
1
uce
rce
(3.51)
du transistor
UCE
IC
IC 1 +
=
UCE
UCE
VA
la rsistance de sortie rce,
Paramtres hybrides
sont relis entre eux
On a vu qu'un transistor rel est galement sensible la
tension collecteur-metteur
On a ainsi dni
ube qui
amplicateur

IC
VA
(3.52)
vaut alors simplement
=
ib =0
VA
1
=
gce
IC
(3.53)
Les paramtres petits signauxque nous venons de calculer
sont prsents dans les ches techniques l'aide des paramtres hybrides pour un
point de fonctionnement donn (par exemple
IC = 1 mA, UCE = 5 V).
Suivant les
constructeurs, ces paramtres sont dcrits avec des indices numriques ou alphabtiques. Le schma correspondant ces paramtres est donn la gure 3.14. On voit
alors que les quivalences sont les suivantes
h11 = hie = rbe

h21 = hf e =
h12 = hre ' 0

h22 = hoe = gce
15

h11
ib
ic
h21ib
h22
h12ube
ube
uce
Fig. 3.14: Reprsentation d'un transistor avec les paramtres hybrides
3.7 Amplicateur de tension

Grce aux modles linaires du transistor et au thorme de superposition, le calcul
d'un amplicateur (gures 3.15, 3.25 et 3.32 par exemple) devient trs simple. Le
calcul complet se dcompose en cinq tapes successives :
1. calcul du point de fonctionnement du circuit : celui-ci ne dpend que
des sources continues (les sources alternatives sont mises zro, gure 3.16) ;
2. calcul des paramtres du transistor
repos
gm , rbe , rce
partir du courant de
IC ;
3. dessin du circuit petits signaux dans lequel on annule toutes les sources
continues (gure 3.17a) et on remplace le transistor par son modle petits
signaux (gure 3.17b) ;
4. calcul des paramtres de l'amplicateur quivalent reprsent par les
rsistances
Rin , Rout
et son gain en tension
AU 0
(gure 3.17c) ;
5. calcul des tensions et courants intressants par superposition des valeurs

DC et AC.
VCC
R1
RC
Rg
ug(t)
u1(t)
u2(t)
R2
RE
Fig. 3.15: Schma d'un amplicateur
16
RL

VCC
VBB = VCC
R2
RC
R1+R2
RB=R1//R2
VBB
RE
Fig. 3.16: Schma pour le calcul du point de fonctionnement
3.7.1 Point de fonctionnement

Gnralement, on xe le point de fonctionnement (gure 3.10) au centre de la droite
de charge limite par
0 < IC <
La valeur exacte de
IC
VCC
RC + RE
et
VCC < UCE < 0
se calcule en remplaant le diviseur
{R1 ; R2 }
par son gn-
rateur quivalent de Thvenin (gure 3.16) :
RB =
R1 R2
R1 + R2
VBB = VCC
R2
R1 + R2
(3.54)
Puis, comme on l'a vu au paragraphe 3.4, on obtient alors le point de fonctionnement

suivant
IC =
VBB Vj
,
RE + RB /
UC = VCC RC IC ,
UE = RE IE ' RE IC
(3.55)
autour duquel prendront place les variations causes par le signal utile.
3.7.2 Amplication
Le calcul de l'amplication des variations se fait avec le modle petits signaux
qui donne des rsultats plus proches de la ralit que le modle grands signaux.
Le schma d'amplication est alors celui de la gure 3.17a ; dans ce schma, on a
admis que les capacits de couplage sont assez grandes pour que, du point de vue
des variations, on puisse les considrer comme des courts-circuits.
17

Aprs avoir remplac le transistor par son modle petits signaux (gure
3.17b),
on voit immdiatement que les tensions d'entre et de sortie valent respectivement
u1 = (rbe + ( + 1) RE ) ib ' (rbe + RE ) ib
(3.56)
u2 = ib RC
(3.57)
Dans cette dernire quation, an de simplier les calculs, on a admis que la rsistance de sortie du transistor (rce ) est inniment grande.
Gain en tension
Le rapport de ces deux tensions donne le gain en tension
AU 0
Se souvenant que
u2
RC
RC
=
'
u1
rbe + ( + 1) RE
rbe + RE
rbe = /gm,
AU 0 =
il vient alors
RC
RC
=
/gm + RE
RE + 1/gm
avec
1
VT
=
gm
IC
(3.58)
On voit ainsi que le gain de l'amplicateur est entirement dtermin par le choix
du point de fonctionnement.
Rsistance d'entre
Comme le courant circulant dans
RE
est
fois plus grand
que le courant de base, on montre aisment que la rsistance d'entre vaut
Rin
Rsistance de sortie
u1
= RB // (rbe + RE )
i1
Ayant admis
rce
(3.59)
(ce qui est tout fait raisonnable
dans le cas de l'amplicateur de tension), la rsistance vue depuis la charge vaut

simplement
RC .
On a donc :
Rout
Tension de sortie
u2
' RC
i2
La tension de sortie
u2 (t)
(3.60)
se calcule aisment en considrant
la gure 3.17c. On y voit en eet deux diviseurs de tension et un gain permettant

d'obtenir
u1 (t) = ug (t)
Rin
Rin + Rg
u20 (t) = AU 0 u1 (t)

u2 (t) = u20 (t)
18
RL
RL + Rout
(3.61)
(3.62)
(3.63)

C
Rg
B
E
u1(t)
ug(t)
R1
R2
Rg
u1(t)
ug(t)
RE
R1
ib = gmube
rbe
u2(t)
RC
R2
RL
u2(t)
RC
RL
RE
Rout
Rg
ug(t)
u1(t)
Auou1(t)
Rin
u2(t)
RL
Fig. 3.17: Schmas pour le calcul de l'amplication des petits signaux
a) avec le transistor
b) avec le modle petits signaux
c) son amplicateur quivalent
Remarque
En plaant une capacit
CE
en parallle avec
RE ,
on augmente forte-
ment le gain de l'amplicateur sans toutefois modier le point de fonctionnement, ni

sa stabilit ; celle-ci est en eet dtermine par la prsence de la rsistance d'metteur
qui ne doit pas tre choisie nulle.
CE , il sut
1/RE CE
Pour tenir compte de la capacit
de remplacer
ZE (j)
qui devient ngligeable si
ZE (j) =
RE
0
1 + jCE RE
si
RE
par l'impdance
1
RE CE
Alors, la valeur absolue du gain tend vers son maximum et l'on a
AU 0 =
gm RC
gm RC
1 + gm ZE (j)
(3.64)
alors que la rsistance d'entre diminue sensiblement pour atteindre
Rin ' RB //rbe
(3.65)
19

3.7.3 Exemple
On considre ici le calcul complet de l'amplicateur de la gure 3.15 (page 16) avec
les valeurs numriques suivantes
ug (t) = 100 mV sin(t),

R1 = 47 k,
= 200,
Solution
20
R2 = 4.7 k,
Vj = 0.6 V,
Rg = 1 k,
RL = 10 k
RC = 10 k,
VCC = 12 V,
RE = 1 k
C1 = C2 = 1 F

.
21

.
22

Schma pour les petits signaux (AC)
B
81 mV
ib = gmube
rbe
- 383 mV
E
R1
u1(t)
77 mV
R2
RC
u2(t)
RL
RE
Rin = R1 // R2 // (rbe + RE)
Rout = RC
AU = u2 / u1 = -383 mV/ 81 mV = - 4.7 V/V = 13.4 dB /-180o
Schma complet avec les signaux DC et AC

12 V
R1
47k
ug(t)
1k
1.08V
81 mV
81 mV
u1(t)
1F
7.20V
- 383 mV
1F
Rg
100 mV
RC
10k
- 383 mV
0.48V
77 mV
R2
4.7k
RE
1k
iB(t) = 2.4 A + 0.38 A
RL
u2(t)
10 k
iC(t) = 480 A + 76 A
Fig. 3.18: Rsultats obtenus sur la base des modles linaires
Analyse des rsultats calculs et simuls

Dans les schmas de la gure 3.18, on a report les valeurs de polarisation et celles
des petits signaux calcules sur la base des modles linaires. Dans la gure 3.19a),
on a trac les signaux temporels obtenus par simulation Spice. On peut y lire les
valeurs suivantes
u1 (t) = 80 mV sin(t)
u2 (t) = 380 mV sin(t)
uB (t) = 1.083 Vdc + 80 mV sin(t)

uC (t) = 7.28 Vdc 380 mV sin(t)
On voit ainsi la trs bonne correspondance qu'il y a entre les valeurs calcules
l'aide des modles linaires et les rsultats de simulation qui sont obtenus avec des
23

modles non linaires trs proches de la ralit.
Rponse temporelle dun amplificateur (spice)

u1 (t), ug(t)
0.1
0
0.1
0
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
0.5
1.5
2.5
temps [ms]
3.5
4.5
uB (t)
1.15
1.1
1.05
1
uC (t)
7.6
7.4
7.2
7
6.8
0.4
u2 (t)
0.2
0
0.2
0.4
Rponse frquentielle dun amplificateur

15
|H| [dB]
10
0
1
10
10
10
10
10
10
10
50
/H [deg]
100
150
200
250
300
1
10
10
10
10
frquence [Hz]
Fig. 3.19: Rsultats obtenus par simulation Spice
a) rponse temporelle
b) rponse frquentielle
24
10
10
10
3.8 Sources de courant

Enn, mme si dans le cadre de ce chapitre on n'a pas considr le comportement
frquentiel du transistor, il est intressant de faire calculer et tracer par Spice la
rponse frquentielle de cet amplicateur (gure 3.19b). On y remarque que sa bande
passante s'tend de 40 Hz 7.6 MHz et que le gain dans la bande passante est de
13.47 dB. Ce gain correspond bien celui calcul sur la base du modle linaire
simple.
On notera que la frquence de coupure infrieure (40 Hz) est due aux capacits
de couplage utilises pour relier l'amplicateur aux signaux extrieurs alors que
la frquence de coupure suprieure (7.6 MHz) est due aux capacits internes du
transistor.

Nous avons vu au paragraphe 3.4.1 que, dans la mesure o le transistor ne sature
pas, le courant de collecteur est indpendant de la rsistance de collecteur. Cette
proprit est utilise pour raliser une source de courant telle que celle illustre par
la gure 3.20.
VCC
VCC
R1
RL
R2
VBB = VCC
RL
R1+R2
RB=R1//R2
R2
VBB
RE
RE
Fig. 3.20: Source de courant
3.8.1 Domaine de fonctionnement

En mode actif, le courant
IL
de la charge et la tension
IL IC =
UCE
VBB Vj
RE + RB /
UCE = VCC RL IL RE IL > 0
valent
(3.66)
(3.67)
25

RL
Comme seule la charge
varie, la condition pour que le transistor ne sature pas
est
VCC
RE
IL
RL < RL, sat =

Tant que la charge
collecteur
IC
RL
(3.68)
est comprise entre 0 et cette valeur limite, le courant de
dpendra trs peu de
RL .
On a donc aaire une source de courant
dont il nous faut valuer la rsistance de sortie l'aide du modle des petits signaux.
3.8.2 Rsistance de sortie

L'annulation des tensions continues de la source de courant conduit au schma de
la gure 3.21. On y voit que les rsistances
la suite, on posera donc
R12
R1
R2
et
se placent en parallle ; pour
R1 R2
R1 + R2
An d'allger les expressions, on peut encore regrouper les rsistances
RE , rbe
et
R12
en une rsistance quivalente :
Requ = RE // (rbe + R12 )

C
B
iL
E
R1
R2
uL
RL
RE
rce
B
rbe
C
ib
iL
E
R1
R2
uL
RL
RE
Fig. 3.21: Schma petits signaux d'une source de courant
Le calcul de la rsistance de sortie dnie par
Rout
26
uL
iL
(3.69)

s'eectue partir de la tension de sortie du circuit qui vaut :
uL = rce (iL ib ) + Requ iL
(3.70)
Comme le courant de base provient du diviseur de courant
ib = iL
{RE ; rbe + R12 },
on a
RE
RE + rbe + R12
(3.71)
Portant ce rsultat dans l'quation prcdente et regroupant les termes en

vient :
uL = Requ + rce
d'o :
Rout
Comme
Requ
RE
1+
RE + rbe + R12
rce ,
Rout ' rce
RE
1+
RE + rbe + R12
il
iL
uL
RE
=
= Requ + rce 1 +
iL
RE + rbe + R12
est gnralement ngligeable par rapport
Pratiquement,
!!
iL ,
(3.72)
on obtient nalement
(3.73)
Rout est de l'ordre de 10 100 rce et peut atteindre quelques centaines
de k. On notera que, dans le cas o la rsistance d'metteur est nulle, on a
Rout = rce
si
RE = 0
(3.74)
3.8.3 Miroir de courant

Une manire simple de raliser plusieurs sources de courant gales consiste utiliser
un miroir de courant dont le schma est donn la gure 3.22. Celui-ci est constitu
de plusieurs transistors identiques dont toutes les bases sont relies entre elles et
les metteurs entre eux. La tension base-metteur est donc la mme pour tous les
transistors, ce qui entrane des courants de collecteur gaux pour tous les transistors :
IC = IL1 = IL2
Le premier transistor, dit
(3.75)
transistor de commande du miroir,
a sa base relie son
collecteur ; il travaille comme une diode ayant une tension de seuil
Vj
entre base et
metteur. L'quation de la premire branche s'crit donc
VCC = R (IC + 3IB ) + Vj
(3.76)
On en dduit que
VCC Vj
= IC + 3 IB ' IC
R
si
1
(3.77)
Comme il n'y a pas de rsistance d'metteur dans un miroir de courant, la rsistance

de sortie de chaque source de courant vaut
Rout = rce
(3.78)
27

VCC
RL1
RL2
IC+3IB
IL1
IL2
IC
Fig. 3.22: Miroir de courant
3.9 Amplicateur collecteur commun

L'amplicateur collecteur commun (gure 3.23) est gnralement utilis pour sa
faible rsistance de sortie. Ce qui signie que la tension de sortie est peu sensible au
courant soutir par la charge. Le modle d'ordre 0 nous permet en eet de voir que
dans le cas o
RB / RL ,
on a
IC =
VBB Vj
VBB Vj
'
RL + RB /
RL
avec
VBB = VCC
R2
R1 R2
, RB =
R1 + R2
R1 + R2
(3.79)
(3.80)
d'o
U2 = RL IE ' RL IC ' VBB Vj
(3.81)
3.9.1 Paramtres de l'amplicateur CC

Du point de vue des petits signaux, le schma d'un amplicateur CC devient celui
de la gure 3.24. Les quations du circuit sont alors les suivantes
i1 =
28
u1
u1
+
RB rbe + RL
(3.82)
i2 = ( + 1) ib ' ib
(3.83)
u1 = ib rbe + ib RL
(3.84)
u2 = ib RL = rbe ib Rg i1 + ug
(3.85)
3.9 Amplicateur collecteur commun

VCC
R1
Rg
i1
i2=-iL
ug(t)
u1(t)
R2
u2(t)
RL
Fig. 3.23: Amplicateur collecteur commun
Rg
ib
i1
rbe
i2=-iL
E
ib
ug(t)
u1(t)
RB
u2(t)
RL
C
Fig. 3.24: Schma petits signaux de l'amplicateur collecteur commun
De la premire quation, on dduit la rsistance d'entre
u1
Rin
=
i1
1
1
+
RB rbe + RL
!1
' RB
(3.86)
Le rapport des deux tensions donne
Au
d'o
Au =
u2
ib RL
=
u1
ib rbe + ib RL
RL
RL
RL
=
=
<1
rbe + RL
rbe / + RL
RL + 1/gm
Comme le calcul de la rsistance de sortie se fait en prenant

rsistances
Rg
et
RB
(3.87)
u g = 0,
on voit que les
(3.88)
se mettent en parallle. On a donc
u2 = ib
RB Rg
rbe +
RB + Rg
i2
=+
RB Rg
rbe +
RB + Rg
D'o l'on tire
Rout
u2
1
1 RB Rg
1
1 RB Rg
1
= rbe +
=
+
'

i2 ug =0
RB + Rg
gm RB + Rg
gm

(3.89)
29
3.10 Amplicateur direntiel

L'amplicateur direntiel est ralis avec deux transistors et une source de courant.
Son schma est donn la gure 3.25. Pour les calculs qui suivent, on fait l'hypothse que les deux transistors sont identiques et que les tempratures de chaque
jonction sont les mmes. Ce point est important car les transistors ont des caractristiques qui varient sensiblement avec la temprature. Par ailleurs, on peut relever
que l'on intgre les paires direntielles sur un mme substrat de silicium pour que
les caractristiques des transistors soient aussi proches que possibles.
Le calcul de cet amplicateur peut bien entendu se faire sur la base du modle
petits signaux. Cependant, pour mieux comprendre le fonctionnement global du
circuit, il vaut la peine de prendre en compte le modle exponentiel des transistors
IC = IS eUBE /VT . C'est ce qui sera fait dans la section 3.10.4.
VCC
RC
RC
Q1
Q2
UE
UBE1
U21
UBE2
U22
I0
U11
U12
Fig. 3.25: Amplicateur direntiel
3.10.1 Point de fonctionnement en mode commun

Comme les deux transistors sont identiques et qu'en mode commun les tensions de
bases sont gales, les deux transistors conduisent de la mme manire (gure 3.25).
Les courants d'metteurs sont donc gaux et ils valent
IE1 = IE2 =
Comme
1,
(3.90)
on admettra comme on l'a fait jusqu'ici
IC ' IE
30
I0
2
(3.91)

La tension des deux metteurs est lgrement infrieure au mode commun
UE = Ucm Vj =
U11 + U12
Vj
2
(3.92)
alors que les tensions de collecteur sont gales et valent
UC1 = UC2 = VCC RC IC = VCC RC
I0
2
(3.93)
3.10.2 Amplicateur quivalent

Cette modlisation se fait sur la base du schma petits signaux de la gure 3.26.
On notera que le calcul peut se faire aussi bien en utilisant le modle gain en
courant
ic = ib
que celui transconductance
E1
ube1
ue
ic = gm ube
E2
que l'on utilisera ici.
ube2
B1
B2
E
C11
C2
u11
u12
RC
u21
rbe1
E1
B1
RC
ue
rbe2
EE21
B2
gm ube2
= ib2
gm ube1
= ib1
u11
C1
u21
u22
u12
C2
RC
RC
u22
Fig. 3.26: Schmas petits signaux de l'amplicateur direntiel
Rsistance d'entre
Celle-ci est la somme des rsistances que l'on voit depuis les
bases des deux transistors, c'est--dire :
Rin = 2 rbe
(3.94)
31
Rsistance de sortie
Admettant
rce ,
C'est la rsistance que l'on voit depuis l'un des collecteurs.
on a :
Rout = RC
(3.95)
Dans le cas o on considre une sortie direntielle prise entre les deux collecteurs,
on a :
Rout, dm = 2 RC
Gain en tension
(3.96)
Pour le calculer, considrons la tension de sortie
u22
u22 = ib2 RC = gm ube2 RC

Comme on est en mode direntiel (u12
= u11 ),
qui vaut
(3.97)
on a
udm = u11 u12 = ube1 ube2
(3.98)
udm
2
(3.99)
avec
ube2 = ube1 =
On en dduit que, pour la deuxime sortie, le gain en tension vaut
AU 2
u22
gm RC ube2
gm RC
RC I0
=
=+
=+
udm
2 ube2
2
4VT
(3.100)
Dans le cas o on considrerait une sortie direntielle prise entre les deux collecteurs, on aurait un gain deux fois plus grand :
AU, dif f = +
RC I0
2VT
On notera que ces gains ne dpendent que de
(3.101)
RC , I0 et VT .
3.10.3 Eet d'une source de courant relle

Dans ce qui prcde, on a admis que la source de courant tait parfaite. En consquence de quoi, le mode commun des tensions d'entre n'avait aucune inuence sur
la sortie. Si l'on souhaite tre plus prs de la ralit, on doit reconsidrer le schma
de l'amplicateur direntiel en y ajoutant une rsistance
source de courant
I0 .
R0
en parallle avec la
Le schma d'amplication devient alors celui de la gure 3.27.
En redessinant ce schma pour le mode commun (u11
= u12 = ucm ),
on obtient le
schma de la gure 3.28 duquel on tire
Comme ib1
= ib2 ,
u22 = ib2 RC
(3.102)
ucm = rbe ib2 + R0 (ib1 + ib2 + ib1 + ib2 )
(3.103)
on en dduit que le gain en mode commun vaut
Acm
32
u22
RC
=
ucm
rbe + 2( + 1)R0
RC
RC
=
'
rbe / + 2R0
2R0 + g1m

rbe1
E1
B1
gm ube1
= ib1
u11
B2
gm ube2
= ib2
R0
C1
u21
rbe2
EE21
ue
u12
C2
RC
u22
RC
Fig. 3.27: Schma petits signaux avec une source de courant relle
B2 ib2
rbe2
E2
B1 ib1
rbe1
E1
gm ube1
= ib1
u11 = u12 = ucm
R0
C1
u21
gm ube2
= ib2
C2
RC
RC
u22
Fig. 3.28: Schma petits signaux pour le mode commun
Gnralement, l'inverse de la transconductance

ngligeable par rapport
R0 .
1/gm
(quelques dizaines d'ohm) est
On a donc
Acm '
RC
2R0
(3.104)
Sachant que le gain en mode direntiel vaut
Adm = AU 2 = +
RC I0
4VT
on peut calculer le taux de rjection du mode commun (TRMC ou CMRR = Common Mode Rejection Ratio) caus par la rsistance interne de la source de courant
= T RMC =

Adm

Acm

RC
+

I0
4VT

2 R0 I0 R0
=
RC
2 VT
(3.105)
33

Il est important de noter que cette expression ne prend pas en compte les dirences
invitables des transistors entre eux et des rsistances entre elles. Le taux de rjection
du mode commun sera donc toujours infrieur l'estimation ci-dessus.
3.10.4 Caractristique complte de l'amplicateur direntiel

An de mieux comprendre le fonctionnement global du circuit, il vaut la peine de
U
/V
prendre en compte le modle exponentiel des transistors IC = IS e BE T . Ce qui,
dans le cas de l'amplicateur direntiel, ne pose pas de dicult.
En mode direntiel (U11
= U12 ), on a les quations de maille et de noeud suivantes

U11 U12 Udm = UBE1 UBE2
(3.106)
IE1 + IE2 = I0
(3.107)
Admettant que le gain en courant des transistors est beaucoup plus grand que 1, on
a galement
IC1 + IC2 ' I0

d'o
IC1
IC2
1+
IC1
(3.108)
= I0
(3.109)
Considrant que les courants de collecteur sont dcrits par
UBE
IC = IS exp
VT

et admettant que le courant de saturation
IS
(3.110)
et la temprature sont les mmes pour
les deux transistors, il vient
IS exp (UBE2 /VT )

1+
IS exp (UBE1 /VT )
IC1
= I0
Ce qui donne aprs simplication
IC1
UBE2 UBE1
1 + exp
VT

= I0
La dirence des tensions base-metteur tant gale la tension direntielle d'entre, on a nalement
IC1 =
I0
1 + exp
De manire similaire, on obtient
IC2 =
34
Udm
VT
I0
1 + exp
+Udm
VT
(3.111)
(3.112)

La tension de sortie de l'amplicateur direntiel peut tre prise entre les deux
collecteurs ou sur l'un des deux collecteurs. Dans le cas o l'on prend la sortie sur
le deuxime collecteur, on a :
U22 = VCC RC IC2 = VCC
RC I0
1 + exp
+Udm
VT
(3.113)
Les graphes des courants et tensions sont prsents dans les gures 3.29 et 3.30. On
notera que les variations autour du point de fonctionnement peuvent tre considres
comme raisonnablement linaires si la tension direntielle d'entre ne dpasse pas
le potentiel thermique
VT .
Courants de collecteurs
1
0.9
0.8
0.7
IC1, IC2 [mA]
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
IC1
0.1
IC2
IC0
0
250
200
150
100
50
0
UDM [mV]
50
100
150
200
250
Fig. 3.29: Courants de collecteurs
Gain en tension
Le gain en tension se calcule en considrant les variations autour
du point de repos de la tension de sortie prise ici sur le deuxime collecteur. On a

donc :
AU 2
avec
dU22

dUdm Udm =0
(3.114)
dU22
d
RC I0

=
VCC
+Udm
dUdm
dUdm
1 + exp VT
+Udm
= 0+

2 exp
+Udm
VT
1 + exp
RC I0
VT
1
VT
35

Tensions de collecteurs
12
10
C1
,U
C2
[V]
2
U
C1
C2
0
250
C0
200
150
100
50
0
[mV]
50
100
150
200
250
DM
Fig. 3.30: Tensions de collecteurs
Ce qui, lorsque
Udm = 0,
devient simplement
RC I0
dU22
1
=+ 2 1

dUdm Udm =0
2
VT
donc
AU 2 = +
RC I0
4 VT
Comme les courants de repos des deux transistors valent
gm
de chaque transistor vaut
I0 /(2VT ).
(3.115)
I0 /2,
la transconductance
Le gain en tension peut alors galement
s'crire sous la forme :
AU 2 = +
gm RC
2
(3.116)
Si la tension avait t prise sur le premier collecteur, on aurait obtenu :
AU 1 =
gm RC
RC I0
=
4 VT
2
(3.117)
Enn, si l'on avait considr la sortie direntielle prise entre les deux collecteurs,
on aurait un gain deux fois plus grand :
AU, dm AU 1 AU 2 =
36
RC I0
= gm RC
2 VT
(3.118)
3.11 Amplicateur push-pull
3.11 Amplicateur push-pull

L'association d'un transistor npn avec son complmentaire pnp permet de raliser
un circuit capable, suivant la polarit du signal d'entre, de fournir ou recevoir
un courant de la charge (gure 3.31). Un tel circuit porte le nom d'amplicateur
push-pull (pousser-tirer). Si la tension d'entre est positive et suprieure
transistor
Q1
Q2 (pnp) est bloqu ; alors, le courant circule

Q2 conduise, la tension d'entre doit tre infrieure
alors bloqu et courant circule de la charge RL travers
(npn) conduit et
vers la charge
RL .
Vj , le
de Q1
Pour que
Vj ; le transistor Q1 est
Q2 , en sens inverse du prcdent.
On notera que les deux transistors sont dans une
conguration collecteur commun.
+VCC
Q1
IL> 0 si Ug > Vj
Rg
IL
RL
U1
Ug
U2
Q2
IL< 0 si Ug < - Vj
-VCC
Fig. 3.31: Amplicateur push-pull lmentaire
Lorsque la tension d'entre est comprise entre
Vj
et
+Vj ,
aucun transistor ne
conduit et la tension de sortie est alors nulle. Cela conduit une dformation sensible
et inadmissible du signal de sortie par rapport la tension d'entre (gure 3.33a).
On peut corriger ce problme en compensant la tension de seuil
Vj
des transistors
l'aide de diodes de polarisation places entre la base de chaque transistor et le

gnrateur d'entre (gure 3.32). Pour rendre conductrices ces diodes, on y fait
circuler un courant provenant des tensions d'alimentation via les rsistances
RD . La
tension de sortie est alors pratiquement gale la tension d'entre (gure 3.33b).
Dans la ralit, la tension aux bornes des deux diodes n'est pas exactement gale
celle des deux jonctions base-metteur ; le courant d'metteur n'est donc pas matris
et on risque un emballement thermique d au fait que la tension de seuil
Vj
diminue
avec la temprature.
Pour pallier ce dfaut, on incorpore deux rsistances
ohms) entre les metteurs et la charge
RE
de faibles valeurs (quelques
RL ; ces rsistances compenseront la dirence
de tension entre les diodes et les jonctions des transistors.
37

+VCC
RD
Q1
D1
RE
Rg
U1
Ug
RE
D2
IL
RL
U2
Q2
RD
-VCC
Fig. 3.32: Amplicateur push-pull avec polarisation
10V
0V
SEL>>
-10V
V(in)
V(OUT1)
V(in)
V(OUT2)
10V
0V
-10V
0s
0.5ms
1.0ms
1.5ms
2.0ms
Time
Fig. 3.33: Tensions de sortie d'un amplicateur push-pull
a) sans polarisation (Vout1)

b) avec polarisation (Vout2)
3.11.1 Gain en tension, rsistances d'entre et de sortie

Comme les transistors travaillent alternativement entre blocage et forte conduction,
il est dicile de considrer que le signal utile consiste en une variation autour d'un
point de fonctionnement. Il faut donc bien tre conscient du fait que l'utilisation
des modles petits signaux pour valuer les rsistances d'entre et de sortie du
38
3.12 Calcul d'un amplicateur plusieurs tages

montage push-pull n'est qu'une approximation grossire d'un comportement fortement non-linaire. Les valeurs estimes pour
gm
et
rbe
doivent donc tre utilises
avec prcaution.
Appliquant malgr tout le modle petits signaux un transistor conducteur (l'autre
tant bloqu), on montre aisment les rsultats suivants :
Rin ' RD kRD k (rbe + (RE + RL ))

1
Rout ' RE + (rbe + RD kRD k Rg )
AU 0 = 1
(3.119)
(3.120)
(3.121)
On notera que l'amplicateur push-pull n'est pas un amplicateur unilatral. En

eet, comme le montrent ces rsultats, la rsistance d'entre dpend de la charge
RL
et la rsistance de sortie dpend de la rsistance interne
nissant
Rg
du gnrateur four-
U1 .

Pour conclure et faire la synthse de ce qui a t vu jusqu'ici, on se propose de
calculer, analyser et simuler un amplicateur plusieurs tages (gure 3.34). Cet
amplicateur est constitu de :
1. un tage d'entre ralis avec une paire direntielle et sa source de courant ;
2. un tage adaptateur de niveau permettant de ramener vers zro la tension de
sortie de l'amplicateur direntiel ;
3. un tage de sortie ralis avec une structure push-pull ;
4. des tensions d'alimentation
VCC = VEE = +12 V ;
5. des rsistances suivantes
RC = R4 = 7 k,
R3 = RD = 12 k,
RE = 10 ,
RL = 200
Considrant que cet amplicateur reoit un signal d'entre sinusodal d'amplitude

10 mV et admettant
des tensions de seuil de 0.6 [V] pour les transistors et les diodes,
un gain en courant de 250 pour tous les transistors,
une tension de Early innie pour tous les transistors,
on calculera :
1. les courants de repos de chaque composant et la valeur de
R5
pour que la
tension de sortie de l'adaptateur de niveau soit nulle ;

2. les paramtres direntiels des transistors et des diodes ;
3. les rsistances d'entre et de sortie, ainsi que le gain en tension vide de
chaque tage ;
4. les rsistances d'entre et de sortie, ainsi que les gains en tension vide et en
charge de l'amplicateur complet.
Une simulation avec des transistors PN100 (npn), PN200 (pnp) et des diodes 1N4148
permettra d'valuer la qualit des modles utiliss.
39
Q7
D2
RE
RD
R5
-VCC
Q4
Q2
Q1
Q3
R3
Uin
in
RC
RC
+VCC
diff
R4
Q5
adap
RD
D1
Q6
RE
out
RL
Fig. 3.34: Amplicateur multi-tages
40

3.12.1 Points de fonctionnement
3.12.2 Paramtres direntiels
41

3.12.3 Modles d'amplication de chaque tage
42

3.12.4 Amplicateur complet
43

3.12.5 Simulation Spice
Tensions
Uin [V]
0.01
0
U = 0.02 [V]
in
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
1.8
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
1.8
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
1.8
0.6
0.8
1
1.2
temps [msec]
1.4
1.6
1.8
[V]
6
diff
Udiff = 2.54 [V]
4
0
0.2
0.4
[V]
1
adap
= 1.4 [V]
adap
U
0
0.2
0.4
psh
[V]
Upsh = 1.2 [V]
0.2
0.4
Fig. 3.35: Tensions dans l'amplicateur
Courants
5.5
in
[A]
5
4.5
4
Iin = 1.57 [A]
3.5
3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
1.8
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
1.8
0.6
0.8
1
1.2
temps [msec]
1.4
1.6
1.8
2.5
Idiff = 1.56 [A]
diff
[A]
3
3.5
4.5
5
0.2
0.4
Iadap [A]
100
I
adap
= 256 [A]
100
0
0.2
0.4
Fig. 3.36: Courants dans l'amplicateur
La dformation que l'on peut observer sur l'alternance ngative de la tension de

sortie provient d'une polarisation insusante du transistor pnp (Q7 ). Le problme
se corrige simplement en plaant une diode supplmentaire en srie avec
44
D2 .

3.12.6 Comparaison des rsultats obtenus
Parties
Grandeurs
Polarisation
IC4
IC1 , IC2
IC5
ID1
ID2
IC6
IC7
Udif f
Uadap
Uout
rbe
Rin
Rout
AU 0
AU
rbe
Rin
Rout
AU 0
AU
rd
rbe
Rin
Rout
AU 0
AU
Rin
Rout
AU 0
AU
Ampli. di.
Adaptateur
Push-pull
Ampli. complet
Units
Thorie
Simulation
mA
1.95
2.0
mA
0.98
1.0
mA
0.89
0.88
mA
0.95
0.955
mA
0.95
0.944
mA
0.112
mA
0.006
5.17
mV
-42
-67
mV
-42
+21
Remarques
5.04
6.7
13.3
7.0
V/V
131
V/V
131
127
6.2
chier *.out
12.7
Uin /Iin
Udif f /Uin
7.3
7.1
chier *.out
1.76
1.6
Udif f /Idif f
13.5
V/V
-1.92
V/V
-0.55
-0.55
Uadap /Udif f
k
k
49
50
chier *.out
2.5
55
chier *.out
5.4
5.5
Uadap /Idif f
37
33
voir qu. 3.122
V/V
V/V
0.84
0.86
12.8
12.7
37
33
V/V
-71.4
V/V
-60.6
-60
Uout /Uadap
Rin, dif f
Rout, psh
Uout /Uin
Mesure de la rsistance de sortie

Partant du diviseur constitu par la rsistance de sortie et la rsistance de charge,
on a
UL = Uco
RL
RL + Rout
Comme la tension en circuit ouvert d'un amplicateur vaut
Uco = AU 0 Uin ,
on a
dans le cas de la partie push-pull
Uout = (AU 0, psh Uadap )
RL
RL + Rout
45

On en dduit alors que la rsistance de sortie vaut :
Rout = RL
46
Uadap
1
AU 0, psh
Uout
avec
AU 0, psh = 1
(3.122)
3.13 Exercices
3.13 Exercices
Pour les exercices qui suivent et sauf indication contraire, les transistors seront
caractriss par
= 200,
TBP1
Vj = 0.6 V,
VA ,
IE ' IC
Sachant que les transistors des trois circuits de la gure 3.37 sont actifs et
tels que
IB = 5 A,
IC = 1 mA,
UCE = 5 V
1. marquez les points B, C et E sur chaque circuit ;

2. dessinez les ches des courants et placez les indices manquants ;
3. calculez les tensions de chaque circuit ;
Rp : a) VBB = 0.65 V, VCC = 10 V; b) VBB = 5.65 V, VCC = 10.0 V;

c) VEE = 1.6 V, VCC = 9.4 V
4. calculez la puissance dissipe par chaque transistor. (Rp :
P = 5 mW)
5k
10k
R....
R....
U....
U....
V....
V....
10k
R....
U....
V....
V....
5k
U....
1k
R....
U....
U....
R....
5k
R....
V....
V....
Fig. 3.37: TBP1
47
TBP2
Considrant le circuit gnral (gure 3.38) avec
VBB = 1.6 V,
VCC = 12 V,
RB = 10 k,
RC = 1 k,
RE = 100
dessinez son schma avec les valeurs proposes puis
IC,max , IB , IC et la tension UCE ;

IB = 33.3 A, IC = 6.67 mA, UCE = 4.67 V
1. calculez les courants
Rp :
VBB et RC ; pour quelles

IC = 10 mA.
Rp : VBB = 2.1 V, RC = 0.7 k
2. on change
valeurs de celles-ci obtient-on
UCE = 4 V
et
3. calculez les courants IC,max , IB , IC et la tension
UCE
lorsque
VBB = 1.6 V, RE =
0.
Rp : IB
= 0.1 mA, IC = IC, max = 12 mA, UCE = 0 V

RC
IC
RB
IB
VCC
IE
UC
VBB
UE
RE
Fig. 3.38: TBP 2-3-4-9-12
TBP3
VCC = 12 V,
calculez
TBP4
IC,max , IB , IC , IE
RB = 3 k,
et
UCE
RC = 10 k,
lorsque 1)
VBB = 2 V,
VCC = 12 V,
RB = 47 k,
VBB = 3 V.
RC = 2.2 k,
1. calculez la puissance dissipe par le transistor ;

2. que se passe-t-il si
RC
3. calculez la valeur de
48
2)
VBB = 2 V,
Rp :
RE = 2 k
augmente ?
RC
qui sature le transistor.
P = 14.2 mW, RC, sat = 4.5 k
RE = 0.33 k
3.13 Exercices
TBP5
Considrant le circuit (a) de la gure 3.39,
1. calculez le gnrateur quivalent de Thvenin
Rp :
VBB
lorsque
U1 = 6 V ;
VBB = 3 V, RB = 15 k
IC,max , IC et UCE ;
IC = 2.23 mA, UCE = 15.5 V
2. calculez
Rp :
3. calculez la valeur de la tension
U1
telle que
a) le transistor bloqu commence conduire ; Rp :

b) le transistor actif commence saturer ; Rp :
4. dessinez la caractristique de transfert
TBP6
U1, sat = 22.7 V
UC (U1 ).
Considrant le circuit (b) de la gure 3.39 avec
VCC = 12 V,
calculez
U1, bl = 1.2 V
R1 = 820 k,
IC,max , IC , UC , UE , UB
Rp : IC
et
R2 = 82 k,
RC = 10 k,
RE = 1 k
P.
= 0.36 mA, UC = 8.42 V, UB = 0.96 V, UE = 0.36 V, P = 2.9 mW

VCC
10k
R1
RC
R2
RE
1k
10k
20V
U1
10k
1k
(a)
(b)
Fig. 3.39: TBP5-6
RE
(a)
(b)
RC
RB
VEE
RB
RC
VCC
RE
VBB
VEE
Fig. 3.40: TBP7-8
49
TBP7
Considrant le circuit (a) de la gure 3.40 avec
VEE = 6 V,
RB = 330 k,
calculez
Rp :
et
VBB = +2 V,
RC = 3.3 k,
VCC = +12 V
RE = 1 k
P.
IC,max = 4.18 mA, IC = 2.79 mA
UC = 2.78 V, UB = 2.61 V, UE = 3.21 V, P = 16.7 mW
TBP8
Considrant le circuit (b) de la gure 3.40 avec
VEE = 12 V,
calculez
Rp :IC
TBP9
RB = 820 k,
et
RC = 2 k,
RE = 1 k
P.
= 2.23 mA, UC = 4.47 V, UB = 9.16 V, UE = 9.76 V, P = 11.8 mW
VCC = 15 V,
RB = 10 k,
RC = 1 k,
calculez et tracez la caractristique de transfert
RE = 0.1 k
UC (VBB )
lorsque la tension
VBB
varie de 5 V +5 V.
TBP10
Le circuit de la gure 3.41 permet de produire un champ magntique
variable l'aide du diviseur potentiomtrique constitu de
R1
et de la rsistance
R2
variant logarithmiquement. Considrant les valeurs numriques suivantes
VCC = 48 V, R1 = 330 , R2 = 1 10 k, RE = 1 k, RL = 100

1. remplacez le diviseur par son gnrateur quivalent de Thvenin ;
2. calculez littralement le courant
3. calculez
R2, bloc
4. que vaut
IL
et
IL (R2 ) ;
quelle sera sa valeur maximum ?
R2, sat ;
lorsque
R2 = 10 , 30 , 100 , 300 , 1k , 3k, 10k ?
5. esquissez dans un diagramme semi-logarithmique
IL (R2 )
pour
1 sR2
10 k ;
6. que se passe-t-il lorsque l'on ouvre l'interrupteur K ? proposez une solution
pour viter une destruction du transistor.
Rp : IC,max
50
= 43.6 mA, R2,bloc = 4.2 , R2,sat = 3.8 k
3.13 Exercices
VCC
RL
R1
RE
R2
Fig. 3.41: TBP 10
VCC
RC
R1
Rg
ug(t)
u1(t)
u2(t)
RE
R2
RL
CE
Fig. 3.42: TBP 11
TBP11
Considrant l'amplicateur de la gure 3.42 dans lequel
mise en parallle avec RE

VCC = 12 V,
une capacit est
et les valeurs suivantes
R1 = 600 k,
R2 = 50 k,
ug (t) = 10 mV sin(t) Rg = 10 k,
1. calculez les valeurs de polarisation
RC = 22 k,
RL = 33 k,
IC , UB , UC
et
RE = 1 k
1/C 0
UE ;
2. quelles sont la puissance dissipe par le transistor et celle fournie par l'alimentation ?
51

3. calculez les paramtres direntiels du transistor ;
4. dessinez le schma d'amplication en prcisant o se situent les connexions B,
C, E ;
5. dessinez le schma de l'amplicateur de tension quivalent puis calculez ses pa-
Rin , Rout , AU 0 ; observant les valeurs de Rin

CE ?
calculez les tensions d'entre u1 (t) et de sortie u2 (t) ;
dessinez les tensions uB (t) et uC (t) ;
calculez les gains AU , AI , AP de l'amplicateur.
ramtres
et
AU 0 , quel est
l'intrt
de la capacit
6.
7.
8.
TBP12
Considrant le circuit de base (gure 3.38) avec
VBB = 1.2 V,
VCC = 24 V,
RB = 10 k,
RC = 2 k,
RE = 50
dans lequel on place en srie avec la tension d'alimentation de la base

gnrateur sinusodal
schma en incluant le
VBB
un
u1 (t) = 10 mV sin(t) de frquence 1 kHz. Redessinez son

gnrateur d'entre u1 (t) et la connexion de sortie u2 (t) prise
sur le collecteur puis

1. calculez le point de fonctionnement du circuit
IC , UB , UC
et
UE ;
2. calculez les paramtres direntiels du transistor ;

C, E ;
4. dessinez le schma de l'amplicateur de tension quivalent puis calculez ses
paramtres
Rin , Rout , AU 0 ;
5. calculez les variations de courants
ib , ic
et de tensions
ub , ue , uc
autour du
point de fonctionnement ;
6. esquissez les tensions
TBP13
uB (t), uC (t), uE (t).
Considrant l'amplicateur de la gure 3.43 et les valeurs suivantes
VCC = 12 V,
R1 = 15 k,
ug (t) = 10 mVac ,
R2 = 8.2 k,
Rg = 50 ,
1. calculez les valeurs de polarisation
RC = 4 k,
RE2 = 470 ,
RE = 4 k
1/C 0
IC1 , IC2 , UB1 ,UC1 , UE2 ;
2. calculez les paramtres direntiels des transistors ;

C, E ; tracez une ligne de sparation entre les deux tages d'amplication ;
4. calculez les paramtres
Rin , Rout , AU 0
de chaque tage d'amplication ;
5. dessinez le schma quivalent avec les deux amplicateurs ;

6. quelle est la fonction de chaque amplicateur ?
u1 (t) et de sortie u20 (t) ;

RL = 100 ; que vaut u2 (t) ?
7. calculez les tensions d'entre

8. on charge le circuit avec
52
3.13 Exercices
VCC
RC
R1
Q2
Rg
Q1
ug(t)
u1(t)
RE
R2
RE2
u2(t)
Fig. 3.43: TBP13
VCC
R1
RL
rz
DZ
UZ0
RE
Fig. 3.44: TBP 14
TBP14
On s'intresse ici la source de courant de la gure 3.44. Dans ce nouveau
schma, la rsistance
R2
du diviseur de tension a t remplace par une diode Zener
caractrise par sa tension de seuil
UZ0
et sa rsistance direntielle
rz .
Redessinez
son schma avec le modle d'ordre 1 de la diode Zener puis, considrant les valeurs
suivantes
VCC = 24 V,
1. calculez
VBB , RB
R1 = 6 k,
UZ0 = 6 V,
et le courant de collecteur
2. calculez la valeur de
RL
rz = 6 ,
RE = 0.47 k
IC ;
conduisant la saturation du transistor ;
3. calculez les paramtres direntiels du transistor en admettant que le potentiel

de Early vaut
VA = 100 V ;
53

4. dessinez le schma petits signaux en prcisant o se situent les connexions
B, C, E ;
5. calculez la rsistance de sortie de cette source de courant et donnez son gnrateur de Thvenin quivalent ;
6. calculez la variation de courant
TBP15
IC
lorsque la charge varie de 0
Considrant l'amplicateur direntiel de la gure 3.45 avec les valeurs
suivantes
VCC = +12 V = VEE ,

R1 = 82 k,
R2 = 39 k,
RC = 12 k
RE = 3.3 k
VCC
RC
Q1
RC
Q2
UE
U11
U12
IC3
R1
Q3
RE
R2
VEE
Fig. 3.45: TBP15-16-17
on demande d'analyser
1. la polarisation avec
U11 = U12 = 0
a) calculez les courants
IC3 , IC1 , IC2 ;
b) calculez les tensions
UE1 , UC1 , UC2 , UE3
2. le mode commun avec

a) soit
54
RL, sat .
Ucm = 3 V
et
UB3 ;
U11 = U12 = Ucm 6= 0
; calculez
UC1 , UC2 , UE , UE3 ;
U2
3.13 Exercices
b) jusqu' quel point peut-on abaisser
Ucm
Ucm
c) jusqu' quel point peut-on augmenter

3. le mode direntiel avec
a) que valent
Udm
et
Q3 ?
sans saturer
sans saturer
Q1,2 ?
U11 = U12 = 10 mV
Ucm ?
b) calculez les paramtres direntiels des 3 transistors ;

c) dessinez le schma d'amplication en considrant que la source de courant
I0
est parfaite ;
d) calculez les paramtres de l'amplicateur direntiel
Rin , Rout , Adm ;
e) calculez la tension de sortie de l'amplicateur.
TBP16
Dans l'exercice prcdent, on a admis que la source de courant
parfaite. Or, dans le cas o la rsistance
R0
I0
tait
de la source n'est pas innie, toute
IC3 ,
variation du mode commun va entraner des variations de
donc des variations
de la tension de sortie. Pour le voir, on demande

1. Calculez la rsistance de sortie
R0
de la source de courant (VA
' 100 [V]).
2. Dessinez le schma petits signaux pour le mode commun (u11

3. Calculez la variation de la tension de sortie
le tension en mode commun
u22
= u12 = ucm ).
par rapport la variation de
ucm.
4. Calculez le gain du mode commun
Acm u22 /ucm
et le taux de rjection du
mode commun.
5. Considrant les tensions d'entre
U11 = 4.20 [V ], U12 = 4.22 [V ],
a) calculez les eets des tensions
Ucm
et
Udm
sur la tension de sortie
u22 ;
b) quelle est l'erreur cause par le mode commun ?

c) calculez la tension totale
TBP 17 :
UC2
du collecteur.
Dans l'amplicateur direntiel la gure 3.45, on remplace la source
de courant par une simple rsistance

le TRMC lorsque
R0 = 12 k.
R0 .
Calculez les gains
Adm
et
Acm
ainsi que
Comparez et commentez ces rsultats par rapport
ceux obtenus en TBP 15 et TBP_16.
TBP 18 :
Considrant l'amplicateur push-pull de la gure 3.46 :
1. Dessinez le schma d'amplication lorsque

est bloqu) ; on admettra que
u1 (t) > 0
(alors,
Q1
est actif et
Q2
rd RD .
2. Montrez que les paramtres de l'amplicateur de tension quivalent valent
Rin = RD kRD k (rbe + (RE + RL ))

Rout = RE +
1
(rbe + RD kRD k Rg )
AU 0 = 1
55

3. Admettant
Ug = 2 V, Rg = 5 k, RL = 1 k
UD = 0.65 V, RD = 12 k, RE = 10 , VCC = 12 V
calculez le point de fonctionnement du circuit, les rsistances direntielles
(avec
n = 1.5)
et
rbe ,
rd
les rsistances d'entre et de sortie de l'amplicateur
ainsi que les tensions d'entre
u1
et de sortie
u2 .
4. Cet amplicateur est-il unilatral ou bilatral ? Qu'est-ce qui est alors important de prciser quand vous donnez ses paramtres ?
+VCC
RD
Q1
D1
RE
Rg
Ug
U1
RE
D2
Q2
RD
-VCC
Fig. 3.46: TBP 18
56
IL
RL
U2

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3 Circuits transistors bipolaires

Fig. 3.1: Principe du transistor npn et son symbole

3 Circuits transistors bipolaires

3.2 quations et caractristiques d'un transistor

Fig. 3.2: Symboles, courants et tensions

2. quation de la jonction base-metteur conductrice

est le potentiel thermique quivalent l'nergie

des porteurs de charge

est le courant de saturation inverse de la jonction

(de l'ordre du fA).

3. quations du courant de collecteur

command par le courant

est le gain en courant du transistor (pratiquement suprieur 100) ;

3.2 quations et caractristiques d'un transistor

IC( UCE ), IB = param

IC( UCE ), IB = param

sistor idal reprsent par un modle d'ordre 0 (en bas)

command par la tension

(quation (3.2) dans (3.4)) :

3 Circuits transistors bipolaires

tristiques de sortie du transistor ; sa valeur est de l'ordre de la centaine

Tenant compte des quations (3.1) et (3.4), le courant

Comme le gain en courant est gnralement suprieur 100, il vient

3.3 Modle linaire

Fig. 3.4: Modle linaire d'ordre 0 d'un transistor

du transistor se ramne une source de tension

UBE = Vj ' 0.6 V

du transistor se ramne une source de courant idale com-

mande par le courant de base

3.4 Circuit gnral

applique la base du transistor.

Fig. 3.5: Circuit gnral

0 < IC < IC,max =

ne peut pas tre ngative ni suprieure la

tension d'alimentation ; on a donc :

VCC > UCE > 0

IC = 0, on dit que le transistor est bloqu (alors UCE = VCC ) ;

3.4 Circuit gnral

3 Circuits transistors bipolaires

Fig. 3.6: Domaines de fonctionnement du transistor

3.4.1 Courant de collecteur

par rapport la tension

partir de l'quation de la maille d'entre :

Comme le gain en courant est gnralement bien suprieur 100, on a

l'expression du courant de collecteur s'crit plus simplement

on constate que, dans le domaine actif, le

courant de collecteur ne dpend pas de la rsistance

dj dit, ce rsultat n'est vrai que dans le domaine actif du transistor :

3.4.2 Tension de collecteur

3.4 Circuit gnral

Cette tension est limite par le blocage et la saturation du transistor :

VCC > UC > VCC

Entre ces deux points, la pente de la caractristique vaut :

ampliant les variations de

Fig. 3.7: Caractristiques du circuit gnral

Si on ne met pas de rsistance d'metteur (RE = 0), la pente de la

alors essentiellement en tat de blocage ou de saturation.

qui, pour une faible variation de la tension

rapidement d'un tat l'autre. La tension de collecteur

possde alors deux tats

ampliant les variations de

la rsistance d'metteur est ampli

amplicateur de courant ou de puissance.

est en eet remplace par un court-circuit et le

Le calcul d'un amplicateur se dcompose toujours en deux parties. On commence

3.5.2 Modle grands signaux

Fig. 3.12: Modle grands signaux utilis pour le calcul de la polarisation

3.6.1 Modle petits signaux

Fig. 3.13: Modle petits signaux utilis pour le calcul de l'amplication

Un transistor peut tre reprsent par un amplica-

teur de courant ou par un amplicateur transconductance dont les paramtres

3.6.2 Calcul des paramtres petits signaux

leur rapport dnit la