Grabado de óxido tamponado
El grabado de óxido tamponado (BOE, por sus siglas en inglés), también conocido como HF tamponado o BHF, es un grabador húmedo utilizado en microfabricación. Se utiliza principalmente para grabar películas finas de dióxido de silicio (SiO2) o nitruro de silicio (Si3N4). Es una mezcla de un agente tampón, como el fluoruro de amonio (NH4F), y ácido fluorhídrico (HF). El HF concentrado (normalmente un 49% de HF en agua) graba el dióxido de silicio con demasiada rapidez para un buen control del proceso y también descascarilla la fotorresina utilizada en el patronaje litográfico. El grabado con óxido tamponado se utiliza habitualmente para un grabado más controlable.[1]
Algunos óxidos producen productos insolubles en soluciones de HF. Por lo tanto, a menudo se añade HCl a las soluciones BHF para disolver estos productos insolubles y producir un grabado de mayor calidad.[2]
Una solución común de grabado con óxido tamponado comprende una relación de volumen 6:1 de 40% de NH4F en agua y 49% de HF en agua. Esta solución grabará el óxido crecido térmicamente a una velocidad aproximada de 2 nanómetros por segundo a 25 °C.[1] La temperatura puede aumentarse para incrementar la velocidad de grabado. La agitación continua de la solución durante el proceso de grabado ayuda a tener una solución más homogénea, que puede grabar más uniformemente eliminando el material grabado de la superficie.
Referencias
[editar]- ↑ a b Wolf, Stanley; Tauber, Richard (1986). Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology. pp. 532-533. ISBN 978-0-9616721-3-3.
- ↑ Iliescua, Ciprian; Jing, Ji; Tay, Francis; Miao, Jianmin; Sun, Tietun (Aug 2005). «Characterization of masking layers for deep wet etching of glass in an improved HF/HCl solution». J. Surf. Coat. 198 (1–3): 314. doi:10.1016/j.surfcoat.2004.10.094.
Enlaces externos
[editar]- Esta obra contiene una traducción derivada de «Buffered oxide etch» de Wikipedia en inglés, concretamente de esta versión, publicada por sus editores bajo la Licencia de documentación libre de GNU y la Licencia Creative Commons Atribución-CompartirIgual 4.0 Internacional.