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    TRANSISTORES

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    Claudio Moreno Mendez
    Este documento describe los transistores, dispositivos semiconductores de tres terminales que aparecieron en 1947. Explica que los transistores se clasifican por su material, estructura, polaridad y aplicación. Describe los dos tipos principales de transistores, BJT y FET, y sus características. Finalmente, cubre temas como la operación, configuraciones de conexión y circuitos de polarización de los transistores.

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    TRANSISTORES

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    Claudio Moreno Mendez
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    Este documento describe los transistores, dispositivos semiconductores de tres terminales que aparecieron en 1947. Explica que los transistores se clasifican por su material, estructura, polaridad y aplicación. Describe los dos tipos principales de transistores, BJT y FET, y sus características. Finalmente, cubre temas como la operación, configuraciones de conexión y circuitos de polarización de los transistores.

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    Este documento describe los transistores, dispositivos semiconductores de tres terminales que aparecieron en 1947. Explica que los transistores se clasifican por su material, estructura, polaridad y aplicación. Describe los dos tipos principales de transistores, BJT y FET, y sus características. Finalmente, cubre temas como la operación, configuraciones de conexión y circuitos de polarización de los transistores.

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    TRANSISTORES

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    Este documento describe los transistores, dispositivos semiconductores de tres terminales que aparecieron en 1947. Explica que los transistores se clasifican por su material, estructura, polaridad y aplicación. Describe los dos tipos principales de transistores, BJT y FET, y sus características. Finalmente, cubre temas como la operación, configuraciones de conexión y circuitos de polarización de los transistores.

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    TRANSISTORES

    M.C. NGEL VERGARA BETANCOURT


    ING. MECATRNICA ITSZ - MARZO 2012

    TRANSISTOR:
    DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE TRES TERMINALES

    APARECE EN 1947 (BRATTAIN Y BARDEEN)

    CLASIFICACIN
    Los transistores se clasifican por:
    Material semiconductor: germanio, el silicio, arseniuro de galio, el carburo de silicio, etc. Estructura: BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, "otros tipos". Polaridad: NPN, PNP en los BJTs; N-canal, P-canal en los FETs. Potencia mxima calificacin: bajo, medio, alto. Frecuencia mxima de funcionamiento: bajo, medio, alto, la frecuencia de radio (RF), de microondas, etc. Aplicacin: cambiar, de propsito general, audio, de alta tensin, super-beta, par. Fsica embalaje: a travs de agujeros de metal, a travs de agujeros de plstico, montaje en superficie, la bola de la red matriz, mdulos de potencia. Factor de amplificacin Hfe.

    EXISTEN DOS TIPOS DE TRANSISTORES:


    BJT (TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN)

    FET (TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO - UNIPOLAR)

    JFET (TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIN)

    MOSFET (TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL-XIDOSEMICONDUCTOR DECREMENTAL Y INCREMENTAL)

    LOS TRANSISTORES FET PRESENTAN TRES TERMINALES: EMISOR (E) COLECTOR (C) BASE (B)

    CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR JFET


    EST CONSTITUIDO POR TRES CAPAS Y PRESENTA TRES TERMINALES:

    CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR MOSFET DECREMENTAL

    CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR MOSFET INCREMENTAL

    CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BJT

    LOS TRANSISTORES BJT PRESENTAN TRES TERMINALES: EMISOR (E) COLECTOR (C) BASE (B)

    - EL EMISOR SE ENCUENTRA FUERTEMENTE DOPADO, - LA BASE LIGERAMENTE DOPADA Y - EL COLECTOR PRCTICAMENTE SIN DOPAR

    OPERACIN DEL TRANSISTOR BJT


    Considere un transistor pnp:

    Considere un transistor npn:

    Corriente de fuga

    I E IC I B
    I C I Cmay I CO min

    Existen tres configuraciones de conexin de los transistores:

    En cualquiera de los casos NPN o PNP se tiene que:

    IE

    Para cualquier configuracin

    Ejemplo:

    Un transistor tiene una ganancia de corriente alfa =0,98. Calcular la corriente de base IB para una corriente de emisor de 2 mA y tambin calcular las

    ganancias de corriente beta y gamma y .

    CONFIGURACIN BASE-COMN
    - La terminologa de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. - Tiene ganancia de voltaje pero no ganancia de corriente
    Esta configuracin no es muy usual pero se utiliza como circuito amplificador no inverso de voltaje (seal de entrada en fase con seal de salida)

    CONFIGURACIN EMISOR-COMN
    - El emisor est a tierra - Tiene ganancia de voltaje y de corriente
    La seal de entrada es aplicada entre base y emisor, y la salida entre colector y emisor. Esta configuracin es usual para amplificadores basados en transistores

    CONFIGURACIN COLECTOR-COMN
    -El colector es comn a traves de la fuente - Tiene ganancia de corriente pero no de voltaje
    La seal de entrada es aplicada directamente a la base y la salida se toma sobre la carga en el emisor. Esta configuracin se utiliza como seguidor de voltaje o como seguidor emisor para aplicaciones de acoplamiento de impedancia.

    1.- Un transistor tiene una corriente de colector de 10 mA y una corriente de base de 40A. Cul es la ganancia de corriente () del transistor? 2.- Un transistor tiene una ganancia de corriente de 175. si la corriente de base es de 0.1 mA, cul es el valor de corriente del colector? 3.- Un transistor tiene corriente de colector de 10 mA . Si la ganancia de corriente es de 135. cul es el valor de corriente de la base?

    Nota sobre los subndices


    SUBNDICES DOBLES SUBNDICES IGUALES FUENTE VCC , VBB SUBNDICES DIFERENTES TENSIN ENTRE 2 PUNTOS VBE , VCE SUBNDICES SIMPLES TENSIN PARA NODOS Y TIERRA VB , VE

    Zonas de funcionamiento del transistor

    BASE-COMN

    CURVAS CARACTERSTICAS EN BASE COMN

    CURVA DE ENTRADA

    CURVA DE SALIDA

    Regiones de operacin en base comn Regin de corte:

    Regin activa:

    Regin de saturacin:

    EMISOR-COMN

    CURVAS CARACTERSTICAS EN EMISOR COMN

    CURVA DE ENTRADA

    CURVA DE SALIDA

    COLECTOR-COMN

    CURVA DE PUNTOS CARACTERSTICOS

    Polarizacin del Transistor


    Son las tensiones adecuadas VBE y VBC en ausencia de una seal de entrada.

    Transistor como interruptor abierto Transistor como interruptor cerrado Transistor como amplificador

    Corte Saturacin. Activa

    Circuitos de polarizacin tpicos

    Circuito de polarizacin de base


    Para la zona activa:

    Dependencia con

    Influencia de VCC

    Influencia de RC

    Influencia de RB

    Influencia de RE

    Valor de RE

    Independiente de Estable

    Circuito de polarizacin por divisin de tensin


    -Se emplea para amplificacin
    -R1 y R2 determinan el punto de operacin Q.

    Independiente de Estable

    Transistor como amplificador


    -Q debe permitir mxima amplitud de salida y mnima distorsin

    Amplificacin

    Distorsin por corte y/o saturacin

    Transistor como interruptor

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