Actividad 1 - 5 Aislantes, Conductores y Semiconductores.
Actividad 1 - 5 Aislantes, Conductores y Semiconductores.
Actividad 1 - 5 Aislantes, Conductores y Semiconductores.
Semiconductores
es un material a medio camino entre los
conductores y los aislantes, en lo
que a su capacidad de conducir
corriente eléctrica respecta. Un
semiconductor en estado puro
(intrínseco) no es ni buen conductor ni
buen aislante. Los semiconductores
más comunes de sólo un
elemento son el silicio, el germanio y el
carbón.
BANDAS DE ENERGÍA
• Cuando un electrón adquiere suficiente energía adicional puede abandonar la capa de valencia,
convertirse en un electrón libre y existir en lo que se conoce como banda de conducción
• La diferencia de energía entre la banda de valencia y la banda de conducción se llama banda
prohibida
• La figura 1-5 muestra diagramas de energía de aislantes, semiconductores y conductores:
La
parte (a) muestra que los
aislantes tiene una banda
prohibida muy ancha
La parte
(c) lo muestra, las bandas de energía
en conductores se traslapan. En un
material conductor metálico siempre
existe un mayor número de
electrones de valencia que electrones
libres.
COMPARACIÓN DE UN ÁTOMO
SEMICONDUCTOR CON UN ÁTOMO
CONDUCTOR
• La figura 1-6 muestra diagramas del átomo
de silicio y del átomo de cobre. Observe que
la parte central del átomo de silicio tiene una
carga neta de +4 (14 protones- 10
electrones) y la parte central del átomo de
cobre tiene una carga neta de +1 (29 protones
- 28 electrones). La parte central incluye
todo, excepto los electrones de valencia
SILICIO Y GERMANIO
• La figura 1-7 permite comparar las estructuras
atómicas del silicio y el germanio. El silicio es,
por mucho, el material más utilizado en diodos,
transistores, circuitos integrados y otros
dispositivos semiconductores. Observe que tanto
el silicio como el germanio tienen los cuatro
electrones de valencia característicos. Los
electrones de valencia del germanio residen en
la cuarta capa, mientras que los del silicio están
en la tercera, más cerca al núcleo.
ENLACES COVALENTES • Un átomo de silicio (Si), con sus
cuatro electrones de valencia,
comparte un electrón con cada uno de
sus cuatro vecinos. Esto crea
efectivamente ocho electrones de
valencia compartidos por cada átomo y
produce un estado de estabilidad
química. Además, compartir electrones
de valencia produce enlaces covalentes
que mantienen a los átomos juntos;
• La figura 1-9 muestra el enlace
covalente de un cristal de silicio
intrínseco. Un cristal intrínseco es
uno que no tiene impurezas. El
enlace covalente en el germanio es
similar porque también tiene cuatro
electrones de valencia.
MATERIALES SEMICONDUCTORES: GE,
SI Y GAAS
• Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra
entre la de un buen conductor y la de un aislante.
Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una
estructura cristalina repetitiva, en tanto que compuestos como el arseniuro de galio (GaAs), el
sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se
componen de dos o más materiales semiconductores de diferentes estructuras atómicas. En las
primeras décadas después del descubrimiento del diodo en 1939 y el transistor en 1949, se
utilizaba germanio casi exclusivamente porque era en cierto modo fácil de encontrar y
estaba disponible en grandes cantidades.
• Finalmente, en 1954 se presentó el primer transistor de silicio y éste de
inmediato se convirtió en el material semiconductor preferido, pues no
sólo es menos sensible a la temperatura, sino que es uno de los materiales
más abundantes en la Tierra, lo que acaba con cualquier preocupación
sobre su disponibilidad. conforme pasaba el tiempo, el campo de la
electrónica se volvió cada vez más sensible a las cuestiones de velocidad.
Las computadoras operaban a velocidades cada vez más altas y los
sistemas de comunicación lo hacían a niveles cada vez más altos de
desempeño
El problema, no obstante,
fue que por los años de intensos esfuerzos de diseño y
mejoras en el proceso de fabricación con
Si, las redes de transistores de Si para la mayoría de las
aplicaciones eran más baratas de fabricar y ofrecían la
ventaja de estrategias de diseño altamente eficientes.
• . Como se señaló previamente, el Si tiene el
beneficio de años de desarrollo y es el material
semiconductor líder para componentes
electrónicos y circuitos integrados (CI). El GaAs
es más caro, pero a medida que los procesos de
fabricación mejoran y las demandas de mayores
velocidades se incrementan, comenzará a
desafiar al Si como el material semiconductor
dominante.
1.3 ENLACE COVALENTE Y
MATERIALES INTRÍNSECOS
• Todo átomo se compone de tres
partículas básicas: electrón, protón
y neutrón. En la estructura
entrelazada, los neutrones y los
protones forman el núcleo; los
electrones aparecen en órbitas fijas
alrededor de éste. El modelo de
Bohr de los tres materiales aparece
en la figura 1.3.
• Los átomos que tienen cuatro electrones de
valencia se llaman tetravalentes; los de tres
se llaman trivalentes, y los de cinco se
llaman pentavalentes. El término valencia se
utiliza para indicar que el potencial
(potencial de ionización) requerido para
remover cualquiera de estos electrones de la
estructura atómica Como el GaAs es un semiconductor compuesto, hay
compartición entre los dos átomos diferentes, como
se muestra en la figura 1.5. Cada átomo está rodeado
por átomos del tipo complementario. Sigue habiendo
compartición de electrones similares en estructura a
la de Ge y Si, pero
ahora el átomo de As aporta cinco electrones y el
átomo de Ga tres.
Las causas externas incluyen efectos como
energía luminosa en forma de fotones y energía
térmica (calor) del medio circundante. A
temperatura ambiente hay alrededor de 1.5 1010
portadores libres en un 1 cm3 de material de
silicio intrínseco, es decir, 15,000,000,000
(quince mil millones) de electrones en un espacio El término intrínseco se aplica a cualquier
material semiconductor que haya sido
más reducido que un pequeño cubo de azúcar;
cuidado- NIVELES DE ENERGÍA 5
una enorme cantidad. sementé refinado para reducir el número de
impurezas a un nivel muy bajo; en esencia,
lo
La tabla 1.1 compara el número de portadores
más puro posible que se pueda fabricar
intrínsecos por centímetro cúbico de Ge, Si y
utilizando tecnología actual.
GaAs. Es interesante señalar que el Ge tiene el
mayor número y el
GaAs el menor; en realidad, el Ge tiene el doble
que el GaAs. El número de portadores en la
forma intrínseca es importante, aunque otras
características del material son más
significativas al
determinar su uso en campo.
• La tabla 1.2 revela con claridad que la
movilidad de los portadores libres en el
GaAs es más de cinco veces la de los
portadores libres en el Si; un factor que
produce tiempos de respuesta con
dispositivos electrónicos de GaAs que
puede ser hasta cinco veces las de los
mismos dispositivos hechos de Si.
DIFERENCIA ENTRE
SEMICONDUCTORES Y CONDUCTORES
Una importante e interesante diferencia entre semiconductores y conductores es su reacción
ante la aplicación de calor. En el caso de los conductores, la resistencia se incrementa con un
aumento de calor. Esto se debe a que el número de portadores presentes en un conductor no se
incrementan de manera significativa con la temperatura, Los materiales semiconductores, sin
embargo, presentan un nivel incrementado de conductividad con la aplicación de calor. Conforme
se eleva la temperatura, un mayor número de electrones de valencia absorben suficiente energía
térmica para romper el enlace covalente y así contribuir al número de portadores libres. Por
consiguiente:
Los materiales semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo.
SEMICONDUCTORES P Y N