Teoriadebandas 2021-2
Teoriadebandas 2021-2
Teoriadebandas 2021-2
ARTURO TALLEDO
DOCTOR EN FÍSICA
ESTADOS ELECTRÓNICOS EN UN
CRISTAL (TEORÍA DE BANDAS)
• INTRODUCCIÓN
• GAS DE FERMI DE ELECTRONES LIBRES (Kittel)
• TEOREMA DE BLOCH (Aschcroft)
• MODELO DE ELECTRONES CASI LIBRES (Ashcroft)
• MODELO DE ELECTRONES FUERTEMENTE
LIGADOS (Omar)
• MODELO KRONIG PENNEY (Mckelvey)
Valores posibles de energía de un electrón
E (eV) -E (eV)
-13.6
-3.4
-13.6/n2
-3.4
-13.6/n2
NFE TBE
Modelo de Modelo de
electrones electrones
casi libres
-3.4
fuertemente
ligados -13.6/n2
Ecuación de Schrodinger:
x
V ( x ) 0, si x 0, L
-e V=0
x=0 x=L=Na
2 d 2
E
2m dx 2
Soluciones:
( x) ?
( x) A ei q x
E ? Relación de dispersión:
2q 2
E
2m
Condiciones de frontera periódicas
x x+L
( x) ( x L)
iq ( x L )
Ae iqx
Ae
2
e i qL 1 q n, n 0, 1, 2, ....
L
ELECTRONES EN UNA CAJA 1D, E vs q
Relación de dispersión. Esquema de Zona Extendida 2q 2 2
E q n, n
2m L
E
L N at a
Nfdo número de
funciones de
onda
disponibles en
cada zona de
.... q
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Brillouin
4 0 2
3 2 a 2 3 4
a L a
a a a a a
SZB PZB SZB
N fdo en PZB N at en la muestra
EQUIVALENCIA ENTRE REPRESENTACIÓN EN ZONA EXTENDIDA Y EN ZONA
REDUCIDA
Segmentos del gráfico E vs q de todas las ZBs se desplazan a la Primera Zona de Brillouin
E L N at a
4
a
2
a
2
a
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4 3
2
a
0 2
a
2 3 4 q
a L
a a a a a
CZB TZB SZB PZB SZB TZB CZB
ELECTRONES EN CAJA VACÍA 1D
Tercera banda
Segunda banda
Primera banda
π π k
a a
ELECTRONES EN CAJA VACÍA 3D
Ecuación de Schrodinger:
V ( x, y, z ) 0, si ( x, y, z ) dentro de la caja
y
2 2
E L2
(x,y,z)
2m V=0
Soluciones: x
L1
(r ) A e iq• r
Relación de dispersión:
2
q 2
E
2m
Condiciones de frontera periódicas
(x+L1,y+L2,z+L3)
(x,y,z)
( x, y, z ) ( x L1 , y L2 , z L3 )
ei ( q1 L1 ) ei ( q2 L2 ) ei ( q3 L3 ) 1
2 2 2
q1 , q2 , q3 (
L1
m,
L2
n,
L3
p)
Representación gráfica de E vs q por superficies isoenergéticas
2
2 L1
2 q 2q 2 qy
E
2m 2m ....................
....................
....................
. . . . . . . . . . . .q. . . . . . . .
q , q , q ( 2L m, 2
n,
2
p) . . . . . . . . . . . . .3 . . . . . . .
.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. ..E..3 .. .. .. .. ..
1 2 3
1
L2 L3
.................... 2
. . . . . . . . .b . . . . . q. . . . . . L2
L1L2 L3 N at abc . . . . . . . . . . . . . . .2 . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . .E.2 . . . .
. . . . . . . . . . . . . .q . . . . . .
8 3 . . . . . . . . . . . . . . 1. . . . . .
. . .. . . . . . . . . . .E1. .a. . . .
N fdo abc3 . . . a. . . . . . . . . . . . . . . . . qx
8 ....................
N at abc ....................
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
....................
Nfdo funciones de
. . . . . . . . .b . . . . . . . . . . .
....................
onda espaciales ....................
....................
disponibles en cada ....................
zona de Brillouin
N fdoen PZB N at en la muestra
Número de estados cuánticos de un electrón con vector
de onda entre 0 y q :
2 Cada punto representa una función
L1
qx de onda posible para un electrón en
.................... una caja vacía 3D.
.................... Por cada punto hay un paralepípedo
....................
.................... de volumen 2 3 / L1L2 L3
....................
. . . . . . . . . . . . . . . E. . . . . El número de funciones de onda
.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. q.. .. .. .. .. .. .. posibles con valores de q entre 0 y
.................... 2
q es:
.................... L2
.................... 4 3
.................... q
.................... qx N func. de onda 3
.................... 2
3
....................
.................... L1L 2 L3
....................
....................
.................... Por cada función de onda posible hay dos
....................
.................... estados cuánticos de un electrón
....................
2 V 4 3
N estados cuánti cos q
2 3
3
ENERGÍA DE FERMI DE UN SISTEMA DE N ELECTRONES
Si de un sistema de N electrones, entran uno por uno todos los electrones a una caja vacía de
volumen V, a 0 K, estos van ocupando sucesivamente los estados cuánticos de menor energía,
dos electrones por cada función de onda espacial. La energía del estado cuántico ocupado por
el último electrón (el de máxima energía) se llama energía de Fermi. La respectiva superficie
isoenergética se llama Superficie de Fermi.
2 En un metal cada átomo contribuye con 1, 2,
qx L1
ó 3 electrones de valencia al sistema de N
.................... electrones.
....................
....................
.................... 2 V 4 3
.................... N qF
..............E . .F . . . . 2
3
3
.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. ..qF.. .. .. .. .. .. ..
.................... 2
.................... L2
.................... qF (3 2 n)1/3
....................
.................... qx
.................... 2
.................... EF (3 2 n) 2/3
....................
.................... 2m
....................
....................
....................
.................... EF es la energía de Fermi y
....................
n es la concentración de electrones
Densidad de Estados (1)
Número de funciones de onda espaciales de un electrón con vector de onda
entre q y q + dq :
4 q 2 dq
g (q ) dq
2
2 3
L1
qx L1L2 L3
....................
....................
.................... V
. . . . . . . . . . q.+. . . . . . . . . g (q) dq 4 q dq
2
. . . . . . . d.E. . . . d. q. . . . . . . 2
3
. . . . . . +. . . . . . . . . . . . . .
E
.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. ..
. . . . . . . . . . . . . .q. . . . . . 2
.................... L2 Número de estados cuánticos con energía
..............E ...... entre E y E + dE
....................
....................
....................
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . qx
.................... (2)V
.................... g ( E ) dE 4 q dq
2
....................
2
3
....................
....................
....................
....................
Densidad de Estados (2)
De diapositiva anterior
2V 2
g ( E ) dE q dq
2 2
De la relación E vs q
EF
2m 1/2 1/2
q ( ) E
2 3/2
V 2m
g ( EF ) EF 2 EF3/2
2 2
2m
2q dq dE
2 3/2
2 N
E
3/2
(3 2 )
F
2 m V
3/2
V 2m 3N
g (E) E 1/2 g ( EF )
2 2 2 2 EF
TEOREMA DE BLOCH
y
(x,y,z)
L2
V=0
x
L1
Teorema de Bloch
• Las funciones de onda espaciales de un electrón en un
cristal (potencial periódico) son de la forma:
(r ) e i k • r u (r )
nk nk
donde: u ( r R ) u (r ) y k PZB
nk nk
PRUEBA:
2 2
En la ecuación de Schrodinger V (r ) E ...(1)
2m
V ( r R ) V ( r ) V ( r ) Vg e • r
i g ...(2)
g
CFP (r ) cqe • r
i q
...(3)
q
Teorema de Bloch
2 2
V (r ) E (1)
2m 2 2 2
c q 2e i q .r
(1a)
2m 2m q
q
(r ) cqei q • r
2
q
E c E e i q .r
(1b)
2m q
q
V ( r ) Vg e • R
i g
g
V (r ) ( r ) Vg e cq e . r
i g . r i q
g q
V (r ) (r ) Vgcq e V
i ( g q ). r
g cq' g e i q '. r
gq g q'
V (r ) (r ) Vg' cq g' e
i q. r
g 'q (1c)
Teorema de Bloch
Reemplazando (1a) y (1b) y (1c) en (1) tendremos entonces la ecuación de
Schrodinger expresada en la forma de un sistema infinito de ecuaciones finitas:
2 2
e V 0
iq .r
q E cq cq g '
q 2m
g'
g'
Puesto que las funcionese i q .r son linealmente independientes, tendremos para cada
q una ecuación así:
2 2
q E cq V
g' cq g' 0 Sistema de Ecuaciones A
2m g'
Teorema de Bloch
Cualquier q siempre puede ser escrito como k - g donde k está en la PZB
y g es un vector de la red recíproca. Luego:
2 2
2m
( k g ) E ck g
V
g'
g'
c
k g g '
0
Cambiando el nombre de los índices: g g
g
2 2
2m
( k g ) E ck g
V
g'
g ' g
c
k g '
0
Subsistema de Ecuaciones B
2 2
2m
( k g 2
) E ck g
2
V
g'
g ' g2
c
k g '
0
Subsistema de Ecuaciones B
2
2
2m
( k g 3
) E ck g
3
V
g'
g ' g3
c
k g '
0
. . . . . . . . . . . . . .0
2 2
2m
( k g n
) E ck g
n
V
g'
g 'gn
c
k g '
0
2 2
2m (k g1 ) E Vg g Vg g ...Vg g
1 1 2 1 n 1
ck g1
2
(k g ) 2 E
Vg g Vg g ...Vg g
2m 2
2
c
k g2
1 2 2 2 n
2
(k g3 ) 2 E Vg g Vg g ...Vg g c 0
Subsistema de Ecuaciones B
2m 1 3 2 3 n 3
k g2
. . . . . ...
2 2 ck gn
(k g n ) E Vg g Vg g ...Vg g
2m
1 n 2 n n n
Haciendo el Determinante = 0 tendremos los valores propios En y para cada valor propio un vector
propio: (ck-g1, ck-g2, ck-g3,…….. ck-gn). Estas componentes del vector propio son al mismo tiempo los
coeficientes de la función de onda, es decir:
(r ) c e e c e
e u (r ). Lqqd
i ( k g )• r i k . r i g • r i k . r
nk k g k g nk
g g
Teorema de Bloch: CASO DEL CRISTAL 1D
q1 q2 qN qN 1 q2 N 1
2 2
q1 E c q1 V g' c q1g ' 0
2m g'
2 2
2 m
q N 1 E cqN 1 V g' cq N 1g ' 0
g'
2 2
2 m
q2 N 1 E c q2 N 1 V g' c q2 N 1 g ' 0
g'
Teorema de Bloch: CASO DEL CRISTAL 1D
Re enumerando los valores de los q posibles: q = k+g donde k es un q posible en la PZB
Y g es un vector de la red recíproca.
q2 qN qN 1
q1
k1 0 k1 g1 k1 2 g2
q1 k1 0
q2 k2 0
2
qN 1 k1 g1 k1
a
4
q2 N 1 k2 2 g1 k1
a
Teorema de Bloch: CASO DEL CRISTAL 1D
Con este cambio de nomenclatura, el sistema de ecuaciones lineales equivalente a la Ecuación
de Schrodinger puede reescribirse en la forma:
q1 q2 qN qN 1
k1 0 k1 g1 k1 2 g2
-π π 2π 3π 4π
-4π -3π -2π 0 a a q
a a a a a a
2
(k1 0) 2 E c k1 0 V g' c k1 0g ' 0
2m g'
2
(k2 0) 2 E ck2 0 V g' c k 2 0 g ' 0
2m g'
2
2 m
( k1 g1 ) 2
E c k1 g1 V g' c k1 g1 g ' 0
g'
2
( k2 g1 ) 2 E c k2 g1 V g' c k2 g1 g ' 0
2m g'
2
2 m
( k1 2 g1 ) 2
E c k1 2 g1 V g' c k12 g1g ' 0
g'
Teorema de Bloch: CASO DEL CRISTAL 1D
Hecho esto podemos ver que el conjunto infinito de ecuaciones lineales se puede
reescribir como un conjunto de subsistemas, uno para cada k posible de la PZB. Los
subsistemas son independientes entre sí. Son de la forma:
k1 0 k1 g1 k1 2 g2
-π π 2π 3π 4π
-4π -3π -2π 0 a a q
a a a a a a
2 2
( k1 0) 2
E c k1 0 V g' ck10g ' 0 ( k 0) 2
E c k 2 0 V c k 2 0 g ' 0
2m
2 g'
g' 2m g'
2 2
( k1 g1 ) 2
E c k1 g1 V g' c k1 g1g ' 0
2 m
( k 2 g1 ) 2
E c k2 g1 V g' ck2 g1 g ' 0
2m g' g'
2
2
(k2 2 g1 ) 2 E ck2 2 g1 V ck2 2 g1 g ' 0
( k1 2 g1 ) 2
E c k12 g1 Vg' ck12 g1g' 0
2m g'
g'
2m g'
El potencial es dato, es decir todas las Vg son datos. Las incógnitas son las E y las f.d.o., es decir, los ck+g.
Cada sistema lineal de ecuaciones asociado a un k de la PZB se puede
escribir en forma matricial como se muestra aquí:
2 Ck1 0
( k1 0) E Vg1 Vg 2 . . .
2
C
2m k1 g1
2 Ck g
(k1 g1 ) 2 E Vg 2 . . .
2
Vg1 1
2m . 0
.
Vg Vg . . . (k g ) 2 E . . .
2
1 2 1 n C
2m
k1 g n
. . . .
valores de energía se obtienen igualando a cero el determinante:
2
( k1 0) 2
E Vg 1 Vg 2 .. .
2 m
2
Vg1 ( k1 g1 ) E Vg 2 .. .
2
2m 0
Vg Vg . . . 2
( k1 g n ) 2 E . . .
1 2
2m
.. .
Y las funciones de onda asociadas con cada valor de energía son combinaciones lineales
de la forma:
nk ( x) ck g ei ( k g ) x ei k x ck g e i g x ei k xuk ( x )
g g
2
(k g) 2 E ck g V g ' g ck g ' 0 Subsistema de Ecuaciones B
2m g'
2
(k g) E c k g 0
2
Sistema trivial de ecuaciones, cada ecuación tiene un solo
2m término.
2
2m
(k ) 2 E ck 0
c k -g 1, si q k - g
2 c k -g ' 0, si q k - g'
(k g ) 2 E ck g 0
2m
2 2 2 2
E E (0) , E k -g , E q
2 k-g
2m 2m
(k 2g ) 2 E ck g 0
2m
2
(k 3g ) 2 E ck g 0
q (r ) Aeiq.r (r ) Ae
e
i k .r ig .r
nk
2m
MODELO DE ELECTRONES CASI LIBRES:
Al potencial V=0 de un electrón en una caja vacía se le agrega un potencial
periódico débil
En este modelo se resuelve la ecuación de Shrodinger para un electrón en un
potencial periódico, resolviendo el subsistema de ecuaciones B pero con la
condición de que el potencial periódico es débil.
El modelo asume que las nuevas funciones de onda y valores de energía van a
ser las mismas funciones de onda y valores de energía de caja vacía sólo un
poquito perturbadas por el potencial periódico. Es decir, una función de onda que
en caja vacía era
2 2
(r ) A e i ( k g1 )• r
con energía E
(0) k g1
k g1 2m
Se convertirá debido al potencial periódico en una función de onda
(r ) c e g )•r con c
i ( k
1 y todos los otros c 0
nk k g k g1 k g1
g
y energía incógnita E
El modelo distingue dos tipos de soluciones:
E E c (0)
k - g1 k g 1 Vg g 1 ck g Ecuación B1
g
E E c
(0)
k -g k g Vg1 -g ck - g1 V g 'g c k g ' Ss.Ecs B2
g ' g1
Caso no degenerado:
(0)
E k-g 1
- E (0)
k -g V, g g1
Vg g 1 Vg1 g
E E c
(0)
k - g1 k g 1
E E k(0)-g
ck g1 0(V 3 )
g
Vg g 1 Vg1 g
EE (0)
k - g1 0(V 3 )
g E E k(0)-g
E E c
m
(0)
k -g i k g i Vg j g i ck g j V g g i c k g , i 1, 2, ... m Ss.ecuaciones B1
j1 g g1 , g 2 ,..g m
E E c
m
(0)
k -g k g Vg j g c k g j V g ' g ck g ' , g g1 , g 2 ,... g m Ss.ecuaciones B2
j1 g ' g1 , g 2 ,..g m
E E c
m
(0)
k -g i k gi Vg j g i c k g j V g g i c k g , i 1, 2, ... m Ecuación B1
j1 g g1 , g 2 ,..g m
m
1
c k g
E E k(0)-g V
j 1
c
g1 -g k - g1 0(V 2 ) Ecuación D
Vg g i Vg j g
E E c
m m
Vg j g i c k g j ( E E )ck g j 0(V 3 ) , i 1, 2, ... m
(0)
k -g i k g i (0)
j1 j1 g g1 , g 2 ,..g m k -g
MODELO DE ELECTRONES CASI LIBRES
Caso Casi Degenerado:
Las nuevas energías de las funciones de onda con k-gi cerca a las FZB, respecto al
potencial cero, se calculan entonces resolviendo el siguiente «sistema de ecuaciones
del caso casi degenerado» :
E E c
m
(0)
k -g i k g i Vg j g i ck g j , i 1, 2, ... m SECCD
j1
E E k(0)-g 1 - Vg 2 g 1 - Vg 3 g 1 - Vg 4 g 1 ck -g
1
- Vg1 g 2 E E k(0)-g 2 - Vg 3 g 2 - Vg 4 g 2 ck -g 2
0
- V
g1 g 3 - Vg 2 g 3 E E (0)
k -g 3 - Vg 4 g 3 ck -g 3
(0) c
- Vg1 g 4 - Vg 2 g 4 - Vg 3 g 4 E E k -g 4 k -g 4
qy PZB
k1
k2
a k2
k1
a a
PZB qx
a
De SECCD:
E
EE c
2
(0)
k -g i kg i
V j 1
g j g i
ck g , i 1, 2
j
EE c
(0)
k -g 1 k g1
Vg g ck g Vg g ck g
1 1 1 2 1 2
EE c(0)
k -g 2 k g2
Vg g ck g Vg
1 2 1 2
g 2
ck g
2
2
g1 0, g2 g0
a
Eg
EE c (0)
k k
V0 ck Vg ck g
0 0
a
k 2
a a
kk EE c (0)
k g 0 k g0
V g ck V0 ck g
0 0
EE c (0)
k k
V0 ck Vg ck g
0 0
EE c (0)
k g 0 k g0
V g ck V0 ck g
0 0
Consideramos V0 = 0, nivel de
referencia de energías E Ek(0) - Vg0 ck
c 0
-V g0 E Ek(0)
g0 k g0
Ek(0) Ek(0)
g0
E0 E0 2 4 V 2
k g0 k g0
E
2 2
E Ek(0) V 2 E g 2 V 2
( ) ( )
a a
MODELO DE ELECTRONES CASI LIBRES:El Cristal 1D
Caso Casi Degenerado: frontera entre SZB y TZB
E De SECCD: cuando las f.d.o casi degeneradas son k g0 y k g0
EE c
2
(0)
k -g i k g i
V
j 1
g j g i
ck g , i 1, 2
j
EE c
(0)
k -g 1 k g1
Vg g ck g Vg g ck g
1 1 1 2 1 2
Gap 2
EE c(0)
k -g 2 k g2
Vg g ck g Vg g ck g
1 2 1 2 2 2
2 2
k g0 g1 g0 , g2 g0
k g0 a a
-2π
a
π
k
π
2π k
a
k EE c (0)
k -g 0 k g0
V0 ck g V2 g ck g
0 0 0
EE c
a a (0)
kg 0 k g0
V2 g ck g V0 ck g
0 0 0
EE c V c
(0)
k -g 0 k g0 0 k g0
V2 g ck g
0 0
EE c V
(0)
kg 0 k g0 2 g0
ck g V0 ck g
0 0
E Ek(0)
g0 - V2 g0 ck g0
0
-V2 g0 E Ek(0)
g0
c
k g0
E0 E0 4 V2 g0
2 2
E (0)
k g0 E (0)
k g0 k g0 k g0
E
2 2
Cuando k= 0
E Eg(0)0 V2 g0 El gap en k=g0
E E g(0) V 4 E g 2 V 4
0 ( ) ( )
a a
BANDAS DE ENERGÍA DE UN CRISTAL 1D SEGÚN MODELO NFE
L Na
E
4
a
Eg3=2Vg3
2
a
2
a
Eg2=2Vg2
Eg1=2Vg1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4
3
2
a
0 2
a
2 3 4 q
a L
a a a a a
CZB TZB SZB PZB SZB TZB
CZB
Interpretación de Bragg
( x) B Cos x
a
( x) BSen x
a
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
degeneradas
no degeneradas
N núcleos y un solo electrón
-
+ + + + + + + + +
a) Potencial periódico
b) Funciones de onda atómicas
c) Funciones de onda atómicas multiplicadas por onda plana
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
Escojamos una función de onda que satisfaga el teorema de Bloch y que
se reduzca a una función de onda atómica para valores de x cerca de cada ion
N
1
e
i kX j
k (x) 1/2 ν (x X j ) Ec (1)
N j1
E (k ) k H k Ec (2)
Reemplazando Ec (1) en Ec (2):
1 N i k ( X j X 'j )
E (k ) e ( x X j ' ) H ( x X j )
N j, j '
E (k )
N
e
1 i k ( X j X 'j )
( x X j ' ) H ( x X 1 ) ( x X 2 ) ( x X 3 ) ... (S)
Asumimos, despreciando efectos de frontera, que para cualquier j´ la suma S da lo mismo
N 1
j
2
e
i k Xj
E (k) ν (x) H ν (x X j ) Ec (3)
N
j
2
MODELO DE ELECTRONES FUERTEMENTE LIGADOS
Cálculo de la energía
N 1 /2
E (k )
j N /2
ei k X j ( x) H ( x X j ) Ec (3)
E (k ) ( x) H ( x) ' ei k X j ( x) H ( x X j ) Ec (4)
j
2 d 2
H - V ( x)
2 m0 dx 2
V ( x) v (x - X
j
j
)
V ( x) v( x) V ' ( x)
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
Primer término de la ecuación (4)
2 d 2
ν (x) H ν (x) ν (x) 2
v( x) ν (x) ν (x) V' ( x) ν (x)
2m0 dx
' i k Xj
e ν (x) H ν (x X j ) eika ν (x) H ν (x a) e -ika ν (x) H ν (x a)
j
2 d 2
ν (x) H ν (x - a) ν (x) 2
v ( x a ) ν (x - a) ν (x) V' ( x a) ν (x)
2m0 dx
E (k ) E 2 Cos ka Ec (5)
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
ka
E (k ) E 0 4 sen ( )
2
E0 E 2
Ek E0 γ a k 2 2
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
Caso 3 dimensional: banda s de un sólido con estructura fcc monoatómica
e
ik R 0j
E s (k) E s - γ
j, vecinos más cercanos
a
2 (i j)
a
k (k x , k y , k z ) y R 0 (k j)
2
a
2 (i k )
k xa k ya k ya k za k za k x a
E s (k ) E s 4 Cos Cos Cos Cos Cos Cos
2 2 2 2 2 2
E s (k ) E s 12 γ k a 2 2
MODELO KRONIG PENNEY
0, si x 0, b v
V(x) - V0 , si x b, a
V(x) V(x n a)
V
2 d 2
bb
- V(x) E
2 m dx 2 x
V0
ac
a
d 2 d 2
2 0 , si x 0, b 2 0 , si x b, a
dx 2 dx 2
1/2 1/2
2mE 2 m (E V0 )
α β
2
2
V
b
V0
a
MODELO KRONIG PENNEY
d 2 d 2
2 0 , si x 0, b 2 0 , si x b, a
dx 2 dx 2
d 2u du
1
2i k 1
(k 2 α 2 ) u 1 0 , si x 0, b
dx 2 dx
d 2u du
2
2i k 2
(k 2 β 2 ) u 2 0 , si x b, a
dx 2 dx
MODELO KRONIG PENNEY
d 2u du
1
2i k 1
(k 2 α 2 ) u 1 0 , si x 0, b
dx 2 dx
d 2u du
2
2ik 2
(k 2 β 2 ) u 2 0 , si x b, a
dx 2 dx
Caso 1: Si E>0
u 2 (x) C e i(β-k)x
De -i(β k)x
, si x b,a
MODELO KRONIG PENNEY
Usando como condiciones de frontera la continuidad de la función y
su derivada en x = 0 y en x = b
ABCD 0
i α - k A i α k B i β - k C i β k D 0
α 2 β 2
Sen α b Sen β c Cos b Cos c Cos k (b c) (Sol.1)
2α β
MODELO KRONIG PENNEY
Caso 2: -V0 < E < 0
α iγ
Y teniendo en cuenta que:
γ 2 β 2
Senh γ b Sen β c Cosh γ b Cos β c Cos k a .... (Sol. 2)
2γ β
MODELO KRONIG PENNEY
Para resolver exactamente E vs k puede procederse del siguiente modo:
y(α ó
β γ
uno de ellos escribir los valores de ).
β α γ
3) Reemplazar y( ó ), así como a, b y c en la solución (1) o
El método celular
(r) e -ik.R (r R)
nˆ (r ) (r) -e -ik.R nˆ (r R) (r R)
0, (r0 ) 0
SUPERFICES DE FERMI
SUPERFICIES DE FERMI DE ELECTRONES en caja vacía
Si de un sistema de N electrones, entran uno por uno todos los electrones a una caja vacía de
volumen V, a 0 K, estos van ocupando sucesivamente los estados cuánticos de menor energía,
dos electrones por cada función de onda espacial. La energía del estado cuántico ocupado por
el último electrón (el de máxima energía) se llama energía de Fermi. La respectiva superficie
isoenergética se llama Superficie de Fermi.
2 En un metal cada átomo contribuye con 1, 2,
qx L1
ó 3 electrones de valencia al sistema de N
.................... electrones. N = Nat, N = 2Nat ó N = 3 Nat
....................
....................
.................... 2 V 4 3
.................... N qF
..............E . .F . . . . 2
3
3
.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. ..qF.. .. .. .. .. .. ..
.................... 2
.................... L2
.................... qF (3 2 n)1/3
....................
.................... qx
.................... 2
.................... EF (3 2 n) 2/3
....................
.................... 2m
....................
....................
....................
.................... EF es la energía de Fermi y
....................
n es la concentración de electrones
SUPERFICIES DE FERMI DE ELECTRONES en caja vacía
....................
.................... 8 3
.................... VPZB
.................... VPr imdirecta (1)
....................
....................
.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. ..
.................... 2 2
3
.................... L2 Vcubitorec
.................... L1L2 L3
....................
.................... qx
.................... 8 3
.................... Vcubitorec
.................... Vmuestra
....................
....................
....................
.................... Vmuestra N ´VPr imdirecta(2)
....................
....................
2
Si el material es monoatómico
qy L1
....................
....................
les
eta
....................
ES p a
muestra
. . . . . . . SZB .............
NT mi
LE er
A eF
....................
IV a d
.. .. .. .. .. Esfera
.. .. de.. Fermi
.. .. para
.. ..metales
.. .. .. .. .. .. .. ..
TR sfer
....................
DIVALENTES
2
.................... L2
.................... N= número de electrones
. . . . . . .Esfera
SZB . .de.Fermi. .para. . . . . . . .
. . . . . . .MONOVALENTES
.............
metales
qx
. . . . . . . . . . . . . . . . SZB ....
....................
.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. PZB.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. Para átomos monovalentes:
.................... N = Nat
.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. SZB.. .. .. .. .. .. .. .. .. ..
.................... Para átomos divalentes:
....................
N = 2Nat
ky
a
a kx
3ZB
1ZB
2ZB
SUPERFICIES DE FERMI DE ELECTRONES en caja vacía
Método de Harrison para materiales trivalentes
SUPERFICIES DE FERMI DE ELECTRONES en caja vacía
qF2
2 2
N
2
L
qF2 2 n 2 2
q 2
2
qF
F
a2 a
SUPERFICIES DE FERMI DE ELECTRONES en caja vacía
2
a
2 cos 0
qF 2
a qF
De figura: 0 27.5971
/a
cos 0 0 0.4816 rad
qF
Sen2 0 0.82109
qF
4 Asomb
f SZB Asomb 0 (rad ) qF2 q F2 sin 0 cos 0 f SZB 0.09
qF2
SUPERFICIES DE FERMI DE ELECTRONES en caja vacía
qF (3 2 n)1/3
naleación
qF -aleación (3 2 n)1/3 n aleación 3 nCu
4
1.36
a 3 a3 nCu
SUPERFICIES DE FERMI en el modelo de NFE
Método de Harrison para materiales trivalentes
¿ Cómo puede pasarse de las superficies de Fermi para electrones libres a
las de electrones casi libres?
k´
g/2 g
O
(Origen de red
frontera de zona
recíproca) de Brillouin
3/2
V 2m
g (E) 2 E 1/2
2 2
V dS
g (E )
4 3 E (k)
SE k
Bandas Típicas
EF
eV
a
metales semiconductores
EF(meV)
Superconductores
FUNCIONES DE DISTRIBUCIÓN
f (E)
EF EF EF
a
metales semiconductores
La Distribución Maxwell Boltzmann(*)
• Dado un sistema de N partículas como las moléculas de un gas en un recipiente,
el número de partículas en un nivel de energía Ei, con degeneración gi es:
N i A g i e - E i /K BT
donde A es una constante de normalización y KB es la constante de Boltzmann
Si la densidad de estados es g(E), entonces:
(*) Ver: Solid -State and Semiconductor Physics por J.P. McKelvey
Modelo Semiclásico para la dinámica de los electrones en
un cristal
eB
c
m
a es el parámetro de red
Dinámica Semiclásica de los electrones
en un cristal
mv k
1 dE
v
dk
v (-k ) - v (k )
v se puede interpretar como la velocidad de grupo de un paquete de
funciones de onda con k en el intervalo k k
Dinámica Semiclásica de los electrones
en un cristal
mv k
1
v k E
v (-k ) - v (k )
dE(k ) dk dE(k ) 1
k E(k )
dt dt e k E (k )
dt
dk
eε
dt
Dinámica Semiclásica de los electrones
en un cristal
Segunda ley de Newton y momentum cristalino
dE(k )
e v
dt
dE(k ) dk dE(k ) 1
k E(k ) e k E (k )
dt dt dt
dk
e
dt
Dinámica Semiclásica de los electrones
en un cristal
Masa efectiva de un electrón en un
cristal
dv
a
dt
dv dk
a
dk dt
1 d 2E
a F
dk 2
2
m 2
d E
dk 2
Dinámica Semiclásica de los electrones en
un cristal
Masa efectiva de un electrón en un
cristal
dv
a
dt
dv dk
a
dk dt
1 d 2E
a F
dk 2
2
m 2
d E
dk 2
TENSOR MASA EFECTIVA
1
v v g k E
v x v x v x dk
dv x x
dt k x k y k z dt
y v y
dv v y v y dk y
dv x v x dk x v x dk y v x dk z dt k k y k z dt
x
dk z
dt k x dt k y dt k z dt dv z
v z
v z v z
dt
k x k y k z dt
2E 2
E 2
E
2
k X k x k y k x dk z
2 2 2
E E E
m 12
1
k x k y k y 2
k z k y
E
2
E E
2 2
k x k z k z k y k z
2
CONCEPTO DE HUECO
Es una seudopartícula cuyas propiedades físicas son equivalentes a las de
todos los electrones de una banda con todos los estados ocupados
excepto uno.
m *
La masa efectiva del hueco es: h h(k ) m *
e (k e )
Ee Eh
kh
Eh (kh)
Ee(ke) Ke Kh
ke
kh ke E h (k h ) E e (k e ) v h (k h ) v e (k e ) m*h (k h ) m*e k e
qh = e
CONCEPTO DE HUECO
Ee Eh
ε kh
ke
dk h dk e
eε La carga eléctrica del hueco es positiva
dt dt
Conductores, semicondutores y aislantes
BC
BC gap
gap
BV BV
BV
2k 2
E v (k )
2m*h
3/2
1 2m e
g e (E) 2 2
2π
E E g
1/ 2
3/2
1 2m h
g h (E) 2 2 E 1/ 2
2π
E(huecos)
Concentración de portadores en
semiconductores intrínsecos
E C2 EV 2
n f (E) g(E) dE
E C1
p f h (E) g h (E) dE
EV 1
Concentración de portadores en
semiconductores intrínsecos
3/2
E E
1 2m e E F /K BT
e E/K BT dE
1/ 2
n 2 2 e g
2π Eg
1/2
0 e dx 2
1/ 2 x
x
3/2
m e k BT E F /K BT E g /K BT
n 2 2
e e
2π
Concentración de portadores en
semiconductores intrínsecos
p f h (E) g h (E) dE
0
1 1
f h 1 f (-E) 1 - e E F /K BT e -E/KBT
e -E -E F /K BT 1 e (E F E)/KBT 1
3/2
1 2m h
g h (E) 2 2
E 1/ 2
2π
3/2
m h k BT -E /K T
p 2 e F B
2π
2
3/2
m e k BT E F /K BT E g /K BT
n 2 2
e e
2π
3/2
m h k BT -E /K T
p 2 e F B
2π
2
3/2 3/2
m e k BT E /K T E /K T m h k BT -E /K T
2 e F B e g B =2 e F B
2π 2π
2 2
Concentración de portadores en
semiconductores intrínsecos
np
3/2 3/2
m e k BT E /K T E /K T m h k BT -E /K T
2 e F B e g B =2 e F B
2π 2π
2 2
1 3 mh
E F E g K BT Ln
2 4 me
1/T
3/2
k BT
ni 2 2
me mh 3/4
e
E g /2K B T
2π
Estados de Impurezas
e2
V(r)
4π ε r ε 0 r
1 m e - m0e 4
E d 2
me ε r m 0 2(4π ε 0 ) 2
ε r 10 , 0,2
m0
E d 0,01eV
Estados de Impurezas
1 m h - m 0e 4
E a 2
ε r m 0 2(4π ε 0 ) 2
Ordenes de magnitud:
E a 0,01 eV
Concentración de portadores en
semiconductores extrínsecos
Evolución del nivel de Fermi con la temperatura
EF
B.C.
Ed
B.V. T
Concentración de portadores en
semiconductores extrínsecos
3
k BT
np 4 2
me mh e
3/2 E g /K B T
2π
np n 2
i
semiconductores extrínsecos tipo n
n i2
n Nd p
Nd