Transit Ores
Transit Ores
Transit Ores
Colector Drenador
Emisor Surtidor
Base Compuerta
Comparación entre transistores bipolares y
JFET IC I D
R Muy importante R
IB C (N) D
B (P) IG G (P)
0 N V2
+ V2 -
V1
VGS
VBE E (N) S
V1 - +
• En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan las corrientes
de salida (IC e ID).
• En zona de comportamiento como fuente de corriente, es útil relacionar
corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o corriente de salida con
tensión de entrada (JFET).
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho más pequeña en
el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar polarizada inversamente la
unión puerta-canal).
Este diodo, como el de tubo es un rectificador,
tiene una amplia cobertura de usos, aunque con
diferentes tamaños y características, dependiendo
de la sección y función que vaya a llevar a cabo, en
esencia es, rectificar señales, ya sea eliminando el
componente de radiofrecuencia, en este caso
usado como detector, o en las salidas de audio;
también los vemos en las fuentes de alimentación
encargados de rectificar la corriente alterna, ya se
que provenga de un transformador o directamente
de la red eléctrica. En la imagen a la derecha vemos
un puente de diodos, estos vienen en un chip con
los 4 diodos internamente, aunque pueden hacérse
con 4 diodos normales.
Principio de funcionamiento de los transistores de
efecto de campo de unión, JFET
P+
(D)
(S) N-
P+
V1
(G)
P+
(D)
- IDSS +
(S)
N- VDS
P+
(G) VDS ≥ VPO
P-
D
Substrato Símbolo
Símbolo D G
e S
MOSFET d
Substrato enriquecimiento
G
de canal P
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulación) de canal N
Curvas características de un MOSFET de
Referencias enriquecimiento
ID •de canal
Curvas deN
salida
normalizadas
D + ID [mA]
G VGS = 4,5V
4
+ S V- DS
VGS = 4V
VGS
- 2 VGS =
3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS=V
T
Principios de operación de los MOSFET
VDS
G Zona de transición
S ++ + D
(con carga espacial)
+
N
+
- +
- -
+ +
- N
V1
P
Substrato
VDS Se empieza a formar una
G capa de electrones
D
S +++ +++ (minoritarios del substrato)
N -- N
- -
- -- V2 > V1
P -
- -
Substrato
TRANSISTORES
El transistor de unión bipolar (BJT)
N P N P N P
1
2
TRANSISTORES
El transistor de unión bipolar
(BJT)
• PNP y NPN
• Las tensiones de continua aplicadas en un PNP son opuestas a las del NPN.
• Las corrientes en un PNP fluyen en sentido contrario al del NPN.
• En un NPN el emisor emite electrones que llegan a la base y posteriormente al
colector.
• En un PNP el emisor emite huecos hacia la base. El exceso de huecos que no
puede recambiarse en la base van al colector.
1
3
TRANSISTORES
El transistor de unión bipolar
(BJT)
1
4
Capacitor Eléctrico de Tantalio