Transit Ores

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Juan David Espejo Rodríguez

Aprendiz mantenimiento equipos de


computo
ficha 2236873
Centro de gestión de mercados logística
y tecnologías de la información
Bogotá - 2021
Características Generales
 Son dispositivos de estado sólido
Tienen tres terminales denominados:
 Drenador
 Puerta
 Fuente ó surtidor
Es el campo eléctrico el que controla el flujo de
Cargas, por ello son dispositivos gobernados
por tensión
 La corriente de puerta es prácticamente nula
en func. Normal
Clasificaciones de los
Transistores FET
Canal N
JFET
FET Canal
P
MOSFET Decremental Canal N
Incremental Canal
FET: Transistores de efecto de campo. P
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MOSFET: Trans. de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor
Analogía entre Transistores Bipolar y
transistores FET

Colector Drenador
Emisor Surtidor
Base Compuerta
Comparación entre transistores bipolares y
JFET IC I D

R Muy importante R
IB C (N) D
B (P) IG  G (P)
0 N V2
+ V2 -
V1
VGS
VBE E (N) S
V1 - +

• En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan las corrientes
de salida (IC e ID).
• En zona de comportamiento como fuente de corriente, es útil relacionar
corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o corriente de salida con
tensión de entrada (JFET).
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho más pequeña en
el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar polarizada inversamente la
unión puerta-canal).
Este diodo, como el de tubo es un rectificador,
tiene una amplia cobertura de usos, aunque con
diferentes tamaños y características, dependiendo
de la sección y función que vaya a llevar a cabo, en
esencia es, rectificar señales, ya sea eliminando el
componente de radiofrecuencia, en este caso
usado como detector, o en las salidas de audio;
también los vemos en las fuentes de alimentación
encargados de rectificar la corriente alterna, ya se
que provenga de un transformador o directamente
de la red eléctrica. En la imagen a la derecha vemos
un puente de diodos, estos vienen en un chip con
los 4 diodos internamente, aunque pueden hacérse
con 4 diodos normales.
Principio de funcionamiento de los transistores de
efecto de campo de unión, JFET

P+
(D)

(S) N-

P+
V1

(G)

Según aumenta la tensión drenador-fuente, la corriente ID= IS


sigue la ley de Ohm, quedando limitada por la resistencia del
canal. El canal se comporta como una resistencia fija.
Principio de funcionamiento de los JFET

P+
(D)
- IDSS +
(S)
N- VDS

P+
(G) VDS ≥ VPO

Si se continúa aumentando más la tensión drenador-fuente, la zona


de deplexión llega a dejar una parte del canal con muy pocos
portadores. La corriente de drenador llega a su máximo valor IDSS y el
canal se satura. La tensión VDS a la que se produce la saturación del
canal recibe el nombre de tensión de contracción (“pinch-off”), VPO.
MOSFET (transistores de efecto de campo de metal-
óxido-semiconductor)
MOSFET del Tipo Incremental o de Enriquecimiento (Canal N)
Estructura Contactos Nombre
Metal Metal
SiO2
metálicos
S G
S G D
Óxido
D
N+ N+ Semiconductor

P-
D
Substrato Símbolo
Símbolo D G
e S
MOSFET d
Substrato enriquecimiento
G
de canal P
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulación) de canal N
Curvas características de un MOSFET de
Referencias enriquecimiento
ID •de canal
Curvas deN
salida
normalizadas
D + ID [mA]
G VGS = 4,5V
4
+ S V- DS
VGS = 4V
VGS
- 2 VGS =
3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS=V
T
Principios de operación de los MOSFET
VDS

G Zona de transición
S ++ + D
(con carga espacial)
+
N
+
- +
- -
+ +
- N
V1
P

Substrato
VDS Se empieza a formar una
G capa de electrones
D
S +++ +++ (minoritarios del substrato)

N -- N
- -
- -- V2 > V1
P -
- -

Substrato
TRANSISTORES
El transistor de unión bipolar (BJT)

• Dispositivo de tres terminales (Emisor, Base y Colector)


• Equivalente a dos diodos unidos en sentido opuesto
• En función de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP
• La unión Base-Emisor se polariza en directa, y la Base-Colector en inversa
• El emisor emite portadores de carga hacia la base (con menor concentración),
donde se gobiernan los portadores hacia el colector. El colector recoge los
portadores que no puede acaparar la base (la mayoría).

N P N P N P

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TRANSISTORES
El transistor de unión bipolar
(BJT)

• PNP y NPN
• Las tensiones de continua aplicadas en un PNP son opuestas a las del NPN.
• Las corrientes en un PNP fluyen en sentido contrario al del NPN.
• En un NPN el emisor emite electrones que llegan a la base y posteriormente al
colector.
• En un PNP el emisor emite huecos hacia la base. El exceso de huecos que no
puede recambiarse en la base van al colector.

1
3
TRANSISTORES
El transistor de unión bipolar
(BJT)

• Configuraciones del BJT


• Se estudia el transistor como un
cuadripolo (dos terminales de entrada y
dos de salida).
• Según el terminal común a entrada y
salida hay tres configuraciones: BC, EC y
CC.
• El montaje en Emisor común (EC) se
aproxima más al amplificador de
corriente ideal.

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4
Capacitor Eléctrico de Tantalio

 Capacitor eléctrico de tantalio: si bien estos


son más caros que los anteriores, se
destacan por poseer una mayor confiabilidad
y flexibilidad. Dentro de este tipo de
capacitores existen tres clases: capacitores
de hojas metálicas, capacitores de tantalio
sólido y capacitores de tantalio.
Capacitor Eléctrico de Tantalio
Capacitor Cerámico

 Capacitores eléctricos de cerámica: estos se


destacan por ser económicos y de reducido
tamaño. Además, poseen un gran intervalo de
valor de aplicabilidad y capacitancia. Son ideales
para aplicaciones de derivación, filtrado y
acoplamiento de aquellos circuitos que son
híbridos integrados que logran tolerar cambios
importantes en la capacitancia. El material
dieléctrico que se utiliza en estos capacitores
puede ser titanato de calcio, de bario o bien,
dióxido de titanio a los que se le agregan otros
aditivos. Los capacitores eléctricos de cerámica
adquieren forma de disco o tubular.
Capacitor Cerámico
Capacitores de vidrio y mica

 Capacitores de vidrio y mica: estos son


utilizados cuando se precisa muy buena
estabilidad y una carga eléctrica alta. Se
caracterizan por poder operar a frecuencias
muy altas y tener gran estabilidad en
relación a la temperatura. Estos
capacitadores se encuentran en distintos
tamaños.
Capacitores vidrio y mica
Diodo de capacidad variable, esto es
el diodo varicap, también llamado
Varactor. Este diodo forma una
capacidad en los extremos de la unio
PN, que resulta de utilidad, cuando se
busca utilizar esa capacidad en
provecho del circuito en el cual debe
de funcionar el diodo.
Light Emitting Diode, diodo emisor de luz, que al ser
polarizado directamente emite luz, llamada incoherente
en un espectro reducido, están clasificados dentro de los
semiconductores y estan formados por una juntura PN.
Existen en color rojo, verde, amarillo e infrarrojos; para
que un led funcione necesita apenas unos 20 mA., noes
el caso de las lámparas incandescentes y las neón, que
se usan como pilotos en equipos variados. Los leds de
alguna forma están desplazando en uso de estas
lámparas, gracias a su consumo mínimo.
Los leds se pueden sin problemas conectar a cualquier
voltaje, únicamente se les tiene que agregar un resistor
limitador, en caso de corriente alterna es necesario
agregar un diodo rectificador además del resistor. Para
calcular el resistor debes de dividir el voltaje dentro de
0.02.
Diodo rectificador

Este diodo, como el de tubo es un rectificador,


tiene una amplia cobertura de usos, aunque con
diferentes tamaños y características, dependiendo
de la sección y función que vaya a llevar a cabo, en
esencia es, rectificar señales, ya sea eliminando el
componente de radiofrecuencia, en este caso
usado como detector, o en las salidas de audio;
también los vemos en las fuentes de alimentación
encargados de rectificar la corriente alterna, ya se
que provenga de un transformador o directamente
de la red eléctrica. En la imagen a la derecha vemos
un puente de diodos, estos vienen en un chip con
los 4 diodos internamente, aunque pueden hacérse
con 4 diodos normales.

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