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    Operación y Accion Amplificadora BJT

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    El documento describe el funcionamiento y características de varios transistores bipolares. Explica que estos constan de tres cristales semiconductores unidos que forman dos uniones p-n-p o n-p-n. Luego detalla las funciones de la base, colector y emisor, y los estados de corte, activa y saturación. Finalmente, proporciona especificaciones técnicas de transistores como el 2N3772, 2SA1244, 2SC1971 y 2SC2356.

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    El documento describe el funcionamiento y características de varios transistores bipolares. Explica que estos constan de tres cristales semiconductores unidos que forman dos uniones p-n-p o n-p-n. Luego detalla las funciones de la base, colector y emisor, y los estados de corte, activa y saturación. Finalmente, proporciona especificaciones técnicas de transistores como el 2N3772, 2SA1244, 2SC1971 y 2SC2356.

    Título original

    OPERACIÓN Y ACCION AMPLIFICADORA BJT

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    El documento describe el funcionamiento y características de varios transistores bipolares. Explica que estos constan de tres cristales semiconductores unidos que forman dos uniones p-n-p o n-p-n. Luego detalla las funciones de la base, colector y emisor, y los estados de corte, activa y saturación. Finalmente, proporciona especificaciones técnicas de transistores como el 2N3772, 2SA1244, 2SC1971 y 2SC2356.

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    El documento describe el funcionamiento y características de varios transistores bipolares. Explica que estos constan de tres cristales semiconductores unidos que forman dos uniones p-n-p o n-p-n. Luego detalla las funciones de la base, colector y emisor, y los estados de corte, activa y saturación. Finalmente, proporciona especificaciones técnicas de transistores como el 2N3772, 2SA1244, 2SC1971 y 2SC2356.

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    de 10

    ELECTRONICA.

    2.2. OPERACIÓN Y ACCION AMPLIFICADORA BJT

    IEN-401
    GILBERTO DOMINGUES SANTOS

    1
    Un transistor .
     Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una
    PEQUEÑA señal de mando.
     Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de señales.
    TRANSISTOR BIPOLAR
    Consta de tres cristales semiconductores (usualmente de silicio) unidos
    entre sí. Según como se coloquen los cristales hay dos tipos básicos de
    transistores bipolares. La capa de en medio es mucho más estrecha que
    las otras dos.
    - Transistor NPN: en este caso un cristal P está situado entre dos
    cristales N. Son los más comunes.
    - Transistor PNP: en este caso un cristal N está situado entre dos
    cristales P

    Emisor (E): Se encarga de proporcionar


    portadores de carga.
    Colector (C): Se encarga de recoger portadores
    de carga.
    Base (B): Controla el paso de corriente a través
    del transistor. Es el cristal de en medio.
    3
    Polarización
    Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y
    tensiones continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores
    previamente decididos. Es posible polarizar el transistor en zona activa, en
    saturación o en corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito en
    el que se engloba.
    el transistor bipolar puede tener tres estados distintos de funcionamiento:
      Corte Activa Saturación
    VCE VCE = V 0< VCE < V VCE ≈ 0

        IC= β·IB IE ≈ IC I E ≈ IC
    IC I C ≈ IE = 0

    IB      
    en cualquier caso      
    IB siempre es una IB≈0 IB>0 IB con máximo
    corriente pequeña, valor
    es decir, IB << IC

      No conduce (se   Conduce


    Conducción del totalmente (se
    comporta como Conduce
    comporta como
    transistor un interruptor parcialmente un interruptor
      abierto)   cerrado)
    2N3772: son de base epitaxial de silicio Transistores NPN montados en Jedec TO-3 encapsulado
    de metal. Están destinados a Amplificadores y aplicaciones de conmutación e inducción.

    Características
    ○ Voltaje entre base-colector 100v
    ○ Voltaje emisor-Base 7v
    ○ Voltaje colector-emisor 60v
    ○ Corriente contínua en el colector 20A
    ○ Potencia de disipación 150 w

    6
    2SA1244: Es un transistor bipolar, compuesto por silicio. es un componente electrónico muy usado por su
    características con corriente máxima en colector de 3 ampere, está compuesto por placas de semiconductor
    con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las
    dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo,
    estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es
    sometido en diversos aparatos electrónicos. .

    Características
    ■ Polaridad (P-N-P)
    ■ Corriente máxima de colector (Ic) 3 Ampere
    ■ De colector a base (CBO) 60 Voltios
    ■ De colector a emisor (CEO) 50 Voltios
    ■ De emisor a base (EBO) 5 Voltios
    ■ Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 1.0 Min 20
    Max
    ■ Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 10
    (Watts)
    ■ Rango de temperatura en que opera -55 a 150 °C
    7
    2sc1971. Es un transistor bipolar de potencia, compuesto por silicio, unió NPN Producido por la
    empresa japonesa Mitsubishi Electronics, compañía reconocida por muchos como una de las más
    importante productoras de paneles fotovoltaicos y de componentes eléctricos. Consiste en la
    unión de cristales semiconductores con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad
    eléctrica los cuales forman dos uniones N-P-N, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de
    conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y
    base. Consevido para amplificar radio frecuencia (RF) en la banda de VHF fundamentalmente,
    aunque puede operar en frecuencias más bajas encontrando aplicación en diversos circuitos como
    etapa de salida de plantas transmisoras, amplificación de circuitos de antenas, etc.
    Características
    ○ Voltaje entre base-colector 100v
    ○ Voltaje emisor-Base 7v
    ○ Voltaje colector-emisor 60v
    ○ Corriente contínua en el colector 20A
    ○ Potencia de disipación 150 w

    8
    2N3772: son de base epitaxial de silicio Transistores NPN montados en Jedec TO-3 encapsulado de metal.
    Están destinados a Amplificadores y aplicaciones de conmutación e inducción.

    Características
    ○ Polaridad (N-P-N)
    ○ Transistor amplificador de radio frecuencia (RF)
    ○ Corriente máxima de colector (Ic) 2 A (Ampere)
    ○ Voltaje de colector a base (CBO) 35 V (Voltios)
    ○ Voltaje de colector a emisor (CEO) 17 V
    ○ Voltaje de emisor a base (EBO) 4 V
    ○ Ganancia típica de la corriente directa (hfe) entre 10 y
    50
    ○ Máxima potencia 6 W
    ○ Frecuencia máxima de trabajo 175 MHz
    ○ Temperatura de trabajo -55 a +150 grados

    9
    2sc2356. Es un transistor bipolar de potencia NPN. Fujitsu Microelectronics Linear. Se utiliza en Amplificadores
    de potencia de audio, fuentes de poder y debido sus características puede ser utilizado en muchos equipos
    electrónicos.

    Características
    ○ Voltaje entre base-colector 500v
    ○ Voltaje emisor-Base 7v
    ○ Voltaje colector-emisor 400v
    ○ Corriente contínua en el colector 10A
    ○ Potencia de disipación 100 w.

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