UNIVERSIDAD AUTONOMA DE NUEVO LEON

FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA

MATERIA: ELECTRONICA DE POTENCIA

TEMA: TIRISTORES

MAESTRO: Ing. Antonio Rodriguez García

INTEGRANTES DEL EQUIPO: MATRICULA

Alexis Eduardo Méndez Rodriguez 1593670

Jhair Israel Marín Espinoza 1556486
Saul Alejandro Alonso Salazar Luna 1686550
Miguel Ángel Pérez Herrera 1889126
Eliud Martínez Hernández 1835077

HORA: M5 FECHA: Miércoles, 11 de noviembre del 2020

TIRISTORES
 ¿QUÉ ES UN TIRISTOR?

 El tiristor es un semiconductor de potencia

que se utiliza como interruptor, ya sea para
conducir o interrumpir la corriente eléctrica,
a este componente se le conoce como de
potencia por que se utilizan para manejar
grandes cantidades de corriente y voltaje, a
comparación de los otros semiconductores
que manejan cantidades relativamente bajas.
 Cuando se habla de tiristores comúnmente
se cataloga al tiristor como un SRC (silicon
controlled rectifier), pero esto no es del todo
correcto ya que este tipo es el más popular y
conocido pero no es el único que existe.
¿COMO FUNCIONA UN TIRISTOR?

 Los tiristores están

conformados por 3 terminales
un ánodo, un cátodo y una
compuerta o mejor conocida
“gate”, su funcionamiento se
asemeja al de un relevador o un
interruptor mecánico, Ya que
cuando aplicas una corriente a
la terminal gate este se activa y
obtiene la característica de dejar
pasar a la electricidad.
TIPOS DE TIRISTORES
TIRISTORES CONTROLADOS
POR FASE (O SCRS)
 SCR’s
 El SCR o Diodo Controlado de Silicio es un dispositivo semiconductor de la familia de los tiristores,
de enorme utilidad práctica que se encuentra en una infinidad de proyectos. Este componente, que
funciona como un interruptor controlado por una tensión, puede usarse en funciones que van
desde el simple control de lámparas y relés hasta como elemento fundamental en la conmutación
de motores y máquinas industriales. Este artículo muestra cómo funciona, y algunas aplicaciones
del mismo.
 Los SCR son dispositivos semiconductores de la familia de los tiristores destinados a la
conmutación rápida de corrientes que pueden variar desde una fracción de ampere hasta millares
de amperes.
 EI nombre SCR viene de su abreviatura en inglés "Silicon Controlled Rectifier" que traducido
significa Rectificador (o Diodo) Controlado de Silicio.
Ejemplos :

Los tipos destinados a controlar corrientes de alguna

intensidad son dotados de recursos para su montaje en
disipadores de calor.
Como podemos ver, los SCR están dotados de tres
terminales que se denominan: Ánodo (A), Cátodo (C o
K), y Compuerta (G).
 FUNCIONAMIENTO
 Los SCR están formado por 4 capas de materiales
semiconductores, en una estructura que puede ser llamada
PNPN, como muestra la figura.

 Esta estructura, en verdad, equivale a dos transistores, un NPN

y un PNP, que son conectados en un circuito regenerativo que
son conectados como muestra la misma figura.

 Tomando el circuito equivalente como punto de partida resulta

bastante mas simple entender como funciona un SCR.

 En una aplicación normal, el ánodo es mantenido positivo em

relación al cátodo. 
Con la compuerta despolarizada no debe haber circulación de
ninguna corriente por los dos transistores pues el NPN se
encuentra AL corte y con eso el PNP no tiene polarización de base.
Vamos a suponer ahora que se aplica una pequeña tensión
positiva en la compuerta, para polarizar la juntura base-emisor del
transistor en el sentido de que haya conducción,
Con eso, el transistor NPN entra en conducción, polarizando
también la base del NPN, pues la corriente de base del PNP es la
corriente de colector del NPN. El resultado es que fluye una
corriente del emisor al colector del PNP
que va a reforzar la polarización de base del NPN.
El resultado es una realimentación: la corriente de colector del
PNP polariza a la base del NPN que provoca una polarización de
base del PNP. Rápidamente los dos transistores son llevados a la
saturación, y aunque el estímulo inicial o sea la corriente de gate
que dio principio al proceso desaparezca, los dos transistores
permanecen en plena conducción.
Circula entonces una corriente máxima entre el ánodo y el cátodo.
Para desconectar el SCR es necesario reducir la corriente entre
ánodo y cátodo a un valor suficientemente bajo para que la
realimentación cese.
Tenemos dos posibilidades: una consiste en desconectar por un
instante la alimentación del circuito, o sea, desconectar el ánodo
por ejemplo.
Otra posibilidad, que equivale a ánodo con el cátodo a través de un interruptor, u otro recurso
equivalente.
Vea entonces el lector que:
Una vez disparado, el SCR permanece "conectado” aunque la corriente de compuerta desaparezca.
Para desconectar el SCR es preciso reducir la tensión entre el ánodo y el cátodo a un valor mínimo que
impida la continuación del proceso de realimentación.
En la figura 5 tenemos una curva que representa bien estas características del SCR.
 

 La operación del SCR ocurre en el primer

cuadrante, ya que en el tercero tenemos la
polarización inversa. El SCR se parece a un diodo:
sólo conduce la corriente en un sentido.
 A partir de una tensión de 0 volt, con la compuerta
convenientemente polarizada, la tensión entre el
ánodo y el cátodo puede subir hasta el punto VOB,
cuando ocurrirá el disparo. La tensión entre el
ánodo y el cátodo cae a un valor mínimo,
típicamente 2,0V, y la corriente se vuelve intensa.
 La menor corriente en que el SCR todavía se
mantiene conectado se denomina lo corriente de
mantenimiento. Si la corriente principal cae por
debajo de este valor, el SCR desconecta.
 MODALIDADES DE OPERACIÓN

Vea entonces, que podemos tener dos modalidades de operación para un SCR que dependen
del tipo de polarización.
 
a) Disparo por compuerta:
En esta modalidad, que aparece en la figura, aplicamos una tensión fija entre el ánodo y el
cátodo, conectando en serie la carga que se debe alimentar.
Un pulso positivo se aplica a la compuerta y lleva al SCR a conducción plena.
Si la alimentación principal fuera de tensión continua, para desconectar el SCR, incluso
después que desaparece el pulso, es necesario reducir al mínimo la tensión principal.
Si la alimentación fuera de tensión alternante, como muestra la figura 7, una vez terminado el
pulso de disparo, el SCR desconecta al final de cada semiciclo positivo, pues la tensión se
reduce a cero en ese instante.

Así, si existieran pulsos en secuencia para el

disparo, dependiendo del instante en que ocurra
el mismo, en relación con los semiciclos de
alimentación, puede ocurrir el disparo o no del
SCR y el tiempo de su conducción va a depender
de cuánto de cada semiciclo resta por conducir.
Esta propiedad permite que el SCR se use como
control de potencia en circuitos de corriente
alterna
 LA SEGUNDA MODALIDAD DE DISPARO
Polarizamos la compuerta del SCR con una tensión fija, dada por los resistores R1 y
R2. Esta polarización determina la tensión entre el ánodo y cátodo que va a provocar el
disparo.
Así, el SCR va a conectar cuando la tensión alcance el valor previsto y permanecerá en
este estado mientras haya corriente disponible en el circuito.
Esta modalidad puede ser usada para hacer del SCR el elemento activo en un oscilador
de relajación.
TIRISTORES BIDIRECCIONALES
CONTROLADOS POR FASE (BCTs)
 BCT
 El BTC es un nuevo concepto de control de
fase de alta potencia
 Es un dispositivo único, que combina las
ventajas de tener dos tiristores en un paquete,
lo que permite diseñar un equipo mas
compacto al simplificar el sistema de
enfriamiento y aumentar la confiabilidad del
sistema.
 Los BCT permiten a los diseñadores
satisfacer demandas mas exigentes en cuanto
a tamaño, integración, confiabilidad y costos
del producto terminado.
 Son adecuados para
aplicaciones como
compensadores estáticos de
volt-amperes reactivos (VAR),
interruptores estáticos,
arrancados suaves y
propulsores de motores.

• El comportamiento eléctrico de un BCT

corresponde al de dos tiristores en anti
paralelo, integrados en una oblea de
Sicilio como muestra.
 ENCENDIDO Y APAGADO.

 Un BCT tiene dos compuertas: una

para activar la corriente en sentido
directo y una para la corriente en
sentido inverso.
 Este tiristor se enciende con la
aplicación de una corriente pulsante
a una de sus compuertas.
 Se apaga si la corriente del ánodo
cae por debajo de la corriente de
retención debido al comportamiento
natural del voltaje o de la corriente.
Tiristores Asimétricos
de Conmutación Rápida
(ASCRs)
 TIRISTOR ASCR

 Se utiliza en aplicaciones de alta

velocidad de conmutación con
conmutación forzada.
 Tienen un tiempo de apagado rápido,
por lo general en el rango de 5 a 50
us, dependiendo del rango de
voltaje.
 La caída en sentido directo en estado
de encendido varia aproximadamente
como una función inversa del tiempo
de apagado tq.
 Este tipo de tiristor también se
conoce como tiristor inversor.
Rectificadores controlados
de silicio activados por luz
(LASCR)
 LASCR

 Rectificador controlado de silicio

fotoactivo (LASCR). Dispositivo
semiconductor de cuatro capas que
opera esencialmente como el SCR
normal, solamente que es activado
por medio de energía luminosa que
incide sobre una de las junturas PN.
Cuando la luz incidente es
suficientemente intensa, el LASCR se
dispara y permanece en ese estado,
aunque desaparezca esa luz.
 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

 Este dispositivo se activa mediante radiación

directa de luz sobre el disco de silicio. Los
pares electrón-hueco que se crean debido a
la radiación producen la corriente de disparo
bajo la influencia de un campo eléctrico. La
estructura de compuerta se diseña a fin de
proporcionar la suficiente sensibilidad para el
disparo, a partir de fuentes luminosas
prácticas (por ejemplo, LED y para cumplir
con altas capacidades de di/dt y dv/dt). En
un circuito puede ser reconocido por la
simbología que muestra la figura I. Como se
observa el mismo cuenta con tres terminales
Puerta (G), Anodo (A), Cátodo (K) y una
ventana transparente por donde entra la luz.
CURVA CARACTERÍSTICA
 CARACTERÍSTICAS

 La especificación de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a

1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt
típico es 250 A/ms y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/ms. La frecuencia
de conmutación es de hasta 2kHz, estos tiristores normalmente disponen de
conexiones especiales para ser disparados con fibra óptica. Un LASCR ofrece
total aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de
conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto
como unos cuantos cientos de kilovoltios.
 APLICACIONES
 Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto
voltaje y corriente, por ejemplo, transmisión de
cd de alto voltaje (HVDC) y compensación de
potencia reactiva estática o de volt-amperes
reactivos (VAR). Un LASCR ofrece total
aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo
luminoso y el dispositivo de conmutación de un
convertidor de potencia, que flota a un
potencial tan alto como unos cuantos cientos
de kilovoltios.
EQUIPOS EN LOS QUE SE USA

 Alarmas antirrobo
 Detectores de presencia en puertas y ascensores
 Circuitos de control óptico en general
 Relevadores
 Control de fase
 Control de motores
 Y una variedad de aplicaciones en computadoras.
Circuito Aspecto
TIRISTORES DE TRIODO
BIDIRECCIONALES (TRIACS)
 TRIAC’S
 El TRIAC, otro miembro de la familia de los Tiristores, puede ser considerado
como un componente obtenido por la conexión de dos SCRs en oposición,
teniendo en común un electrodo de disparo (Gate), según el lector de la figura

Por supuesto, en el proceso de fabricación,

los dos dispositivos se obtienen a partir de
una sola pastilla de silicio, como se muestra
en la figura 
Cada uno de los "SCRs" que forman el Triac ya tiene su funcionamiento conocido, por lo
que podemos imaginar este componente como algo así como una "llave bilateral", que
conduce la corriente en ambas direcciones, por lo tanto, y que puede ser disparado por
una señal aplicada a su elemento de compuerta.
La curva característica del Triac se muestra en la figura. Nótese que equivale a dos
SCRs en oposición a la característica del primer cuadrante "rebatida" para el tercero.

La importancia de las diversas tensiones y

corrientes que aparecen en esta tabla se
explicará en el ítem "Especificaciones".
El Triac se utiliza en circuitos de corriente
alterna (sólo) conectados en serie con la
carga, como se puede ver en la figura 
Para dispararlo debemos aplicar una tensión positiva o negativa en su compuerta, lo que
permite hacer su disparo en los circuitos de corriente alterna en cualquiera de los ciclos.
La tensión de disparo para este componente es del orden de 2 V, y las corrientes típicas
en el rango de 10 mA a la 200 mA se encuentran, dependiendo de la potencia del
componente.
Los Triacs pueden ser activados desde 4 modos diferentes, los cuales deben ser
observados en sus aplicaciones:

Modo I+: en este modo el terminal MT2 será positivo con respecto a MT1, y la corriente
de la puerta tiene tal sentido, que entra en el componente, es decir, Puerta Positiva.

Modo I-: en este modo el terminal MT2 es positivo con relación a MT1, y la corriente de la
puerta sale del componente, esto es, tenemos una puerta polarizada negativamente.

Modo III+: en este modo el borne MT2 es negativo en relación con el MT1 y la puerta
positiva, es decir, con la corriente entrando en el componente.

Modo III-: en este modo tenemos el terminal negativo MT2 con relación al MT1 y
aplicamos un pulso negativo al terminal de disparo.
Modos de disparo Triac’s
 ESPECIFICACIONES
De la misma manera que en el caso de los SCRs, necesitamos conocer las principales especificaciones de los
Triacs para poder utilizarlos convenientemente.
Las principales especificaciones que debemos observar para los Triacs son:

Tensión de funcionamiento máximo (VDRM)

Esta característica se refiere a la tensión máxima que puede aparecer entre los terminales de un Triac cuando está
apagado. Para los tipos comunes puede variar entre 50 o 100 V hasta más de 1 000 V.
Podemos especificar esta tensión también en términos de pico, para pulsos a corta duración, de modo que en los
manuales aparezcan las condiciones en las que el valor es válido.
En la mayoría de los casos, sin embargo, el valor se refiere al pico de una tensión sinusoidal, ya que la aplicación
principal del componente es precisamente en los circuitos conectados a la red local.
Corriente máxima IT (RMS)
Vea que el valor indicado ya tiene la especificación de que se trata de una corriente RMS, es decir, el valor efectivo
de la corriente alterna, ya que el componente normalmente funcionará en circuitos de corriente alterna.
Corriente de disparo IGt
Tenemos aquí la indicación de la sensibilidad de componente al disparo, y esta corriente se especifica en términos
de miliampères.
También es importante conocer la intensidad máxima de la corriente que podemos aplicar en la compuerta del Triac
sin peligro de quemarlo, ya que en muchas aplicaciones se utilizan dispositivos especiales para este fin.
Circuitos prácticos
El Triac es un dispositivo indicado para la operación directa en la red de corriente alterna. En las aplicaciones
básicas, la carga se conecta en serie con el componente en el lado MT2 (terminal principal 2)
 APLICACIONES DEL TRIAC

  El triac es fácil de usar y ofrece ventajas de coste sobre el uso de dos tiristores para
muchas aplicaciones de baja potencia. Cuando se necesitan potencias superiores,
casi siempre se utilizan dos tiristores colocados en "anti-paralelo".

 Son múltiples los usos del triac, pero por citar algunos:
 Para reguladores de luz.
 Para controles de velocidad de un ventilador eléctrico.
 Para el controles de motor pequeños.
 Para el control de pequeños electrodomésticos.
 Para el control de temperatura, control de iluminación, control de nivel de líquido, los
circuitos de control de fase, interruptores de potencia, etc.

 Estas son algunas de sus principales aplicaciones.

 TIRISTOR VS TRIAC
Mientras que el tiristor solo puede
controlar la corriente en uno de los dos
ciclos de una onda de corriente alterna
(onda senoidal, el positivo o el
negativo) el triac puede controlar la
corriente en los dos ciclos de la onda. En
definitiva podemos usar el triac en el ciclo
completo de la onda senoidal de corriente
alterna.

 El tiristor solo puede controlar una de

las dos ondas, en la otra no hay
corriente (onda negativa), y el Triac
puede controlar el estado en las dos
ondas (+ y -).
TIRISTORES DE
CONDUCCIÓN INVERSA
(RCTS)
En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a través de un SCR
para permitir un flujo de corriente inverso debido a la carga inductiva, y para mejorar el
requerimiento de apagado del circuito de conmutación. El diodo fija el voltaje de bloqueo del
SCR a 1 o 2 V en condiciones de estado estable. Sin embargo, en condiciones Transitorias el
voltaje inverso puede llegar a 30 V debido al Voltaje inducido en inductancia parásita del circuito
en el interior del dispositivo.

Un RCT es un intercambio entre características del dispositivo y requisitos del circuito; puede
considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se muestra en la
figura siguiente. Un RCT se conoce también como tiristor asimétrico (ASCR). El voltaje de bloqueo
directo varía de 400 a 2000v y la especificación de corriente llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo
inverso es típicamente 30 a 40v. Dado que para un dispositivo determinado está preestablecida la
relación entre la corriente directa a través de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus
aplicaciones se limitarán a diseños de circuitos específicos.
TIRISTORES APAGADOS
POR COMPUERTA (GTOS)
 GTO

 Es un dispositivo de electrónica de potencia que puede

ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en
la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor
normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un
pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos
estados, tanto el estado de encendido como el estado
de apagado, son controlados por la corriente en la
puerta (G).
CURVA CARACTERISTICA DEL GTO
 CARACTERISTICAS

 El disparo se realiza mediante una VGK >0

 El bloqueo se realiza con una VGK < 0.

 La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los

circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR.

 La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor

por lo que el generador debe estar mas dimensionado.

 El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.

 FUNCIONAMIENTO

 Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse

mediante la aplicación de una señal positiva de compuerta.
Sin embargo, se puede desactivar mediante una señal
negativa de compuerta.

 Un GTO es un dispositivo de enganche y se construir con

especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un
SCR. Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso
positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo
corto.
 ENCENDIDO DE UN GTO

 Al igual que ocurre con un tiristor convencional, para llevar a cabo el

encendido de un GTO es necesario aplicar una determinada corriente
entrante por la puerta. Sin embargo, en el encendido de un GTO la
corriente máxima por la puerta IGM y la velocidad de variación de dicha
corriente al principio de la conducción deben ser lo suficientemente
grandes como para asegurar que la corriente circula por todas las islas
cátodo (figura 6.4. Si esto no fuese así y sólo algunas islas cátodo
condujeran, la densidad de corriente en estas islas sería tan elevada
que el excesivo calentamiento en zonas localizadas podría provocar la
destrucción del dispositivo.
 APAGADO
 Al comenzar a circular corriente positiva por la puerta,
la corriente de ánodo a cátodo se concentra en las
zonas situadas entre los terminales de puerta,
aumentando la densidad de corriente en estas zonas.
 De esta forma, el GTO no comienza a apagarse hasta
que la corriente de ánodo a cátodo ha quedado
reducida a pequeños filamentos entre los terminales de
puerta. Entonces la tensión vAK, hasta entonces muy
pequeña al estar el GTO en funcionamiento, comienza
a aumentar. Como la gran densidad de corriente que
circula por estos pequeños filamentos podría ocasionar
su destrucción, se utiliza un condensador snubber en
paralelo con el GTO, que ofrece a la corriente un
camino alternativo por donde circular. Así, cuando
vAK comienza a aumentar el condensador comienza a
cargarse, por lo que parte de la corriente que circulaba
por el GTO lo hace ahora por el condensador.
TIRISTORES
CONTROLADOS POR FET
(FET- CTHs)
 Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en
paralelo, tal y como se muestra en la figura siguiente. Si a la
compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente,
típicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo
para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutación, un di/dt
alto y un dv/dt alto

 Este dispositivo se puede activar como los tiristores

convencionales, pero no se puede desactivar mediante control
de compuerta. Esto serviría en aplicaciones en las que un
disparo óptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un
aislamiento eléctrico entre la señal de entrada o de control y el
dispositivo de conmutación del convertidor de potencia.
TIRISTORES DE
APAGADO POR MOS
(MTOs)
 MTO

 Es una combinación entre un GTO y un

MOSFET, proporciona la misma
funcionalidad del GTO pero usa un control
de compuerta que debe suministrar solo
el voltaje de nivel de señal necesario para
encender y apagar los transistores.
 ENCENDIDO

 Enciende aplicando un pulso de corriente a la compuerta

de encendido este pulso enciende el transistor npn que a
su ves enciende al transistor pnp y retiene al MTO.
 APAGADO

 Para apagar el MTO se aplica un pulso de voltaje en la

compuerta MOSFET al encenderse esta se pone en corto
en emisor y la base del transistor npn deteniendo así el
proceso de retención.
 VENTAJAS DESVENTAJAS

 Parecidas a las de los GTO  Parecidas a las de

excepto que se puede los GTO, tiene una
encender por la compuerta larga cola de
normal y apagar por la corriente durante
compuerta de MOSFET. el apagado.
 FRECUENCIA
Intermedia 5kHz.

 VOLTAJE
10 kV
20 MVA
4.5 kV
500 A

 CORRIENTE
4kA
20MVA
Tiristor de apagado por
emisor ETOs
Emitter turn-off
 CONCEPTO


Es un dispositivo hibrido de MOS y GTO, fue
inventado en el Virginia Power Electronics Center.

 Contiene dos compuertas, una normal para encenderla y

con una MOSFET en serie para apagarlo.
DIAGRAMA
 Corriente
Soporta hasta 4KA

Voltaje
Soporta hasta 6KV
Corriente promedio:2600
A;
PIV:2500 V;
Disco de Hockey;
distancia entre caras de
polos:
35 mm;
diámetro:98 mm.
 ESPECIFICACIONES
 Control de compuerta y características
Encendido
Con pulso positivo de corriente a la compuerta de encendido , un
pulso positivo de voltaje al apagado del MOS

Apagado
Con un pulso negativo de voltaje al apagado del MOS
 Frecuencia de conmutación
Intermedia 5KHz

 Ventajas
La corriente de transferencia a la región catódica es rápida
y el apagado es rápido

 Desventajas
Tiene una caída de voltaje al encendido de 0.3 a 0.5 volts
 TIRISTORES
CONMUTADOS POR
COMPUERTA INTEGRADA
(IGCTs)
 IGCT

 Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada

o simplemente Tiristor IGCT (del inglés
Integrated Gate - Commutated Thyristor) es
un dispositivo semiconductor empleado en
electrónica de potencia para conmutar
corriente eléctrica en equipos industriales.
 ENCENDIDO Y APAGADO

 el encendido se realiza  se apaga con una

aplicando una corriente tarjeta de circuito
de encendido a su impreso multicapa
compuerta de compuerta que
aplica un pulso
 VENTAJAS

 Bajas pérdidas de conmutación

 Reducción de tamaño de los circuitos auxiliares

 Mejores precios de componentes y sistemas

 APLICACIONES

 Se utiliza en motores de media tensión

 Interconexiones de redes eléctricas

 Compensadores estáticos
Tiristores conmutados
por MOS (MCTs)
 MCTs

 El tiristor controlado por mosfet es una mejora

sobre un tiristor con un par de MOSFET para
encender y apagar actual.
 El MCT por sus siglas en inglés supera varias de
las limitaciones de los dispositivos existentes de
poder y promete ser un cambio mejor para el
futuro. Si bien hay varios dispositivos en la familia
MCT con distintas combinaciones de canales y
estructuras de la puerta.
 ENCENDIDO Y APAGADO
 Cuando el MCT está en estado de bloqueo directo, que puede ser activado
mediante la aplicación de un pulso negativo a su puerta con respecto al
ánodo. El impulso negativo se convierte en el PMOSFET (On-FET), cuya
fuga de corriente a través de la unión base-emisor de Q1 (PNP) con lo que
la enciende. La acción regenerativa en Q1 Q2 ÿ convierte la conducción en
MCT on completo dentro de un tiempo muy corto y la mantiene incluso
después del pulso de entrada se elimina.
 El MCT se enciende sin una fase plasmaspreading dando una alta
capacidad de dI = dt y la facilidad de protección contra la sobretensión. La
resistencia en estado de MCT es ligeramente superior a la de un tiristor
equivalente debido a la degradación de la eficiencia de la inyección de N?
emisor = p-base de la unión. Además, la corriente de pico MCT es mucho
más alto que el promedio o calificación de la corriente eficaz. MCT se
mantendrá en el estado ON hasta que la corriente se invierte el dispositivo
o un pulso a su vez-off se aplica a su puerta.
 .
 La aplicación de un impulso positivo a su puerta se apaga la
realización de un MCT. El impulso positivo se convierte en el
NMOSFET (Off-FET), desviando así la base de Q2 (PNP)
hacia el ánodo de la MCT y la ruptura del enganche de la
acción SCR. Esto evita que la realimentación en el SCR y
apaga la MCT.
 Todas las células dentro del dispositivo se apaga al mismo
tiempo para evitar un súbito aumento en la densidad de
corriente. Cuando el FET Off-están activados, la sección de
SCR es muy corto y esto se traduce en una alta dV dt =
calificación de la MCT. La corriente más alta que se puede
apagar con la aplicación de un sesgo de la puerta se
llama controlable corriente máxima. 
 El MCT se puede controlar la puerta si el actual dispositivo es
menor que el actual máximo controlable. Para corrientes de
dispositivo más pequeño, el ancho del pulso de apagado no es
crítico. Sin embargo, para las grandes corrientes, el pulso de la
puerta tiene que ser más amplia y más a menudo tiene que
ocupará la totalidad del tiempo de parada del interruptor
 CARACTERISTICAS

 Una baja caída de voltaje directo durante la conducción.

 Un tiempo de activado rápido, típicamente 0.4m s, y un tiempo de
desactivado rápido, típicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500V.
 Bajas perdidas de conmutación.
 Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
 Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho
los circuitos de excitación. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo,
para interrumpir corrientes altas, con sólo modestas reducciones en la
especificación de corriente del dispositivo. No se puede excitar
fácilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una
polarización continua a fin de evitar ambigüedad de estado.
 APLICACIONES
 El MCT se han utilizado en varias aplicaciones, algunas de
las cuales se encuentran en la zona de ac-dc y la conversión
de corriente alterna-alterna, donde la entrada es de 60 Hz de
corriente alterna. Funcionamiento variable del factor de
potencia se logró mediante el MCT como una fuerza
conmutado de interruptor de alimentación.
 El circuito de potencia de un controlador de voltaje de
corriente alterna capaz de operar a una de las principales,
por detrás, y el factor de potencia se muestra en la
Ilustración 3. Debido a la frecuencia de conmutación es baja,
las pérdidas de conmutación son insignificantes. Debido a la
caída directa es baja, las pérdidas de conducción son
también pequeñas. La MCT también se utiliza en los
interruptores. Comparación de los MCT con otros
dispositivos de potencia.
 Comparación de los MCT con otros
dispositivos
 MCT se puede comparar con un MOSFET de potencia,
un BJT de potencia, y un IGBT de tensiones similares y
corrientes.
 El funcionamiento de los dispositivos se compara con el
estado, estado desactivado, y en condiciones transitorias.
La comparación es simple y muy completa. La densidad
de corriente de un MCT es 70% superior a la de un IGBT
con la misma corriente total.
 Durante su Estado, el MCT tiene una caída de
conducción más baja en comparación con otros
dispositivos. Esto se atribuye a la reducción de tamaño de
las células y la ausencia de cortos emisor presente en el
SCR dentro del MCT.
 TIRISTORES DE
INDUCCIÓN ESTÁTICA
(SITHs)
 SITH

 Es un tipo de tiristor el cual tiene la posibilidad de

activarse con un voltaje positivo de compuerta y una de
sus principales característica es su baja resistencia en
estado activo.
 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

 Por lo general, un SITH es activado al aplicarle un voltaje

positivo de compuerta, como los tiristores normales, y
desactivado al aplicarle un voltaje negativo a su compuerta.
 Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como
consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo
así como una baja caída de potencial, y se puede abarcar con
especificaciones de voltaje y corriente más altas.
 CARACTERISTICAS

 Un SITH tiene velocidades de conmutación muy rápidas y

capacidades altas de dv/dt y di/dt.
 El tiempo de conmutación es del orden de 1 a 6 ms.
 La especificación de voltaje puede alcanzar hasta 2500 V y
la de corriente está limitada a 500 A.
 Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso
de fabricación, por lo que pequeñas variaciones en el
proceso de manufactura pueden producir cambios de
importancia en sus características
 TIRISTOR BIPOLAR DE
PUERTA AISLADA (IGBTs)
 IGBT
 Es un dispositivo versátil para trabajar en estas dos áreas de
la electrónica por sus grandes manejos de corriente y el
pequeñísimo voltaje de saturación que normalmente maneja
un transistor bipolar y al igual que el transistor de efecto de
campo FET, en la puerta o gate tiene las mismas
características. La forma de conducción de corriente es
similar a la de un transistor JFET.
 De acuerdo a lo mencionado anteriormente, se puede decir
que el transistor BJT y el JFET se fusionan y logran crear
el IGBT, sin duda un poderoso componente electrónico.
 Con un IGBT se han podido lograr grandes cosas: desde
diseñar y fabricar dispositivos de control y variación hasta
sistemas de optimización y generación de energía. Dentro
de los dispositivos de control podemos clasificar
perfectamente a los variadores de velocidad y frecuencia,
que sin duda en la industria son muy importantes y
necesarios para controlar la velocidad en bombas de
impulsión y motores industriales como elementos finales de
control o plantas, y también tenemos a las UPS o bancos
de baterías que lo que hacen es proporcionarnos voltajes
con muy buenas capacidades de corriente en caso de
cortes de suministro eléctrico y de esta manera nos
permitan trabajar de forma ininterrumpida.
 FABRICANTES

 Dentro de los fabricantes de estos versátiles dispositivos

tenemos como destacados a MITSUBISHI, FAIRCHILD
SEMICONDUCTOR, IXYS, INFINEON TECHNOLOGIES,
STMICROELECTRONICS, ya llevan varios años en el
mercado mundial distribuyendo este tipo de componentes.
 CARACTERISTICAS PRINCIPALES DE LOS
TIRISTORES IGBT

 Dentro de sus características más importantes destacamos su rapidez al

momento de efectuar una conmutación. Aproximadamente 100khz y
sustituto del transistor BJT en muchas de las aplicaciones. Usado
altamente en fuentes conmutadas, control de tracción de motores, y en las
famosas cocinas de inducción. Recuerden aquellas parrillas vitro-cerámicas
que calientan recipientes metálicos usando campos electromagnéticos en
vez de calentar mediante inducción a resistencias de fogones.
 El IGBT se considera un transistor Darlington híbrido.  Tiene muy buena
capacidad de manejo de corriente, pero no requiere corriente de base para
entrar en conducción. Utilizado para conmutación de sistemas de alta
tensión. El voltaje de compuerta o gate de excitación es de 15 volts, pero
tiene la poderosa ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una
señal eléctrica muy débil en el gate.
 COMPOSICION INTERNA
 La sección transversal de silicio de un IGBT, es muy similar a la de
un MOSFET, exceptuando el sustrato p+. sin embargo, el comportamiento
de este dispositivo es muy similar al de un BJT que al de un
transistor MOSFET. Lo anterior se debe básicamente al sustrato p+ que es
el responsable por decirlo así de la inyección de portadores minoritarios en
la región n.
TABLA COMPARATIVA DE LOS IGBT CON OTROS
TRANSISTORES
 CURVA CARACTERÍSTICA DE LOS IGBT

 La curva característica de un IGBT es muy similar a la

de un transistor bipolar.
 
Dentro de las regiones de trabajo de un IGBT tenemos la
zona de avalancha, saturación, corte.
 
 Los IGBT pueden ser NPN O PNP solo puede cambiar
la corriente en dirección hacia adelante es decir del
colector a emisor, a diferencia de los MOSFET que
tienen capacidades de conducción de corriente en
forma bidireccional. Controladas hacia adelante e
incontrolables hacia atrás. Se puede implementar
un PWM de alto voltaje control de velocidad, fuentes de
alimentación conmutadas, y conversores
de CC a CA empleando energía solar que operan en el
rango de KHZ.