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    Transistores Mosfet

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    Jeisson Rubio
    El MOSFET (transistor de efecto de campo metálico-óxido-semiconductor) es un transistor de efecto de campo con tres terminales (puerta, drenaje y fuente) que se utiliza comúnmente en circuitos digitales. Funciona controlando el flujo de corriente entre drenaje y fuente mediante la aplicación de un voltaje a la puerta. Existen dos tipos principales: de empobrecimiento y de enriquecimiento. Los MOSFET se usan ampliamente en circuitos integrados debido a su bajo consumo, pequeño tamaño

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    El MOSFET (transistor de efecto de campo metálico-óxido-semiconductor) es un transistor de efecto de campo con tres terminales (puerta, drenaje y fuente) que se utiliza comúnmente en circuitos digitales. Funciona controlando el flujo de corriente entre drenaje y fuente mediante la aplicación de un voltaje a la puerta. Existen dos tipos principales: de empobrecimiento y de enriquecimiento. Los MOSFET se usan ampliamente en circuitos integrados debido a su bajo consumo, pequeño tamaño

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    TRANSISTORES MOSFET

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    El MOSFET (transistor de efecto de campo metálico-óxido-semiconductor) es un transistor de efecto de campo con tres terminales (puerta, drenaje y fuente) que se utiliza comúnmente en circuitos digitales. Funciona controlando el flujo de corriente entre drenaje y fuente mediante la aplicación de un voltaje a la puerta. Existen dos tipos principales: de empobrecimiento y de enriquecimiento. Los MOSFET se usan ampliamente en circuitos integrados debido a su bajo consumo, pequeño tamaño

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    El MOSFET (transistor de efecto de campo metálico-óxido-semiconductor) es un transistor de efecto de campo con tres terminales (puerta, drenaje y fuente) que se utiliza comúnmente en circuitos digitales. Funciona controlando el flujo de corriente entre drenaje y fuente mediante la aplicación de un voltaje a la puerta. Existen dos tipos principales: de empobrecimiento y de enriquecimiento. Los MOSFET se usan ampliamente en circuitos integrados debido a su bajo consumo, pequeño tamaño

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    TRANSISTORES MOSFET

    Jeisson Rubio Silva


    Circuitos electrónicos II
    Universidad El Bosque
    ¿Qué es ?
    El nombre MOSFET significa transistor de efecto de campo semiconductor de
    oxido metálico. Los MOSFET poseen también 3 terminales: Gate, Drain y Source
    (compuerta, drenaje y fuente). A su vez, se subdividen en 2 tipos, los MOSFET
    canal N y los canal P.
    Construcción básica
     Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento.
    Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de
    operación. La construcción básica del MOSFET tipo empobrecimiento de canal n se
    muestra a continuación:
    Construcción básica
     MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO
     En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la Puerta y el substrato
    induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al efecto de campo
    Curva característica del MOSFET
    La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de
    operación diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un
    transistor MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: región
    de corte, región óhmica y región de saturación.
    Aplicaciones
     La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
    consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones de
    MOSFET discretos más comunes son:
    • Resistencia controlada por tensión.
    • Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
    • Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
     La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados PMOS, NMOS y
    CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de campo con respecto a
    los transistores bipolares:
    • Consumo en modo estático muy bajo.
    • Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
    • Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
    • Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de
    entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta se expresa en nanoamperios.
    • Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, lo que conlleva a un
    ahorro de superficie.
    Mosfet en DRENAJE-COMUN
    Ejemplo
      A partir de los siguientes valores: k =(), VGSQ = 6.4 V e IDQ 2.75 mA.
     a. Determine gm.
     b. Encuentre rd.
     c. Calcule Zi con y sin rd. Compare los resultados.
     d. Encuentre Zo con y sin rd. Compare los resultados.
     e. Encuentre Av con y sin rd. Compare los resultados.

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