INTERRUPTOR UNILATERAL DE
SILICIO
Este dispositivo presenta cuatro capas de materiales
semiconductores; en el ánodo se tiene la terminal de
compuerta y un diodo Zener de bajo voltaje entre los
terminales de compuerta y cátodo. Por esta razón, muchas
veces es representado como un tiristor de puerta de ánodo
al que se asocia el Zener.
COMPORTAMIENTO
Curva de comportamiento de la corriente en términos del voltaje.
EFECTO DE LA COMPUERTA
• Si aplicamos una diferencia de potencial entre la compuerta y el cátodo se puede modificar
considerablemente la curva de operación del SUS. Una de las formas más clásicas de hacer
esto es mediante un diodo zener, entre la compuerta y el cátodo. De esta forma, el voltaje de
Disparo (Vs) queda definido por:
• Vs = Vz + 0.6 V
• De lo observado hasta ahora podríamos decir que el SUS es similar al UJT, sin embargo, el
SUS se dispara a una tensión determinada por el diodo zener, y su corriente Is (corriente de
activación) resulta mayor y muy cercana a IH (corriente de mantenimiento). Estos Datos
limitan la frecuencia de trabajo del elemento para valores altos y bajos.
DISPARADOR DE TIRISTORES EN GENERAL
Circuito RC con SUS para disparar un Tiristor. R1 Carga C hasta Vs, luego C se descarga por
él SUS, creando un pulso en R2, hasta que I se hace menor de IH.
En este circuito se controla el
TRIAC mediante los disparos del
DISPARADOR DE TRIAC
SUS, que a su vez son
controlados por R1, R2 y C1
• Control de SCR DISPARO DE SCR
HOJA DE DATOS
A continuación, se presentan los criterios relevantes que podemos encontrar en datasheets de
SUS, los valores mostrados son para la familia 2N4987, 2N4989, 2N4989 y 2N4990.
• Tensión de disparo Vs = 6 a 10V
• Corriente en el momento de disparo Is= 0.5 mA
• Tensión de Manteamiento VH = aproximadamente 0.7 a 25º C
• Corriente de mantenimiento IH = 1.5 mA Max
• Tensión Inversa VR = 30V
• Pico de los impulsos V0=3.5 V min