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    1.2 Ventajas y Desventajas

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    Este documento describe las ventajas y desventajas de diferentes dispositivos de potencia como diodos, tiristores, transistores bipolares de potencia, MOSFET y IGBT. Los diodos permiten el flujo de corriente en una sola dirección y soportan altas tensiones inversas, mientras que los tiristores como SCR y TRIAC funcionan como interruptores controlados. Los transistores bipolares y MOSFET son controlados por corriente y tensión respectivamente, y el IGBT combina características de ambos. Cada dispositivo tiene

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    1.2 Ventajas y Desventajas

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    Este documento describe las ventajas y desventajas de diferentes dispositivos de potencia como diodos, tiristores, transistores bipolares de potencia, MOSFET y IGBT. Los diodos permiten el flujo de corriente en una sola dirección y soportan altas tensiones inversas, mientras que los tiristores como SCR y TRIAC funcionan como interruptores controlados. Los transistores bipolares y MOSFET son controlados por corriente y tensión respectivamente, y el IGBT combina características de ambos. Cada dispositivo tiene

    Descripción original:

    Electronica industrial

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    1.

    2 Ventajas y Desventajas

    DIODO DE POTENCIA
    Elemento que permite el flujo de corriente en un solo

    sentido.
    Permite mayores corrientes
    Soporta voltajes inversos elevados
    Funcionan como interruptores en una sola direccin
    Diferentes clases de diodos dependiendo sus tiempos
    de recuperacin

    DIODO DE POTENCIA
    VENTAJAS
    Alta tensiones de ruptura
    Corrientes elevadas de conduccin
    Dependiendo la aplicacin existe una gran gama de

    diodos

    DIODO DE POTENCIA
    DESVENTAJAS
    Existen tiempos de transicin o tambin llamados de

    recuperacin (pequeos o altos) y estos dependen


    del tipo de diodo que estemos utilizando

    Tiristores
    Semiconductor que trabaja en estado de

    conmutacin (ON-OFF)
    Dependiendo la aplicacin se clasifican en :

    SCR
    TRIAC

    GTO

    SCR
    Es un tipo de tiristor que trabaja en ON-OFF en forma unidireccional en el

    semiciclo positivo (180 grados) que controla altas potencias


    Soporta altas tensiones inversas
    Permite circulacin de altas corrientes
    Contiene un pin ms que el diodo de seal llamado gate o compuerta que permite el
    control del SCR
    Para conducir necesita polarizacin directa y que exista un disparo en el gate o
    compuerta
    Para que deje de conducir la corriente tiene que disminuir mas all del valor
    mnimo de mantenimiento
    Diferentes tipos de disparo

    Tensin excesiva
    Impulso de puerta
    Derivada de tensin
    Temperatura
    Luz

    SCR
    VENTAJAS
    Soporta altas tensiones inversas
    Disparo por corriente
    No es complejo el circuito de mando

    SCR
    DESVENTAJAS
    Altas prdidas en conmutacin

    TRIAC
    Tiristor que funciona en ambas direcciones (360

    grados)
    Conexin de dos diodos en paralelo
    Fcilmente trabaja en corriente

    TRIAC
    VENTAJAS
    Fcilmente trabaja en corriente alterna
    Puede encenderlo tanto con corrientes positivas

    como negativas

    TRIAC
    DESVENTAJAS
    Trabaja en baja frecuencia y baja tensin

    GTO
    Es un tipo de tiristor que tiene la capacidad de

    bloquear externamente
    Alcanzan grandes corrientes en el orden de los KA y
    voltajes en el orden de los KV
    Mecanismo de disparo similar al del SCR
    Un GTO puede no tener la capacidad de bloquear
    tensiones inversas
    Es mas caro que un SCR
    Rango de tensiones y corrientes son ms pequeos
    con respecto al SCR

    GTO
    VENTAJAS
    Alcanzan grandes corrientes en el orden de los KA y

    voltajes en el orden de los KV

    GTO
    DESVENTAJAS
    Altas prdidas en conmutacin
    Alta complejidad del circuito de mando
    Es mas caro que un SCR

    Transistor Bipolar de Potencia


    Es un transistor de potencia que funciona como

    interruptor controlado por corriente


    Fciles de controlar por el terminal de base
    Poca ganancia con v/i grandes
    Baja cada de tensin en saturacin
    Solo interesa hacerlos funcionar en 2 estados corte y
    saturacin
    Utiliza para frecuencias y potencias medias
    Bastante econmicos

    Transistor Bipolar de Potencia


    VENTAJAS
    Baja cada de tensin en saturacin
    Bastante econmicos
    Fciles de controlar por el terminal de base

    Transistor Bipolar de Potencia


    DESVENTAJAS
    Poca ganancia con v/i grandes
    Alta complejidad del circuito de mando

    MOSFET
    Transistores controlados por tensin
    Facilidad de control gracias al aislamiento de la

    puerta
    Existen de canal n y p. Los n son los ms comunes
    Los de canal n presentan menores perdidas y mayor
    velocidad de conmutacin
    Potencia que se puede manejar es bastante reducida
    Resistencia en conduccin varia mucho con la
    temperatura

    MOSFET
    VENTAJAS
    Los de canal n presentan menores perdidas y mayor

    velocidad de conmutacin
    Muy bajas prdidas en conmutacin

    MOSFET
    DESVENTAJAS
    Potencia que se puede manejar es bastante reducida
    Resistencia en conduccin varia mucho con la

    temperatura

    IGBT
    Transistor hibrido que aprovecha caractersticas del

    MOSFET
    Funciona a centenas de Khz en componentes para
    corrientes en el orden de las decenas de amperios
    Soporta tensiones elevadas
    El control es similar al de los MOSFET
    La velocidad de trabajo no es tan elevada como la de los
    MOSFETs
    El accionamiento se hace por tensin
    Alta impedancia de entrada
    Bajas perdidas de conduccin en estado activo

    IGBT
    VENTAJAS
    Tiene muy baja complejidad de circuito
    Alta impedancia de entrada
    Bajas perdidas de conduccin en estado activo

    IGBT
    DESVENTAJAS
    Baja potencia del circuito de mando
    Altas perdidas en conmutacion

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