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    Diodo Tunel

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    Oliver Perez
    El diodo túnel fue inventado en 1958 y aprovecha el efecto túnel cuántico para conducir corriente a bajos voltajes. Funciona mediante una unión P-N altamente dopada que permite el paso de electrones entre las bandas de conducción a través del efecto túnel. Presenta una resistencia negativa a ciertos voltajes de polarización directa, lo que permite su uso como amplificador, oscilador o biestable. Tiene aplicaciones en microondas y alta velocidad, aunque su reproducibilidad y coeficiente

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    El diodo túnel fue inventado en 1958 y aprovecha el efecto túnel cuántico para conducir corriente a bajos voltajes. Funciona mediante una unión P-N altamente dopada que permite el paso de electrones entre las bandas de conducción a través del efecto túnel. Presenta una resistencia negativa a ciertos voltajes de polarización directa, lo que permite su uso como amplificador, oscilador o biestable. Tiene aplicaciones en microondas y alta velocidad, aunque su reproducibilidad y coeficiente

    Descripción original:

    semiconductores

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    El diodo túnel fue inventado en 1958 y aprovecha el efecto túnel cuántico para conducir corriente a bajos voltajes. Funciona mediante una unión P-N altamente dopada que permite el paso de electrones entre las bandas de conducción a través del efecto túnel. Presenta una resistencia negativa a ciertos voltajes de polarización directa, lo que permite su uso como amplificador, oscilador o biestable. Tiene aplicaciones en microondas y alta velocidad, aunque su reproducibilidad y coeficiente

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    El diodo túnel fue inventado en 1958 y aprovecha el efecto túnel cuántico para conducir corriente a bajos voltajes. Funciona mediante una unión P-N altamente dopada que permite el paso de electrones entre las bandas de conducción a través del efecto túnel. Presenta una resistencia negativa a ciertos voltajes de polarización directa, lo que permite su uso como amplificador, oscilador o biestable. Tiene aplicaciones en microondas y alta velocidad, aunque su reproducibilidad y coeficiente

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    DIODO TUNEL

    Diodo tnel

    INSTITUTO TECNOLOGICO DE NUEVO LAREDO


    DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA, ELECTRNICA Y MECATRNICA
    Ingeniera Electrnica
    Fsica de semiconductores

    DIODO TUNEL

    Profesor: Ing. Cesar Contreras Faz

    Presenta
    David Josu Martnez Muoz
    Oliverio Prez Francisco

    Uzziel Abisai Rodriguez Muoz

    Octubre 2014

    Un poco de historia
    Fue inventado en agosto de 1958 por Leo Esaki (
    )cuando estaba con Tokio Tsushin Kogyo, ahora conocido
    como Sony.
    En 1973 recibi el Premio Nobel de Fsica , junto con Brian
    Josephson, para descubrir el efecto tnel del
    electrn utilizado en estos diodos.

    Efecto tnel.

    Principio de operacin.
    Esta compuesto por una unin P-N,
    fuertemente impurificado (dopados); se trata
    de 10^26 /cm^3 a 10^27/cm^3, por lo que el
    lado N puede ocupar el fondo de la banda de
    conduccin y del mismo modo del lado P y
    producir el paso de electrones entre ambos
    lados que se le denomina efecto tnel.
    Entonces el efecto tnel a poco voltaje
    empieza a conducir corriente, aumenta el
    voltaje a un estado mayor y en un
    determinado punto disminuye, esto es
    debido a que el fondo de la banda de
    conduccin suele sobre pasar el borde de la
    banda de valencia.

    En esta regin de voltajes, disminuyen los


    estados ocupados de la banda de
    conduccin, que dan lugar a menos paso a
    la banda de valencia y por lo tanto la
    intensidad de corriente disminuye (zona de
    resistencia negativa).

    Esto seguir as segn aumenta el voltaje,


    disminuirn ms la corriente tnel hasta
    llegar a una determinado punto
    denominado valle. Por lo que en un
    determinado punto de aumento de voltaje
    de nuevo predominar el efecto tnel
    entonces la intensidad de corriente
    aumentara conforme al voltaje siguiendo la
    ley del diodo.

    Diodo Tnel

    Aplicaciones
    Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado
    intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
    disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como
    amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo
    de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente
    libres de los efectos de la radiacin.
    amplificador
    oscilador
    biestable

    Ventajas y desventajas
    Ventajas

    Desventajas

    Muy alta velocidad: La alta velocidad


    de operacin significa que el diodo
    tnel se puede utilizar para
    aplicaciones de RF de microondas.

    Reproducibilidad: No ha sido posible


    hacer que el diodo de efecto tnel
    como con el rendimiento reproducible
    de los niveles a menudo necesarios.

    Longevidad: Se han realizado estudios


    del diodo tnel y su rendimiento se ha
    demostrado que permanecer estable
    durante largos perodos de tiempo,
    donde
    otros
    dispositivos
    semiconductores
    pueden
    tener
    degradados.

    Baja de pico a valle coeficiente de


    liquidez:
    La regin de resistencia
    negativa y el pico de corriente de valle
    no es tan alto como a menudo se
    requiere para producir los niveles de
    rendimiento que se pueden lograr con
    otros dispositivos.

    Hoja de especificaciones

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