1 Sensores de PH
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A. SENSORES ELECTROQUMICOS
Son aquellos que utilizan dispositivos que transducen la actividad qumica del in de hidrgeno en una seal elctrica.
Como cualquier celda electroqumica, entre los electrodos se genera una diferencia de potencial segn la ecuacin de Nernst, que es lo que efectivamente se mide y que est relacionada directamente con la medida de pH de la solucin
Donde: R es la constante de los gases y vale 8,31 OK- 1 mol -1, T es la temperatura en K, F es la constante de Faraday que vale 96485 C y E0 es una constante que agrupa una serie de potenciales: en primer lugar el valor del voltaje de referencia, pero tambin otros que aparecen en la pila y que escapan al alcance de este trabajo. Sin embargo se quiere mencionar que estos potenciales varan con el tiempo y es lo que provoca que se requiera una calibracin peridica. Asimismo E0 depende de la temperatura.
TIPOS
El sensor de pH de vidrio Su uso est ampliamente generalizado y sus resultados ampliamente validados, al punto que el patrn de la medida de pH se basa en un electrodo de vidrio. El electrodo entra en contacto con el analito a travs de una membrana de vidrio sensible al in hidrgeno. Las caractersticas de esta membrana hacen que el sensor tenga una resistencia de salida muy grande (decenas o centenas de M W) y sea necesario mantenerlo hmedo. Logran una precisin muy buena (0,01) y tienen tiempos de vidas relativamente cortos (1 ao). Los costos varan entre 30 y 300 dlares.
Los electrodos de estado slido Consisten en metales cuya superficie est recubierta parcialmente por una capa de xido del mismo metal. Entre ellos, el ms utilizado es el electrodo de antimonio. Es resistente, adecuado para el registro continuo y operaciones de control. Su intervalo de utilizacin es de pH 2 a 8. Otros electrodos metal-xido metlico bastante utilizados son los de teluro, tungsteno, y molibdeno.
CARACTERISTICAS
Como la caracterstica pH-Voltaje va variando con el tiempo es necesario calibrar, y por lo tanto suspender el estudio, para mantener las medidas dentro de un precisin aceptable. Los ISE requieren calibracin y limpieza peridica. Para mantener una precisan de 0,1 unidades de pH es necesario calibrar semanalmente.
La regin entre la fuente y el drenaje es normalmente un aislante. Basado en el potencial aplicado a la compuerta, este resistor se hace continuamente conductivo a las cargas (potenciales), causando una carga equivalente (pero opuesta) del lado del semiconductor. Si se aplica una diferencia de potencial, se genera una corriente entre la fuente y el drenaje. Esta corriente es directamente proporcional a la carga en la compuerta
FUNCIONAMIENTO
La estructura fsica de un MOSFET se muestra en la figura 1. En este caso, el sustrato es silicio dopado tipo p y tanto la fuente S como el drenador D estn formados por silicio tipo n fuertemente dopado. La puerta es un metal que al ser polarizado respecto al sustrato crea un campo elctrico que polariza a su vez al xido e incrementa la densidad de portadores minoritarios n en la regin que separa a S y D (canal de inversin) permitiendo el paso de la corriente desde la fuente al drenador IDS.
El conjunto de ecuaciones que describen los parmetros de un MOSFET. La corriente fuente-drenador en la zona lineal (antes de la saturacin) est dada por:
Vlida para VDS < VGSVTh, donde COX es la capacitancia de la capa de xido cuyas dimensiones son W y L: es la movilidad de los portadores minoritarios en el canal de inversin; y VTh es el voltaje umbral, que se define como el mnimo potencial que forma un canal de inversin con los portadores minoritarios y a partir del cual se establece la corriente IDS, su valor es,
Donde Qi es la carga en la zona de inversin, QD es la carga en la zona de agotamiento. FB se origina por la separacin entre la energa de Fermi intrnseca Ei y su desplazamiento como consecuencia del dopaje EF, NA y ni representan las densidades de aceptores y de portadores intrnsecos respectivamente y q la carga elemental.
El potencial de banda plana VFB es uno de los parmetros ms importantes que definen la juntura entre las fases metal-oxido-semiconductor. Fsicamente describe la condicin en la cual no hay distribucin de carga en la puerta y por lo tanto no hay campo elctrico polarizante. Su valor est en funcin de la diferencia entre las funciones de trabajo del metal y el semiconductor representados por FM y FS respectivamente,
En el caso del semiconductor, la funcin trabajo involucra la afinidad electrnica adems de los parmetros conocidos,
A. Principio de Funcionamiento
El ISFET fue propuesto por primera vez en 1970. Su principio de operacin es similar al de transistor MOS. A diferencia de este, el ISFET no posee una compuerta metlica y el dielctrico de esta misma regin se expone directamente al analito. Es decir, utilizan como principio de medida la modulacin del canal del transistor mediante la diferencia de tensin que se establece entre el analito y la puerta del dispositivo. La tensin de salida del transistor es funcin del pH de la disolucin.
En el caso del ISFET, el puerto es reemplazado por el analito y la capa de SiO2 entra en contacto directo con el analito. La parte metlica del electrodo de referencia puede ser considerada con la puerta del MOSFET (ver figura 3b). En los ISFETs, la corriente ID fluye a travs del canal. Como en los MOSFET la resistencia del canal depende del campo elctrico perpendicular a la direccin de la corriente. Tambin depende del voltaje a travs de la capa de SiO2. Por lo tanto la corriente ID, depende del potencial de interfaz que se desarrolla entre el xido y el analito.
El SiO2, utilizado como aislante en la construccin del MOSFET, no es la mejor eleccin cuando se trata de ISFET ya que parte de su funcionamiento depende de la respuesta del SiO2 al pH; en este caso se utilizan Al2O3, Si3N4 y Ta2O5 cuyas propiedades qumicas en lo que a ello refiere resultan ms convenientes.
B. Principales Caractersticas
El sensor de ISFET en contraposicin con el de vidrio es mucho ms chico (algunos pocos mm2).
Son sensibles a la luz. Este fenmeno est vinculado a la ausencia de un metal sobre el dielctrico de la puerta del ISFET, y tambin, al hecho de que a la hora de encapsularlo se deja al descubierto tanto parte de las difusiones como la puerta selectiva a iones que est en contacto con la solucin a analizar. Los ISFETs presentan una inestabilidad trmica que se traslada a las medidas. Generalmente es necesario que el sensor funcione a temperatura constante para lograr resultados confiables. Uno de los problemas importantes que afectan a los ISFETs es el de la deriva temporal de la seal de respuesta. Si bien se han realizado trabajos para estimarla y corregirla sigue siendo un problema abierto.
B. SENSORES OPTICOS
Estos sensores se basan en "indicadores pticos" de pH que cambian sus propiedades pticas en funcin del analito. Dependiendo de la propiedad ptica que cambia, los sensores pueden clasificarse en: sensores de absorbancia o luminiscencia. En los sensores de absorbancia la relacin entre intensidad de la luz incidente y la luz reflejada estn en directa relacin con el valor del pH de la muestra. En los sensores de luminiscencia la dependencia con el pH viene dada por el cambio en la longitud de onda entre la luz incidente y la reflejada.
Los sensores que funcionan por absorbancia se rigen por la ley de Lambert-Beer, que establece una relacin de proporcionalidad directa entre la concentracin de sustancia absorbente y la cantidad de luz absorbida por sta, para una determinada longitud de onda:
Donde A es la absorbancia de la muestra (adimensionado), IT e I0 son los flujos fotonicos transmitido e incidente, respectivamente, l es el paso ptico (espesor atravesado por el haz de luz, en cm), c es la concentracin de la sustancia absorbente (en mol.L-1) y es el coeficiente de absorcin molar, caracterstico para cada longitud de onda (en mol -1.L cm -1)
B. Principales Caractersticas
Los sensores de fibra ptica no requieren seal de referencia, esto aumenta la estabilidad de la medida y reduce los costos de fabricacin. La utilizacin de fibras pticas de baja prdida como guas de luz posibilita la medida a grandes distancias. Adems, pueden transmitir mucha ms informacin que los cables elctricos, debido a su mayor ancho de banda. La flexibilidad de las guas de luz, junto a la separacin fsica que estas introducen entre el terminal sensible y el transductor y el hecho de que soportan medios hostiles como la presencia de radiaciones electromagnticas o ionizantes, condiciones extremas de temperatura o el ataque de cidos o bases presentes en las muestras, posibilitan la utilizacin de los optrodos en multitud de procesos industriales. A pesar de las ventajas que poseen los sensores pticos, para poder optimizar un mtodo basado en este tipo de medidas es necesario tener en cuenta una serie de factores limitantes. La seal ptica detectada por el equipo de medida debe proceder nica y exclusivamente del indicador. Por este motivo, debe evitarse la exposicin del terminal sensible a la luz ambiente, o bien modular la seal procedente del indicador con objeto de poder diferenciarla de la luz externa.
La exposicin durante horas del sensor a fuentes de luz puede provocar la foto degradacin de los indicadores. Por otro lado, estos se encuentran generalmente inmovilizados en membranas o soportes polimricos en los que, en algunas ocasiones, puede producirse lavado. Los avances introducidos en el campo de los sensores pticos han subsanado estos dos inconvenientes introduciendo nuevos mtodos de medida en los que la cantidad de analito presente en la muestra no depende de la cantidad de indicador inmovilizado en el terminal sensible. En algunos casos pueden presentar tiempos de respuesta elevados. Una de las principales desventajas que presentan los optrodos, es que no miden actividad, sino concentracin, siendo por ello su seal analtica fuertemente dependiente de la fuerza inica del medio