Unidad 1 Respuesta en Alta y Baja Frecuencia Con Amp. BJT y FET

INTEGRANTES:
AQUINO MRQUEZ SAGRARIO SINAI DE JESS BARRIENTOS MARTNEZ ARACELY JIMNEZ MARTNEZ FABIOLA ELIZABETH RAMREZ ARMENTA LUIS RUZ RAMREZ JOEL VALTIERRA DURN ORIN
INSTITUTO TECNOLGICO DE MINATITLN
La amplificacin es el proceso de aumentar el nivel o fuerza de una seal. sta puede quedar definida como la relacin entre la seal de entrada y la seal de salida expresada en tensin, corriente o potencia. El amplificador es un dispositivo o circuito diseado para amplificar una determinada seal de entrada hasta que alcance un nivel de salida predeterminado. Es oportuno en este momento la necesidad estudiar linealidad en los amplificadores. Cuando se amplifica una seal, debe tenerse cuidado para que la informacin contenida en la seal no sea cambiada y no se introduzca ninguna informacin nueva.
Analgica II Unidad 1: Amplificadores de baja, media y alta frecuencia con BJT y FET
V. M.C.D.
Un amplificador que conserva los detalles de la onda de seal esta caracterizado por la relacin: [1.0.1] Los amplificadores de voltaje son aquellos cuyo propsito es hacer ms grande la magnitud de la seal. Por otro lado existe otro tipo de amplificador, esto es, el amplificador de potencia. stos pueden dar slo una pequea cantidad de ganancia de voltaje pero una considerable ganancia en corriente.
V. M.C.D.
Es obvio que el amplificador de seales es una red de dos puertos; su funcin est representada por el smbolo de la figura 1.0.2 (a), una situacin ms comn se ilustra en la figura 1.0.2 (b).
Figura 1.0.2 (a) Smbolo de circuito para amplificador. (b) Un amplificador con terminal comn(tierra) entre los puertos de entrada y salida.
V. M.C.D.
La expresin de la ganancia o atenuacin de un amplificador por medio de magnitudes de entrada y de salida resulta a veces inconveniente. Los clculos referidos a circuitos se vuelven muy engorrosos cuando se utilizan factores de
amplificacin y el uso de decibelios simplifica muchas de estas operaciones.
El logaritmo, en una base dada, es el exponente al cual se debe elevar la base para obtener el nmero. Es la funcin matemtica inversa de la funcin exponencial: [1.1.1] Siendo a la base, x el nmero e y el logaritmo.
V. M.C.D.
Fundamentalmente los decibelios expresan una relacin de variacin de potencia en trminos logartmicos. La expresin en decibelios aplicada a un dispositivo electrnico,
como un amplificador o una antena, indica la ganancia desde la entrada a la salida de

seal. Esta relacin viene expresada por la frmula:
(si lo que se comparan son potencias)
[1.1.2]
(si lo que se comparan son voltajes)
[1.1.3]
GdB es la ganancia en decibelios potencia de la seal de salida en vatios potencia de la seal de entrada en vatios voltaje de la seal de salida en volts voltaje de la seal de entrada en volts
Analgica II Unidad 1: Amplificadores de baja, media y alta frecuencia con BJT y FET V. M.C.D.
EJERCICIO La potencia de entrada de un dispositivo es de 10000 W para un voltaje de 1000 V. La potencia de salida es de 500 W, mientras la impedancia de salida es de 20 . Encuentre la ganancia de potencia en decibeles. Encuentre la ganancia de voltaje en decibeles.
Solucin:
a)
b)
V. M.C.D.
La respuesta en baja frecuencia de los circuitos amplificadores depende de los capacitores o condensadores externos utilizados para acoplar y desacoplar. La respuesta en alta frecuencia depende de las capacitancias internas del transistor, y de las capacitancias del alambrado y dems.
En la figura se observa el comportamiento para una red RC en alta frecuencia y en baja frecuencia, donde en baja dicha frecuencia se considera como nula.
Figura 1.0.3 a) Red RC , b) Circuito equivalente a altas frecuencias, c) Circuito equivalente del circuito anterior a bajas frecuencias (f=0)
Para el anlisis de respuesta a baja frecuencia se emplear la configuracin del BJT a divisor de voltaje, pero los resultados pueden aplicarse a cualquier configuracin BJT: solo ser necesario encontrar la resistencia equivalente adecuada para la combinacin R-C. Para el circuito de la figura 1.1.1 los capacitores , y determinaran la respuesta a baja frecuencia.
Vcc: Voltaje de alimentacin Vs: Voltaje de fuente de seal a baja frecuencia Cs: Capacitor de la fuente Rs: Resistencia de la fuente Zi: Impedancia de entrada R1 y R2: Resistencias del divisor de voltaje Rc: Resistencia de colector Cc: Capacitor de colector Re: Resistencia de emisor Ce: Capacitor de emisor RL: Resistencia de carga Vo: Voltaje de salida Figura 1.1.1 Amplificador BJT con capacitores que afectan la respuesta a baja frecuencia.
Capacitor de la fuente Cs
Debido a que Cs esta conectado casi siempre entre la fuente Aplicada y el dispositivo activo, la forma general de la configuracin R-C se establece por el circuito de la figura 1.1.2.
Figura 1.1.2 Determinacin del efecto de Cs en la respuesta en baja frecuencia.
La resistencia total es ahora Rs+Ri y la frecuencia de corte es: [1.1.4] Donde Ri es la impedancia de entrada y es la frecuencia de corte de la fuente
V. M.C.D.
A frecuencias medias o altas, la reactancia del capacitor ser lo suficientemente pequea para permitir una aproximacin de corto circuito para el elemento. El voltaje Vi estar relacionado a Vs por: [1.1.5]
A el voltaje Vi ser el 70.7% del valor determinado por la ecuacin anterior, suponiendo que Cs es el nico elemento capacitivo que controla la respuesta a baja frecuencia.
Para el circuito de la figura 1.1.1, cuando analizamos los efectos de Cs debemos suponer que y estn realizando su funcin de diseo o el anlisis ser muy difcil de controlar; es decir, que la magnitud de las reactancias de y permite emplear un equivalente de corto circuito, para la seal, en comparacin con la magnitud de las otras impedancias en serie.
V. M.C.D.
Usando esta hiptesis, el circuito equivalente de AC para la seccin de entrada de la figura 1.1.1 aparecer como se muestra en la figura 1.1.3.
Figura 1.1.3. Equivalente en AC para Cs.
El valor de Ri para la ecuacin 1.5 se determina mediante: [1.1.6]
El voltaje Vi aplicado a la entrada del dispositivo activo puede calcularse si se usa la regla de divisor de voltaje:
[1.1.7]
V. M.C.D.
Capacitor de colector Cc
Ya que el capacitor de acoplamiento esta conectado con frecuencia entre la salida del dispositivo activo y la carga aplicada, la configuracin R-C que determina la frecuencia de corte debida a Cc aparece en la figura 1.1.4. A partir de la figura 1.1.4 la resistencia en serie total es ahora Ro + RL, y la frecuencia de corte debida a Cc se determina por: [1.1.8]
Donde Ro es la resistencia o impedancia de salida
Si se ignora los efectos de Cs y CE, el voltaje de salida Vo ser el 70.7% de su valor de banda media a . Para el circuito de la figura 1.1.1, el circuito equivalente de AC para la seccin de salida con Vi=0 V aparece en la figura 1.1.5. El valor resultante para Ro en la ecuacin 5 es simplemente:
Figura 1.1.4.Determinacin del efecto de Cc en la respuesta en baja frecuencia.
[1.1.9]
V. M.C.D.
Figura 1.1.5. Equivalente en AC para Cc con Vi=0 V.
Capacitor de emisor CE Para determinar debe obtenerse el circuito visto por CE como se muestra en la figura 1.1.6. Una vez que se establece el nivel de Re, la frecuencia de corte debida a CE puede determinarse con la siguiente ecuacin:
[1.1.10]
Figura 1.1.6. Determinacin del efecto de CE en la respuesta en baja frecuencia.
Para el circuito de la figura 1.1.1 el equivalente de AC que se observa CE aparece en la figura 1.1.7. El valor Re se determina por tanto. [1.1.11] donde [1.1.12]
: Ganancia re: resistencia de la red equivalente de entrada
Figura 1.1.7. Equivalente en AC para CE.
V. M.C.D.
EJERCICIO 1.A: Determine la frecuencia de corte para el circuito de la figura A, usando los siguientes parmetros:
Figura A. Amplificador BJT

Solucin: Determinar
para las condiciones de dc:
El resultado es:
Con
Por tanto,
V. M.C.D.
Cs:
La frecuencia de corte es:
V. M.C.D.
En el extremo de alta frecuencia, se encuentran dos factores que definirn el punto de -3dB: la capacitancia de circuito(parsita e introducida) y la dependencia en frecuencia de . Parmetros de la red En la regin de alta frecuencia el circuito RC tiene la configuracin que aparece en la figura 1.1.8. Si las frecuencias son cada vez ms altas, la reactancia disminuir en magnitud, y dar como resultado un efecto de corto a la salida; por lo mismo, disminuirn la ganancia. La derivacin que lleva a la frecuencia de esquina para esta configuracin RC sigue lneas similares a las que se localizan en la regin de baja frecuencia. La diferencia ms significativa est en la forma general de , que aparece a continuacin:
[1.1.13]
Figura 1.1.8. Combinacin R-C que definir una alta frecuencia de corte.
Que resultar una grfica de magnitud como lo muestra en la figura 1.1.9 y que tiene una cada de 6 dB/octava con la frecuencia en aumento. Obsrvese que est en el denominador de la relacin de frecuencia, en lugar que en el numerador como sucede con en la siguiente ecuacin: [1.1.14]
Figura 1.1.9 Grfica asinttica, como lo define de la ecuacin primera.

En la figura 1.1.10 las diversas capacitancias parsitas ( del transistor se incluyeron con las capacitancias del alambrado introducidas durante la construccin. En la figura 1.1.10 aparece el modelo equivalente de alta frecuencia para el circuito de la figura 1.1.1. Ntese la ausencia de los capacitores que se suponen, que estn en estado de corto circuito en estas frecuencias.
Figura 1.1.10. Red de la figura 1.1.1 con los capacitores que afectan la respuesta en alta frecuencia. .
Figura 1.1.11. Modelo equivalente de AC para alta frecuencia para la red de la figura 1.1.10
La capacitancia incluye la capacitancia del alambrado de entrada, la capacitancia de transicin y la capacitancia Miller . La capacitancia incluye la capacitancia del alambrado de salida , la capacitancia parsita y la capacitancia Miller de salida
La determinacin del circuito equivalente Thvenin para los circuitos de entrada y salida de la figura 1.1.11 resultaran las configuraciones de la figura 1.1.12. Para el circuito de entrada de la frecuencia de -3dB se define por: [1.1.15]
Figura 1.1.12. Circuitos de Thvenin para las redes de entrada y salida de la red de la figura 1.1.11.
Con: Y:
[1.1.16] [1.1.17]
A muy altas frecuencias, el efecto de reduce la impedancia total de la combinacin en paralelo de en la figura 1.1.11. el resultado es un nivel reducido de voltaje a travs de , una reduccin en y una ganancia para el sistema. Para la red de salida, [1.1.18]
V. M.C.D.
Con:
[1.1.19]
Y: [1.1.20]
A muy altas frecuencias, la reactancia capacitiva de disminuir y, por consecuencia, se reducir la impedancia total de las ramas en paralelo de salida de la figura 1.1.10. El resultado neto es de tambin declinar hacia cero conforme la reactancia sea cada vez ms pequea. Cada una de las frecuencias definen una asntota de 6dB/octava, como se muestra en la figura 1.1.9. Si los capacitores parsitos fueran los nicos elementos que determinara la alta frecuencia de corte, la frecuencia ms baja podra ser el factor determinante. Sin embargo, la disminucin de con la frecuencia tambin debe considerarse para ver si su frecuencia de corte es menor que la de .
V. M.C.D.
Figura 1.1.13. Circuito equivalente de AC Giacoletto (o hbrido) de transistor en alta frecuencia y pequea seal.
Las resistencias son las que se encuentras entre las terminales indicadas cuando el dispositivo est en la regin activa. Lo mismo se aplica para las capacitancias aunque la primera es una capacitancia de transicin y la ltima es de difusin. Una explicacin ms detallada de la dependencia de la frecuencia sobre cada uno puede encontrarse en varios textos fcilmente disponible. En trminos de estos parmetros
[1.1.21]
(que aparece a veces como
)=
V. M.C.D.
EJERCICIO 1.B Para la red de la figura B mediante el uso de los siguientes parmetros:
Figura B Amplificador BJT

a) Determine b) Encuentre y
y .
Solucin
Considere que:
a) Entonces
V. M.C.D.
= b)
V. M.C.D.
Figura 1.1.13 Elementos capacitivos que afectan a baja frecuencia de un amplificador JFET
V. M.C.D.
[1.1.22]
[1.1.23]
Figura 1.1.14 Determinacin del efecto de CG sobre la respuesta a baja frecuencia.

Figura 1.1.15 Determinacin del efecto de CC en la respuesta a baja frecuencia.

V. M.C.D.
EJERCICIO 1.C Determine la frecuencia de corte inferior para el circuito de la figura C con los siguientes parmetros:
Solucin
Figura C. Amplificador FET
V. M.C.D.
Figura 1.1.17. Elementos capacitivos que afectan la alta frecuencia de un amplificador FET.
Figura 1.1.18. Circuito equivalente de ac en alta frecuencia de la figura 1.1.17
V. M.C.D.
Las frecuencias de corte definidas por lo circuitos de entrada y salida pueden obtenerse encontrando primero los circuitos Thvenin equivalentes para cada seccin, como se muestra en la figura 1.1.19.
Figura 1.1.19. Los circuitos Thvenin equivalentes para a) el circuito de entrada, b) el circuito de salida.
EJERCICIO 1.D Determine las frecuencias superiores de corte para cada red de la figura D mediante el empleo de los mismos parmetros que en el ejemplo 1.C:
Figura D. Amplificador FET
V. M.C.D.
El transistor bipolar o BJT es un dispositivo semiconductor amplificador de corriente, si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP.
El transistor es un dispositivo de 3 terminales con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.
El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman drenaje (drain), fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate). La regin que existe entre el drenaje y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama canal. La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S). La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET.
Frecuencia de corte.- frecuencia a la cual el transistor aporta una ganancia de 0.707 70% de la ganancia obtenida a la frecuencia base de clculo. En otras
palabras, es la mxima frecuencia que puede trabajar con eficacia una etapa
transistorizada. Capacitancia interelectrdica. Capacitancia que se forma entre alambres de un dispositivo(s). Capacitancia parsita. Capacitancia que se monta en la seal, provocada por
dispositivos externos a la seal de entrada.
V. M.C.D.
Una de las mejores etapas con acoplamiento directo de que se dispone es el amplificador diferencial. El amplificador diferencial es muy utilizado como etapa de entrada de los denominados amplificadores operacionales.
El amplificador diferencial esta compuesto de dos amplificadores de CD de EC acoplados por el emisor, con dos entradas, V1 y V2 , y tres salidas, Vo1 ,Vo2 y Vo . La tercera salida Vo , es la diferencia entre Vo1 y Vo2 .
El amplificador diferencial no opera de manera lineal con seales de entrada grandes.
V. M.C.D.
Una polarizacin estable en un amplificador de un solo transistor requiere que se inserte un resistor de retroalimentacin o un elemento de alta impedancia entre el nodo comn del dispositivo activo y el canal (bus) de alimentacin o tierra.
el nodo comn de un dispositivo se define como la terminal compartida por los lazos de entrada y de salida en el modelo del circuito en pequea seal. Estos esquemas de polarizacin tambin actan para reducir la ganancia del inversor.
Figura 1.3.1 inversor en configuracin de polarizacin por retroalimentacin.
V. M.C.D.
El compromiso entre una polarizacin estable y una ganancia grande de voltaje del inversor se puede lidiar poniendo en paralelo el nodo comn con tierra mediante un
capacitor de desvo.
En esencia un capacitor de derivacin grande, cargado a algn voltaje de polarizacin de CD acta como una batera momentnea, cuyo voltaje solamente puede ser modificado lentamente a lo largo del tiempo.
sin embargo, no es una solucin optima, porque al reducirse la frecuencia aumenta la
impedancia de la derivacin y llega a ser infinita de CD.
V. M.C.D.
Otra forma de derivacin involucra la adicin de un segundo dispositivo activo a la configuracin del inversor. El segundo dispositivo comparte el nodo comn del dispositivo inversor, y esta polarizado en paralelo, mediante una fuente de corriente compartida de CD. El segundo dispositivo activo proporcionar una trayectoria de derivacin de baja impedancia a tierra, requerida para una gran ganancia del inversor.
El dispositivo uno, junto con su elemento en serie, o cambio de carga de nivel lleva a cabo la funcin inversora, en tanto que el dispositivo segunda ejecuta la funcin de derivacin.
Figura 1.3.2 Topologa bsica del amplificador diferencial, elaborado a partir de dispositivo de tres terminales.
Un amplificador operacional se puede fabricar a partir de cualquier par de dispositivos de tres terminales, que exhiban un comportamiento de corriente controlada o de voltaje controlado, incluyendo BJT, MOSFET, JFET, entre otros.
V. M.C.D.
Figura 1.3.2 Topologa bsica del amplificador diferencial, elaborado a partir de dispositivo de tres terminales.
Con una relocalizacin sencilla de las terminales de entrada y de salida se puede hacer que el dispositivo 2 funcione como el inversor y el dispositivo 1 como el dispositivo de derivacin.
la respuesta del amplificador depende en una forma muy especial de la relacin entre las dos seales de entrada.
un amplificador diferencial correctamente diseado amplificar la diferencia entre sus seales de entrada en un factor de ganancia y el componente promedio de sus seales de entrada por un factor de ganancia mucho mas pequeo.
Figura 1.3.3 amplificador diferencial excitado por dos seales de entrada simultaneas.
V. M.C.D.
La diferencia entre las seales de entrada V1 y V2 , llamado de modo diferencial de la entrada, se define como
De manera similar el valor promedio, o modo comn, de las seales de entrada queda definido como
Esto permite expresar las seales de entrada reales V1 y V2 como combinaciones lineales de sus modos diferenciales y comn
Estas definiciones de modo diferencial y de modo comn se pueden aplicar a cualesquier dos seales del amplificador.
Si el voltaje Vo2 se designa como segunda salida, las componentes de modo diferencial y modo comn de las seales de salida se convierten en
donde
Si el amplificador no es lineal, las definiciones de modo diferencial y modo comn proporcionarn, a pesar de todo, una forma til de ilustrar el comportamiento del amplificador.
V. M.C.D.
Este circuito esta formado por dos BJT pareados y dos cargas de cambio de nivel resistivas Rc pareadas.
En este circuito, se establece una polarizacin mediante una fuente de corriente constante de cd Ia en la practica, Ia es obtenida a partir de uno o mas transistores.
Figura 1.3.4 amplificador diferencial simple elaborado a partir de transistores de unin bipolar.
Para que este amplificador diferencial trabaje correctamente, sus dispositivos activos debern estar polarizados en la regin activa.
Los conceptos de la amplificacin diferencial tambin pueden ser aplicados a un circuito elaborado a partir de JFET.
el amplificador del JFET se fabrica fcilmente a partir de componentes discretos.
En este circuito se incorpora un par diferencial JFET de canal n pareado Q1 y Q2, cargas de cambio de nivel resistiva RD1 y RD2, y un tercer JFET Q3 que funciona como una fuente de corriente de polarizacin.
Figura 1..3.5 Amplificador diferencial a JFET con una fuente de corriente JFET y cargas resistivas.
A diferencia con los diseos BJT y MOSFET el amplificador tiene propiedades que dependen de las caractersticas del JFET.
La corriente de polarizacin del emisor es
Suponiendo que los transistores estn bien pareados
Dado como resultado un voltaje de colector de
V. M.C.D.
EJEMPLO 1.E
Calcule los voltajes y corrientes del circuito
Datos:
V= 9V Re= 3.3K R1 = 3.9K R2 = 3.9K
Calculando la corriente del emisor
Con el dato anterior podemos calcular la corriente de colector como
Ocupando el valor de la R1 o R2 y la corriente Ic obtenemos el voltaje de colector
V. M.C.D.
Este tipo de circuito amplifica seales dentro de una banda relativamente estrecha de frecuencia, centrada en la frecuencia, o. Se disean para rechazar todas las frecuencias que estn por debajo de una frecuencia de codo inferior fl y por encima de una frecuencia de codo superior fh .
Figura 1.4.1 Respuesta en Frecuencia
V. M.C.D.
Factor de Calidad (Q) del circuito: en trminos generales, el factor de calidad, Q, de un circuito (o elemento de circuito), es una medida de la capacidad que tiene el circuito para almacenar energa durante un ciclo, por oposicin a la energa disipada en el mismo. La ecuacin 1.4.1 lo define como:
[1.4.1]
V. M.C.D.
Con circuitos resonantes en serie Amplificadores sintonizados
Figura 1.4.2 Circuito Resonante en serie.
Con circuitos resonantes en paralelo
Figura 1.4.3 Circuito Resonante en paralelo.
V. M.C.D.
El circuito de la figura 1.4.4 muestra un circuito resonante serie, en donde la resistencia, Rs representa las prdidas asociadas de los elementos reactivos a la frecuencia de inters, y de esta forma la inductancia y la capacitancia se pueden considerar, para fines analticos como ideal o sin prdidas. La fuente de voltaje tambin se considera ideal.
Figura 1.4.4 Circuito Resonante en Serie.
El valor de Q del circuito resonante en serie se obtiene mediante la ecuacin
[1.4.2]
V. M.C.D.
La figura 1.4.5 muestra un circuito RLC resonante simple en paralelo. En donde al igual que en el circuito resonante en serie, Rp representa las prdidas que son ocasionadas por los elementos reactivos, se puede deducir una expresin para la Q del circuito en la resonancia en funcin de, Rp igualando la impedancia terminal Z( jw) en la resonancia para las dos redes de la figura 1.4.5.
Figura 1.4.5 Circuito Resonante en paralelo.
Dando como resultado la ecuacin 1.4.3: [1.4.3]
V. M.C.D.
Una de las caractersticas ms importantes de los amplificadores sintonizados, es el ajuste del ancho de banda, y dado que este depende de la Q del circuito sintonizado, es importante comprender mejor la respuesta en frecuencia, y la relacin entre la Q del circuito sintonizado, y el ancho de banda del amplificador. Como se indica en la figura 1.4.5, la respuesta esta caracterizada por la frecuencia central 0, el ancho de banda B de 3 dB, y la selectividad de falda, que suele medirse como la razn entre el ancho de banda de 30 dB y el ancho de banda de 3dB. En muchas aplicaciones, el ancho de banda de 3dB es menor al 5% de Wo. Esta propiedad de banda angosta hace posibles ciertas aproximaciones que pueden simplificar el proceso de diseo.
Figura 1.4.6 Respuesta en frecuencia del amplificador sintonizado.

Considrese la representacin del amplificador sintonizado de la figura 1.4.7. En donde la carga del amplificador es un circuito resonante en paralelo. La grfica de la figura 1.4.7b representa la respuesta en frecuencia del mismo. La ganancia de voltaje de un amplificador es proporcional a la magnitud de la impedancia de la carga, producindose la mxima ganancia a la frecuencia resonante del circuito sintonizado tal como se muestra en la figura 1.4.7b.
Figura 1.4.7 Amplificador resonante en paralelo y curva de respuesta en frecuencia.
Cuanto ms elevado sea el valor de Q, tanto mas estrecho ser el ancho debanda, es decir, el amplificador tendr mayor selectividad .
El principio bsico que sirve de fundamento al diseo de amplificadores sintonizados es el uso de un circuito paralelo LCR como la carga, o a la entrada, de un amplificador de BJT o un FET. Esto se ilustra en la figura 1.4.8 con un amplificador FET que tiene una carga de circuito sintonizado. Para mayor sencillez, no se incluyen los detalles de polarizacin. Como este circuito utiliza un circuito sintonizado individual, se conoce como amplificador con resonancia a frecuencia nica.
Figura 1.4.8 Amplificador resonante en paralelo con FET.
V. M.C.D.
En la figura 1.4.9 se ilustra el circuito equivalente de amplificador. Aqu, R denota el equivalente paralelo de RL y la resistencia de salida ro del FET, y C es el equivalente paralelo de CL y la capacitancia de salida del FET (por lo general muy pequea).
Figura 1.4.9 Circuito equivalente del Amplificador sintonizado en paralelo con FET.
V. M.C.D.
Del circuito equivalente podemos escribir: [1.4.4]
Entonces la ganancia de voltaje se puede expresar como: [1.4.5]
Que es una funcin de banda pasante de segundo orden. As, el amplificador sintonizado tiene una frecuencia central de :
[1.4.6]
V. M.C.D.
Un ancho de banda de 3 dB de: [1.4.7]
Un factor Q de [1.4.8] Y una ganancia de frecuencia central de: [1.4.9]
Ntese que la expresin para la ganancia de frecuencia central podra haberse escrito por inspeccin; la resonancia, las reactancias de L y C se cancelan y la impedancia del circuito paralelo LCR se reduce a R.
V. M.C.D.
EJEMPLO 1.F
Se requiere disear un amplificador sintonizado del tipo que se muestra en la figura 11.39, con fo= 1Mhz, ancho de banda de 3 dB= 10 KHz, y ganancia de frecuencia central= -10 V/V. el FET disponible tiene en el punto de polarizacin, gm= 5mA/V y ro= 10K. La capacitancia de salida es despreciablemente pequea. Determine los valores de RL, CL y L.
Figura 1.4.9 Amplificador sintonizado en paralelo con FET y circuito equivalente.
V. M.C.D.
SOLUCION:
Ganancia de frecuencia central= -10= -5R. Entonces, R=2K. Como R=RL//ro, entonces RL=2.5K.
V. M.C.D.
Una de las aplicaciones ms comn de estos amplificadores de banda estrecha es en los sistemas de comunicacin, en los cuales la informacin se encuentra contenida en las frecuencias de bandas laterales, a uno o a los dos lados de una frecuencia central o portadora. Para no perder o distorsionar informacin y para evitar las interferencias de canales adyacentes de comunicaciones, se imponen requisitos precisos sobre las caractersticas de respuesta en frecuencia de los amplificadores del sistema.
Figura 1.4.10 Amplificador sintonizado (Radio)
V. M.C.D.
El ruido generado por los componentes pasivos y activos de un amplificador sern en definitiva los limitadores de la capacidad de amplificar un nivel mnimo de seal El problema del ruido se puede caracterizar por el fenmeno fsico al cual est ligado, por lo tanto se lo puede tipificar de la manera siguiente: Ruido Trmico
Ruido de Impacto (Shot Noise)

Ruido de Llameo (Flicker Noise) Ruido Pulsante (Popcorn Noise)
Ruido de Avalancha o de Plasma

Figura1.5.1. Distribucin Gaussiana de ruido

V. M.C.D.
V. M.C.D.
Figura 1.5.3. Ancho de banda equivalente

V. M.C.D.
V. M.C.D.
V. M.C.D.
V. M.C.D.
Este ruido pulsante est originado en imperfecciones del material semiconductor y a los implantes de iones pesados en el dopaje y tambin se lo conoce como ruido de fritura y sus ruidos tienen una presencia aleatoria con frecuencias muy bajas. En transistores de buena factura este ruido es mucho menor porque depende de cuan limpio es el proceso de construccin de los dispositivos.
V. M.C.D.
En las caractersticas de un amplificador, es conveniente estudiar cada uno de los elementos que producen ruido como fuentes de ruido estadsticamente independientes, o sea no correlacionadas entre ellas. Primero consideraremos a un amplificador simple de transistor bipolar con un polo simple cuyo modelo de ruido est esquematizado en la figura 1.5.7.
Figura 1.5.7 Circuito equivalente de ruidos en un amplificador simple

V. M.C.D.
V. M.C.D.
y que junto con la fuente de ruido de la juntura base a emisor nos da el modelo del amplificador sin ruido con las fuentes de ruido equivalente a su entrada como se observa en la figura 1.5.8.
Figura 1.5.8: Modelo equivalente de ruido de amplificador simple
V. M.C.D.

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amplificacin y el uso de decibelios simplifica muchas de estas operaciones.

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como un amplificador o una antena, indica la ganancia desde la entrada a la salida de

(si lo que se comparan son voltajes)

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Figura 1.1.2 Determinacin del efecto de Cs en la respuesta en baja frecuencia.

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Figura 1.1.3. Equivalente en AC para Cs.

El valor de Ri para la ecuacin 1.5 se determina mediante: [1.1.6]

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Donde Ro es la resistencia o impedancia de salida

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Figura 1.1.5. Equivalente en AC para Cc con Vi=0 V.

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: Ganancia re: resistencia de la red equivalente de entrada

Figura 1.1.7. Equivalente en AC para CE.

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Figura A. Amplificador BJT

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para las condiciones de dc:

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La frecuencia de corte es:

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Figura 1.1.9 Grfica asinttica, como lo define de la ecuacin primera.

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(que aparece a veces como

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Figura B Amplificador BJT

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Figura 1.1.14 Determinacin del efecto de CG sobre la respuesta a baja frecuencia.

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Figura 1.1.15 Determinacin del efecto de CC en la respuesta a baja frecuencia.

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Figura C. Amplificador FET

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Figura 1.1.18. Circuito equivalente de ac en alta frecuencia de la figura 1.1.17

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Figura D. Amplificador FET

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