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    Transistores: - Transistores de Juntura Bipolar (BJT) - Transistores de Efecto de Campo (FET)

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    Hecatonquiro Uchiha Raito
    Este documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares de unión y transistores de efecto de campo. Explica las características y operación de los transistores bipolares de unión, incluyendo las configuraciones de base común, emisor común y colector común.

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    Transistores: - Transistores de Juntura Bipolar (BJT) - Transistores de Efecto de Campo (FET)

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    Este documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares de unión y transistores de efecto de campo. Explica las características y operación de los transistores bipolares de unión, incluyendo las configuraciones de base común, emisor común y colector común.

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    TRANSISTORES

    Transistores de juntura bipolar (BJT) Transistores de Efecto de Campo (FET) http://www.espol.edu.ec http://www.fiec.espol.edu.ec

    Transistores Bipolares de Unin(BJT)

    Transistores y Juntura Bipolar

    1947 Laboratorios Bell AT&T Primer transistor 1949 W. Shockley Teoria William Shockley ; John Barden, Walter Brattain. 1951 Fabricacin en serie.

    Transistores Bipolares de Unin


    El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas materiales tipo n y una tipo p o bien de dos capas materiales tipo p y una tipo n
    E p n B p C

    Vee

    Vcc

    E n p B n

    Vee

    Vcc

    BJT
    Se refiere al hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta

    Construccin Bsica del BJT


    El emisor tiene gran cantidad de impurezas. Su funcin es emitir o suministrar los portadores de carga. La base tiene muy pocas impurezas y es muy delgada. La cantidad de impurezas en el colector es menor que en el emisor, pero mayor que en la base. El rea del colector es la mayor de las 3, porque es el colector el que disipa mayor cantidad de calor en el emisor o la base.

    E : Emisor C : Colector B : Base

    Operacin del Transistor

    1.- Polarizacin Directa-Inversa


    Para que el transistor funcione se debe tener una unin pn polarizada inversamente y la otra polarizada
    directamente.

    I = Ic + IB Ic = Ic mayoritarios + Ico Minoritaria


    E

    Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y es Ico (Corriente Ic con la terminal del Emisor Abierta)

    Polarizacin en DC de BJTs
    El nivel DC de un transistor en operacin es controlado por diversos factores incluyendo el rango de pts de operacin posibles. Las siguientes relaciones son importantes para un transistor: Vbe= 0,7V Ie= (B+1)Ib Ic= BIb.

    Ptos de operacin
    Para los amplificadores o transistores, el voltaje y la corriente DC resultantes establecen un pto de operacin sobre las caractersticas que definen una regin que se utilizara para la amplificacin de la seal aplicada, este pto de operacin es pto fijo (PUNTO Q)

    La operacin en las regiones de corte, saturacin y lineal de las caractersticas del BJT se ofrecen de la siguiente manera:

    OPERACION EN LAS REGIONES


    1.

    OPERACIN EN LA REGION LINEAL


    1.

    2.

    Unin base-emisor con polarizacion directa. Unin base-colector con polarizacion indirecta. Unin base-emisor con polarizacion inversa

    2.

    OPERACIN EN LA REGION CORTE


    1.

    3.

    OPERACIN EN LA REGION SATURACION.


    1.

    2.

    Unin base emisor con polarizacion directa Unin base colector con polarizacion directa.

    Configuracin Base Comn


    En base comn, entrada emisor salida colector

    Se llama as porque el terminal de la Base es comn tanto para el circuito de entrada como para el de salida.

    Regin Activa

    Juntura BE directamente BC inversamente Regin de Corte Juntura BE Inversamente BC inversamente Regin de Saturacin Juntura BE directamente BC directamente

    Curva Caracterstica de Entrada para BC en un npn

    El transistor PNP es el complemento del NPN, esto significa que todas las corrientes circulan en sentido contrario y los voltajes son inversos. NPN not pointing in PNP pointing in En base comn, entrada emisor, salida colector OJO En emisor comn, entrada base, salida colector En colector comn, entrada base, salida emisor

    Regin Activa

    Juntura BE directamente BC inversamente Regin de Corte Juntura BE Inversamente BC inversamente Regin de Saturacin Juntura BE directamente BC directamente

    En el modo DC los niveles de Ic e Ie se encuentran relacionados, para niveles prcticos (dispositivos) podran sugerir que:

    =Ic/Ie

    Alfa ()
    En DC Ic e IE se relacionan con .

    Polarizacin DC para BC
    La red de polarizacin DC incluye las fuentes de poder y las resistencias. El propsito de las resistencias es hacer que el resistor opere en la regin determinada de inters, pero adems son parte del circuito total del amplificador.

    Con los grficos de la curva de Salida y Entrada

    IE=1,8 mA IE=1,6vmA IE=1,4 mA

    IE=1,2 mA

    b) Supongamos que Re=0.1K

    VBE

    Supongamos que estamos en el comienzo y cambiamos Rc=10K


    K
    mA

    Si suponemos que Rc es un potencimetro y Rc baja Vcb sube y Q sube

    Especificaciones Mx. Del Transistor

    En los manuales de datos publicados por los fabricantes siempre estn especificados los valores mximos y mnimos permitidos de voltajes y corrientes.
    Ic mx. = 1 A. Vcb mx. = 75 V Pc mx = 7.5 W

    Para una configuracin BC

    Para una configuracin BC


    Ic mx. Se quema Vcb mx cae en la ruptura Pmx. Se quema (por la Temp., calentamiento a largo plazo, daa al transistor porque durar menos de lo que deber).
    Otros parmetros: Ic rango Vce rango

    Configuracin Emisor Comn (EC)


    Entrada por la base Salida por el colector
    IC

    C
    n B IB p n E

    out

    IC I E ICBO I E I B IC IC I B IC ICBO IC (1 ) I B ICBO IC

    + Vcc -

    IE

    1 IB ICBO 1 1
    1 1 I CBO

    IB 0 IC
    + VBB -

    Iceo= Corriente de colector con emisor abierto

    Configuracin de Emisor Comn


    C

    Transistor NPN
    Ic

    B Ib Ie

    Se denomina debido a que el emisor es comn o hace referencia a los terminales tanto de entrada como de salida.

    Configuracin de Emisor Comn


    C

    Transistor PNP
    Ic

    B Ib Ie

    Ambos tipos obedecen a la siguiente ecuacin: Ie= Ic + Ib Ecuacion que relaciona Ic e Ib (beta): B=Ic/Ib.

    Conjunto de caractersticas de salida para EC


    Ic (mA)
    R e g i o n d e S a t u r a c i o n

    IB=30 uA

    Para pnp cambian los signos de VCE

    IB = 20 uA
    Regin Activa IB = 15 uA IB = 10 uA IB = 7 uA ICEO VCEsat Regin de corte
    Vce (v)

    IB = 0

    Conjunto Caracterstica de entrada para EC (npn)


    IB(uA) VCE = 1 V

    VCE = 10 V

    VCE = 20 V

    VBE (V)

    Factor de compensacin para configuracin EC ()

    I C I B IC IB IB IC

    I E IC I B IC

    IC IC 1 1

    IC

    IC

    IC

    IC IE IE IC

    IE IC IE I C ( 1)

    Configuracin de Colector Comn


    Transistor PNP

    En colector comn, entrada base, salida emisor.


    Esta configuracin se la usa sobre todo en propsitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a las configuraciones anteriores.

    Transistor NPN

    Se utiliza para propsitos de acoplamiento de impedancia aunque el transistor esta conectado de manera similar a la configuracin emisor comn. Ie vs. Vec (PNP)curva salida Ie vs. Vce (NPN)curva salida

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