El transistor

Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea.Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarn los bipolares. Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor NPN

Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP

Estructura de un transistor PNP

Veremos mas adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El nombre de estos hace referencia a su construccin como semiconductor. 1. FUNCIONAMIENTO BASICO Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1

Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2). En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE 2. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base - colector inversamente. 3. ZONAS DE TRABAJO CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula.La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector. ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor. La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera: = IC / IB En resumen: Saturacin VCE ~0 Corte ~ VCC Activa Variable

VRC

~ VCC

~0

Variable

IC

Mxima

= ICEO lang=EN-GB~ 0

Variable

IB

Variable

=0

Variable

VBE

~ 0,8v

< 0,7v

~ 0,7v

Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia que disipen, as nos encontramos con que los transistores de pequea seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente son los ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metlica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los que poseen una mayor dimensin siendo el encapsulado enteramente metlico . Esto, favorece, en gran medida, la evacuacin del calor a travs del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).

Transistor, en electrnica, denominacin comn para un grupo de componentes electrnicos utilizados como amplificadores u osciladores en sistemas de comunicaciones, control y computacin (vase Electrnica). Hasta la aparicin del transistor en 1948, todos los desarrollos en el campo de la electrnica dependieron del uso de tubos de vaco termoinicos, amplificadores magnticos, maquinaria rotativa especializada y condensadores especiales, como los amplificadores. El transistor, que es capaz de realizar muchas de las funciones del tubo de vaco en los circuitos electrnicos, es un dispositivo de estado slido consistente en una pequea pieza de material semiconductor, generalmente germanio o silicio, en el que se practican tres o ms conexiones elctricas. Los componentes bsicos del transistor son comparables a los de un tubo de vaco triodo e incluyen el emisor, que corresponde al ctodo caliente de un triodo como fuente de electrones. El transistor fue desarrollado por los fsicos estadounidenses Walter Houser Brattain, John Bardeen y William Bradford Shockley de los Bell Laboratories. Este logro les hizo merecedores del Premio Nobel de Fsica en 1956. Shockley pasa por ser el impulsor y director del programa de investigacin de materiales semiconductores que llev al descubrimiento de este grupo de dispositivos. Sus asociados, Brattain y Bardeen inventaron un importante tipo de transistor. Estructura atmica de los semiconductores Las propiedades elctricas de un material semiconductor vienen determinadas por su estructura atmica. En un cristal puro de germanio o de silicio, los tomos estn unidos entre s en disposicin peridica, formando una rejilla cbica tipo diamante perfectamente regular. Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de los cuales interacta con el electrn del tomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino puro, el material acta como un aislante.

Funcin de las impurezas Los cristales de germanio o de silicio contienen pequeas cantidades de impurezas que conducen la electricidad, incluso a bajas temperaturas. Las impurezas tienen dos efectos dentro del cristal. Las impurezas de fsforo, antimonio o arsnico se denominan impurezas donantes porque aportan un exceso de electrones. Este grupo de elementos tiene cinco electrones de valencia, de los cuales slo cuatro establecen enlaces con los tomos de germanio o silicio. Por lo tanto, cuando se aplica un campo elctrico, los electrones restantes de las impurezas donantes quedan libres para desplazarse a travs del material cristalino. Por el contrario, las impurezas de galio y de indio disponen de slo tres electrones de valencia, es decir, les falta uno para completar la estructura de enlaces interatmicos con el cristal. Estas impurezas se conocen como impurezas receptoras, porque aceptan electrones de tomos vecinos. A su vez, las deficiencias resultantes, o huecos, en la estructura de los tomos vecinos se rellenan con otros electrones y as sucesivamente. Estos huecos se comportan como cargas positivas, como si se movieran en direccin opuesta a la de los electrones cuando se les aplica un voltaje. Semiconductores de tipos n y p Un cristal de germanio o de silicio que contenga tomos de impurezas donantes se llama semiconductor negativo, o tipo n, para indicar la presencia de un exceso de electrones cargados negativamente. El uso de una impureza receptora producir un semiconductor positivo, o tipo p, llamado as por la presencia de huecos cargados positivamente. Un cristal sencillo que contenga dos regiones, una tipo n y otra tipo p, se puede preparar introduciendo las impurezas donantes y receptoras en germanio o silicio fundido en un crisol en diferentes fases de formacin del cristal. El cristal resultante presentar dos regiones diferenciadas de materiales tipo n y tipo p. La franja de contacto entre ambas reas se conoce como unin pn. Tal unin se puede producir tambin colocando una porcin de material de impureza donante en la superficie de un cristal tipo p o bien una porcin de material de impureza receptora sobre un cristal tipo n, y aplicando calor para difundir los tomos de impurezas a travs de la capa exterior. Al aplicar un voltaje desde el exterior, la unin pn acta como un rectificador, permitiendo que la corriente fluya en un solo sentido (vase Rectificacin). Si la regin tipo p se encuentra conectada al terminal positivo de una batera y la regin tipo n al terminal negativo, fluir una corriente intensa a travs del material a lo largo de la unin. Si la batera se conecta al revs, no fluir la corriente.

Funcionamiento del transistor En un transistor se pueden combinar dos uniones para obtener amplificacin. Un tipo, llamado transistor de unin npn, consiste en una capa muy fina de material tipo p entre dos secciones de material tipo n, formando un circuito como el mostrado en la figura 2. El material tipo n a la izquierda del diagrama representa el elemento emisor del transistor, que constituye la fuente de electrones. Para permitir el avance de la corriente a lo largo de la unin np, el emisor tiene un pequeo voltaje negativo con respecto a la capa tipo p, o componente base, que controla el flujo de electrones. El material tipo n en el circuito de salida sirve como elemento colector y tiene un voltaje positivo alto con respecto a la base, para evitar la inversin del flujo de corriente. Los electrones que salen del emisor entran en la base, son atrados hacia el colector cargado positivamente y fluyen a travs del circuito de salida. La impedancia de entrada (la resistencia al paso de corriente) entre el emisor y la base es reducida, mientras que la impedancia de salida entre el colector y la base es elevada. Por lo tanto, pequeos cambios en el voltaje de la base provocan grandes cambios en la cada de voltaje a lo largo de la resistencia del colector, convirtiendo a este tipo de transistor en un eficaz amplificador. Similar al tipo npn en cuanto a su funcionamiento, el transistor de unin pnp dispone tambin de dos uniones y es equivalente al tubo de vaco denominado triodo. Otros tipos con tres uniones, tales como el transistor de unin npnp, proporcionan mayor amplificacin que los transistores de dos uniones. Desarrollos posteriores A finales de la dcada de 1960 una nueva tcnica electrnica, el circuito integrado, comenz a sustituir al transistor en los equipamientos electrnicos complejos. Aunque en trminos generales su tamao era parecido al de un transistor, el circuito integrado realizaba la funcin de quince a veinte transistores. Un desarrollo natural del circuito integrado durante la dcada de 1970 fue la produccin de circuitos con niveles de integracin medio, alto y muy alto, que permitieron la fabricacin de computadoras compactas. El microprocesador, que comenz a utilizarse a mediados de la dcada de 1970, es un refinamiento de la tcnica de alta integracin. Como resultado de una miniaturizacin an ms avanzada, un nico microprocesador puede incorporar las funciones de varias placas de circuito impreso y desarrollar la misma potencia de clculo que la unidad central de proceso de una computadora mucho mayor, pero en una microcomputadora alimentada por bateras que adems cabe en la palma de la mano.