CIRCUITO COMBINACIONAL: Un circuito combinacional, como su nombre lo sugiere es un circuito cuya salida depende solamente de la "combinacin" de sus entradas

en el momento que se est realizando la medida en la salida. La operacin de los circuitos combinacionales se entienden escribiendo las ecuaciones booleanas y sus tablas de verdad. De la definicin se deduce que cada salida en un instante de tiempo determinado, depende exclusivamente de las entradas al circuito en el mismo instante de tiempo, pero no depende de las entradas que hubo en instantes de tiempo anteriores (no tiene "memoria").

CIRCUITO SECUENCIAL: Los circuitos secunciales, de la misma forma que los combinacionales, estn constituidos por puertas lgicas, y como en estos ltimos, la escala de integracin de la mayora de los circuitos disponibles en catalogo es la MSI. Sin embargo, presentan unas caractersticas muy singulares que describiremos a continuacin. A diferencia de los circuitos combinacionales, en los secuenciales, los valores de las salidas en un momento dado no dependen exclusivamente de los valores aplicados en las entradas en ese instante, sino tambin de los que estuviesen presentes con anterioridad.

CODIFICADORES: Son circuitos combinacionales que permiten pasar una informacin en forma decodificada (dgito decimal u octal) a una forma codificada

(BCD o binario). Si nos limitamos a sistemas binarios, el codificador deber tener n salidas si queremos codificar m entradas, siendo m 2n. De esta forma, m informaciones diferentes quedan representadas mediante grupos de n bits, es decir, las lneas de salida generan el cdigo binario correspondiente al valor de entrada. Es un dispositivo que transforma una seal expresada en un cdigo humano a un cdigo binario.

Smbolo de un codificador 74148 con prioridad de 8 lneas a 3 lneas DECODIFICADORES: Realizan la funcin inversa de los codificadores. Partiendo de una informacin codificada de n bits, obtiene la informacin de que se trata. El nmero m de informaciones que se pueden obtener (salidas) debe ser tal que m 2n. Si la informacin codificada de n bits tiene combinaciones no usadas (indiferencias), el decodificador podra tener menos de 2n salidas. Podra definirse como la funcin inversa del anterior. Dispone de n entradas y 2n salidas. Un decodificador es un circuito lgico combinacional, que convierte un cdigo de entrada binario de N bits en M lneas de salida (N puede ser cualquier entero y M es un entero menor o igual a 2n), tales que cada lnea de salida ser activada para una sola de las combinaciones posibles de entrada. MULTIPLEXORES: Son circuitos combinacionales con una estructura de varias entradas y una nica salida de datos. Permiten seleccionar una de las entradas para realizar la transmisin de datos desde dicha entrada a la salida, que es nica. Los demultiplexores realizan la funcin inversa. Un multiplexor es un selector de datos equivalente a un conmutador de "m" entradas y una salida, por lo que tambin recibe el nombre de selector de datos o conmutador electrnico.

Es un distribuidor con varias entradas de datos y nica salida. Un multiplexor 2n:1 es un dispositivo con 2n entradas y una salida. El contenido de una de las entradas pasa a la salida segn el valor de la n entradas de control. El enrutamiento de la entrada de datos hacia la salida est controlado por las entradas de SELECCIN (a las que se hace referencia a veces como las entradas de DIRECCIN).

DEMULTIPLEXORES: Un demultiplexor es un circuito combinacional que realiza la funcin inversa de un multiplexor, es decir, expande un circuito de una sola seal de entrada a varias seales de salida: 2n. La informacin se redirige a una sola salida. La seleccin de la salida especfica es controlada por la combinacin de bits de n lneas de seleccin o control. Es la inversa del multiplexor, con una entrada, 2n salidas y n entradas de control, siendo la salida aplicada por el cdigo igual a la entrada, quedando el resto de salidas en reposo. Un demultiplexor es lo mismo que un decodificador con entrada Enable.

IDENTIFIQUE Y EXPLIQUE LOS FAMILIARES DE CIRCUITO LGICOS: TTL: Lgicas de transistores (Transistor-transistor logic). La familia TTL tiene una lista extensa de funciones digitales y es comnmente la familia lgica ms popular. La familia TTL usa transistores del tipo bipolar por lo que est dentro de las familias lgicas bipolares. Otras propiedades de los TTL son:

-En cualquier Circuito Integrado TTL, todas las entradas son 1 a menos que estn conectadas con alguna seal lgica. -No todas las entradas en un Circuito Integrado TTL se usan en una aplicacin particular. -Se presentan situaciones en que una entrada TTL debe mantenerse normalmente BAJA y luego hecha pasar a ALTA por la actuacin de un suiche mecnico. -Las seales de entrada que manejan circuitos TTL deben tener transiciones relativamente rpidas para una operacin confiable. Si los tiempos de subida o de cada son mayores que 1 s, hay posibilidad de ocurrencia de oscilaciones en la salida.

CMOS: Semiconductor de oxido de metal complementario (Complementary metaloxide semiconductor). La ECL se usa en sistemas que requieren operaciones de alta velocidad. Utilizados por lo general para fabricar memoria RAM y aplicaciones de conmutacin, estos dispositivos se caracterizan por una alta velocidad de acceso y un bajo consumo de electricidad. Pueden resultar daados fcilmente por la electricidad esttica. La lgica CMOS ha emprendido un crecimiento constante en el rea MSI, mayormente a expensas de TTL, con la cual es de directa competencia. El proceso de fabricacin del CMOS es ms simple que TTL y tiene una densidad de empaque mayor, permitiendo por consiguiente ms circuitera en un rea dada y reduciendo el costo por funcin. CMOS usa slo una fraccin de la potencia que se necesita para la serie TTL de baja potencia (74L00) y es as apropiada idealmente para aplicaciones que usan potencia de batera o potencia con batera de respaldo. La velocidad de operacin

de CMOS no es comparable an con las series TTL ms rpidas, pero se espera mejorar en este respecto. Algunas caractersticas ms importantes de esta familia lgica son: -La disipacin de potencia de estado esttico de los circuitos lgicos CMOS es muy baja. -Los niveles lgicos de voltaje CMOS son 0 V para 0 lgico y + VDD para 1 lgico. El suministro + VDD puede estar en el rango 3 V a 15 V para la serie 4000A, por lo que la regulacin de la fuente no es una consideracin seria para CMOS. Cuando se usa CMOS con TTL, el voltaje de la fuente se hace 5 V, siendo los niveles de voltaje de las dos familias los mismos. -La velocidad de conmutacin de la familia CMOS 4000A vara con el voltaje de la fuente. -Todas las entradas CMOS deben estar conectadas a algn nivel de voltaje, preferiblemente tierra o VDD. Entradas no usadas no pueden dejarse flotado (desconectadas), porque estas entradas seran susceptibles al ruido. Estas entradas no usadas pueden tambin ser conectadas a una de las entradas usadas, siempre y cuando no se exceda el fan-out de la fuente de seal. Esto es altamente improbable debido al alto fan-out del CMOS.

ECL: Lgica de acoplamiento de emisor (emitter-coupled logic). La familia ECL no emplea la conmutacin en tensin entre los estados de corte y saturacin (con los retrasos inherentes a la transicin entre ambos) sino que funciona en modo de corriente, haciendo corresponder cada valor booleano con la conduccin de intensidad por una de las ramas del amplificador diferencial.

Identifique y explique las funciones de los niveles de integracin: SSI: significa small scale integration (integracin en pequea escala)y comprende los chips que contienen menos de 13 compuertas. Ejemplos: compuertas y flip flops. Los circuitos integrados SSI se fabrican empleando tecnologas TTL, CMOS y ECL. Los primeros circuitos integrados eran SSI. MSI: significan medium scale integration (integracin en mediana escala), y comprende los chips que contienen de 13 a 100 compuertas. Ejemplos: codificadores, registros, contadores, multiplexores, de codificadores y de multiplexores. Los circuitos integrados MSI se fabrican empleando tecnologas TTL, CMOS, Y ECL. LSI: significa large-scale integration (integracin en alta escala) y comprende los chips que contienen de 100 a 1000 compuertas. Ejemplos: memorias, unidades aritmticas y lgicas (alu's), microprocesadores de 8 y 16 bits. Los circuitos integrados LSI se fabrican principalmente empleando tecnologas i2l, NMOS y PMOS. VLSI: significa very large scale integration (integracin en muy alta escala) y comprende los chips que contienen ms de 1000 compuertas ejemplos: microprocesadores de 32 bits, micro-controladores, sistemas de adquisicin de datos. Los circuitos integrados vsli se fabrican tambin empleando tecnologas TTL, CMOS y PMOS. EXPLIQUE LA TEORA E FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) El transistor de efecto de campo o simplemente FET (Field-Effect- Transistor) es un dispositivo semiconductor de tres terminales muy empleado en circuitos digitales y analgicos. Existen dos tipos de dispositivos MOSFET y JFET (Metal-OxideSemiconductor y Junction FET). Los Fet tienen la particularidad de ser de fabricacin ms simple y de ocupar menos espacio que los BJT. Se pueden encontrar chips de hasta 100.000 MOSFET en su interior. Otra ventaja que tienen los MOSFET es que los resistores y condensadores se suplir con dispositivos MOS, por lo que la fabricacin de circuitos integrados con sta tecnologa se ha difundido

tanto. Especialmente para sistemas integrados de muy gran escala (VLSI). Los JFET tienen la caracterstica de tener muy alta resistencia de entrada y muy bajo ruido por lo que se los emplea en procesamiento de seales. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Simbolos grficos para un FET de canal N

Simbolos grficos para un FET de canal N

Disposicin de las polarizaciones para un FET de canal N. La Figura muestra un esquema que ayudar a comprender el funcionamiento de un FET. En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N. La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta. Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin. Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal. Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.

Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta penetra ms en el interior que con la polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona de estriccin se necesita menos tensin de sumidero. El aumentar la polarizacin negativa permite tener la transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero an inferiores.

El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del canal por parte de la tensin de puerta y, como la unin puertacanal se encuentra siempre polarizada inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta impedancia de entrada. PARAMETROS DEL FET La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs) En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande). El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio. FUNCIONAMIENTO DE JFET El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo de juntura o unin) es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin. Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva V GS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortndose la corriente para tensiones menores que Vp. As, segn el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es tambin negativa) y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en funcin de la VGS vienen dados por una grfica o ecuacin denominada ecuacin de entrada. En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida en el circuito que viene definida por la propia ID y la tensin entre el drenador y la fuente VDS. A la grfica o ecuacin que relaciona ests dos variables se le denomina ecuacin de salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: hmica y saturacin.

Esquema interno del transistor JFET canal P. Ecuaciones del transistor JFET Mediante la grfica de entrada del transistor se pueden deducir las expresiones analticas que permiten analizar matemticamente el funcionamiento de este. As, existen diferentes expresiones para las distintas zonas de funcionamiento. Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la curva de valores lmite de ID viene dada por la expresin:

Siendo la IDSS la ID de saturacin que atraviesa el transistor para VGS = 0, la cual viene dada por la expresin:

Los puntos incluidos en esta curva representan las ID y VGS (punto de trabajo, Q) en zona de saturacin, mientras que los puntos del rea inferior a sta representan la zona hmica. Para |VGS| > |Vp| (zona de corte): ID = 0

Grfica de entrada y de salida de un transistor JFET canal n. Las correspondientes al canal p son el reflejo horizontal de stas. Ecuacin de salida

En la grfica de salida se pueden observar con ms detalle los dos estados en los que el JFET permite el paso de corriente. En un primer momento, la ID va aumentando progresivamente segn lo hace la tensin de salida VDS. Esta curva viene dada por la expresin: expresarse como , siendo: que suele

Por tanto, en esta zona y a efectos de anlisis, el transistor puede ser sustituido por una resistencia de valor Ron, con lo que se observa una relacin entre la ID y la VDS definida por la Ley de Ohm. Esto hace que a esta zona de funcionamiento se le denomina zona hmica. A partir de una determinada VDS la corriente ID deja de aumentar, quedndose fija en un valor al que se denomina ID de saturacin o IDSAT. El valor de VDS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene dado por la expresin: VDS = VGS Vp. Esta IDSAT, caracterstica de cada circuito, puede calcularse mediante la expresin:

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial estn basados en transistores MOSFET. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje:

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Las reas de difusin se denominan fuente (source) y drenador(drain), y el conductor entre ellos es la puerta(gate). El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento: Estado de corte Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador. Tambin se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.

Conduccin lineal Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenado dar lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta. Saturacin Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales. Modelos matemticos

Para un MOSFET de canal inducido tipo n en su regin lineal:

donde en la que b es el ancho del canal, n la movilidad de los electrones, es la permitividad elctrica de la capa de xido, L la longitud del canal y W el espesor de capa de xido.

Cuando el transistor opera en la regin de saturacin, la frmula pasa a ser la siguiente:

Estas frmulas son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET, pero no tienen en cuenta un buen nmero de efectos de segundo orden, como por ejemplo:

Saturacin de velocidad: La relacin entre la tensin de puerta y la corriente de drenador no crece cuadrticamente en transistores de canal corto. Efecto cuerpo: La tensin entre fuente y sustrato modifica la tensin umbral que da lugar al canal de conduccin Modulacin de longitud de canal.

Aplicaciones La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Vase Tecnologa CMOS Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:

Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios. Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

Transistor MOSFET de empobrecimiento canal N.

Transistor MOSFET de empobrecimiento canal P.

Curvas caracterstica y de salida de un transistor MOSFET de deplexin canal n.

Curvas caracterstica y de salida de un transistor MOSFET de acumulacin canal n.