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El documento aborda la simulación de transitorios en circuitos eléctricos utilizando métodos multipaso, destacando la importancia del análisis de transitorios electromagnéticos en sistemas de potencia. Se discuten conceptos fundamentales, desarrollo de estampas de elementos de circuito y la utilización de herramientas de simulación, tanto fuera de línea como en tiempo real. El estudio es crucial para comprender el rendimiento de los sistemas eléctricos y para el diseño de dispositivos de protección contra fenómenos transitorios.

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El documento aborda la simulación de transitorios en circuitos eléctricos utilizando métodos multipaso, destacando la importancia del análisis de transitorios electromagnéticos en sistemas de potencia. Se discuten conceptos fundamentales, desarrollo de estampas de elementos de circuito y la utilización de herramientas de simulación, tanto fuera de línea como en tiempo real. El estudio es crucial para comprender el rendimiento de los sistemas eléctricos y para el diseño de dispositivos de protección contra fenómenos transitorios.

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SIMULACIÓN DE TRANSITORIOS EN

CIRCUITOS ELÉCTRICOS CON MÉTODOS


MULTIPASO
Luis David Saavedra Sánchez

Mayo 2024
.

Dedicada a mi familia y a todos mis seres queridos


con mucho amor, gracias por todo su apoyo.
Índice general

1. Introducción 1
1.1. Antecedentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2. Estado del arte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3. Planteamiento del problema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.5. Justicación y motivación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.6. Estructura de la tesis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

2. Conceptos fundamentales 9
2.1. Elementos de circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.1.1. Resistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.1.2. Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.1.3. Inductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.1.4. Interruptor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.1.5. Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.1.6. Tiristor SCR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.1.7. Tiristor (GTO) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.1.8. Fuentes dependientes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2. Arco eléctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3. Método BDF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.4. Circuitos asociados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.5. Análisis nodal modicado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.6. Estampas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

3. Desarrollo de estampas de elementos de circuito 27


3.1. Formulación de estampas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.1.1. Resistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.1.2. Fuente de voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.1.3. Inductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.1.4. Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.1.5. Interruptor ideal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3.1.6. Fuente de corriente controlada por corriente . . . . . . . . 33
3.1.7. Fuente de corriente controlada por voltaje . . . . . . . . . 34
3.1.8. Fuente de voltaje controlada por voltaje . . . . . . . . . . 36

7
3.1.9. Fuente de voltaje controlada por corriente . . . . . . . . . 37
3.1.10. Inductores acoplados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.1.11. Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.1.12. Tiristor SCR y Tiristor GTO . . . . . . . . . . . . . . . . 43

4. Simulación 47
4.1. Circuito con capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.2. Circuito RL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.3. Circuito con Interruptor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
4.4. Circuitos con fuentes controladas . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
4.5. Circuito con inductores acoplados . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4.6. Circuito con arco eléctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
4.7. Recticador de onda completa para un sistema trifasico . . . . . 79

5. Conclusiones 91
5.1. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
5.2. Recomendaciones para trabajos futuros . . . . . . . . . . . . . . 92
Capítulo 1

Introducción

1.1. Antecedentes
Los sistemas de potencia eléctrica se encuentran entre los sistemas más com-
plejos, extensos y ecientes diseñados hasta la fecha. El objetivo de un sistema
de potencia es generar, transportar y distribuir la energía eléctrica demandada
por los consumidores de forma segura y conable.

Los sistemas de potencia juegan un papel crucial en la sociedad moderna, y su


operación se basa en algunos principios especícos. Dado que la energía eléctrica
no se puede almacenar en grandes cantidades, la operación del sistema eléctrico
debe lograr un equilibrio permanente entre su producción en las centrales y su
consumo en las cargas para mantener la frecuencia dentro de límites estrechos
y asegurar un servicio conable.

Incluso cuando el sistema de energía funciona con normalidad, las cargas se


conectan y desconectan continuamente, y se requieren algunas acciones de con-
trol para mantener el voltaje y la frecuencia dentro de los límites permisibles.
Este estado dinámico implica que el sistema de energía nunca está operando en
un estado estable. Además, las perturbaciones programadas o no pueden alte-
rar el funcionamiento normal del sistema eléctrico. Estas perturbaciones pueden
deberse a cambios en la conguración (como la conexión o desconexión de ban-
cos de capacitores, máquinas síncronas, y en general cualquier componente del
sistema), y fallas en algunos equipos de potencia (que pueden provocar fallas
en algunos equipos de potencia o provocar una interrupción parcial o total del
servicio que puede afectar a un porcentaje importante de la red y equipos co-
nectados a esta).

El análisis y simulación de transitorios electromagnéticos se ha convertido en


una metodología fundamental para comprender el rendimiento de los sistemas
de potencia, determinar las especicaciones de los componentes de potencia,
explicar las fallas de los equipos o probar los dispositivos de protección. El
estudio de transitorios es un área madura que se puede utilizar en el diseño de
sistemas de potencia modernos. Desde los inicios en esta área, se ha dedicado un

1
2 CAPÍTULO 1. INTRODUCCIÓN

importante esfuerzo al desarrollo de nuevas técnicas y herramientas de software


más potentes. Se han desarrollado modelos sosticados, técnicas de solución
complejas y potentes herramientas de simulación para realizar estudios que son
de suma importancia en el diseño de sistemas de energía modernos. Los primeros
desarrollos de herramientas de transitorios se dirigieron principalmente al cálculo
de sobretensiones. En la actualidad, estas herramientas se aplican en un sinfín de
estudios, como, FACTS, operación de relés de protección o estudios de calidad de
energía, para los cuales los modelos detallados y las soluciones precisas pueden
ser extremadamente importantes [1].
Los fenómenos transitorios en los sistemas de potencia están asociados a per-
turbaciones causadas por fallas, maniobras, descargas atmosféricas o variaciones
de carga. Estos fenómenos pueden estresar y dañar los equipos de potencia. La
importancia primordial de su estudio se relaciona con los efectos que pueden te-
ner en el rendimiento del sistema o las fallas que pueden causar en los equipos.
Los fenómenos transitorios en los sistemas de potencia pueden causar dos tipos
de efectos:

1. Sobrecorrientes, que pueden dañar los equipos de potencia debido a la


disipación excesiva de calor.

2. Sobretensiones, que pueden provocar la ruptura del aislamiento o que al io-


nizar el aire pueden generar arcos eléctricos produciendo un corto circuito,
por lo que es necesaria una debida protección contra estos fenómenos.

Esta protección puede ser provista por equipos especializados cuya operación
está dirigida a aislar la sección del sistema de potencia donde ocurrió la pertur-
bación o a limitar la tensión en los terminales del equipo de potencia. Además,
también se puede lograr una mejor capacidad para manejar las tensiones cau-
sadas por fenómenos transitorios mediante un buen diseño de los equipos (por
ejemplo, mediante el blindaje de las líneas de transmisión aéreas para limitar
las descargas disruptivas causadas por descargas atmosféricas). Es decir, aunque
el sistema de potencia opera la mayor parte del tiempo en condiciones norma-
les, su diseño debe permitirle hacer frente a las consecuencias de los fenómenos
transitorios.
Para proporcionar una protección adecuada frente a ambos tipos de esfuer-
zos, es fundamental conocer su origen, calcular sus principales características y
estimar las condiciones de operación más adversas. Un análisis riguroso y preci-
so de los transitorios en los sistemas de potencia es difícil debido al tamaño del
sistema, la complejidad de la interacción entre los dispositivos de potencia y los
fenómenos físicos que deben analizarse. Actualmente, el estudio y simulación
de transitorios en sistemas de potencia reales se realiza con la ayuda de una
computadora. Los aspectos que contribuyen a esta complejidad son la variedad
de causas, la naturaleza de los fenómenos físicos y la escala de tiempo de los
transitorios del sistema de potencia.
Cuando se habla del sistema de potencia, los transitorios pueden ser electro-
magnéticos (cuando es necesario analizar la interacción entre la energía eléctrica
1.1. ANTECEDENTES 3

almacenada en los capacitores y la energía magnética almacenada en los induc-


tores), o electromecánicos (cuando el análisis involucra la interacción entre la
energía electromagnética almacenada en los elementos de circuito y la energía
mecánica almacenada en máquinas rotatorias. Los fenómenos físicos asociados
con los transitorios hacen que sea necesario examinar el sistema de potencia
durante un intervalo de tiempo tan corto como unos pocos nanosegundos o tan
largo como varios minutos. Este último aspecto es un desafío para el análisis
y simulación de transitorios en sistemas de potencia, ya que el comportamien-
to de los equipos de potencia depende del rango de frecuencias asociado a los
transitorios. Una representación matemática precisa de cualquier dispositivo de
potencia en todo el rango de frecuencia de los transitorios es muy difícil, y pa-
ra la mayoría de los componentes no es posible en la práctica a pesar de las
poderosas técnicas numéricas, las herramientas de simulación y las interfaces
grácas de usuario actualmente disponibles. Aquellos involucrados en estudios
de transitorios electromagnéticos tarde o temprano enfrentan las limitaciones de
los modelos disponibles en paquetes de transitorios, la falta de datos conables
y procedimientos de conversión para la estimación de parámetros o estudios
insucientes para validar modelos.

El análisis de los transitorios electromagnéticos en los sistemas de potencia se


puede realizar en el dominio del tiempo o en el de la frecuencia. Los métodos de
solución en el dominio del tiempo son la opción más común; entre ellos destacan
los basados en la integración trapezoidal o en la regla de Euler inverso. Si bien
el método de Euler inverso no es tan preciso como el trapezoidal, presenta una
amortiguación articial que para algunos casos es de bastante utilidad; para
una mejor respuesta, se suele combinar con el método trapezoidal en programas
para la simulación de sistemas eléctricos de potencia, siendo un ejemplo claro
el EMTP (Electromagnetic Transients Program). También existe el análisis en
el dominio de la frecuencia, que ofrece ciertas características que complementan
las ventajas del análisis en el dominio del tiempo [2, 4]. El cálculo del estado
estacionario de un sistema de potencia se suele realizar en el dominio de la
frecuencia.

Las herramientas para la simulación de transitorios electromagnéticos se cla-


sican en dos categorías principales [5]: fuera de línea y en tiempo real. El pro-
pósito de una herramienta de simulación fuera de línea es realizar simulaciones
en una computadora genérica. Las herramientas fuera de línea están diseñadas
para usar métodos numéricos y técnicas de programación sin restricciones de
tiempo y pueden hacerse lo más precisas considerando los datos, modelos y mé-
todos matemáticos disponibles. Las herramientas de simulación en tiempo real
(en línea) son capaces de generar resultados en sincronismo con un reloj en tiem-
po real, y tienen la ventaja de ser capaces de interactuar con dispositivos físicos
y de mantener intercambios de datos dentro del reloj en tiempo real [6, 7]. Los
cálculos en tiempo real imponen restricciones importantes en el diseño de ta-
les herramientas, pero pueden ser extremadamente útiles para probar y diseñar
equipos de potencia.
4 CAPÍTULO 1. INTRODUCCIÓN

1.2. Estado del arte


Desde los días de Maxwell, los métodos para la solución de redes eléctricas
con un gran número de elementos se ha desarrollado de forma sistemática. La
corriente cíclica de Maxwell, llamada así en su honor, fue fundamental para el
método de análisis de mallas, que fue el método más antiguo de formular ecua-
ciones para circuitos eléctricos y ahora se identica de manera más común como
la ley de voltaje de Kirchho (KVL). El análisis nodal se introdujo posterior-
mente como el dual topológico del análisis de malla y se identica con la ley de
la corriente de Kirchho (KCL). El método nodal se ha convertido en el pilar
del análisis de grandes sistemas eléctricos, principalmente porque tiene dos ven-
tajas primordiales sobre el análisis de mallas. En primer lugar, se eliminan los
problemas de cruces en redes no planas, evitando así la necesidad de la teoría
de grácos de árbol para formular las ecuaciones. En segundo lugar el número
de ecuaciones es menor con el enfoque nodal, lo que reeja el hecho de que el
número de nodos en una red es generalmente menor que el número de ramas. No
obstante estas ventajas, el análisis nodal tiene ciertas limitaciones que complican
su aplicación en algunos tipos de circuito [8]. El método conocido como análisis
nodal modicado se aplica ampliamente en paquetes de simulación de circuitos
eléctricos. Sin embargo, muchos cursos y textos de pregrado no reconocen este
desarrollo clave, por lo que a los ingenieros que ingresan a la profesión se les ha
negado la oportunidad de estudiarla.

El método conocido como análisis nodal modicado no tiene ninguna de


las limitaciones de la técnica nodal básica y es muy adecuado para el análisis
numérico y simbólico de circuitos complejos utilizando software moderno basado
en matrices.

Un concepto clave del método del análisis nodal modicado es el uso de es-
tampas. Las estampas representan a las ecuaciones de cada elemento, generadas
a partir de sus puntos de conexión, por lo que es importante conocer cómo se
genera una estampa para poder implementar rutinas o algoritmos que solucio-
nen circuitos. Este enfoque se emplea en paquetes como SPICE o EMTP, que
generalmente se basan en una netlist (listado de la composición del circuito).

Una netlist es una descripción de la conectividad de un circuito. En su forma


más simple, una netlist consta de una lista de los componentes de un circuito
y los nodos a los que están conectados. Una red es una colección de dos o más
componentes interconectados.

La estructura, la complejidad y la representación de las netlists pueden variar


considerablemente, pero el propósito fundamental de cada netlist es transmitir
información de conectividad. Las netlists normalmente no proporcionan nada
más que instancias, nodos y quizás algunos atributos de los componentes in-
volucrados. Si expresan mucho más que esto, generalmente se consideran un
lenguaje de descripción de hardware como Verilog o VHDL, o uno de varios len-
guajes diseñados especícamente para la entrada a simuladores o compiladores
de hardware.
1.3. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA 5

1.3. Planteamiento del problema


La solución en el dominio del tiempo de circuitos o redes eléctricas, se realiza
en su mayoría mediante el uso de dos métodos o reglas de integración: trape-
zoidal y fórmula inversa de Euler. Si bien el método trapezoidal es más preciso,
el método de euler inverso tiene la ventaja que en algunos eventos transitorios,
como la desconexión de capacitores o conexión de inductores (como en una má-
quina síncrona que opera como generador), no presenta oscilación. Esto se debe
a que en la fórmula inversa de Euler, su respuesta depende directamente del va-
lor de corriente circulante del paso anterior, mientras que el método trapezoidal
también toma en cuenta la corriente que pasa por la resistencia discretizada, lo
que da como resultado que un término sea cero pero otro negativo, y al calcular
su diferencia los valores de corriente alternan de signo dando como resultado
la oscilación. Una forma de disminuir esta oscilación es agregar resistencias que
amortigüen la respuesta; el valor requerido depende de la inductancia, y esto
deja de ser práctico. E algunos simuladores se combina el uso de los métodos,
usando el método trapezoidal para la respuesta y alternando al método de Euler
cuando se presente la oscilación.

Por otra parte, existen reglas de integración multipaso (es decir, que im-
plementan información de varios pasos previos), que potencialmente pueden
proporcionar una precisión aceptable sin ser susceptibles a oscilaciones numé-
ricas. No se ha reportado el empleo de métodos multipaso en simulaciones de
transitorios electromagnéticos.

1.4. Objetivos
General:
Simular fenómenos transitorios en redes eléctricas mediante métodos multi-
paso en el dominio del tiempo, para encontrar una respuesta más precisa y que
no oscile.

Especícos
Aplicar el método de análisis nodal modicado para modelar y generar
estampas de elementos de circuito para una correcta simulación

Simular casos de redes eléctricas en régimen transitorio para obtener la


respuesta dinámica.

Documentar el proceso y comparar la solución obtenida con la respuesta


en otros simuladores.
6 CAPÍTULO 1. INTRODUCCIÓN

1.5. Justicación y motivación


Es de esperar que el empleo de fórmulas multipaso, como BDF, en lugar
de métodos de un solo paso como lo es el trapezoidal o Euler inverso para
la solución en el dominio del tiempo, presente una mayor eciencia, precisión y
mejores propiedades de estabilidad. Es por eso que una correcta implementación
y un buen desarrollo de este tipo de soluciones, es de suma importancia para
el desarrollo a futuro de nuevos algoritmos y métodos para la simulación. Si
bien en el pasado era más complicada su implementación por las limitaciones
computacionales, el avance exponencial de nuevos ordenadores y procesadores
hacen posible el uso de nuevos algoritmos que si bien podrían llegar a tener un
costo de memoria mayor (que hoy día en algunos casos no presenta problemas),
lo compensaría con una mayor precisión y estabilidad.

1.6. Estructura de la tesis


Este trabajo de tesis consta de 5 capítulos, donde se exponen conceptos
como el de circuitos asociados, uso del método de análisis nodal modicado,
simulación de elementos discretizados en el dominio del tiempo usando métodos
multipaso, y comparación de los resultados con los de simuladores comerciales.

Capítulo 1
En el primer capítulo se presenta una descripción de los eventos transitorios
en redes eléctricas. Se discute el uso de la computación para un análisis más
efectivo de redes eléctricas así como su uso para una mejor planeación de nuevos
sistemas o redes eléctricas aplicando la simulación en el tiempo para el análisis
de los llamados transitorios electromagnéticos.

Capítulo 2
En este capítulo se presentan los conceptos fundamentales utilizados en esta
tesis, desde elementos básicos como lo son el resistor, el inductor y capacitor,
hasta conceptos más complicados como circuitos asociados, estampas, electró-
nica de potencia y las fórmulas diferenciales inversas o backward dierentiation
formulas (BDF), que son métodos multipaso para la discretización de ecuaciones
diferenciales con mayor estabilidad pero mayores requerimientos de memoria.

Capítulo 3
Con los conceptos del capítulo dos, se pueden generar las estampas corres-
pondientes para cada elemento. Cada estampa consta de una matriz de conec-
tividad debida al elemento, su vector de incógnitas y sus aportaciones en la
respuesta del sistema. El vector de variables y la matriz se discretizan eliminan-
do la parte diferencial y se escribe en una ecuación de coecientes que dependen
1.6. ESTRUCTURA DE LA TESIS 7

del orden de la fórmula utilizada. En este capítulo se explica paso a paso cómo
obtener y ensamblar la estampa de cada elemento.

Capítulo 4
Se implementan las estampas para encontrar la solución de problemas pro-
puestos. También se comparan los resultados con los de simuladores comerciales
como EMTP, y se tiene un listado de código para poder determinar y comprobar
su respuesta en programas que puedan resolver sistemas de ecuaciones como lo
es MATLAB

Capítulo 5
Finalmente, se presentan las conclusiones de esta tesis.
8 CAPÍTULO 1. INTRODUCCIÓN
Capítulo 2

Conceptos fundamentales
En este capítulo se denen conceptos y métodos que serán de utilidad para
la solución numérica, desde la denición más simple como lo es una resistencia
y su ecuación de corriente, hasta formas más complejas para la implementación
como lo es el análisis nodal modicado (MNA).

2.1. Elementos de circuito


2.1.1. Resistor
Una resistencia o resistor es un componente eléctrico pasivo de dos termi-
nales que se opone al paso de corriente. El símbolo empleado para representar
un resistor se muestra en la Figura 2.1. En los circuitos eléctricos, las resisten-
cias se utilizan para reducir el ujo de corriente, ajustar los niveles de señal,
dividir voltaje y polarizar elementos activos, entre otros usos. Los resistores son
elementos comunes en redes eléctricas y están presentes en todos los equipos
eléctricos. El valor de la resistencia depende de sus dimensiones físicas dada por
la función, según la fórmula

l
R=ρ , (2.1)
A
donde ρ es la resistividad del material en Ω·m, l la longitud en metros y A el área
de la sección transversal. Al conectar la resistencia a una fuente de alimentación,
dará como resultado un campo eléctrico; este campo eléctrico genera un ujo
de electrones en un determinado tiempo, que también se conoce como corriente,
y está dada por la ley de Ohm, nombrada así por el Georg Simon Ohm (1789-
1854):

v = i · R. (2.2)

Esta ley establece que el voltaje en un resistor es proporcional a la corriente que


circula en el, donde la constante de proporcionalidad o pendiente esta dada por
la resistencia. Los resistores pueden fabricarse en una variedad de formas:

9
10 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES

Figura 2.1: Símbolo del resistor.

Figura 2.2: Símbolo del capacitor.

Una de las formas más comunes en dispositivos y sistemas es la de un


resistor de carbono. El carbón granulado no (grato) se mezcla con arcilla
y se endurece. El valor de resistencia depende de la proporción de carbono
a arcilla; cuanto mayor sea esta relación, menor será la resistencia.

Otro tipo de resistor se fábrica devanando alambre de nicromo, que es una


aleación de níquel y cromo. Este componente puede manejar corrientes más
altas que una resistencia de carbón de las mismas proporciones físicas,
sin embargo, debido a que el alambre está enrollado en una bobina, el
componente funciona además como un inductor. Este hecho no afecta en
circuitos de corriente directa, pero sí puede tener un efecto adverso en
circuitos de corriente alterna porque se agrega reactancia a la red.

2.1.2. Capacitor
Un capacitor es un elemento pasivo el cual almacena una carga eléctrcia
cuando es sometido a una diferencia de potencial (voltaje). Su símbolo se mues-
tra en la Figura 2.2.

Un capacitor está compuesto por dos placas conductoras separadas por un


aislante (o dieléctrico). En muchas aplicaciones prácticas, las placas pueden ser
láminas de aluminio, mientras que el dieléctrico puede ser aire, cerámica, papel
o mica. Cuando una fuente de tensión υ se conecta a un capacitor, la diferencia
de potencial ocasiona un ujo de electrones de una placa a la terminal positiva
de la fuente y una transferencia de los mismos de la terminal negativa a la
otra placa del capacitor. Este ujo de electrones representa una pérdida de los
mismos en la placa conectada a la terminal positiva (placa con carga positiva)
y una ganancia para la placa conectada la terminal negativa (placa negativa).
Este exceso de electrones para la placa negativa neutraliza parte de los protones
generando una carga -Q y que para la placa positiva se ve reejado como una
carga +Q. La generación de dos cargas de misma magnitud pero distinto signo
origina una fuerza eléctrica, lo que indica la presencia de ujo eléctrico y un
campo eléctrico. La expresión para el ujo eléctrico está dada por la ley de
Gauss como:
2.1. ELEMENTOS DE CIRCUITO 11

z
ϕE = ⃗ · n̂ds = qenc
E (2.3)
ϵ0
donde qenc es la carga encerrada para la supercie gaussiana. Haciendo el análisis
para +Q o -Q en (2.3) se tiene una expresión generalizada para el campo como:

Q
E= (2.4)
ϵ0 A
La denición de diferencia de potencial es:

Z B
∆VAB = VB − VA = − E ⃗
⃗ · dl (2.5)
A

Si por convención se establece que la trayectoria dl va de la placa negativa


a la placa positiva, es evidente que el producto punto de estos dos vectores es
a un ángulo de 180° anulando el signo negativo de la ecuación de diferencia
de potencial. La integración de esta trayectoria para la distancia d, o distancia
entre placas da como resultado la expresión:

∆VC = +Ed (2.6)

Se descubrió experimentalmente que para un par de placas alimentadas por


una fuente, una mayor diferencia de potencial ocasionaba una mayor carga. Esta
relación directamente proporcional tiene una pendiente llamada capacitancia

q = Cv (2.7)

donde la capacitancia C es la constante de proporcionalidad y sus unidades son


Farads (F). Es posible obtener la capacitancia de un material por sus caracte-
rísticas físicas al sustituir las expresiones de campo 2.4 y diferencia de potencial
2.6 de un capacitor en (2.7), dando como resultado:

Q A
C= Q
= ϵ0
ϵ0 A d
d

lo que implica que la capacitancia es directamente proporcional al área e inver-


samente proporcional a la distancia. Si el dieléctrico no es el aire la expresión
es:

A
C = kϵ0
d
donde kϵ0 también se conoce con la letra griega epsilon ϵ que es la permitividad
del medio.
Otra denición importante del capacitor es su expresión de corriente. La
expresión de corriente se deriva de la expresión de la carga 2.7 y resulta en:

dυ(t)
i(t) = C (2.8)
dt
12 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES

Figura 2.3: Símbolo del inductor.

Esta última expresión es la más utilizada en el área de la ingeniería eléctrica


porque dene cómo representar a los capacitores en sistemas eléctricos. La ex-
presión de voltaje del capacitor se puede derivar de la ecuación de corriente 2.8
integrando ambos términos:
Z
1
υ (t) = i (t) dt
c
donde i (t) es la corriente que circula por el capacitor.

2.1.3. Inductor
Un inductor es un elemento pasivo diseñado para almacenar energía en forma
de campo magnético. Se representa con el símbolo de la Figura 2.3. Los induc-
tores encuentran numerosas aplicaciones en sistemas electrónicos y de potencia.
Se usan en transformadores, radios, televisores, radares y motores eléctricos.
Todos los conductores de corriente eléctrica tienen propiedades inductivas y
pueden considerarse inductores, pero para aumentar el efecto inductivo, un in-
ductor práctico suele formarse en una bobina cilíndrica con muchas vueltas de
alambre conductor. Si por un inductor circula corriente, la tensión en el inductor
es directamente proporcional a la razón de cambio de la corriente. Mediante la
convención pasiva de los signos, el voltaje en un inductor está dado por:

di
v=L (2.9)
dt
donde L es la constante de proporcionalidad, llamada inductancia. La inductan-
cia es la propiedad por la cual un inductor presenta oposición al cambio de la
corriente que uye por él y su unidad de medición es el henry (H).

2.1.4. Interruptor
Un interruptor eléctrico es un dispositivo que permite interrumpir el paso
de una corriente eléctrica. En el mundo moderno sus tipos y aplicaciones son
innumerables, desde un simple interruptor de pared como los de uso doméstico
que apaga o enciende una bombilla, hasta un disyuntor (circuit breaker) en alta
tensión para una subestación eléctrica. Se representa con el símbolo mostrado
en la Figura 2.4.
Su expresión más sencilla consiste en dos contactos de metal y un accionador.
Los contactos, normalmente separados, se unen mediante el accionador para
permitir que la corriente circule. El accionador es la parte móvil que en una
de sus posiciones hace presión sobre los contactos para mantenerlos unidos y
permitir la circulación de corriente.
2.1. ELEMENTOS DE CIRCUITO 13

Figura 2.4: Símbolo eléctrico del interruptor.

Ánodo Cátodo

Figura 2.5: Símbolo eléctrico del diodo.

2.1.5. Diodo
El diodo es un componente electrónico de dos terminales que conduce corrien-
te de forma unidireccional; en una dirección tiene un baja resistencia (idealmente
cero) y en la otra dirección una resistencia muy alta (idealmente innita). El
más común es el diodo semiconductor, que es una pieza de cristal semiconductor
con una unión p-n conectada a dos terminales eléctricas. La curva característica
de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de
potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de
ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido
a este comportamiento, se les suele denominar recticadores, ya que son disposi-
tivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial
para convertir una corriente alterna en corriente continua [9]. Se representa con
el símbolo de la Figura 2.5.

2.1.6. Tiristor SCR


Un tiristor es un dispositivo semiconductor de estado sólido con cuatro capas
de materiales alternados de tipo P y N. Actúa exclusivamente como un interrup-
tor biestable, que conduce cuando la compuerta recibe un pulso de corriente y
continúa conduciendo hasta que el voltaje a través del dispositivo se invierte,
o hasta que se elimina la corriente (por algún otro medio). En un tiristor de
tres conductores, una pequeña corriente en su conductor de puerta controla la
corriente más grande que circula del ánodo al cátodo [9]. La designación SCR
(silicon controlled rectier o recticador de silicio) se deriva de esta propiedad.
Debido a que los tiristores pueden controlar una cantidad relativamente gran-
de de energía y operar un alto voltaje, se encuentran en muchas aplicaciones en
el control de la energía eléctrica, como por ejemplo atenuadores de luz y con-
trol de velocidad de motores eléctricos. Los tiristores pueden usarse en circuitos
de conmutación de potencia, como reemplazo de relés, circuitos inversores, cir-
cuitos osciladores, circuitos detectores de nivel, circuitos troceadores, circuitos
temporizadores de bajo costo, circuitos lógicos, circuitos de control de veloci-
dad, circuitos de control, etc. Este tipo de tiristores depende de la inversión de
corriente para el apagado, lo que diculta su aplicación en sistemas de corriente
continua. A diferencia de los transistores, los tiristores tienen una característica
de conmutación de dos valores, lo que signica que un tiristor sólo puede estar
14 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES

Ánodo Cátodo

Compuerta

Figura 2.6: Símbolo eléctrico del tiristor SCR.

completamente encendido o apagado, mientras que un transistor puede estar


entre los estados de encendido y apagado. Esto hace que un tiristor no sea ade-
cuado como amplicador analógico, pero sí útil como interruptor. Se representa
con el símbolo de la Figura 2.6.

2.1.7. Tiristor (GTO)


Un tiristor con compuerta de apagado (GTO-gate turn-o thyristor) es un
tipo especial de tiristor, que es un dispositivo semiconductor de alta potencia.
Fue inventado por General Electric [15]. La diferencia con un tiristor normal es
que el GTO es un interruptor completamente controlable que puede ser apagado
o encendido por su tercer conexión, la conexión de compuerta.
La condición de encendido se logra mediante un pulso de corriente positiva
entre la compuerta y las terminales del cátodo. Como la unión compuerta-cátodo
se comporta como una unión PN, habrá un voltaje relativamente pequeño entre
los terminales. Sin embargo, el proceso de encendido del GTO no es tan conable
como el de un SCR, y se debe mantener una pequeña corriente de compuerta
positiva incluso después del encendido para mejorar la conabilidad.
El apagado se logra mediante un pulso de corriente negativa entre las termi-
nales de compuerta y cátodo.
La Figura 2.7 muestra el circuito equivalente de un tiristor GTO, donde IA es
la corriente de ánodo, IK la corriente de cátodo e IG la corriente de compuerta.
La Figura 2.8 muestra dos variantes del símbolo eléctrico del GTO. La forma a)
tiene dos ramas en la compuerta y representa un comportamiento bidireccional.
La forma b) es el símbolo simplicado del GTO.

2.1.8. Fuentes dependientes


Una fuente dependiente es una fuente de voltaje o una fuente de corriente
cuyo valor se modula o controla mediante otro valor, que puede ser voltaje o
corriente. Similar a la ecuación de la recta tiene la forma:

y = ax
donde y es el valor de la fuente (voltaje o corriente), a representa la ganancia y
x el valor (de corriente o voltaje) que controla la fuente y.
Las fuentes dependientes son útiles para modelar el comportamiento de am-
plicadores. El transistor de unión bipolar se puede modelar como una fuente de
corriente que es controlada por corriente mientras que el amplicador operacio-
nal puede representarse como una fuente de voltaje controlada por voltaje [14].
2.2. ARCO ELÉCTRICO 15

Figura 2.7: Circuito equivalente de un tiristor GTO.

Ánodo Cátodo
Ánodo Cátodo

Compuerta Compuerta
a) b)

Figura 2.8: Símbolo eléctrico del GTO.

Los elementos de circuito reales tienen propiedades límites de potencia, voltaje


y corriente o límites de frecuencia, que signican que una fuente ideal es solo
un modelo aproximado. El modelado preciso de dispositivos prácticos requiere
el uso de varios elementos idealizados en combinación. Las fuentes dependientes
se representan con los símbolos de la Figura 2.9.

2.2. Arco eléctrico


Un arco eléctrico, o descarga de arco, es la ruptura dieléctrica de un gas o
vacío. La corriente a través de un medio normalmente no conductor como el aire

Fix Gvx Evx Hix

a) b) c) d)

Figura 2.9: a) Fuente de corriente controlada por corriente, b) fuente de corriente


controlada por voltaje, c) fuente de voltaje controlada por voltaje, d) fuente de
voltaje controlada por corriente.
16 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES

produce un plasma, que va acompañado de la emisión de luz visible.

Algunos arcos eléctricos de baja presión se utilizan en muchas aplicaciones.


Por ejemplo, para la iluminación se utilizan tubos uorescentes de mercurio,
sodio y lámparas de halógenos metálicos. Los arcos eléctricos se pueden utilizar
para procesos de fabricación, como la soldadura por arco eléctrico y los hornos
de arco eléctrico para el reciclaje de acero, o en hornos industriales que aunque
funcionan por combustión, requieren de una chispa o descarga inicial que se da
por una descarga de arco y según sea la implementación puede requerirse esta
descarga periódicamente.

Los arcos eléctricos no intencionales o no deseados pueden tener efectos per-


judiciales en la transmisión de energía eléctrica, los sistemas de distribución y los
equipos electrónicos. Los dispositivos que pueden presentar una descarga de arco
incluyen interruptores, disyuntores, contactos de relé, fusibles y terminaciones
de cable decientes. Cuando se desconecta un circuito inductivo, la corriente no
puede pasar instantáneamente a cero y se formará un arco transitorio a través
de los contactos separados. Los dispositivos de conmutación susceptibles a la
formación de arcos normalmente están diseñados para contener y extinguir el
arco, y los circuitos amortiguadores pueden proporcionar una ruta para corrien-
tes transitorias, evitando la formación de arcos. Si un circuito tiene suciente
corriente y voltaje para sostener un arco formado fuera de un dispositivo de con-
mutación, el arco puede causar daños al equipo, como fusión de conductores,
destrucción del aislamiento o incendio.

Los arcos no deseados en los contactos eléctricos de los contactores, relés e


interruptores pueden reducirse mediante dispositivos como supresores de arco
[12] y amortiguadores RC o mediante técnicas que incluyen: inmersión en aceite
de transformador, gas dieléctrico o vacío, y uso de materiales de amortiguación
para absorber la energía del arco, ya sea térmicamente o mediante descomposi-
ción química.

La formación de arco también puede ocurrir cuando se forma un medio de


baja resistencia (objeto extraño, polvo conductor, humedad) entre lugares con
diferente voltaje. Entonces, estas condiciones pueden facilitar la formación de un
arco eléctrico. El aire ionizado tiene una alta conductividad eléctrica cercana a
la de los metales, y puede conducir corrientes extremadamente altas, provocando
un cortocircuito y disparando los dispositivos de protección (fusibles y disyun-
tores). Una situación similar puede ocurrir cuando una bombilla se quema y los
fragmentos del lamento generan un arco eléctrico entre los electrodos dentro
de la bombilla, lo que genera una sobrecorriente que dispara los interruptores.

La formación de arco sobre algunos tipos de placas de circuito impreso,


posiblemente debido a grietas en las trazas o la falla de una soldadura, hace que
la capa aislante afectada se vuelva conductora ya que el dieléctrico se quema
debido a las altas temperaturas involucradas. Esta conductividad prolonga el
arco debido a fallas en cascada de la supercie.
2.3. MÉTODO BDF 17

Figura 2.10: Ilustración de un arco eléctrico entre conductores.

2.3. Método BDF


Un método numérico típico para problemas de valor inicial en un sistema de
ecuaciones diferenciales ordinarias (ordinary dierential equation ODE) calcula
la solución paso por paso. Por ejemplo, el método de Euler avanza a la solución
de un tiempo to a t1 usando un valor inicial yo . Después, se avanza de t1 a t2
descartando el valor yo y utilizando y1 como nuevo valor inicial.
Sin embargo, descartar un vector de respuesta yo representa perder informa-
ción valiosa. Es posible hacer que la respuesta dependa de varios valores pasados
siempre que estén disponibles. Hay buenas razones por las que no siempre se
puede aplicar esto; una de ellas es la solución exacta de la función

y ′ = f (t, y) t ≥ to y (to ) = y0 (2.10)

que está determinada de forma única por una sola condición inicial siendo f
una función de Lipschitz. Cualquier intento de precisar la solución en más de
un punto es matemáticamente absurdo o redundante. Sin embargo, esto solo es
válido si se tiene una solución verdadera o exacta de la ecuación (2.10). Cuando
se lleva esto a la computación, esta redundancia se vuelve de utilidad y se le
puede dar un buen uso siempre y cuando se use de manera adecuada.
Las fórmulas de diferenciación regresiva (backward dierentiation formulas
BDF) son una familia de métodos implícitos para la integración numérica de
ecuaciones diferenciales ordinarias. Son métodos lineales de varios pasos que,
para una función y un tiempo dados, aproximan la derivada de esa función
utilizando información de puntos de tiempo ya calculados, aumentando así la
precisión de la aproximación. Estos métodos se utilizan especialmente para la
solución de ecuaciones diferenciales rígidas. Los métodos fueron introducidos
por primera vez por Charles F. Curtiss y Joseph O. Hirschfelder en 1952 [11].
La expresión general para métodos multipaso tiene la forma:

s
P s
P
am yn+m = h bm f (tn+m , yn+m ) , n = 0, 1, ... (2.11)
m=0 m=0
18 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES

donde am , bm son constantes propuestas, independientes de h, n y de la ecuación


diferencial base. Es conveniente normalizar la ecuación (2.11), haciendo as = 1.
Cuando bs = 0 se dice que le método es explicito; de otra manera, es implı́cito.
De la expresión general (2.11) se puede llegar a un equivalente para generalizar
las BDF de la forma:

s
X
ak yn+k = hβf (tn+s , yn+s ) (2.12)
k=0

donde h denota el tamaño del paso de tiempo, tn = t0 + nh y la función se


evalúa para el valor desconocido yn+s , por lo que todos los métodos BDF son
implícitos, y requieren la solución de ecuaciones no lineales en cada paso. Los
coecientes ak y β se eligen de modo que el método alcance el orden s, que es
el máximo posible. Para calcular el coeciente β se parte de la expresión:

s
!−1
X 1
β=
m=1
m

Si se quisiera determinar el coeciente β para un BDF de segundo orden, se


tendría:

1 2
β= 1 =
1+ 2
3
Para un BDF de tercer orden:

1 6
β= 1 1 =
1+ 2 + 3
11
¨Para completar la expresión 2.17 se deben determinar los coecientes ak que
están dados por la expresión:

s
X 1 s−m m
ρ (ω) = β ω (ω − 1) (2.13)
m=1
m

Si se quiere usar un BDF de segundo orden (s = 2) la ecuación (2.13) tiene la


forma:

 
2 1 2 4 1
ρ (ω) = ω (ω − 1) + (ω − 1) = ω 2 − ω −
3 2 3 3
donde el grado de ω representa el paso de tiempo correspondiente a su coeciente
ak . De esta manera a0 = 31 , a1 = − 43 y a2 = 1. Para un BDF de tercer orden la
expresión ρ (ω), tiene la forma:

 
6 1 2 1 3 18 9 2
ρ (ω) = ω 2 (ω − 1) + ω (ω − 1) + ω (ω − 1) = ω 2 − ω 2 + ω −
11 2 3 11 11 11
2.3. MÉTODO BDF 19

2 9 18
y los nuevos coecientes serían
11 , a1 = 11 , a2 = − 11 y a3 = 1. Para BDF
a0 =
de distintos ordenes, se pueden calcular los coecientes β y ak para después
sustituir en (2.12). Hecho esto, se llegan a las siguientes expresiones:
Para s = 1:

yn+1 − yn = hf (tn+1 , yn+1 )

que es el formula regresiva de Euler.

Para s = 2:
4 1 2
yn+2 − yn+1 + yn = hf (tn+2 , yn+2 )
3 3 3
Para s = 3:
18 9 2 6
yn+3 − yn+2 + yn − yn = hf (tn+3 , yn+3 )
11 11 11 11
Para s = 4:

48 36 16 3 12
yn+4 − yn+3 + yn+2 − yn+1 + yn = hf (tn+4 , yn+4 )
25 25 25 25 25
Para s = 5:

300 300 200 75 12 60


yn+5 − yn+4 + yn+3 − yn+2 + yn+1 − yn = hf (tn+5 , yn+5 )
137 137 137 137 137 137
Es conveniente plantear estas ecuaciones generalizadas aislando el término
yn+s de la ecuación y eliminando el coeciente β. Para lograr este objetivo se
plantea la nueva ecuación

s
1X
− αk yn+s−k = f (tn+s , yn+s ) (2.14)
h
k=0
donde αk son los coecientes que incluyen a los coecientes ak y el coeciente
β del orden utilizado. La Tabla 2.1 contiene los coecientes αk generalizados
para cada BDF de distinto orden. Es fácil comprobar que si se usa un BDF de
segundo o tercer orden, se llega a la expresiones que usan los coecientes ak y β.
Por ejemplo, para un BDF de segundo orden la ecuación (2.14) tiene la forma:

α0 yn+2 + α1 yn−1 + α2 Yn = hf (tn+1 , yn+s )


Sustituyendo los coecientes de la Tabla 2.1, se tiene:

3 1
yn+2 − 2yn−1 + yn = hf (tn+1 , yn+s )
2 2
2
y si esto se multiplica por
3 se tiene la expresión del método BDF para un paso
s = 2.
20 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES

De (2.14) se puede llegar a un equivalente generalizado; tomemos de ejemplo


el circuito RL que es descrito por la ecuación:

di
−v + iR + L =0
dt
Si se aplica el método numérico de la fórmula regresiva de Euler, la expresión
discretizada es:

L
((−1) in+1 − (1) in ) = 0
−v + in+1 R − (2.15)
h
De esta manera se puede tener una variable Cn+1 que contenga todos los valores
como capacitores e inductores que multipliquen a sus respectivos diferenciales
de corriente y/o voltaje, otra variable Kn+1 que contenga los valores algebraicos
como los valores de resistencia o ecuaciones de voltaje entre dos nodos, xn+1
que contenga las incógnitas que dependan de un valor histórico xn y de las
aportaciones al vector de resultados fn+1 , como son fuentes de corriente o los
valores de las fuentes de voltaje. Utilizando esta nuevas variables en (2.15), se
obtiene:

1
fn+1 + Kn+1 xn+1 − Cn+1 (α0 xn+1 − α1 xn ) = 0
h
Agrupando términos

 α  
0
 1
− Cn+1 + Kn+1 xn+1 + − Cn+1 α1 xn + fn+1 = 0 (2.16)
h h

De (2.16) se puede escribir una expresión que tenga aplicación para BDF de
distinto orden de la manera:

k
!
 α  1
0
X
− Cn+1 + Kn+1 xn+1 + − Cn+1 αi xn+1−i + fn+1 =0 (2.17)
h h i=1

De la ecuación (2.17), para un BDF de distinto orden bastaría con sustituir


los coecientes αi correspondientes y tener los valores históricos necesarios para
emplear el método.

2.4. Circuitos asociados


Los circuitos asociados surgieron de la necesidad de representar los circuitos
eléctricos que contenían ecuaciones diferenciales de manera algebraica. Estos
circuitos asociados se plantean de forma que funcionen de manera discreta,
es decir que contengan un término jo también llamado valor de resistencia
discretizada y una fuente de corriente variable en el tiempo. Esta nueva fuente
2.4. CIRCUITOS ASOCIADOS 21

Tabla 2.1: Tabla de coecientes BDF


ORDEN
Coecientes
1 2 3 4 5

α0 −1,00 −1,50 − 11,0


6,00 − 25,0
12,0 − 137
60

α1 +1,00 +2,00 +3,00 +4,00 +5,00


α2 - −0,50 −1,50 −3,00 −5,00
α3 - - + 1,00
3,00 + 4,00
3,00 + 10,0
3,00

α4 - - - −0,25 − 5,00
4,00

α5 - - - - + 1,00
5,00

de corriente contiene valores históricos de corriente que dependen del método


numérico que se use.
Si se toma como ejemplo un circuito RC como el de la Figura 2.11 y se aplica
la ley de corriente de Kircho (KCL) se tiene:

ivo + iR = 0

−iR + iC = 0
donde

dυc
iC = i (t) = C
dt
A esta última expresión se le puede aplicar un método numérico, como p. ej. la
fórmula regresiva de Euler:

C C
i (t) = υc (t) − υ (t − h)
h h
C
Se puede ver en esta ecuación el valor jo de conductancia discretizada
h y un
C
valor de corriente variable
h υ (t − h). Este último término corresponde a un
valor de fuente de corriente independiente, por lo que no es necesario agregar
una ecuación, más bien se sustituye en la expresión −iR + iC = 0 queando:

C
−iR + υc (t) + iC(t−h) = 0
h
usando voltajes nodales esta expresión se puede reescribir como:

G [e1 (t) − e2 (t)] + GC e2 (t) + iC(t−h) = 0


Esta expresión sugiere el equivalente discreto del capacitor o circuito asociado
del capacitor.
22 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES

e1 R e2

vo i C
iνo R iC

Figura 2.11: Circuito RC.

e1 R e2

vo i RC iC(t-h)=-(C/h)v(t-h)
iνo R iRC

Figura 2.12: Circuito asociado a un capacitor

La Figura 2.12 es la nueva representación del circuito de la Figura 2.11


empleando circuitos asociados. Para t = 0, el valor de corriente es cero, y para
diferentes pasos de tiempo la corriente toma el valor anterior iC(t−h) . Es claro
que dependiendo del método numérico que se use, el valor de conductancia Gc
cambia y esto sucede también para la fuente de corriente.
Una ventaja de este método con respecto a otros es que solo contiene apor-
taciones de fuentes de corriente independientes lo que no añade ecuaciones al
sistema. Las ecuaciones se obtienen aplicando el método de análisis nodal tra-
dicional. La desventaja ocurre al generar una rutina que automatice el proceso
para diferentes métodos numéricos. Identicar las nuevas resistencias discretiza-
das y el término de corriente independiente para cada componente es una tarea
complicada donde es más conveniente programar cada caso en particular lo que
vuelve poco práctico el proceso de cambiar la regla de integración.

2.5. Análisis nodal modicado


El análisis nodal modicado [16] o MNA es un complemento del análisis
nodal convencional para resolver sus deciencias. Este último falla cuando hay
un gran número de fuentes de voltaje y/o fuentes controladas en un circuito.
Por ejemplo la Figura 2.13 muestra un circuito con fuentes de voltaje en una
malla o trayectoria cerrada que viola la ley de voltajes de Kircho (KVL) si la
suma algebraica de voltajes V1 + V2 − V3 es diferente de cero. Además, aún si se
cumple la ley de voltajes de Kircho las corrientes que uyen en las fuentes de
voltaje no están denidas.
De manera similar, la Figura 2.14 muestra la conexión de fuentes de corriente
independientes unidas a un mismo nodo. En este caso no se cumple la ley de
corrientes de Kircho (KCL) si la suma algebraica de corrientes I1 + I2 + I3
es distinta a cero. Además, aún si se cumple la ley de corrientes de Kircho, el
voltaje nodal no puede ser denido [17].
2.5. ANÁLISIS NODAL MODIFICADO 23

V1

i=?
V3 V2

Figura 2.13: Circuito de fuentes de voltaje independientes

v=?

I2 I3

I1

Figura 2.14: Circuito de fuentes de corriente independiente conectadas a un


mismo nodo

Es por eso que distintos métodos de análisis como súper nodos (KVL) o una
combinación por mallas (KCL) es necesaria para denir estas incógnitas.

El análisis nodal consiste en generar las ecuaciones de un elemento que ge-


neralmente cuenta con dos puntos de conexión a excepción de dispositivos de
electrónica de potencia o inductores acoplados. Las ecuaciones para resistores
son mediante el análisis nodal y para elementos no naturales como inductores o
fuentes de voltaje independientes consiste en determinar su ecuación de voltaje
y su aportación de corriente. A continuación se presenta un ejemplo del MNa
para un circuito RL.

La Figura 2.15 muestra un circuito RL y la Tabla 2.2 las ecuaciones de un


resistor y un inductor. Para el caso del resistor su ecuación se determina por
medio de análisis nodal utilizando ley de corrientes de Kircho por lo que es
óptimo utilizar el termino de conductancia G o G = 1/R

Tabla 2.2: Tabla de elementos y ecuaciones de rama

Elemento Ecuación de Rama

Resistor iR = GυR
Inductor υL = L didtL
24 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES

e1 R e2

vo i L
iνo R iL

Figura 2.15: Circuito RL

Paso 1

En este circuito se tienen dos voltajes nodales llamados e1 y e2 . Además hay


tres corrientes iv0 , iR , iL . La ecuación de corrientes en el nodo e1 tiene la forma:

iv0 + iR = 0
y en el nodo e2 :

−iR + iL = 0

Paso 2

Con las ecuaciones propuestas en la tabla y observando que:

vo = e1

υR = e1 − e2
diL
υL = L = e2
dt
se tiene:

ivo + G (e1 − e2 ) = 0

G (e2 − e1 ) + iL = 0
De esta manera se tienen dos ecuaciones y cuatro incógnitas.

Paso 3

Para obtener una solución a este sistema se debe plantear dos ecuaciones más
que corresponden a las aportaciones de corriente iυ0 e iL para ello se emplean las
ecuaciones vo = e 1 para la fuente de voltaje y υL = L didtL = e2 para el inductor,
lo que lleva a un sistema lineal con solución. Se puede denir un vector x que
contenga las incógnitas del sistema:
2.6. ESTAMPAS 25

 
e1
 e2 
x= 
 iv0 
iL
que pueden ensamblarse formando una ecuación del tipo

Cx′ (t) + Kx (t) + f (t) = 0


donde K, C y f se denen como:

     
G −G 1 0 0 0 0 0 0
 −G G 0 1   0 0 0 0   0 
K=
 1
 C=  f = 
 −v0 
0 0 0   0 0 0 0 
0 1 0 0 0 0 0 −L 0

Ya que C es una matriz singular esto es un sistema lineal de ecuaciones dife-


renciales algebraicas (en inglés dierential algebraic system of equations DAEs).
Siempre y cuando se utilicen componentes pasivos el número de ecuaciones que
contengan valores diferenciales no será mayor a uno por elemento; esto cambia
si se utilizan elementos no naturales que tengan aportaciones de corriente pues
el número de ecuaciones se incrementará según el tipo de componente.
Una vez obtenido el sistema de ecuaciones se pueden aplicar diferentes mé-
todos numéricos para encontrar la solución. Este trabajo se enfoca en la imple-
mentación de las BDF en un sistema de ecuaciones formado por el MNA para
obtener su solución numérica.

2.6. Estampas
Para poder aplicar el método de análisis nodal modicado (MNA), se debe
conocer el comportamiento de cada elemento y para esto se debe saber generar
su estampa. Las estampas son la forma matricial en la que se puede representar
las entradas generadas por un elemento o componente eléctrico en la ecuación
global. Los elementos de dos terminales generan dos ecuaciones (a excepción
de elementos conectados a tierra), por lo que en primer instancia la mayoría
de componentes cuentan con dos ecuaciones y este número de ecuaciones se
incrementa si el componente tiene aportaciones de corriente . En este caso se le
considera elemento no natural, como lo es un inductor o una fuente de voltaje.
Este concepto se desarrolla a profundidad para cada elemento en el Capítulo 3.
26 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES
Capítulo 3

Desarrollo de estampas de
elementos de circuito
En este capítulo se considera la generación de las estampas de los componen-
tes de circuitos más comunes. Con el uso del MNA y métodos numéricos como
las BDF para la discretización de ecuaciones diferenciales, se pueden generar
estampas generales para cada elemento y establecer una rutina para encontrar
una solución numérica para circuitos o sistemas eléctricos.

3.1. Formulación de estampas


La formulación de estampas es la base de la implementación del método de
análisis nodal modicado. Si bien es importante comprender cómo se generan
las ecuaciones de algunos elementos y componentes eléctricos mediante circuitos
asociados, este enfoque no es práctico si se planea emplear una manera genera-
lizada para resolver estos circuitos o sistemas eléctricos. Retomando la ecuación
de análisis nodal modicado:

Cn+1 ẋn+1 + Kn+1 xn+1 + fn+1 = 0, (3.1)

Cn+1 corresponde a la matriz asociada con los elementos dinámicos (como ca-
pacitores o inductores) que multiplica al vector de derivadas ẋn+1 . Este vector
contiene los valores de la derivada del voltaje nodal y la derivada de corrientes.
Kn+1 contiene valores de conductancia y valores numéricos que al multiplicarse
por el vector xn+1 de voltajes nodales y corrientes, representan las ecuaciones
de voltaje y aportaciones de corriente. Según el método de integración emplea-
do, se puede generar una matriz K' que incluya tanto los elementos de Cn+1
y xn+1 . Esta tesis se enfoca principalmente en el uso de las BDF (Backward
Dierentiation Formulas)[17]. Aplicando la forma generalizada de las BDF a la
ecuación (3.1) se llega a:

27
28CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO

k
!
 α  1
0
X
− Cn+1 + Kn+1 xn+1 + − Cn+1 αi xn−1+i + fn+1 =0 (3.2)
h h i=1

donde los coecientes αi toman valores según el orden de la BDF empleada. La


Tabla 2.1 muestra los coecientes requeridos para cada BDF.
Enseguida se desarrollan las estampas de los componentes de circuito más
comunes en el marco de simulaciones en el dominio del tiempo.

3.1.1. Resistor
Para formular la estampa de un resistor se debe tomar en cuenta la ecuación
de voltaje. Usando la ley de Ohm se tiene:

υ = Ri (3.3)

Como en esta ecuación no aparecen derivadas, se sigue que para una resistencia
no existe la matriz C, por lo que la ecuación de análisis nodal modicado tiene
la forma:

Kn+1 xn+1 + fn+1 = 0 (3.4)

Considerando al resistor como un componente de dos terminales la ecuación


(3.3) puede reescribirse como:

ep − eq = ir R (3.5)

donde ep − eq es el voltaje de rama del resistor, en términos de voltajes nodales,


ir es la corriente que circula y R el valor de resistencia. Desarrollando (3.5) de
manera matricial, las aportaciones de corriente ir en los nodos p y q conducen
a la relación

       
0 0 ėp +G −G ep 0
+ + =0
0 0 ėq −G +G eq 0
Reduciendo la ecuación a la forma (3.4)se tiene:

    
+G −G ep 0
+ =0 (3.6)
−G +G eq 0
que corresponde a la ley de corrientes de Kircho en las dos terminales del
resistor.

3.1.2. Fuente de voltaje


Para generar la estampa de la fuente de voltaje aplicable en el método de
análisis nodal modicado, se debe añadir una ecuación para el valor de voltaje y
de corriente que hay en terminales. Esto se representa con valores numéricos que
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 29

is vs

Figura 3.1: Fuente de voltaje.

se añaden a la matriz Kn+1 que multiplican al vector de voltajes y corrientes


xn+1 para completar el sistema de ecuaciones. Al ser un elemento estático tiene
la forma de la ecuación (3.4), pero a diferencia de la resistencia su número de
ecuaciones se incrementa por la aportación de corriente de la fuente:

    
. . 1 ep 0
 . . −1   eq  +  0  = 0 (3.7)
1 −1 0 is −υs
donde los valores numéricos de la la 3 corresponden a la ecuación de voltaje de
la fuente y los valores numéricos de la columna 3 a las aportaciones de corriente
debido a la convención de signos empleada como se muestra en la Figura 3.1.
Es fácil ver que la tercera ecuación del sistema corresponde a:

(ep − eq ) = υs
De manera general, este principio funciona para generar estampas de elementos
basados en valores de voltaje o controlados por voltaje, siempre y cuando se
incluyan las aportaciones de corriente. Este enfoque tiene varias de aplicaciones
como se verá más adelante.

3.1.3. Inductor
Para la estampa del inductor de la Figura 3.2, se parte de la ecuación de
voltaje dada por:

diL
υL = L (3.8)
dt

diL
υL − L =0
dt
De (3.8) se tiene una ecuación de voltaje, que se reeja en el sistema como una
ecuación adicional (similar al caso de una fuente de voltaje). Como la inductan-
cia se considera un elemento dinámico, esto quiere decir que su representación
en el MNA tiene la forma (3.1) donde Cn+1 es una matriz que contiene el valor
30CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO

de inductancia correspondiente a la ecuación (3.8) y Kn+1 contiene las apor-


taciones de corriente debidas a este inductor. El producto Kn+1 xn+1 tiene la
forma:

  
. . 1 ep
 . . −1   eq  (3.9)
1 −1 0 iL
donde iL corresponde a la corriente que circula a través del inductor y sus
respectivas aportaciones a los nodos p y q, mientras que la ecuación de la la 3
corresponde al valor de voltaje en terminales del inductor ep −eq . Para la matriz
Cn+1 que corresponde al valor de inductancia, su matriz tiene la forma:

  
. . . e˙p
 . . .  e˙q  (3.10)
. . −L i˙L
Entonces, la estampa completa para un inductor está dada por:

     
. . . e˙p . . 1 ep
 . . .  e˙q  +  . . −1   eq  = 0 (3.11)
. . −L i˙L 1 −1 0 iL
Esta última ecuación corresponde a la forma general antes de implementar un
método numérico. Empleando una BDF de orden 1:

   
(−1) 1
− Cn+1 + Kn+1 xn+1 + − Cn+1 (1)xn + fn+1 = 0 (3.12)
h h

      
. . 1 e˙p . . . ep
 . . −1   e˙q  + . . .   eq  = 0 (3.13)
1 −1 −Lh i˙L n+1 . . L
h n+1
iL n

que corresponde a la ecuación:

L L
(ep )n+1 − (eq )n+1 − (iL )n+1 + (iL )n = 0
h h
Se puede obtener un equivalente simplicado de la forma:

    
. . 1 ep 0
 . . −1   eq  = 0  (3.14)
1 −1 −Leq iL n+1 V eq n
L
donde Leq = h y Veq = − L
h (iL )n . Es de suma importancia considerar que esto
es válido únicamente para un BDF de orden 1; para un BDF de orden 2 se
deberá determinar una transformación correspondiente tomando en cuenta los
coecientes α0 , α1 y α2 .
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 31

iL vL

Figura 3.2: Inductor.

iC vC
q

Figura 3.3: Capacitor

3.1.4. Capacitor
La ecuación de corriente del capacitor tiene la forma:

dυc
ic = C (3.15)
dt
Similar al caso del inductor se usa una matriz Cn+1 que multiplica al vector de
derivadas ẋn+1 . Dado que esta ecuación corresponde a un valor de corriente, no
es necesario añadir una ecuación de aportación de corriente adicional. Formando
el sistema de ecuaciones se tiene:

       
C −C e˙p 0 0 ep −ic
+ + =0
−C C e˙q 0 0 eq ic
  ˙   
C −C ep −ic
+ =0 (3.16)
−C C eq ic
Aplicando un BDF de orden 1 se obtiene:

C
− Ch − Ch C
       
h ep h ep −ic
+ + =0
− Ch C
h
eq n+1
C
h − Ch eq n
ic n+1

que corresponde a la ecuación:

C C
(ep − eq )n+1 − (ep − eq )n − (ic )n+1 = 0
h h
32CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO

3.1.5. Interruptor ideal


El comportamiento de un interruptor ideal como el mostrado en la Figura
3.4 es el de una resistencia con valor innito cuando se encuentra abierto y una
resistencia pequeña (cercana a cero) cuando está en conducción. Esto implica
que el comportamiento es estático (no tiene componentes diferenciales), y su
ecuación en el MNA deberá tener la forma:

Kn+1 xn+1 + fn+1 = 0 (3.17)

Un interruptor tiene dos terminales; esto quiere decir que si el interruptor


se encuentra en conducción tanto la terminal p, como la terminal q se vuelven
un mismo punto. Si bien no hay un valor de voltaje porque no hay diferencia
de potencial, sí deberá existir una corriente que circule en terminales y que
se deberá añadir al sistema de ecuaciones como una aportación de corriente
debida al interruptor (similar a las aportaciones de corriente debidas a fuentes
de voltaje). Las ecuaciones de corriente y voltaje en el caso de un interruptor
cerrado tienen la forma:

υs = ep − eq = 0 (3.18)

is ̸= 0
Cuando el interruptor está abierto, no hay una corriente que circule en termina-
les y no existe aportación de corriente debida al interruptor. Además, al no tener
conexión la terminal p con la terminal q, existirá una diferencia de potencial.
Las ecuaciones de corriente y voltaje tiene la forma:

ep − eq ̸= 0 (3.19)

is = 0
Con las ecuaciones (3.36) y (3.37), se pueden generar dos matrices Kn+1 ,
para el estado de no conducción (interruptor abierto) y el estado de conducción
(interruptor cerrado). Para el estado de no conducción la ecuación en el MNA
tiene la forma:

    
. . 1 ep 0
 . . −1   eq  +  0  = 0
1 −1 0 is 0
y para el estado de conducción tiene la forma:

    
. . 1 ep 0
 . . −1   eq  +  0  = 0
0 0 1 is 0
Con estas dos últimas ecuaciones, se puede plantear un caso general que reeje
el comportamiento de apertura y cierre del interruptor. Como la solución se
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 33

ep

is vs

eq
Figura 3.4: Diagrama del interruptor.

encuentra a cada paso de tiempo, se puede añadir una variable p que represente
el comportamiento del interruptor.


1 si el interruptor está en conducción (cerrado)
p= (3.20)
0 si el interruptor no está en conducción (abierto)

    
. . 1 ep 0
 . . −1   eq  =  0  (3.21)
p −p 1−p is 0

3.1.6. Fuente de corriente controlada por corriente


Para una fuente de corriente controlada por corriente, se deben primero
determinar las ecuaciones nodales. Como se muestra en la Figura 3.5, esta fuente
tendrá el valor de la corriente que circula entre los nodos k y l multiplicada por
una ganancia B (resultando en el valor de la corriente que circula entre los nodos
p y q ).
Se puede ver que en la rama 1 (entre las terminales k y l) no hay elementos
que impliquen una caída de voltaje; por lo tanto la diferencia de voltaje es cero,
lo que resulta en la ecuación número (3.22). En ocasiones el usuario debe añadir
un nodo virtual en la rama que contenga la corriente de interés.

ek − el = 0 (3.22)

Para la rama 2 (entre las terminales p y q ), la ecuación que especica esta fuente
dependiente es:

is = B · ikl (3.23)

Cuando se pretende resolver un sistema de ecuaciones, se debe reducir el número


de variables usando las igualdades y ecuaciones que se presentan en el problema;
34CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO

p k

is =Bikl ikl
q l

Figura 3.5: Diagrama de una fuente de corriente controlada por corriente

por lo tanto, la ecuación (3.23) debe replantearse en términos de la corriente de


la rama 1. Reescribiendo (3.23) se tiene:

is
ikl = = D · is (3.24)
B
donde D es el inverso de la ganancia B . Otro de los factores a considerar es el
uso de signos para establecer el sentido de la corriente; en este caso se plantea
que una corriente es positiva al salir de un nodo y negativa al entrar a él.
Con estas expresiones se puede plantear un sistema ecuaciones, que tiene la
forma:

    
0 0 0 0 +D ek 0

 0 0 0 0 −D 

 el  
  0 


 0 0 0 0 +1 
  ep
 +
  0 =0
 (3.25)
 0 0 0 0 −1   eq   0 
1 −1 0 0 0 is 0
En (3.25) se tienen las ecuaciones (3.22) y (3.23) representadas de manera
general. La corriente que sale del nodo k y llega al nodo l tiene un valor Dis .
Esto último es lo que se representa en las dos primeras las (las k y l). Ahora
la corriente que sale de p y entra a q sólo es el término is por lo tanto un valor
numérico de 1 representa la existencia de esta corriente y el signo representa la
dirección; respetando la convención de signos se tendrá un 1 para la ecuación
del nodo p y -1 para el nodo q, dando lugar a las las 3 y 4 (las p y q ). Por
último, se tiene la ecuación que relaciona los voltajes nodales k y l, que es la
ecuación (3.22); en la última la (la is ) se sabe que las columnas k y l de ese
renglón corresponden a los voltajes nodales k y l respectivamente, por lo tanto
se agrega el valor numérico 1 donde los signos dependen de la polaridad de las
terminales: se tiene un valor numérico de +1 en la columna k y -1 en la columna
p respetando la ecuación (3.22).

3.1.7. Fuente de corriente controlada por voltaje


En este como en los demás casos, primero se determinan las ecuaciones de
rama para llegar a una estampa generalizada que pueda aplicarse en el método
de análisis nodal modicado (MNA).
En este caso la fuente de corriente depende de un voltaje que puede ser de
una fuente, una resistencia o cualquier par de nodos en la red. En el MNA es
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 35

p k

is =Gvkl vkl
q l

Figura 3.6: Diagrama de una fuente de corriente controlada por voltaje.

fácil obtener el valor del voltaje de control que corresponde a la diferencia de


potencial entre dos nodos. De la Figura 3.6, la rama dos (entre los nodos p y
q) representa a la fuente dependiente de corriente; debido a que es controlada
por voltaje, la ganancia representa una conductancia y se usa el término Gm .
Además, como se busca una relación en términos de variables correspondientes
a los nodos k y l, la ecuación de la rama dos se puede representar como:

is = Gm (ek − el ) (3.26)

Esta ecuación se puede escribir como:

is
= is Rm = (ek − el )
Gm

ek − el − Rm i s = 0 (3.27)

Como en este caso se trata de una ecuación de voltaje, el valor de ganancia Gm


se cambia por el valor de resistencia Rm respetando la ecuación (3.27),
La estampa correspondiente a la fuente de corriente controlada por voltaje
queda entonces como:

    
0 0 0 0 0 υk 0

 0 0 0 0 0 
 υl  
  0 


 0 0 0 0 +1 
 υp +
  0 =0
 (3.28)
 0 0 0 0 −1  υq   0 
1 −1 0 0 −Rm is 0

Los nodos k y l no aportan términos extra porque dependen únicamente


de los voltajes nodales, por lo tanto, no añaden términos de corriente para la
solución, a diferencia del caso anterior. El término de corriente is no aporta a los
nodos k y l. En los nodos p y q se encuentra la fuente de corriente dependiente
que es controlada por voltaje, esto implica que existen aportaciones de corriente;
respetando la convención de signos se tiene que en los renglones p y q hay un
término de corriente is que se denota con un +1 y −1 respectivamente.
Para el renglón is , se tiene la ecuación (3.27). Los coecientes +1 y −1
corresponden a la diferencia de potencial entre los nodos k y l, y el valor −Rm
corresponde al inverso de la ganancia de corriente.
36CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO

3.1.8. Fuente de voltaje controlada por voltaje


En caso de una fuente de voltaje controlada por voltaje, se tiene la congu-
ración mostrada en la Figura 3.7. La rama dos, donde se encuentra la fuente de
voltaje controlada por voltaje, se maneja como el caso de una fuente de voltaje
independiente entre dos nodos. Cuando existe una fuente de voltaje indepen-
diente entre dos nodos, en el MNA se añade una ecuación para el término de
corriente de la fuente; esto quiere decir que si bien no se añaden términos de
corriente en la rama uno, la rama dos si añadirá términos de corriente. Revisan-
do la Figura 3.7 se puede ver que la ecuación de rama donde se tiene la fuente
dependiente es:

Bn υkl = υs (3.29)

donde

υkl = ek − el

Entonces:

υs
= Dn (υs ) = Dn (ep − eq )
Bn

1
Dn =
Bn

ek − el − Dn (ep ) + Dn (eq ) = 0 (3.30)

Esta última ecuación representa la relación que hay entre la rama uno y la rama
dos. Acomodando en un sistema de ecuaciones matriciales se tiene:

    
0 0 0 0 0 ek 0

 0 0 0 0 0 
 el  
  0 


 0 0 0 0 +1 
 ep +
  0 =0
 (3.31)
 0 0 0 0 −1  eq   0 
1 −1 −Dn Dn 0 is 0

Los nodos k y l representan los voltajes nodales; no añaden términos de corriente


por lo que en su renglón se asigna una valor numérico de 0. Para los nodos p
y q se considera la corriente que circula por la fuente dependiente, al salir del
nodo p y entrar al q se asigna un valor numérico de +1 y −1 respectivamente.
Por último para el renglón que representa a esta corriente se añade la ecuación
que relaciona las dos ramas, que es la diferencia que hay entre los dos voltajes
debido a la ganancia; en este caso, como se tiene en términos del voltaje de la
rama uno, los voltajes nodales para la rama dos se multiplican por el inverso de
la ganancia para cumplir la relación (3.29).
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 37

p k

vs =Bikl vkl
q l

Figura 3.7: Diagrama de una fuente de voltaje controlada por voltaje

3.1.9. Fuente de voltaje controlada por corriente


La Figura 3.8 muestra el diagrama que representa este elemento. Este caso
presenta un detalle importante que es el aporte de dos términos de corriente:
el término de corriente de la rama uno que controla a la fuente de voltaje y la
corriente que circula en la rama dos. Al ser una fuente de voltaje, se debe añadir
el término de la corriente que circula y al depender de un término de corriente,
también se añade otro término de corriente.
La ecuación para la rama uno es:

ek − el = 0 (3.32)

La ecuación para la rama dos es::

υs = ep − eq = Ro ikl

ep − eq − Ro ikl = 0 (3.33)

Las ecuaciones (3.32) y (3.33) son las relaciones existentes entre la rama uno y la
rama dos. La estampa correspondiente se obtiene a partir de estas expresiones,
y queda:

    
. . . . +1 0 ek 0

 . . . . −1 0 
 el  
  0 

 . . . . 0 +1  ep  
+ 0 
=0
  (3.34)

 . . . . 0 −1 
 eq  
  0 

 1 −1 0 0 0 0  is   0 
0 0 1 −1 −Ro 0 ikl 0
En (3.34) los renglones k y l aportan términos de corriente ikl ; siguiendo la
convención de signos se tiene en la columna del termino ikl un +1 porque la
k y −1 porque entra al nodo l. Para la fuente dependiente
corriente sale del nodo
se añaden los términos de corriente is que corresponden a su columna, siendo +1
para el nodo p y −1 para el nodo q . Debido a los aportes de corriente el tamaño
de la matriz aumenta, quedando una matriz cuadrada de 6 × 6. La ecuación
de la rama uno corresponde a la diferencia de potencial de los voltajes nodales
ek y el , mientras que la ecuación de la rama dos es la diferencia de potencial
de los nodos p y q más el término de ganancia que multiplica al término ikl ,
cumpliendo la ecuación (3.33).
38CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO

p k

vs =Ro ikl ikl


q l

Figura 3.8: Diagrama de una fuente de voltaje controlada por corriente

3.1.10. Inductores acoplados


Para desarrollar la estampa de dos inductores acoplados, se debe analizar la
ecuación de voltaje de rama. La ecuación de voltaje para una inductancia con
resistencia serie es:

Ldib
υb = + Rib (3.35)
dt
Representada de manera matricial:

       
0 0 0 e˙1 0 0 +1 e1 0
 0 0 0   e˙2  +  0 0 −1   e2  +  0  (3.36)
0 0 −L i˙L 1 −1 −R iL 0

Para dos ramas en las cuales existe un acoplamiento inductivo como se mues-
tra en la Fig. (3.9), las ecuaciones de voltaje son:

L1 di1 M12 di2


υ1 = + + R1 i1 (3.37)
dt dt

L2 di2 M21 di1


υ2 = + + R2 i2 (3.38)
dt dt
En las ecuaciones (3.37) y (3.38) el primer y último término corresponden
a la ecuación (3.35), mientras que el término intermedio involucra el coeciente
de acoplamiento mutuo que relaciona la rama 1 con la rama 2, dado por:

p
M = M12 = M21 = k L1 · L2 (3.39)

De manera matricial se tiene:

  
0 0 0 0 0 0 e˙1

 0 0 0 0 0 0 
 e˙2 


 0 0 0 0 0 0 
 e˙3 

 0 0 0 0 0 0  e˙4 
i˙1
  
 0 0 0 0 −L1 ±M12  
0 0 0 0 ±M −L2 i˙2
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 39

    
0 0 0 0 +1 0 e1 0

 0 0 0 0 −1 0 
 e2  
  0 

 0 0 0 0 0 +1  e3   0 
+  + =0 (3.40)

 0 0 0 0 0 −1 
 e4  
  0 

 1 −1 0 0 −R1 0  i1   0 
0 0 1 −1 0 −R2 i2 0

La utilidad de representar los inductores acoplados en un sistema como la


ecuación(3.40), es utilizar la ecuación generalizada de las BDF (3.2). Una alter-
nativa más simple pero que no puede ser generalizada, es discretizar términos
y agrupar. Por ejemplo, si se aplica un BDF de primer orden y se representa
como ecuaciones algebraicas, la ecuaciones (3.37) y (3.38) conducen a:

L1 n+1  M12 n+1


υ1n+1 = i1 − in1 + i2 − in2 + i1 R1

(3.41)
h h
L2 n+1  M21 n+1
υ2n+1 = − in2 + i1 − in1 + i2 R2

i (3.42)
h 2 h
que corresponde a una ecuación del tipo Kn+1 xn+1 + fn+1 = 0 y representado
de manera matricial como:

     
0 0 0 0 +1 0 e1 0

 0 0 0 0 −1 0 


 e2 


 0 

 0 0 0 0 0 +1   e3   0 
    +  =0

 0 0 0 0 0 −1 


 e4 


 0 

 1 −1 0 0 −R1 − Leq1 +Meq12   i1   υeq1 
0 0 1 −1 +Meq21 −R2 − Leq2 n+1
i2 n+1
υeq2 n
(3.43)
donde:

L1
Leq1 = (3.44)
h
L2
Leq2 = (3.45)
h
M12 M21
Meq12 = Meq21 = = (3.46)
h h
L1 n M12 n
υeq1 = i + i (3.47)
h 1 h 2
L2 n M21 n
υeq2 = i + i (3.48)
h 2 h 1
Si bien esta forma es complicada de implementar a menos que se obtengan los
componentes equivalentes Leq y Meq ya discretizados, es un buen acercamiento
40CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO

i1 M i2

v1 L L v2

Figura 3.9: Diagrama de dos inductores acoplados

para comprender el funcionamiento de la fórmula general de las BDF para un


sistema más complejo que contenga muchos más elementos, incluidos inductores
acoplados.

3.1.11. Diodo
Un diodo semiconductor puede modelarse de varias maneras. Un modelo
comúnmente empleado consiste en tomar una resistencia dinámica que depende
tanto del material como del fabricante. En orden de complejidad, los modelos
pueden consistir de,

Interruptor ideal

Interruptor con una fuente de voltaje

Interruptor ideal con resistencias de bloqueo y conducción.

Modelo de diodo con interruptor ideal

Para el caso del diodo como un interruptor ideal, cuyo esquema se muestra
en la Figura 3.11, la estampa se vuelve la misma que la de un interruptor. La
diferencia del diodo con el interruptor son las condiciones lógicas de cierre y
apertura, que ahora dependen de un valor de voltaje en terminales. Una vez
cerrado el diodo, no puede depender del voltaje ya que ambas terminales del
diodo funcionan como un mismo nodo, por lo tanto, no existe una diferencia
de potencial. Ya que no se puede depender de el voltaje para la condición de
apertura, la nueva condición de control que alterna el estado de conducción es el
paso de corriente; un cruce por cero o un valor negativo de corriente representa
una polarización inversa del diodo o el estado de no conducción. Esto quiere
decir que si al cerrar el diodo la variable de control depende de corriente, en
cuanto se cumpla la condición de ser igual o menor que cero el diodo deberá
de abrir y al momento de abrir volverá a depender de los valores de voltaje
en terminales para en caso de que la alimentación sea la adecuada, este diodo
pueda volver a cerrar. La estampa tiene la forma:
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 41

i
Pol. directa
(Conduce)

V
Pol. inversa
(No conduce)

Figura 3.10: Gráca del comportamiento de la corriente y voltaje para el diodo


como interruptor.

ep ep

id=0 (ep – eq )≠0 id≠0 (ep – eq )=0

eq eq

Figura 3.11: Circuito del diodo como un interruptor ideal

    
. . 1 ep 0
 . . −1   eq  =  0  (3.49)
p −p 1−p is 0

Como se puede observar, esta estampa es igual a la de un interruptor. La


diferencia es la condición de control p, que ahora depende del voltaje y de la
corriente como se mencionó con anterioridad.

Modelo del diodo ideal con interruptor y fuente de volta je

El modelo es el presentado en la Figura 3.13. En este caso, el diodo funciona


como una fuente de voltaje de CD, teniendo como aportación el valor mínimo
de voltaje requerido para que el diodo empiece a conducir. Esto quiere decir que
se considera la caída de voltaje requerida para accionarlo; en el caso más común
que es el de silicio, se toma el valor de υd =0,7V, y esta estampa queda de la
siguiente manera:
42CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO

i
Pol. directa
(Conduce)

V
Pol. inversa
(No conduce)

Figura 3.12: Gráca del comportamiento del voltaje y corriente con interruptor
y fuente de voltaje

e p
ep

id=0 (ep – eq )<0 id≠0 (ep – eq )>0

vd vd

e q
eq

Figura 3.13: Circuito del diodo como interruptor y con fuente de CD.


1 si el interruptor está activo (cerrado)
p= (3.50)
0 si el interruptor no está activo (abierto)

    
. . 1 ep 0
 . . −1   eq  +  0  = 0 (3.51)
p −p 1−p is −υd p
En este caso se considera el valor del voltaje requerido del diodo para la
ecuación. En la condición de p=1 (cerrado) la la 3 corresponde a la ecuación:

e p − e q = υd (3.52)

Esto quiere decir que la diferencia de potencial en esta rama serán los 0,7V para
el caso de un diodo de silicio.
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 43

Modelo de diodo con interruptor ideal con resistencias de bloqueo y


conducción

Debe señalarse que los modelos anteriores tienen problemas para identicar
una diferencia de potencial si hay presencia de elementos inductivos o capaciti-
vos que adelanten o atrasen la corriente. Esto se debe a que en conducción el
interruptor ideal no tiene diferencia de potencial y la manera lógica para poder
abrir el interruptor es depender de un valor de corriente; si ésta se encuentra
en fase con el voltaje (circuito puramente resistivo) un cruce por cero bastará
para abrirlo y después depender de las condiciones de alimentación del diodo.
Tomando en cuenta estas limitantes se propone un modelo con una resisten-
cia de conducción y una resistencia de bloqueo como se muestra en la Figura
3.15. Independientemente del estado del interruptor, debido a estas resistencias
siempre se podrá medir una diferencia de potencial, evitando cierres y apertu-
ras innecesarias cuando la corriente cruce por cero y se tenga una alimentación
adecuada en terminales, o esa misma tensión pero con una corriente atrasada
o adelantada que sea negativa. Recordemos que el diodo solo puede conducir si
se cumplen dos condiciones: polarización adecuada en terminales y corriente en
un sentido. Si alguna de estas dos condiciones no se cumple, el diodo no puede
entrar en conducción.
Al existir en serie un interruptor con una resistencia de conducción más una
resistencia de bloqueo en paralelo, se obtiene la siguiente estampa:


1 si el diodo conduce (cerrado)
p= (3.53)
0 si el diodo está bloqueado(abierto)
    
Gb . −Gb 1 ep 0
 . Gc −Gc −1 
  e v1
   0 
+
  0 =0
 
 −Gb −Gc Gc + Gb .   eq
p −p . 1−p if υf
donde Gb es la conductancia de la resistencia de bloqueo y Gc es la conductancia
de la resistencia de conducción. Esta estampa puede reducirse aún más si se
utiliza resistencias dinámicas, que cambien su valor según el estado diodo, esto
con el n de reducir el número de ecuaciones y agilizar la solución. La estampa
tendría la forma

    
pGc + (1 − p)Gb − (pGc + (1 − p)Gb) ep 0
+ =0
− (pGc + (1 − p)Gb) pGc + (1 − p)Gb eq 0
En ambos casos la variable p alterna a conducción siempre y cuando se
cumplan tanto la condición de polarización en terminales como la de corriente
que circule de ánodo a cátodo.

3.1.12. Tiristor SCR y Tiristor GTO


El comportamiento del tiristor es muy similar al del diodo. La diferencia son
las condiciones lógicas de la variable p que alterna el estado de conducción y no
44CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO

Pol. directa
(Conduce)
V
Pol. inversa
(No conduce)

Figura 3.14: Gráca del comportamiento del voltaje y corriente con interruptor
y resistencias de bloqueo y conducción.

ep ep

id=0 id≠0
Rb Rb
Rc Rc

eq eq
(ep – eq)≠0 (ep – eq)≠0

Figura 3.15: Circuito de un diodo con resistencia de bloqueo y conducción.


3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 45

conducción de la estampa. La condición o variable p para que un diodo conduzca


recae en un voltaje de polarización positivo en el ánodo y negativo en el cátodo,
un valor de polarización mínimo que depende del material utilizado en el diodo
y un valor de corriente mayor a cero. Para el tiristor, la variable p que modula
estos estados, es la que llega a la compuerta del tiristor. La compuerta, como se
vió en el Capitulo 2, es la encargada de activar o desactivar el tiristor. Recibe
una señal de control, que puede ser un tren de pulsos o una rampa, según la
aplicación lo requiera.
La Figura 3.16 muestra un modelo sencillo de un tiristor con selectividad
vertical, que representa el comportamiento básico donde el valor de compuerta
es el encargado de habilitar el paso de corriente. Al interruptor de compuerta,
que se encuentra normalmente cerrado, lo controlan las condiciones lógicas del
tiristor SCR o GTO, mientras que el otro interruptor tiene el funcionamiento
de un diodo con condiciones de apertura según su alimentación.
En la programación la condición inicial para un tiristor es el estado de no
conducción o abierto. Para que cambie a estado de conducción es necesaria una
polarización en terminales requerida por el material y una señal de control en
la compuerta del tiristor. Desde el punto de vista de control, si la señal de
control recibe una entrada lógica de 1 se dice que el dispositivo puede entrar en
conducción y si recibe una señal de entrada lógica de 0, debe abrir el interruptor
y evitar que circule la corriente. Si alguna de las condiciones para la conducción
no se cumple, el tiristor no puede entrar en conducción. Con esta información se
puede determinar que un tiristor tendrá la misma estampa que un interruptor
pero la variable p dependerá entonces de las condiciones de alimentación, sentido
de la corriente y señal de control. La estampa con selectividad vertical queda:


1 la compuerta se activa y se encuentra en conducción
p=
0 se desactiva la compuerta y se abre el interruptor principal
(3.54)


1 el diodo se ecuentra en conducción
d= (3.55)
0 el diodo se encuentra abierto

    
. . . 1 . ep ip

 . . . −1 1 
 ei  
  −ip + id 


 . . . . −1 
 eq =
  −id 
 (3.56)
 p −p . 1−p .  ip   0 
. d −d . 1−d id 0

Esta última estampa puede reducirse aún más. Cuando el diodo se encuentra
en conducción debe tener un comportamiento similar al de un interruptor; esto
quiere decir que la diferencia de potencial entre sus terminales debe ser nula o
muy baja. Esto se logra combinando las variables p y d, que si se encuentra en
conducción corresponde a la ecuación ep − eq = 0 y si se encuentra bloqueado
is = 0. Esto puede representarse de manera matricial como:
46CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO

Interruptor
de compuerta

Interruptor
tipo diodo

Figura 3.16: Modelo sencillo de un Tiristor con selectividad vertical.

    
. . 1 ep ip
 . . −1   eq  =  iq  (3.57)
dp −dp 1 − dp is 0
Para el tiristor GTO las condiciones de apertura y cierre son similares al
tiristor normal; la diferencia es que se añade otra señal de control o compuerta
que tiene prioridad sobre las demás. En el tiristor la única señal de control va a la
compuerta, pero en el tiristor GTO se añade otra compuerta, y esta compuerta
puede hacer que el interruptor conduzca aún si su alimentación no cumple la
tensión requerida. Esto generalmente se logra añadiendo más diodos en paralelo
dentro del circuito, haciendo que pueda conducir a diferentes tensiones siempre
y cuando la señal de control que llega la compuerta principal reciba una señal
lógica de 1. En otras palabras, funciona como un interruptor con ángulo de
disparo, donde el ángulo de disparo dependerá de las condiciones requeridas
para un comportamiento especíco dado por el usuario. La estampa del tiristor
GTO quedaría como:


1 Si cumple las condiciones para accionarse o no hay cruce por cero
p=
0 si no se cumplen las condiciones y hay un cruce por cero (si se indica)
(3.58)

    
. . 1 ep ip
 . . −1   eq  =  iq  (3.59)
p −p 1−p is 0
Capítulo 4

Simulación
En este capítulo se discute el uso de estampas para la solución numérica de
circuitos o sistemas eléctricos. Según sea la complejidad del problema en cues-
tión, se puede tener una rutina manual (no automatizada) en Matlab donde se
ensamblen las estampas de cada elemento, formando un sistema de ecuaciones
para obtener la solución numérica. Si la implementación manual representa un
reto debido a un gran número de ecuaciones, se puede recurrir a una rutina
automatizada. Se ha desarrollado una rutina en Fortran que se basa en el prin-
cipio de las estampas para ensamblar de manera automatizada el sistema de
ecuaciones, donde lo que varía es el método numérico para la solución; esto se
consigue asociando una etiqueta para cada tipo de componente. En este capítulo
se consideran ejemplos de ambos tipos de simulaciones.

Uso de estampas para la solución de un circuito


4.1. Circuito con capacitor
Para poder resolver un circuito se debe formar su sistema ecuaciones. Para
formar el sistema de ecuaciones se deben usar las estampas de cada elemento y
para poder ensamblar las estampas, se deben enumerar los puntos de conexión o
nodos; al nodo de referencia o tierra se le asigna un valor numérico de cero y no
tiene aportaciones al sistema de ecuaciones. Para cualquier otro nodo se asigna
un número, lo que más adelante servirá para el ensamblaje de las ecuaciones.
La Figura 4.1 muestra los nodos enumerados para un circuito RC. Tomando el
primer componente de izquierda a derecha, que es la fuente de voltaje, se puede
escribir su estampa de la forma:

    
0 . 1 e1 0
+ =0
1 . 0 is −υs
Esto signica que para el nodo 1, su voltaje nodal es e1 = υs = 120V. El segundo
elemento es la resistencia R1 , conectada entre el nodo 1 y el nodo 2, por lo que

47
48 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

su estampa tiene la forma:

1
− R11
    
R1 e1 0
+ =0
− R11 1
R1 e2 0
Esta expresión corresponde a la ecuación de corriente que circula del nodo 1 al
nodo 2. El tercer elemento es el capacitor C1 . Dado que el capacitor no requiere
una ecuación de corriente (a diferencia del inductor), el sistema de ecuaciones
basado en su estampa tendrá la forma:

[C] [e˙2 ] + [−IC ] = 0


donde e˙2 es el voltaje en terminales. Esta expresión para el capacitor se des-
prende de la relación Ic = C dυ
dt .
Con estas estampas para cada elemento, se puede ensamblar y reacomodar
el sistema de ecuaciones para encontrar su solución numérica. Es importante
recordar que el número de ecuaciones en la matriz general dependerá primero
del número de nodos y aumentará en tamaño si hay aportaciones de corriente
por elementos no naturales (como inductores o fuentes de voltaje independiente
como en este caso). De esta manera es fácil determinar que la matriz general
para este ejemplo tendrá un tamaño de 3x3. La ecuación ensamblada tiene la
forma:

e˙1
  1
− R11
     
0 0 0 R1 1 e1 0
 0 C 0  e2  +  − R11 1
R1 0   e2  +  0  = 0 (4.1)
0 0 0 is 1 0 0 is −υs

Si a la ecuación (4.1) se le aplica el algoritmo de la ecuación (3.2), el nuevo


sistema tiene la forma:

  1 
− R11
   
0 0 0 R1 1 e1
 α0 
− 0 C 0  +  − R11 1
0    e2  +

h R1
0 0 0 n+1 1 0 0 n+1 is n+1

       
0 0 0 k e1 0
1
−  0
X
C 0  αi  e2  + 0  =0 (4.2)
h
0 0 0 n+1 i=1 is n−1+i −υs n+1

Asumimos los siguientes valores para los parámetros:


R1 Resistencia de 10 kΩ
C Capacitancia con valor de 1 µF
is Corriente debido a la fuente
e1 voltaje nodal en el nodo 1
e2 voltaje nodal en el nodo 2
υs valor de voltaje de la fuente independiente de 120 V
4.1. CIRCUITO CON CAPACITOR 49

1
10 kΩ 2

υ1 =120V 1μF

Figura 4.1: Circuito con capacitor

La ecuación (4.2) representa la forma generalizada de las BDF para el circuito


de la Figura 4.1, donde el coeciente α varía según el orden del BDF utilizado.
Los coecientes α se listan en la Tabla 2.1.
El sistema de ecuaciones generalizado se puede ensamblar y resolver en
Matlab. El listado de código es el siguiente:

close all , clear all , clc


o r c a d v=l o a d ( ' o r c a d R C _ v o l t a j e . t x t ' ) ;
o r c a d i=l o a d ( ' o r c a d R C _ c o r r i e n t e . t x t ' ) ;
Vm= 1 2 0 ; h=2e = 3; t =0: h : 5 0 e = 3; R1=10 e 3 ; C l=1e = 6; G1=1/R1 ;
n o d e s =2; n o _ n a t u r a l =1; m s i z e=n o d e s+n o _ n a t u r a l ;
x=z e r o s ( m s i z e , 1 ) ;
C=z e r o s ( m s i z e , m s i z e ) ;
K=z e r o s ( m s i z e , m s i z e ) ;
f=z e r o s ( m s i z e , 1 ) ;

%C h o o s e BDF
BDF=2;
if BDF==1
a l p h a 0 = =1;
a l p h a 1 =+1;
a l p h a 2= 0;
a l p h a 3= 0;
a l p h a 4= 0;
a l p h a 5= 0;
end

if BDF==2
a l p h a 0 = = 1.5;
a l p h a 1 =+2.0;
a l p h a 2 = = 0.5;
a l p h a 3= 0;
a l p h a 4= 0;
a l p h a 5= 0;
end
50 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

% Matriz K
K( 1 , 1 ) = G1 ; K(1 ,2)= = G1 ;
K(2 ,1)= = G1 ; K( 2 , 2 ) = G1 ;
K( 3 , 1 ) = 1 ; K( 1 , 3 ) = 1 ;
% Matriz C
C( 2 , 2 ) = C l ;

for i =1: l e n g t h ( t )
if i ==1

% RHS
f ( 3 , 1 , i )==Vm;

% Solution
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : , : , i +f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;

% BDF2
A2 ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B2 ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : , : , i ) +f ( : , : , i ) ) ;
x2 ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;

elseif i ==2

% RHS
f ( 3 , 1 , i )==Vm;

% Solution
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i = 1) +f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;

%BDF2
A2 ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B2 ( : , : , i )==(=1/h * C * ( 1 ) * x2 ( : ,: , i = 1) +f ( : , : , i ) ) ;
x2 ( : , : , i )= i n v ( A2 ( : , : , i ) ) * B2 ( : , : , i ) ;

else

% RHS
f ( 3 , 1 , i )==Vm;

% Solution
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
4.1. CIRCUITO CON CAPACITOR 51

B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i = 1) +f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;

% BDF2
A2 ( : , : , i )== a l p h a 0 / h *C +K ;
B2 ( : , : , i )==(=1/h * * ( a l p h a 1 * x2 ( : , : , i = 1)
C
+a l p h a 2 * x2 ( : , : , i = 2))+ f ( : , : , i ));
x2 ( : , : , i )= i n v ( A2 ( : , : , i ) ) * B2 ( : , : , i ) ;
end
end

for j =1: l e n g t h ( t )
if j ==1
e_2 ( j ) = 0;
e_2b ( j ) = 0;
i_s ( j ) = 0;
i _ s 2 ( j )= 0;
else
e_2 ( j ) = x(2 ,: , j =1);
e_2b ( j ) = x2 ( 2 , : , j =1);
i_s ( j ) = =x ( 3 ,: , j =1);
i _ s 2 ( j )== x2 ( 3 , : , j =1);
end
end

i _ c t =(Vm/R1 ) * e x p (= t / ( R1 * C l ) ) ;
v_ct=Vm=i _ c t * R1 ;
figure

subplot (2 ,1 ,1) ,
plot ( t , v_ct , t , e_2 , '==', t , e_2b , ' o ' , orcadv ( : , 1 ) , orcadv ( : , 2 ) , ' d ' )
grid
x l a b e l ( ' Time ( s ) ') , y l a b e l ( ' Voltage (V ) ' ) ,
t i t l e ( ' Voltage vs Time Capacitor ' )
legend ( ' Analitic ' , 'BE' , ' BDF2 ' , 'ORCAD' )

subplot (2 ,1 ,2)
plot ( t , i_ct , t , i_s , '==', t , i_s2 , 'o ' , orcadi (: ,1) , orcadi (: ,2) , ' d ' )
grid
x l a b e l ( ' Time ( s ) ') , y l a b e l ( ' Current (A ) ' )
t i t l e ( ' Current vs Time Capacitor ' )
legend ( ' Analitic ' , 'BE' , ' BDF2 ' , 'ORCAD' )

Para generar la netlist para encontrar su solución en la rutina de Fortran, se


usa la primer columna como la etiqueta del elemento. Para una fuente de voltaje
independiente se usa la etiqueta V y el número de fuente correspondiente; una
52 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

Voltage vs Time Capacitor


150
Analitic

Voltage (V)
100 BE
BDF2
ORCAD
50

0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05
Time (s)
Current vs Time Capacitor
0.015
Analitic
Current (A)

0.01 BE
BDF2
ORCAD
0.005

0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05
Time (s)

Figura 4.2: Gráca de corriente y voltaje en el capacitor utilizando la ecuación


analítica, fórmula regresiva de Euler y una BDF de orden 2.

resistencia utiliza la etiqueta R y para el capacitor la etiqueta C. La segunda y


tercer columna son los puntos de conexión o nodos de cada elemento, que sirven
para identicar qué elementos tienen conexión entre sí. La cuarta columna es
el valor del componente y para fuente de voltaje se añade una quinta columna
que representa la frecuencia; si se trata de una análisis de CD se asigna un valor
numérico de cero. De esta manera se forma la netlist como:

V1 1 0 120 0
R1 1 2 10 e 3
C1 2 0 1 e =6

La Figura 4.2 muestra la señal del voltaje y de la corriente del circuito


capacitivo de la Figura 4.1 por distintos métodos, siendo la respuesta que utiliza
una BDF de orden 2 la que más se acerca a la respuesta analítica seguida del
paquete de simulación orcad que combina la regla trapezoidal y la fórmula de
Euler.

4.2. Circuito RL
La Figura 4.3 muestra un circuito RL que tiene los nodos enumerados para
determinar sus puntos de conexión. Con los puntos de conexión se puede generar
una netlist, y en este caso la etiqueta para un inductor es la letra L. Para este y
4.2. CIRCUITO RL 53

los siguientes casos se omite el análisis de estampa por elemento y se determina


directamente el sistema de ecuaciones. La netlist de este circuito quedaría:

V1 1 0 120 0
R1 1 2 100
L1 2 0 1 e =3

di
La expresión del inductor υL = L dt , corresponde a la ecuación de la la 4 de
(4.3). Se forma una matriz general de 4x4, 2 ecuaciones por los nodos y 2 por las
aportaciones de la fuente de voltaje y del inductor. Ensamblando las estampas
se tiene un sistema de ecuaciones de la forma:

       
0 0 0 0 e˙1 G1 −G1 1 0 e1 0
 0 0 0 0   e˙2   −G1 G1 0 1   e2   0 
+ +
0   i˙s   −υs  = 0
   
 0 0 0   1 0 0 0   is
0 0 0 −L i˙L 0 1 0 0 iL −υL
(4.3)
Aplicando la formula generalizada de las BDF a la ecuación (4.3), se tiene:

      
0 0 0 0 G1 −G1 1 0 e1
 α0  0 0 0  +  −G1
0  G1 0 1  e2 
 
−    +
 h  0 0 0 0   1 0 0 0   is 
0 0 0 −L 0 1 0 0 iL
      
0 0 0 0 e1 0
k
 1 0 0 0 0  X  e2   0 
−   αi  +  = 0 (4.4)
 h 0 0 0 0   is   −υs 
i=1
0 0 0 L iL −υL
donde:
G1 conductancia debido a la resistencia de 100 Ω conectada entre los nodos 1 y 2
L inductancia con valor de 1 mH
e1 voltaje en el nodo 1
e2 voltaje en el nodo 2
is corriente debido a la fuente independiente
iL corriente del inductor
υs valor de voltaje de la fuente independiente
υL valor de voltaje debido al inductor
En la ecuación (4.4) el exponente n es el paso de tiempo actual y (n − 1) el
valor histórico.
La Figura 4.4 muestra la señal del voltaje y de la corriente del circuito
inductivo de la Figura 4.3por distintos métodos, siendo la respuesta utilizando
una BDF de orden 2 la que más se acerca a la respuesta analítica seguida del
paquete de simulación orcad que combina la regla trapezoidal y la fórmula de
Euler.
El listado de código para Matlab tiene entonces la forma:
54 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

1 100 Ω 2

υ1 =120 V 1 mH

Figura 4.3: Circuito con inductor

close all , clear all , clc


Vm= 1 2 0 ; R1= 1 0 0 ; L=1e = 3; G1=1/R1 ;
n o d e s =2; n o _ n a t u r a l =2;
m s i z e=n o d e s+n o _ n a t u r a l ; x=z e r o s ( m s i z e , 1 ) ; C=z e r o s ( m s i z e , m s i z e ) ;
K=z e r o s ( m s i z e , m s i z e ) ;
f=z e r o s ( m s i z e , 1 ) ;
BDF=2; t a u=L/R1 ;
h=t a u / 1 0 ; t =0: h : 5 * t a u ;

%C h o o s e BDF
if BDF==1
a l p h a 0 = =1;
a l p h a 1 =+1;
a l p h a 2= 0;
a l p h a 3= 0;
a l p h a 4= 0;
a l p h a 5= 0;
end

if BDF==2
a l p h a 0 = = 1.5;
a l p h a 1 =+2.0;
a l p h a 2 = = 0.5;
a l p h a 3= 0;
a l p h a 4= 0;
a l p h a 5= 0;
end

% Matriz K
K( 1 , 1 ) = G1 ; K(1 ,2)= = G1 ;
K(2 ,1)= = G1 ; K( 2 , 2 ) = G1 ;
K( 3 , 1 ) = 1 ; K( 1 , 3 ) = 1 ;
K( 4 , 2 ) = 1 ; K( 2 , 4 ) = 1 ;

% Matriz C
4.2. CIRCUITO RL 55

C(4 ,4)= = L ;

for i =1: l e n g t h ( t )
if i ==1
% RHS
f ( 3 , 1 , i )==Vm;
% Solution
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i )
+f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;

% BDF2
A2 ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B2 ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i )
+f ( : , : , i ) ) ;
x2 ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;

elseif i ==2
% RHS
f ( 3 , 1 , i )==Vm;

% Solution
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i = 1)
+f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;

% BDF2
A2 ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B2 ( : , : , i )==(=1/h * C * ( 1 ) * x2 ( : ,: , i = 1)
+f ( : , : , i ) ) ;
x2 ( : , : , i )= i n v ( A2 ( : , : , i ) ) * B2 ( : , : , i ) ;

else
% RHS
f ( 3 , 1 , i )==Vm;
% Solution
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i = 1)
+f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;

% BDF2
A2 ( : , : , i )== a l p h a 0 / h *C +K ;
B2 ( : , : , i )==(=1/h * C * ( a l p h a 1 * x2 ( : ,: , i = 1)
56 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

+a l p h a 2 * x2 ( : , : , i =2))+ f (: ,: , i ));
x2 ( : , : , i )= i n v ( A2 ( : , : , i ) ) * B2 ( : , : , i ) ;
end
end

for j =1: l e n g t h ( t )
if j ==1
e_2 ( j ) = 0;
e_2b ( j )= 0;
i_s ( j ) = 0;
i _ s 2 ( j )= 0;
else
e_2 ( j ) = x(2 ,: , j =1);
e_2b ( j ) = x2 ( 2 , : , j =1);
i_s ( j ) = =x ( 3 ,: , j =1);
i _ s 2 ( j )== x2 ( 3 , : , j =1);
end
end

i _ i t =(Vm/R1) * (1 = e x p (= t * R1/L ) ) ;
v _ i t=Vm* e x p (= t * R1/L ) ;

figure
subplot (2 ,1 ,1) ,
plot (t , v_it , t , e_2 , '==', t , e_2b , 'o ') , grid ,
x l a b e l ( ' Time ( s ) ') , y l a b e l ( ' Voltage (V ) ' ) ,
t i t l e ( ' Voltage vs Time Inductor ' )
legend ( ' Analitic ' , 'BE' , ' BDF2 ' )

subplot (2 ,1 ,2) , plot ( t , i_it , t , i_s , '==', t , i_s2 , 'o ') ,


grid , x l a b e l ( ' Time ( s ) ') , y l a b e l ( ' Current (A ) ' ) ,
t i t l e ( ' Current vs Time Inductor ' )
legend ( ' Analitic ' , 'BE' , ' BDF2 ' )

4.3. Circuito con Interruptor


En la Figura 4.5 se tiene un circuito con un interruptor, que cierra en 2 mili-
segundos y abre en 5 milisegundos. Para generar la descripción de este circuito,
se enumeran los nodos y se propone la siguiente netlist:

V1 1 0 10 0 0
R1 1 2 1 e3
Q1 2 3 0 5 e =30
C1 3 0 1 e =6
L1 3 0 1 e =3
4.3. CIRCUITO CON INTERRUPTOR 57

Voltage vs Time Inductor


150
Analitic
Voltage (V)

100 BE
BDF2
ORCAD
50

0
0 1 2 3 4 5 6
Time (s) 10-5
Current vs Time Inductor
1.5
Analitic
Current (A)

1 BE
BDF2
ORCAD
0.5

0
0 1 2 3 4 5 6
Time (s) 10-5

Figura 4.4: Gráca de corriente y voltaje en el inductor utilizando la ecuación


analítica, fórmula regresiva de Euler y una BDF de orden 2.

Para representar un interruptor en la netlist, se utiliza la etiqueta Q, donde


ahora la cuarta y quinta columna especican los tiempos de cierre y apertura
respectivamente. Se añade una sexta columna para una posible corriente de
margen. De manera general, para un valor numérico de cero en la corriente
de margen se asume apertura en un cruce por cero; de esta manera, aún si el
paso de tiempo supera el tiempo de apertura el interruptor permanecerá cerrado
mientras no exista un cruce por cero. El sistema de ecuaciones para 3 nodos y
3 aportaciones de corriente tiene la forma:

       
0 0 0 0 0 0 e˙1 G1 −G1 0 1 0 0 e1 0
 0 0 0 0 0 0   e˙2   −G1 G1 0 0 0 1  e2   0 
       
0 0 C 0   e˙3
0 0  0 0 0 0 1 −1 e3 0
       
+ + =0
 ˙
 
 0 0 0 0   is
0 0    1 0 0 0 0 0  is   −υs 
˙
      
 0 0 0 0 −L 0   isw   0 0 1 0 0 0  isw   0 
0 0 0 0 0 0 i˙L 0 p −p 0 0 1 − p iL 0
(4.5)
Aplicando el método numérico de las BDF:
58 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

1 1 kΩ 2 3

t = 5ms
10V 1μF 1 mH

Figura 4.5: Circuito RL con un interruptor

      
0 0 0 0 0 0 G1 −G1 0 1 0 0 e1



 0 0 0 0 0 0  
  −G1 G1 0 0 0 1  
  e2 

 α0  0 0 C 0 0 0   0 0 0 0 1 −1   e3 
−  +   +
 h


 0 0 0 0 0 0  
  1 0 0 0 0 0  
  is 

  0 0 0 0 0 0   0 0 1 0 0 0   isw 
0 0 0 0 0 −L 0 p −p 0 0 1 − p iL

      
0 0 0 0 0 0 e1 0



 0 0 0 0 0 0 
 k

 e2  
  0 

 1 0 0 C 0 0 0 
 X  e3   0 
−  αi
 +  = 0(4.6) (4.6)
 h 0 0 0 0 0 0 
 is   −υs 
  i=1    
  0 0 0 0 −L 0   isw   0 
0 0 0 0 0 0 iL 0

donde:
G1 conductancia
p variable de cierre y apertura del interruptor
e1 voltaje en el nodo 1
e2 voltaje en el nodo 2
e3 voltaje en el nodo 3
is aportación de corriente debido a a la fuente independiente
isw valor de corriente que circula en el interruptor
iL valor de corriente que circula en el inductor
υs valor de voltaje de la fuente independiente
Con el sistema de ecuaciones (4.5), se puede hacer el código en Matlab de la
siguiente manera:

clear all
close all
clc
v s =1; r =1; l =1e = 3; c=1e = 6; p =0; h=1e = 6; t =0: h : 1 0 e = 3; c e q=c / h ; l e q= l / h ;
o s =5e = 3; c s =2e = 3; t o=o s / h ; t c=c s / h ;

Y = [1/ r =1/ r 0 1 0 0
4.3. CIRCUITO CON INTERRUPTOR 59

Voltage vs Time Inductor


0.4
BE
0.2
Voltage (V)

BDF2

-0.2

-0.4
0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 0.01
Time (s)
Current vs Time Inductor
0.02
BE
Current (A)

0.01 BDF2

-0.01
0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 0.01
Time (s)
|

Figura 4.6: Gráca de corriente (inductor) y voltaje (capacitor) en código de


Matlab y EMTP
60 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

=1/ r 1/ r 0 0 1 0
0 0 ceq 0 =1 1
1 0 0 0 0 0
0 0 0 0 1 0
0 0 1 0 0 =l e q ];
pb =1;
Yb= [ 1 / r =1/ r 0 1 0 0
=1/ r 1/ r 0 0 1 0
0 0 ceq 0 =1 1
1 0 0 0 0 0
0 1 =1 0 0 0
0 0 1 0 0 =l e q ];

I =[ 0; 0; 0; vs ; 0; 0];

V=z e r o s ( l e n g t h ( I ) , 1 , l e n g t h ( t ) ) ;

for i =1: l e n g t h ( t )
if i ==1
V ( : , : , i )= i n v (Y) * I ; % x=A^=1 * z
elseif i <t c
I ( 1 , : , i )= I ( 1 , : , i =1);
I ( 2 , : , i )= I ( 2 , : , i =1);
I ( 3 , : , i )= c / h *V ( 3 , : , i = 1 ) ;
I ( 4 , : , i )= I ( 4 , : , i =1);
I (5 ,: , i )= I ( 5 , : , i = 1 ) ;
I (6 ,: , i )== l / h *V ( 6 , : , i = 1 ) ;
V( : , : , i )= i n v (Y) * I ( : , : , i ) ;
elseif i >=t c && i <t o
I ( 1 , : , i )= I ( 1 , : , i =1);
I ( 2 , : , i )= I ( 2 , : , i =1);
I ( 3 , : , i )= c / h *V ( 3 , : , i = 1 ) ;
I ( 4 , : , i )= I ( 4 , : , i =1);
I (5 ,: , i )= I ( 5 , : , i = 1 ) ;
I (6 ,: , i )== l / h *V ( 6 , : , i = 1 ) ;
V( : , : , i )= i n v ( Yb ) * I ( : , : , i ) ;
else
I ( 1 , : , i )= I ( 1 , : , i =1);
I ( 2 , : , i )= I ( 2 , : , i =1);
I ( 3 , : , i )= c / h *V ( 3 , : , i = 1 ) ;
I ( 4 , : , i )= I ( 4 , : , i =1);
I (5 ,: , i )= I ( 5 , : , i = 1 ) ;
I (6 ,: , i )== l / h *V ( 6 , : , i = 1 ) ;
V( : , : , i )= i n v (Y) * I ( : , : , i ) ;
end
end
4.4. CIRCUITOS CON FUENTES CONTROLADAS 61

for j =1: l e n g t h ( t )
if j ==1
Curr ( j ) = 0 ;
Vol ( j ) = 0 ;
else
C u r r ( j )=V ( 6 , : , j =1);
V o l ( j )=V ( 3 , : , j =1);
end
end

figure
subplot (2 ,1 ,1) , plot ( t , Curr ) , grid
subplot (2 ,1 ,2) , plot ( t , Vol ) , grid

La Figura 4.6 muestra el comportamiento del voltaje y la corriente del cir-


cuito RLC. Es evidente que al existir un capacitor y un inductor en paralelo
debe existir un oscilamiento y que una BDF de orden 1 amortigua articialmen-
te esta respuesta a diferencia de una BDF de mayor orden. Las BDF de mayor
orden para este caso oscilan pero esto se debe a que en realidad debe existir esta
oscilación, si se quisiera desaparecer esta oscilación se debe añadir un ltro, ya
sea como una resistencia o al cambiar el paso de tiempo, esto debido a que la
resistencia discretizada debido a la solución numérica sirve como ltro para esta
oscilación.

4.4. Circuitos con fuentes controladas


Fuente de corriente controlada por corriente
La Figura 4.7 muestra un circuito con una fuente de corriente controlada
por corriente. Para una fuente de corriente controlada por corriente se utiliza la
etiqueta F. Enumerando los nodos se propone la siguiente netlist:

I1 1 0 15 0
R1 1 2 1
R2 3 0 2
R3 2 0 3
F1 2 0 1 3 3

Si se tiene una fuente controlada de voltaje o corriente, se debe añadir un nodo


virtual. Este nodo virtual sirve para denir el sentido de la corriente; en este
caso, la corriente va del nodo 1 a referencia por lo que se añade un nodo 3 entre
el nodo 1 y la resistencia R2 . De esta manera se sabe la dirección de la corriente
i1 y además se separan los elementos de corriente que puedan interferir con la
resistencia R2 . El sistema de ecuaciones tiene la forma:
62 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

1Ω i1 2Ω
2 3Ω
15 A

3i1

Figura 4.7: Circuito con fuente de corriente controlada por corriente

    
G1 −G1 0 D e1 is
 −G1 G1 + G3 0 −1   e2   0 
+
  0 =0 (4.7)
  
 0 0 G2 −D   e3
1 0 −1 0 ids 0
La cuarta la de este sistema de ecuaciones representa el nodo virtual añadido
e implica que no existe una diferencia de potencial entre los nodos 1 y 3, por lo
que pueden considerarse como un mismo punto de conexión. La variable ids es
entonces la corriente que circula en esa rama, que es la variable independiente
de la que depende la fuente controlada. Los parámetros son:
G conductancia
e voltaje nodal
is valor de la fuente de corriente
ids fuente de corriente dependiente de corriente
D inverso de la ganancia de la fuente dependiente
Al no utilizar componentes con términos diferenciales el listado de código
tiene la forma:

clear all , clc , close all

I = 1 5 ; R1=1; R2=2; R3=3;

B=3; D=1/B ;
Gm=3; Rm=1/Gm;

G1=1/R1 ; G2=1/R2 ; G3=1/R3 ;

K=[G1 =G1 0 D
=G1 G1+G3 0 =1
0 0 G2 =D
1 0 =1 0];

f =[15; 0; 0; 0];
4.4. CIRCUITOS CON FUENTES CONTROLADAS 63

x= l i n s o l v e (Y, z ) ;

%% V a l o r e s Obtenidos :

x =
=40.0000
=75.0000
=40.0000
=60.0000

%% V a l o r e s en Orcad :

x =
=40.0000
=75.0000
=40.0000
=60.0000

%% V a l o r e s análiticos
e1 = = 40.0
e2 = = 75.0
i1 = = 20.0
Otra forma de comprobar el circuito es haciendo un análisis nodal manual
donde se generan las ecuaciones de los nodos marcados 1 y 2 y complementando
con la ecuación de la fuente controlada formando un sistema de 3x3. Se puede
comprobar con la ecuación del nodo 1 como:

−40 − (−75)
15 = + (−20) = 35 − 20 = 15A
1

Fuente de corriente controlada por voltaje


La Figura 4.8 muestra un circuito con una fuente de corriente controlada
por voltaje. Para encontrar su solución se determina el número de nodos y las
aportaciones de corriente para formar el sistema de ecuaciones. Este caso cuenta
con dos nodos y una aportación de corriente debida a la fuente dependiente, por
lo que el sistema de ecuaciones será de 3x3. La netlist del sistema tiene la forma:

I1 1 0 15 0
R1 1 2 1
R2 3 0 2
R3 2 0 3
G1 2 0 1 3 3

La etiqueta G corresponde a una fuente de corriente controlada de voltaje,


donde la cuarta y quinta columna especican la variable independiente de voltaje
de la que depende esta fuente controlada. El sistema de ecuaciones es:
64 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

    
G1 + G2 −G1 0 e1 is
 −G1 G1 + G3 −1   e2  +  0  = 0 (4.8)
1 0 −Rn ids 0
donde:
G conductancia
e voltaje nodal
is valor de la fuente de corriente
ids fuente de corriente dependiente de corriente
Rn Ganancia de la fuente dependiente
Con el sistema de ecuaciones (4.8), se puede encontrar la solución en Matlab.
El listado de código es el siguiente:

clear all , clc , close all

I = 1 5 ; R1=1; R2=2; R3=3;

Gm=3; Rm=1/Gm;

G1=1/R1 ; G2=1/R2 ; G3=1/R3 ;

K=[G1+G2 =G1 0
=G1 G1+G3 =1
0 1 =Rm ] ;

f =[15; 0; 0];

x= l i n s o l v e (K, f ) ;

%% V a l o r e s obtenidos

x =
7.1429
=4.2857
=12.8571

%% Orcad
e1 = 7 . 1 4 3
e2 = = 4.286
vx = = 1.428

Fuente de voltaje controlada por corriente


La Figura 4.9 muestra un circuito que usa una fuente de voltaje controlada
por corriente. La fuente dependiente requiere del valor de corriente, lo que añade
un nodo virtual al sistema para simular el sentido de la corriente; al tratarse de
4.4. CIRCUITOS CON FUENTES CONTROLADAS 65

1Ω 2Ω
2

15 A
υx
3υx

Figura 4.8: Circuito con fuente de corriente controlada por voltaje

una fuente de voltaje, también debe añadirse su aportación de corriente. Identi-


cando los nodos que se muestran en la Figura 4.9 se tiene primero un sistema
de 5x5; añadiendo el nodo virtual, la aportación de la fuente dependiente, y las
dos fuentes de voltaje independientes se tiene un sistema de 9x9. Este circuito
podría resolverse con un análisis de malla convencional, empleando un número
reducido de ecuaciones. Sin embargo, el método de análisis nodal modicado
permite automatizar la solución. La etiqueta que se asocia a una fuente de vol-
taje controlada por corriente es la letra H; de esta manera la netlist tiene la
forma:

R1 1 2 1
R2 3 0 2
R3 2 0 3
H1 2 0 1 3 3
V1 2 1 5 0
V2 4 0 3 0

Se puede formar un sistema de ecuaciones para resolver en Matlab. Haciendo


uso de las estampas y ensamblando se tiene:

    
G1 0 0 0 0 −1 0 0 0 e1 0

 0 0 0 0 0 +1 0 0 −1 
 e2  
  0 


 0 0 G2 + G3 −G3 0 0 0 0 1 
 e3  
  0 


 0 0 −G3 G3 0 0 0 1 0 
 e4  
  0 


 0 0 0 0 0 0 1 −1 0 
 e5 +
  0 =0


 −1 1 0 0 0 0 0 0 0 
 is1  
  υs1 


 0 0 0 0 1 0 0 0 0 
 is2  
  υs2 

 0 0 0 1 −1 0 0 0 0  i1   0 
0 −1 1 0 0 0 0 H 0 isd 0

donde:
66 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

4i 1 2Ω
2 3 4
5
i
1

5V 4Ω 3V

1

Figura 4.9: Circuito con fuente de voltaje controlada por corriente

G conductancia
e voltaje nodal
υs fuente de voltaje
isd aportación de corriente de la fuente dependiente
is aportación de corriente de la fuente de voltaje
i1 variable independiente de corriente
H transresistencia
Con el sistema de ecuaciones completo, se puede encontrar su solución en
Matlab. El listado de código es el siguiente:

clear all , clc , close all

V1=5; V2=3; R1=4; R2=4; R3=2;

H=4;

G1=1/R1 ; G2=1/R2 ; G3=1/R3 ;

K=[G1 0 0 0 0 =1 0 0 0
0 0 0 0 0 +1 0 0 =1
0 0 G2+G3 =G3 0 0 0 0 1
0 0 =G3 G3 0 0 0 1 0
0 0 0 0 0 0 1 =1 0
=1 1 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 1 0 0 0 0
0 0 0 1 =1 0 0 0 0
0 =1 1 0 0 0 0 =H 0];

f =[0; 0; 0; 0; 0; 5; 3; 0; 0];

x= l i n s o l v e (K, f )

%% V a l o r e s obtenidos
x =
=1.5000
3.5000
2.5000
4.4. CIRCUITOS CON FUENTES CONTROLADAS 67

3.0000
3.0000
=0.3750
=0.2500
=0.2500
=0.3750
%% Orcad
e1 = = 1.5000
e2 = 3 . 5 0 0 0
e3 = 2 . 5 0 0 0
e4 = 3 . 0 0 0 0
e5 = 3 . 0 0 0 0

Fuente de voltaje controlada por voltaje


En la Figura 4.10, se muestra un circuito con fuente de voltaje controlada
por voltaje. Para asignar el valor a la variable independiente de voltaje υx , se
debe localizar sus puntos de conexión que en este caso son el nodo 3 y tierra; de
esta manera se puede asignar el valor de variable dependiente 2υx . Este circuito
cuenta con dos fuentes de voltaje independientes y una dependiente, por lo que
al sistema se añaden sus respectivas aportaciones de corriente. Para este fuente
dependiente se utiliza la etiqueta E, la netlist tiene la forma:

R1 1 0 4
R2 3 0 4
R3 3 4 2
V1 2 1 5 0
V2 4 0 3 0
E1 3 2 3 0 2

Formando el sistema de ecuaciones:

    
G1 0 0 0 −1 0 0 e1 0

 0 0 0 0 1 0 −1 
  e2
  
  0 


 0 0 G2 + G3 −G3 0 0 1   e3
  
  0 


 0 0 −G3 G3 0 1 0 

 e4
+
  0 =0


 −1 1 0 0 0 0 0   is1
  
  υs1 

 0 0 0 1 0 0 0   is2   υs3 
0 −1 1−E 0 0 0 0 isd 0

donde:
68 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

2υx 2Ω

5V υx 4Ω 3V

Figura 4.10: Circuito con una fuente de voltaje controlada por voltaje

G conductancia
e voltaje nodal
υs fuente de voltaje
isd aportación de corriente de la fuente dependiente
is aportación de corriente de la fuente de voltaje
i1 variable independiente de corriente
H transresistencia
Con el sistema de ecuaciones completo, se puede encontrar la solución en
Matlab. El listado de código es el siguiente:

clear all , clc , close all

V1=5; V2=3; R1=4; R2=4; R3=2;

E=2;

G1=1/R1 ; G2=1/R2 ; G3=1/R3 ;

K=[G1 0 0 0 =1 0 0
0 0 0 0 1 0 =1
0 0 G2+G3 =G3 0 0 1
0 0 =G3 G3 0 1 0
=1 1 0 0 0 0 0
0 0 0 1 0 0 0
0 =1 1=E 0 0 0 0];

f =[0; 0; 0; 0; 5; 3; 0];

x= l i n s o l v e (Y, f )

%% V a l o r e s obtenidos

x =
=10.5000
=5.5000
5.5000
3.0000
4.5. CIRCUITO CON INDUCTORES ACOPLADOS 69

1Ω M = 9H

υ1 =10 cos 10t V 100 H 400 Ω

Figura 4.11: Ejemplo de un circuito con inductancias acopladas.

i1 L1 - M L2 - M i2

υ1 M υ2

Figura 4.12: Modelo T para inductores acoplados

=2.6250
1.2500
=2.6250

4.5. Circuito con inductores acoplados


La Figura 4.11 muestra un circuito con 2 inductores acoplados. Existen dife-
rentes formas de solucionar este circuito: en régimen permanente usando impe-
dancias o análisis en el tiempo. En este caso una terminal de cada inductor está
conectada a tierra, por lo que su nodo secundario y el valor numérico de -1 que
identica la diferencia de potencial para tener un voltaje de rama, se eliminan
del sistema de ecuaciones, reduciendo el tamaño de la matriz general.

Se puede observar que en régimen permanente (donde las inductancias se


consideran impedancias) el número de ecuaciones es igual al número de nodos;
después se añade una ecuación por la fuente de voltaje formando el sistema
de ecuaciones. Otra forma para resolver este circuito es pasar al modelo T; en
decir se re-diseña el circuito, este nuevo diseño acopla la inductancia de manera
implicita con diferentes valores de inductancia como se ve en la Figura 4.12.
La solución también se puede encontrar fácilmente usando el MNA, un análisis
nodal o de mallas.

El sistema de ecuaciones tiene la forma

Kx + f = 0 (4.9)

donde la matriz K puede escribirse como:


70 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

 
G1 −G1 0 0 1

 −G1 G1 + B1 −B1 0 0 

K=
 0 −B1 B1 + B2 + BM −B2 0 
 (4.10)
 0 0 −B2 B2 + G2 0 
1 0 0 0 0
donde se manejan valores de conductancia (G) y susceptancia (B). Esta suscep-
tancia es el inverso de la impedancia dada por la ecuación:

Z = jωL (4.11)

donde ω = 10t que se sustituye en (4.11) para tener los valores de impedancia
y susceptancia. El vector columna f contiene las variables de voltaje nodal y
aportaciones de corriente del sistema

 
e1

 e2 

f =
 e3 
 (4.12)
 e4 
is
El vector columna f indica las aportaciones de corrientes al sistema y también
representa la ley de corrientes de Kircho. El último renglón determina el valor
de la corriente que circula por la fuente de voltaje, que tiene aportación en el
nodo 1; por lo tanto:

 
0

 0 

f =
 0 
 (4.13)
 0 
−υs
Ordenando y sustituyendo en (4.9) se tiene:

    
G1 −G1 0 0 1 e1 0

 −G1 G1 + B1 −B1 0 0 
 e2  
  0 


 0 −B1 B1 + B2 + BM −B2 0 
 e3 +
  0 =0

 0 0 −B2 B2 + G2 0  e4   0 
1 0 0 0 0 is −υs
(4.14)
Con este sistema de ecuaciones, se puede programar una rutina sencilla que
obtenga la solución en Matlab. El listado de código es el siguiente:

clear all , clc

L1 =1; L2 = 1 0 0 ; R1=1; R2= 4 0 0 ; G1=1/R1 ; G2=1/R2 ; M=9;


4.5. CIRCUITO CON INDUCTORES ACOPLADOS 71

LM1=L1=M; LM2=L2=M; w= 1 0 ; Z1=j *w*LM1 ; Z2=j *w*LM2 ;

B1=1/Z1 ; B2=1/Z2 ; ZM=j *w*M; BM=1/ZM;

K=[G1 =G1 0 0 1
=G1 G1+B1 =B1 0 0
0 =B1 B1+B2+BM =B2 0
0 0 =B2 B2+G2 0
1 0 0 0 0];

f =[0; 0; 0; 0; 10];

x= l i n s o l v e (K, f )

%% V a l o r e s obtenidos
x =
1 . 0 e +02 *
0.1000 + 0.0000 i
0.0839 + 0.0128 i
1.1114 + 1.3046 i
0.6606 = 0.1982 i
=0.0161 + 0.0128 i

La corriente que circula por la fuente de voltaje corresponde al elemento de


la la 5 de x, que en términos polares corresponde a:

I2 = 0,172∠ − 16,70◦ (4.15)

Con la resistencia y la corriente, o con el elemento de la la 4 se puede obtener


el valor de voltaje y con su cociente determinar la relación como:

V2 400 (0,172∠ − 16,70◦ )


= (4.16)
V1 10∠0◦

= 6,880∠ − 16,70◦
Se observa que la tensión de salida V2 es en realidad mayor en magnitud que la
tensión de entrada V1 . ¾Se debe esperar siempre este resultado? La respuesta es
negativa. Si la resistencia de 400 Ω se sustituye por un cortocircuito, V2 = 0.
Si en vez de eso se sustituye la resistencia de 400 Ω por un circuito abierto,
V2
I2 = 0, al resolver, se sabe que el valor máximo que se esperaría para
V1 es
8,955∠5,711◦ . De tal modo, la respuesta al menos parece razonable.
Para un análisis en el tiempo la situación cambia bastante, puesto que, debi-
do a las aportaciones de corriente de las inductancias, se incrementa el número
de ecuaciones de la matriz general. Al no tratarse de régimen permanente, el
modelo T no es un modelo válido por lo que se hace un análisis con base en la
Figura (4.12). La ecuación general del sistema es:
72 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

Cẋ + Kx + f = 0 (4.17)

y los elementos de C que contienen la inductancia y su acoplamiento, se obtienen


de la ecuación:

di1 di2
υ1 = L1 + L12
dt dt
di1 di2
υ2 = L21 + L2
dt dt
donde p
M = L12 = L21 = ±k L1 L2
De esta se obtiene.

  ˙      
0 0 0 0 0 0 e1 +G1 −G1 0 1 0 0 e1 0

 0 0 0 0 0 0   e2

 
  −G1 +G1 0 0 1 0 

 e2   0
 



 0 0 0 0 0 0   e3

 
+ 0 0 G2   e3 + 0
0 0 1     
=0

 0 0 0 0 0 0   is

 
  1 0 0 0 0 0 

 is   υs
 


 0 0 0 0 −L1 −M   i1   0 1 0 0 0 0   i 1   υ1 
0 0 0 0 −M −L2 i2 0 0 1 0 0 0 i2 υ2
(4.18)
Utilizando la forma generalizada de las BDF:

e˙1
      
0 0 0 0 0 0 +G1 −G1 0 1 0 0



 0 0 0 0 0 0  
  −G1 +G1 0 0 1 0 
  e2 

 α0  0 0 0 0 0 0   0 0 G2 0 0 1 
  e3 
−  +  +
 h


 0 0 0 0 0 0  
  1 0 0 0 0 0  

 is 

  0 0 0 0 −L1 −M   0 1 0 0 0 0   i1 
0 0 0 0 −M −L2 0 0 1 0 0 0 i2

      
0 0 0 0 0 0 e1 0
  0 0 0 0 0 0   e2   0 
 k
  X    
 1 0 0 0 0 0 0  e3   0 
−   αi  +  = 0 (4.19)
 h
  0 0 0 0 0 0 
 i=1 
 is  
  υs 

  0 0 0 0 −L1 −M   i1   υ1 
0 0 0 0 −M −L2 i2 υ2

Según el método de discretización utilizado, se puede obtener una nueva


matriz K′ modicada que incluye la matriz Ky C de la forma K′ = − αh0 C +
K. Esto servirá para poder hacer una rutina simple en Matlab, pero para un
circuito con múltiples nodos e inductores acoplados no es recomendable hacerlo
de manera manual, dado que la matriz modicada puede ser más complicada de
obtener, por lo que es conveniente regresar a la rutina automatizada usando la
4.5. CIRCUITO CON INDUCTORES ACOPLADOS 73

netlist y resolviendo en Fortran. Para mostrar cómo se hace esta nueva matriz
modicada se usa el método de Euler inverso, que es el método más sencillo de
los propuestos. Los elementos de la inductancia e inductancia acoplada en la
matriz K′ toman valores de la siguiente manera:

L1
Leq1 = h
L2
Leq2 = h
(4.20)
M
Meq = h

Sustituyendo en K′ :
 
+G1 −G1 0 1 0 0

 −G1 +G1 0 0 1 0 


 0 0 G2 0 0 1 
K =  (4.21)

 1 0 0 0 0 0 

 0 1 0 0 −Leq1 −Meq 
0 0 1 0 −Meq −Leq2
Si se tiene Ky el vector de variables x, se puede hacer una rutina en Matlab de
la siguiente manera.

clear all , clc , close all


R1=1; R2= 4 0 0 ; L1 =1; L2 = 1 0 0 ;
k = 0 . 9 ; M=k * s q r t ( L1 * L2 ) ; h=1e = 5;
t =0: h : 0 . 5 ;
G1=1/R1 ; G2=1/R2 ; Leq1=L1 / h ; Leq2=L2 / h ;
Meq=M/ h ; f = 6 0 ; w=2* p i * f ; Vm= 2 0 ; v s ( 1 ) =Vm;

f=z e r o s ( 6 , 1 ) ;
x=z e r o s ( 6 , 1 ) ;
C=z e r o s ( 6 , 6 ) ;
K=z e r o s ( 6 , 6 ) ;

C(5 ,5)= = L1 ; C( 5 , 6 ) = =M;


C( 6 , 5 ) = =M; C(6 ,6)= = L2 ;

K( 1 , 1 ) = G1 ; K(1 ,2)= = G1 ;
K(2 ,1)= = G1 ; K( 2 , 2 ) = G1 ;
K( 3 , 3 ) = G2 ; K( 4 , 1 ) = 1;
K( 1 , 4 ) = 1 ; K( 5 , 2 ) = 1;
K( 2 , 5 ) = 1 ; K( 6 , 3 ) = 1;
K( 3 , 6 ) = 1;

for i =1: l e n g t h ( t )
if i ==1
f ( 4 , : , i )=0;
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i )
74 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

+f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;
else
f ( 4 , : , i )==Vm* s i n (w* t ( i ) ) ;
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C * ( 1 ) * x ( : , : , i = 1)
+f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;
end
end

for j =1: l e n g t h ( t )
if j ==1
e_1 ( j ) = 0;
e_2 ( j ) = 0;
e_3 ( j ) = 0;
i_s ( j ) = 0;
i _ l 1 ( j )= 0;
i _ l 2 ( j )= 0;
else
e_1 ( j ) = x(1 ,: , j =1);
e_2 ( j ) = x(2 ,: , j =1);
e_3 ( j ) = x(3 ,: , j =1);
i_s ( j ) = =x ( 4 ,: , j =1);
i _ l 1 ( j )= x(5 ,: , j =1);
i _ l 2 ( j )= x(6 ,: , j =1);
end
end

figure
subplot (2 ,1 ,1) , plot ( t , i_l1 ) , grid ,
x l a b e l ( ' Time ( s ) ') , y l a b e l ( ' Current (A ) ' ) ,
t i t l e ( ' Current vs Time Inductor L_1 ')
legend ( ' Simulink ' , ' Euler1 ' )

subplot (2 ,1 ,2) , plot ( t , =i _ l 2 ) , grid ,


x l a b e l ( ' Time ( s ) ') , y l a b e l ( ' Current (A ) ' ) ,
t i t l e ( ' Current vs Time Inductor L_2 ')
legend ( ' Analitic ' , 'BE' , ' BDF2 ' )

Para comparar resultados se puede utilizar el programa de simulink. El cir-


cuito es el mostrado en la Figura 4.13.

La Figura 4.14muestra la respuesta de la rutina en fortran y en simulink


para el circuito con inductancia acoplada. La respuesta es muy similar salvo
ligeras variaciones imperceptibles.
4.5. CIRCUITO CON INDUCTORES ACOPLADOS 75

PS S
PS S

f(x) = 0

Figura 4.13: Diagrama en Simulink del circuito con inductores acoplados.

Current vs Time Inductor L 1


1
Simulink
Current (A)

0.5 Euler

-0.5
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
Time (s)
Current vs Time Inductor L 2
0.05
Simulink
Current (A)

Euler

-0.05
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
Time (s)

Figura 4.14: Forma de onda de las corrientes en los inductores L1 y L2.


76 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

t = 35ms

10 Ω 1Ω
t = 5ms
υ1 =230 kV

Figura 4.15: Circuito con interruptor de arco eléctrico

4.6. Circuito con arco eléctrico


La Figura 4.15, muestra un circuito con un interruptor que representa un arco
eléctrico. Los parámetros requeridos para su funcionamiento son el voltaje en
el cual ocurre el arco eléctrico, el tiempo en el que puede accionar y el retardo
de apertura después de entrar en conducción. Para este caso en concreto se
omite ese último parámetro; si se quisiera añadir este último parámetro lo ideal
sería añadir un contador para el tiempo de retardo dentro del ciclo de cerrado
que dependa únicamente de la corriente que circula en ese interruptor. Hay
dos interruptores en paralelo accionados en tiempos distintos, representando un
cierre/apertura y un arqueo posterior.
En este circuito, al igual que en el del interruptor se consideran las apor-
taciones de corriente del interruptor principal y el de arco eléctrico. La matriz
general tiene un tamaño general de 6x6, correspondientes al número de nodos
(3) y las ecuaciones de corriente de la fuente de voltaje y los interruptores (3).
Al implementarlo en una rutina de Matlab el listado de código tiene la forma:

close all , clear all , clc


Vm=230 e 3 ; f = 6 0 ; w=2* p i * f ; h=1e = 6; t =0: h : 8 4 e = 3;
v s=Vm* c o s (w* t ) ; R1= 1 0 ; G1=1/R1 ; R2=1; G2=1/R2 ;
vd = 0 . 7 ; t o s =5e = 3; t c s 2 =36e = 3;

Ya=[ G1 =G1 0 1 0 0
=G1 G1 0 0 1 1
0 0 G2 0 =1 =1
1 0 0 0 0 0
0 1 =1 0 0 0
0 0 0 0 0 1];

Yb=[ G1 =G1 0 1 0 0
=G1 G1 0 0 1 1
0 0 G2 0 =1 =1
1 0 0 0 0 0
0 0 0 0 1 0
0 1 =1 0 0 0];
4.6. CIRCUITO CON ARCO ELÉCTRICO 77

Yc=[ G1 =G1 0 1 0 0
=G1 G1 0 0 1 1
0 0 G2 0 =1 =1
1 0 0 0 0 0
0 0 0 0 1 0
0 0 0 0 0 1];

I = [0
0
0
Vm
0
0];

V=z e r o s ( l e n g t h ( I ) , 1 , l e n g t h ( t ) ) ;

I=z e r o s ( l e n g t h ( I ) , 1 , l e n g t h ( t ) ) ;

v t o s=t o s / h ; v t c s 2=t c s 2 / h ;

for i =1: l e n g t h ( t )
if i ==1
I ( 4 , : , i )= v s ( i ) ; % voltaje de la fuente en el tiempo
V ( : , : , i )= i n v ( Yc ) * I ( : , : , i ) ;
Vesp ( i ) = 0 ;
I e s p ( i )=0;
Vespv=Vesp ( i ) ;
I e s p v=I e s p ( i ) ;
c o n t r o l =0;
elseif i <=v t o s && I e s p v >=0
I ( 4 , : , i )= v s ( i ) ; % voltaje de la fuente en el tiempo
V ( : , : , i )= i n v ( Ya ) * I ( : , : , i ) ;
Vesp ( i )= a b s (V ( 2 , : , i )=V ( 3 , : , i ) ) ;
I e s p ( i )=V ( 4 , : , i ) * V ( 4 , : , i =1);
Vespv=Vesp ( i ) ;
I e s p v=I e s p ( i ) ;
c o n t r o l =1;
elseif i >=v t o s && I e s p v >=0 && c o n t r o l ==1
I ( 4 , : , i )= v s ( i ) ;
V ( : , : , i )= i n v ( Ya ) * I ( : , : , i ) ;
Vesp ( i )= a b s (V ( 2 , : , i )=V ( 3 , : , i ) ) ;
I e s p ( i )=V ( 4 , : , i ) * V ( 4 , : , i =1);
Vespv=Vesp ( i ) ;
I e s p v=I e s p ( i ) ;
elseif i >=v t o s && i >=v t c s 2 && Vespv >=150 e 3 && I e s p v >=0
78 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

I ( 4 , : , i )= v s ( i ) ;
V ( : , : , i )= i n v ( Yb ) * I ( : , : , i ) ;
Vesp ( i )=180 e 3 ;
I e s p ( i )=V ( 4 , : , i ) * V ( 4 , : , i =1);
Vespv=Vesp ( i ) ;
I e s p v=I e s p ( i ) ;
c o n t r o l =0;
else
I ( 4 , : , i )= v s ( i ) ;
V ( : , : , i )= i n v ( Yc ) * I ( : , : , i ) ;
Vesp ( i )= a b s (V ( 2 , : , i )=V ( 3 , : , i ) ) ;
I e s p ( i )=V ( 4 , : , i ) * V ( 4 , : , i =1);
Vespv=Vesp ( i ) ;
I e s p v=I e s p ( i ) ;
c o n t r o l =0;
end
end

for j =1: l e n g t h ( t )
i_d ( j )==V ( 4 , : , j ) ; %
v_d ( j )=V ( 2 , : , j )=V ( 3 , : , j ) ; %
v_s ( j )=V ( 1 , : , j ) ;
end

figure

subplot (3 ,1 ,1) , plot ( t , v_s ) , t i t l e ( ' Voltaje en fuente ' ) ,


x l a b e l ( ' Tiempo ( s ) ')
ylabel ( ' Voltaje (V ) ' )
grid

subplot (3 ,1 ,2) , plot ( t , v_d )


t i t l e ( ' Voltaje en el diodo ')
x l a b e l ( ' Tiempo ( s ) ')
ylabel ( ' Voltaje (V ) ' )
grid

subplot (3 ,1 ,3) , plot ( t , i_d )


t i t l e ( ' Corriente del interruptor ' )
x l a b e l ( ' Tiempo ( s ) ')
ylabel ( ' Corriente (A ) ' )
grid

La gráca de la Figura 4.16 muestra el comportamiento de la corriente del


interruptor y los voltajes de interés como es la fuente que en todo momento vale
lo mismo, las terminales del interruptor que tendrá valores cuando no se llegue
4.7. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA PARA UN SISTEMA TRIFASICO 79

105 Voltaje en fuente


5
Voltaje (V)
0

-5
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09
Tiempo (s)
105 Voltaje en terminales de interruptor de arco
5
Voltaje (V)

-5
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09
Tiempo (s)
104 Corriente del interruptor de arco
Corriente (A)

-5
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09
Tiempo (s)

Figura 4.16: Formas de onda de voltaje y corriente en el circuito de arco eléctrico.

a un valor de voltaje que genere un arco eléctrico pero que si muestra valor de
corriente en estos instantes ejemplicando el recierre del interruptor.

4.7. Recticador de onda completa para un sis-


tema trifasico
La Figura 4.17, muestra un sistema trifasico que cuenta con un recticador
de onda completa. Para formar la netlist se etiquetan los elementos correspon-
dientes y para el caso del diodo la etiqueta asociada es la letra D, de manera
que la netlist tiene la forma:

V1 1 0 120 60 0
V2 2 0 120 60 =120
V3 3 0 120 60 +120
L1 1 4 3 e =6
L2 2 5 3 e =6
L3 3 6 3 e =6
D1 4 7
D2 5 7
D3 6 7
D4 8 4
D5 8 5
D6 8 6
80 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

1 mH
1 4
1 mH
2 5
1 kΩ
1 mH
3 6

υ1 υ2 υ3

Figura 4.17: Circuito de un recticador de onda completa trifasico con una carga
resistiva

R1 7 8

De la netlist es posible generar el sistema de ecuaciones que en un inicio debe


ser de al menos 7x7 debido al número de nodos. Al tener 3 fuentes de voltaje
y 3 inductores se añaden sus aportaciones de corriente, lo que incrementa la
matriz global a una matriz de 13x13. La matriz global tendrá un tamaño de
13x13 si se utiliza el modelo de diodo sin interruptor con resistencia de bloqueo
y resistencia de conducción donde los estados los modula una variable d. Si por
otro lado, se utiliza un modelo más complejo que incluya la caída de potencial
debido al diodo, el interruptor e incluya las resistencias de bloqueo y conducción
la matriz global incrementa en dos ecuaciones por nodo, formando una matriz
de 25x25; esto representa un mayor costo en memoria y un tiempo de solución
más largo que no necesariamente es más preciso, con respecto a la matriz global
de 13x13. El sistema de ecuaciones global tiene la forma:

e˙1
  
. . . . . . . . . . . . .

 . . . . . . . . . . . . . 
 e2 


 . . . . . . . . . . . . . 
 e3 


 . . . . . . . . . . . . . 
 e4 


 . . . . . . . . . . . . . 
 e5 


 . . . . . . . . . . . . . 
 e6 


 . . . . . . . . . . . . . 
 e7 +


 . . . . . . . . . . . . . 
 is1 


 . . . . . . . . . . . . . 
 is2 


 . . . . . . . . . . . . . 
 is3 


 . . . . . . . . . . L1 . . 
 iL1 

 . . . . . . . . . . . L2 .  iL2 
. . . . . . . . . . . . L3 iL3
4.7. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA PARA UN SISTEMA TRIFASICO 81

Current vs Time L1
200
Code
Current (A)

0 Simulink

-200

-400
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Time (s)
Voltage vs Time Load
150
Code
Voltage (V)

100 Simulink

50

0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Time (s)

Figura 4.18: Forma de onda de la corriente en el inductor L1 y la carga.

  
. . . . . . . 1 . . 1 . . e1

 . . . . . . . . 1 . . 1 . 

 e2 


 . . . . . . . . . 1 . . 1 
  e3
 


 . . . d1 + d4 . . −d1 − d4 . . . −1 . . 
  e4
 


 . . . . d 2 + d5 . −d2 − d5 . . . . −1 .   e5
 

 . . . . . d3 + d6 −d3 − d6 . . . . . −1 
  e6
 
1
 
+
 . . . . . . Rl + D . . . . . . 
  e7
 

1 . . . . . . . . . . .   is1
. 
  
 
. 1 . . . . . . . . . .   is2
. 
  
 
. . 1 . . . . . . . . .   is3
. 
  
 

 1 . . −1 . . . . . . . .   iL1
.   

 . 1 . . −1 . . . . . . . .   iL2 
. . 1 . . −1 . . . . . . . iL3
(4.22)
donde el término dn corresponde a los valores de las resistencias de conducción
y bloqueo dada por la expresión dn = pn R1c + (1 − pn ) R1b , que es el modelo del
diodo simplicado. pn la variable que modula la apertura o cierre del diodo como
Pn
interruptor. La letra D no es más que la sumatoria dn , siendo n el número de
i=1
diodos en la conguración del recticador, es decir D = d1 +d2 +d3 +d4 +d5 +d6 .
Con este sistema de ecuaciones se puede realizar una rutina en Matlab. El
de código es el siguiente:

clear all
82 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

close all
clc

r l =1e 3 ; h=1e = 6; t =0: h : 6 0 e = 3; f r = 6 0 ; w=2* p i * f r ;


V1=120 * s i n (w* t ) ; V2=120 * s i n (w* t =2* p i / 3 ) ; V3=120 * s i n (w* t +2* p i / 3 ) ;
Rl=1e 3 ; Rc=1e = 1 0 ; Rb=1e 1 0 ; L=1e = 3; R1=1e 2 0 ; C l=1e = 9;
K=z e r o s ( 1 3 , 1 3 ) ;
d1 =0; d2 =0; d3 =0; d4 =0; d5 =0; d6 =0;
x0=z e r o s ( 1 3 , 1 ) ;
f=z e r o s ( 1 3 , 1 , l e n g t h ( t ) ) ;

BDF=2;

if BDF==1
a l p h a 0 =1;
a l p h a 1 = =1;
a l p h a 2 =0;
end

if BDF==2
a l p h a 0 = = 1.50;
a l p h a 1 =+2.00;
a l p h a 2 = = 0.50;
end

if BDF==3
a l p h a 0 = = 11/6;
a l p h a 1 =+3.00;
a l p h a 2 = = 1.50;
end

for i =1: l e n g t h ( t )
if i ==1
% Resistencias
K( 7 , 7 ) = 1 / Rl ;
% Inductor
C(11 ,11)= = L ; C(12 ,12)= = L ; C(13 ,13)= = L ; K( 1 1 , 0 1 ) = + 1 ;
K( 1 1 , 0 4 ) = = 1 ; K( 0 1 , 1 1 ) = + 1 ; K( 0 4 , 1 1 ) = = 1 ; K( 1 2 , 0 2 ) = + 1 ;
K( 1 2 , 0 5 ) = = 1 ; K( 0 2 , 1 2 ) = + 1 ; K( 0 5 , 1 2 ) = = 1 ; K( 1 3 , 0 3 ) = + 1 ;
K( 1 3 , 0 6 ) = = 1 ; K( 0 3 , 1 3 ) = + 1 ; K( 0 6 , 1 3 ) = = 1 ;

% Ecuaciones de voltaje
K( 0 8 , 1 ) = 1 ; K( 0 1 , 0 8 ) = 1 ;
K( 0 9 , 2 ) = 1 ; K( 0 2 , 0 9 ) = 1 ;
K( 1 0 , 3 ) = 1 ; K( 0 3 , 1 0 ) = 1 ;
4.7. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA PARA UN SISTEMA TRIFASICO 83

% Resistencia conducción
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + d1 * 1 / Rc ; K( 4 , 7 ) =K( 4 , 7 ) = d1 * 1 / Rc ;
K( 7 , 4 ) =K( 7 , 4 ) = d1 * 1 / Rc ;
K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d1 * 1 / Rc ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + d2 * 1 / Rc ;
K( 5 , 7 ) =K( 5 , 7 ) = d2 * 1 / Rc ;
K( 7 , 5 ) =K( 7 , 5 ) = d2 * 1 / Rc ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d2 * 1 / Rc ;
K( 6 , 6 ) =K( 5 , 5 ) + d3 * 1 / Rc ;
K( 6 , 7 ) =K( 6 , 7 ) = d3 * 1 / Rc ; K( 7 , 6 ) =K( 7 , 6 ) = d3 * 1 / Rc ;
K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d3 * 1 / Rc ;
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + d4 * 1 / Rc ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + d5 * 1 / Rc ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + d6 * 1 / Rc ;

% Resistencia bloqueo
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ; K( 4 , 7 ) =K( 4 , 7 ) = ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 4 ) =K( 7 , 4 ) = ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ;
K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ; K( 5 , 7 ) =K( 5 , 7 ) = ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 5 ) =K( 7 , 5 ) = ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ; K( 6 , 7 ) =K( 6 , 7 ) = ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 6 ) =K( 7 , 6 ) = ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ;
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + ( 1 = d4 ) * 1 / Rb ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + ( 1 = d5 ) * 1 / Rb ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + ( 1 = d6 ) * 1 / Rb ;

% Aportaciones
f ( 0 8 , : , i )=V1 ( i ) ;
f ( 0 9 , : , i )=V2 ( i ) ;
f ( 1 0 , : , i )=V3 ( i ) ;

% Solución
A ( : , : , i )== a l p h a 0 / h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C * a l p h a 1 * x0 +f (: ,: , i ));
xn ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ))* f ( : , : , i ) ;

% Reseteo de parámetros de los diodos


K( 4 , 4 ) = 0 ; K( 4 , 7 ) = 0 ; K( 7 , 4 ) = 0 ; K( 7 , 7 ) = 0 ; K( 5 , 5 ) = 0 ;
K( 5 , 7 ) = 0 ; K( 7 , 5 ) = 0 ; K( 6 , 6 ) = 0 ; K( 6 , 7 ) = 0 ; K( 7 , 6 ) = 0 ;

% Voltaje en diodos
Vd1=xn ( 4 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd2=xn ( 5 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd3=xn ( 6 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd4==xn ( 4 , : , i ) ;
Vd5==xn ( 5 , : , i ) ;
Vd6==xn ( 6 , : , i ) ;

% Condiciones interruptores
84 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

if Vd1>0
d1 =1;
else
d1 =0;
end
if Vd2>0
d2 =1;
else
d2 =0;
end
if Vd3>0
d3 =1;
else
d3 =0;
end
if Vd4>0
d4 =1;
else
d4 =0;
end
if Vd5>0
d5 =1;
else
d5 =0;
end
if Vd6>0
d6 =1;
else
d6 =0;
end
elseif i ==2

% Resistencias
K( 7 , 7 ) = 1 / Rl ;
% Inductor
C(11 ,11)= = L ; C(12 ,12)= = L ; C(13 ,13)= = L ; K( 1 1 , 0 1 ) = + 1 ;
K( 1 1 , 0 4 ) = = 1 ; K( 0 1 , 1 1 ) = + 1 ; K( 0 4 , 1 1 ) = = 1 ; K( 1 2 , 0 2 ) = + 1 ;
K( 1 2 , 0 5 ) = = 1 ; K( 0 2 , 1 2 ) = + 1 ; K( 0 5 , 1 2 ) = = 1 ; K( 1 3 , 0 3 ) = + 1 ;
K( 1 3 , 0 6 ) = = 1 ; K( 0 3 , 1 3 ) = + 1 ; K( 0 6 , 1 3 ) = = 1 ;

% Ecuaciones de voltaje
K( 0 8 , 1 ) = 1 ; K( 0 1 , 0 8 ) = 1 ;
K( 0 9 , 2 ) = 1 ; K( 0 2 , 0 9 ) = 1 ;
K( 1 0 , 3 ) = 1 ; K( 0 3 , 1 0 ) = 1 ;

% Resistencia conducción
4.7. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA PARA UN SISTEMA TRIFASICO 85

K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + d1 * 1 / Rc ; K( 4 , 7 ) =K( 4 , 7 ) = d1 * 1 / Rc ;
K( 7 , 4 ) =K( 7 , 4 ) = d1 * 1 / Rc ;
K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d1 * 1 / Rc ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + d2 * 1 / Rc ;
K( 5 , 7 ) =K( 5 , 7 ) = d2 * 1 / Rc ;
K( 7 , 5 ) =K( 7 , 5 ) = d2 * 1 / Rc ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d2 * 1 / Rc ;
K( 6 , 6 ) =K( 5 , 5 ) + d3 * 1 / Rc ;
K( 6 , 7 ) =K( 6 , 7 ) = d3 * 1 / Rc ; K( 7 , 6 ) =K( 7 , 6 ) = d3 * 1 / Rc ;
K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d3 * 1 / Rc ;
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + d4 * 1 / Rc ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + d5 * 1 / Rc ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + d6 * 1 / Rc ;

% Resistencia bloqueo
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ; K( 4 , 7 ) =K( 4 , 7 ) = ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 4 ) =K( 7 , 4 ) = ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ;
K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ; K( 5 , 7 ) =K( 5 , 7 ) = ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 5 ) =K( 7 , 5 ) = ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ; K( 6 , 7 ) =K( 6 , 7 ) = ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 6 ) =K( 7 , 6 ) = ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ;
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + ( 1 = d4 ) * 1 / Rb ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + ( 1 = d5 ) * 1 / Rb ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + ( 1 = d6 ) * 1 / Rb ;

% Aportaciones
f ( 0 8 , : , i )=V1 ( i ) ;
f ( 0 9 , : , i )=V2 ( i ) ;
f ( 1 0 , : , i )=V3 ( i ) ;

% Solución
A ( : , : , i )== a l p h a 0 / h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C * a l p h a 1 * x0 +f (: ,: , i ));
xn ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ))* f ( : , : , i ) ;

% Reseteo de parámetros de los diodos


K( 4 , 4 ) = 0 ; K( 4 , 7 ) = 0 ; K( 7 , 4 ) = 0 ; K( 7 , 7 ) = 0 ; K( 5 , 5 ) = 0 ;
K( 5 , 7 ) = 0 ; K( 7 , 5 ) = 0 ; K( 6 , 6 ) = 0 ; K( 6 , 7 ) = 0 ; K( 7 , 6 ) = 0 ;

% Voltaje en diodos
Vd1=xn ( 4 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd2=xn ( 5 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd3=xn ( 6 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd4==xn ( 4 , : , i ) ;
Vd5==xn ( 5 , : , i ) ;
Vd6==xn ( 6 , : , i ) ;

% Condiciones interruptores
if Vd1>0
d1 =1;
86 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

else
d1 =0;
end
if Vd2>0
d2 =1;
else
d2 =0;
end
if Vd3>0
d3 =1;
else
d3 =0;
end
if Vd4>0
d4 =1;
else
d4 =0;
end
if Vd5>0
d5 =1;
else
d5 =0;
end
if Vd6>0
d6 =1;
else
d6 =0;
end
else
% Resistencias
K( 7 , 7 ) = 1 / Rl ;
% Inductor
C(11 ,11)= = L ; C(12 ,12)= = L ; C(13 ,13)= = L ; K( 1 1 , 0 1 ) = + 1 ;
K( 1 1 , 0 4 ) = = 1 ; K( 0 1 , 1 1 ) = + 1 ; K( 0 4 , 1 1 ) = = 1 ; K( 1 2 , 0 2 ) = + 1 ;
K( 1 2 , 0 5 ) = = 1 ; K( 0 2 , 1 2 ) = + 1 ; K( 0 5 , 1 2 ) = = 1 ; K( 1 3 , 0 3 ) = + 1 ;
K( 1 3 , 0 6 ) = = 1 ; K( 0 3 , 1 3 ) = + 1 ; K( 0 6 , 1 3 ) = = 1 ;

% Ecuaciones de voltaje
K( 0 8 , 1 ) = 1 ; K( 0 1 , 0 8 ) = 1 ;
K( 0 9 , 2 ) = 1 ; K( 0 2 , 0 9 ) = 1 ;
K( 1 0 , 3 ) = 1 ; K( 0 3 , 1 0 ) = 1 ;

% Resistencia conducción
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + d1 * 1 / Rc ; K( 4 , 7 ) =K( 4 , 7 ) = d1 * 1 / Rc ;
K( 7 , 4 ) =K( 7 , 4 ) = d1 * 1 / Rc ;
K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d1 * 1 / Rc ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + d2 * 1 / Rc ;
4.7. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA PARA UN SISTEMA TRIFASICO 87

K( 5 , 7 ) =K( 5 , 7 ) = d2 * 1 / Rc ;
K( 7 , 5 ) =K( 7 , 5 ) = d2 * 1 / Rc ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d2 * 1 / Rc ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + d3 * 1 / Rc ;
K( 6 , 7 ) =K( 6 , 7 ) = d3 * 1 / Rc ; K( 7 , 6 ) =K( 7 , 6 ) = d3 * 1 / Rc ;
K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d3 * 1 / Rc ;
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + d4 * 1 / Rc ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + d5 * 1 / Rc ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + d6 * 1 / Rc ;

% Resistencia bloqueo
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ; K( 4 , 7 ) =K( 4 , 7 ) = ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 4 ) =K( 7 , 4 ) = ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ;
K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ; K( 5 , 7 ) =K( 5 , 7 ) = ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 5 ) =K( 7 , 5 ) = ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ; K( 6 , 7 ) =K( 6 , 7 ) = ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 6 ) =K( 7 , 6 ) = ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ;
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + ( 1 = d4 ) * 1 / Rb ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + ( 1 = d5 ) * 1 / Rb ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + ( 1 = d6 ) * 1 / Rb ;

% Aportaciones
f ( 0 8 , : , i )=V1 ( i ) ;
f ( 0 9 , : , i )=V2 ( i ) ;
f ( 1 0 , : , i )=V3 ( i ) ;

% Solución
A ( : , : , i )== a l p h a 0 / h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C * a l p h a 1 * x0 +f (: ,: , i ));
xn ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ))* f ( : , : , i ) ;

% Reseteo de parámetros de los diodos


K( 4 , 4 ) = 0 ; K( 4 , 7 ) = 0 ; K( 7 , 4 ) = 0 ; K( 7 , 7 ) = 0 ; K( 5 , 5 ) = 0 ;
K( 5 , 7 ) = 0 ; K( 7 , 5 ) = 0 ; K( 6 , 6 ) = 0 ; K( 6 , 7 ) = 0 ; K( 7 , 6 ) = 0 ;

% Voltaje en diodos
Vd1=xn ( 4 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd2=xn ( 5 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd3=xn ( 6 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd4==xn ( 4 , : , i ) ;
Vd5==xn ( 5 , : , i ) ;
Vd6==xn ( 6 , : , i ) ;

% Condiciones interruptores
if Vd1>0
d1 =1;
else
d1 =0;
end
88 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

if Vd2>0
d2 =1;
else
d2 =0;
end
if Vd3>0
d3 =1;
else
d3 =0;
end
if Vd4>0
d4 =1;
else
d4 =0;
end
if Vd5>0
d5 =1;
else
d5 =0;
end
if Vd6>0
d6 =1;
else
d6 =0;
end
for j =1: l e n g t h ( t )
if j ==1
Veq1 ( j )= 0;
Veq2 ( j )= 0;
Veq3 ( j )= 0;
l o a d ( j )= 0;
c u r r e n t ( j )=0;
else
Veq1 ( j )= xn ( 1 , : , j =1);
Veq2 ( j )= xn ( 2 , : , j =1);
Veq3 ( j )= xn ( 3 , : , j =1);
l o a d ( j )= xn ( 7 , : , j =1);
c u r r e n t ( j )= l o a d ( j ) / Rl ;
end
end

figure

subplot (2 ,1 ,1)
plot (t , Veq1 , t , Veq2 , t , Veq3 )
grid
4.7. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA PARA UN SISTEMA TRIFASICO 89

subplot (2 ,1 ,2)
plot ( t , load )
grid

figure
plot ( t , current )
grid

La Figura 4.18 muestra las formas de onda de la corriente en el Inductor L1


y el voltaje en terminales de la resistencia. La gráca compara la respuesta en
código con la respuesta en el diagrama de simulink mostrado en la Figura 4.19.
90 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN

PS S
Open Simscape

Open Electrical
Library

Library

f(x) = 0
PS S

Figura 4.19: Diagrama en Simulink del recticador trifásico de onda completa.


Capítulo 5

Conclusiones
La falta de metodologías y técnicas de análisis para eventos transitorio en
circuitos eléctricos y su solución numérica fue la principal motivación para abor-
dar este trabajo de investigación. En este capítulo se sintetizan los diferentes
métodos empleados a lo largo de esta tesis y se indica la importancia del trabajo
y sus aplicaciones a futuro.

5.1. Conclusiones
En la actualidad los paquetes de simulación para circuitos eléctricos que
obtienen respuestas en el dominio del tiempo, simplican sus procesos utilizando
únicamente dos métodos numéricos: trapezoidal y Euler inverso (BDF de primer
orden). El problema de utilizar la regla trapezoidal es que la respuesta oscila
ante eventos transitorios como la desconexión de capacitores y esta oscilación
no se amortigua. El método de Euler por naturaleza amortigua la respuesta aún
cuando en realidad deba existir cierta oscilación lo que podría provocar un cierre
o apertura en alguno de los componentes de electrónica de potencia como lo
son los tiristores que necesitan una señal lógica para modular la compuerta y su
respectiva corriente de disparo. También el método de Euler es una discretización
con baja precisión que depende únicamente de un paso de tiempo, caso contrario
al método trapezoidal que, si bien es otra discretización simple, aprovecha mejor
los valores históricos al ser en principio un promedio de una respuesta adelantada
y una atrasada similar al método de Adams Bashforth (este último se utiliza
más como método predictivo) que da una respuesta más dedigna. Es así como
se consideró la familia de las BDF de orden superior que aprovecha mejor esta
información histórica comparándose en velocidad de respuesta al método de
Euler y delidad de respuesta al método trapezoidal. La única desventaja ocurre
si se piensa a utilizar para esquemas simples donde una sobre discretización de
una función se vuelve redundante y poco útil.
Los motivos por los que no han sido implementados los métodos multipa-
so probablemente se relacionan con el costo de memoria. Los nuevos avances

91
92 CAPÍTULO 5. CONCLUSIONES

tecnológicos permiten un mayor almacenamiento y una mayor velocidad en el


análisis de datos, lo que vuelve a los métodos multipaso en una opción viable en
la actualidad. Este análisis de datos puede derivar en distintos métodos aplica-
bles en un mismo sistema, donde el tamaño del sistema a analizar determinará
qué variación o tipo de método utilizar enfocándose en la velocidad y precisión.
Ante ciertas situaciones será recomendable un análisis exhaustivo utilizando el
método de mejor respuesta aún si esto representa un mayor costo de memoria
y tiempo, como el caso de requerir un nuevo y mejor sistema de protecciones.

5.2. Recomendaciones para trabajos futuros


Las aplicaciones inmediatas para este trabajo se relacionan con la solución
numérica o en el dominio del tiempo. Por un lado, las metodologías y herra-
mientas que se ofrecen en este trabajo otorgan las capacidades para adecuar
este trabajo a más componentes o diferentes métodos numéricos así como la
generación de un paquete de simulación que no tendría nada que envidiar a
paquetes conocidos como SPICE o EMTP, pudiendo ser un paquete amigable
que pueda interactuar con estos últimos mediante el uso de la netlist.
Un enfoque distinto es trabajar en el dominio de la frecuencia que permita
descomponer una señal periódica en un número nito de frecuencias utilizando
las series de Fourier, lo que permite trabajar con rangos de una oscilación en lu-
gar de pasos de tiempo. De manera general algunos de los temas de investigación
que se pueden derivar de esta investigación pueden ser:

1. Desarrollo de una interfaz gráca que pueda generar la netlist utilizando


los componentes o haciendo el dibujo del circuito o sistema eléctrico.

2. Propuesta de nuevos métodos que puedan acelerar la respuesta y/o dismi-


nuir el consumo de memoria y tiempo de respuesta.

3. Investigación y exploración de nuevas técnicas en el dominio de la frecuen-


cia.

4. Implementación de métodos numéricos predictivos como Adams Bashford


que representen una ventaja en eventos transitorios para establecer nuevos
equipos de protección en un sistema eléctrico.

5. Adecuaciones de métodos predictivos para tener una respuesta real.

6. Comparación de la respuesta numérica con la respuesta experimental pa-


ra nuevos tiempos de cierre o apertura en dispositivos de electrónica de
potencia.
Bibliografía
[1] Martinez-Velasco, J. A. (2014). Transient analysis of power systems: solu-
tion techniques, tools and applications. John Wiley & Sons.
Computation of Power
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Índice de guras
2.1. Símbolo del resistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2. Símbolo del capacitor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.3. Símbolo del inductor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.4. Símbolo eléctrico del interruptor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.5. Símbolo eléctrico del diodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.6. Símbolo eléctrico del tiristor SCR. . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.7. Circuito equivalente de un tiristor GTO. . . . . . . . . . . . . . . 15
2.8. Símbolo eléctrico del GTO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.9. a) Fuente de corriente controlada por corriente, b) fuente de co-
rriente controlada por voltaje, c) fuente de voltaje controlada por
voltaje, d) fuente de voltaje controlada por corriente. . . . . . . . 15
2.10. Ilustración de un arco eléctrico entre conductores. . . . . . . . . . 17
2.11. Circuito RC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.12. Circuito asociado a un capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.13. Circuito de fuentes de voltaje independientes . . . . . . . . . . . 23
2.14. Circuito de fuentes de corriente independiente conectadas a un
mismo nodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.15. Circuito RL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

3.1. Fuente de voltaje. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29


3.2. Inductor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.3. Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.4. Diagrama del interruptor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.5. Diagrama de una fuente de corriente controlada por corriente . . 34
3.6. Diagrama de una fuente de corriente controlada por voltaje. . . . 35
3.7. Diagrama de una fuente de voltaje controlada por voltaje . . . . 37
3.8. Diagrama de una fuente de voltaje controlada por corriente . . . 38
3.9. Diagrama de dos inductores acoplados . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.10. Gráca del comportamiento de la corriente y voltaje para el diodo
como interruptor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.11. Circuito del diodo como un interruptor ideal . . . . . . . . . . . . 41
3.12. Gráca del comportamiento del voltaje y corriente con interrup-
tor y fuente de voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.13. Circuito del diodo como interruptor y con fuente de CD. . . . . . 42

95
96 ÍNDICE DE FIGURAS

3.14. Gráca del comportamiento del voltaje y corriente con interrup-


tor y resistencias de bloqueo y conducción. . . . . . . . . . . . . . 44
3.15. Circuito de un diodo con resistencia de bloqueo y conducción. . . 44
3.16. Modelo sencillo de un Tiristor con selectividad vertical. . . . . . 46

4.1. Circuito con capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49


4.2. Gráca de corriente y voltaje en el capacitor utilizando la ecua-
ción analítica, fórmula regresiva de Euler y una BDF de orden
2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.3. Circuito con inductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.4. Gráca de corriente y voltaje en el inductor utilizando la ecuación
analítica, fórmula regresiva de Euler y una BDF de orden 2. . . . 57
4.5. Circuito RL con un interruptor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
4.6. Gráca de corriente (inductor) y voltaje (capacitor) en código de
Matlab y EMTP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
4.7. Circuito con fuente de corriente controlada por corriente . . . . . 62
4.8. Circuito con fuente de corriente controlada por voltaje . . . . . . 65
4.9. Circuito con fuente de voltaje controlada por corriente . . . . . . 66
4.10. Circuito con una fuente de voltaje controlada por voltaje . . . . 68
4.11. Ejemplo de un circuito con inductancias acopladas. . . . . . . . . 69
4.12. Modelo T para inductores acoplados . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4.13. Diagrama en Simulink del circuito con inductores acoplados. . . . 75
4.14. Forma de onda de las corrientes en los inductores L1 y L2. . . . . 75
4.15. Circuito con interruptor de arco eléctrico . . . . . . . . . . . . . 76
4.16. Formas de onda de voltaje y corriente en el circuito de arco eléctrico. 79
4.17. Circuito de un recticador de onda completa trifasico con una
carga resistiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
4.18. Forma de onda de la corriente en el inductor L1 y la carga. . . . 81
4.19. Diagrama en Simulink del recticador trifásico de onda completa. 90
Índice de tablas
2.1. Tabla de coecientes BDF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.2. Tabla de elementos y ecuaciones de rama . . . . . . . . . . . . . 23

97

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