Tes Is Impri Mir
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Mayo 2024
.
1. Introducción 1
1.1. Antecedentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2. Estado del arte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3. Planteamiento del problema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.5. Justicación y motivación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.6. Estructura de la tesis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2. Conceptos fundamentales 9
2.1. Elementos de circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.1.1. Resistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.1.2. Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.1.3. Inductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.1.4. Interruptor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.1.5. Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.1.6. Tiristor SCR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.1.7. Tiristor (GTO) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.1.8. Fuentes dependientes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2. Arco eléctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3. Método BDF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.4. Circuitos asociados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.5. Análisis nodal modicado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.6. Estampas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7
3.1.9. Fuente de voltaje controlada por corriente . . . . . . . . . 37
3.1.10. Inductores acoplados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.1.11. Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.1.12. Tiristor SCR y Tiristor GTO . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4. Simulación 47
4.1. Circuito con capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.2. Circuito RL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.3. Circuito con Interruptor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
4.4. Circuitos con fuentes controladas . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
4.5. Circuito con inductores acoplados . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4.6. Circuito con arco eléctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
4.7. Recticador de onda completa para un sistema trifasico . . . . . 79
5. Conclusiones 91
5.1. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
5.2. Recomendaciones para trabajos futuros . . . . . . . . . . . . . . 92
Capítulo 1
Introducción
1.1. Antecedentes
Los sistemas de potencia eléctrica se encuentran entre los sistemas más com-
plejos, extensos y ecientes diseñados hasta la fecha. El objetivo de un sistema
de potencia es generar, transportar y distribuir la energía eléctrica demandada
por los consumidores de forma segura y conable.
1
2 CAPÍTULO 1. INTRODUCCIÓN
Esta protección puede ser provista por equipos especializados cuya operación
está dirigida a aislar la sección del sistema de potencia donde ocurrió la pertur-
bación o a limitar la tensión en los terminales del equipo de potencia. Además,
también se puede lograr una mejor capacidad para manejar las tensiones cau-
sadas por fenómenos transitorios mediante un buen diseño de los equipos (por
ejemplo, mediante el blindaje de las líneas de transmisión aéreas para limitar
las descargas disruptivas causadas por descargas atmosféricas). Es decir, aunque
el sistema de potencia opera la mayor parte del tiempo en condiciones norma-
les, su diseño debe permitirle hacer frente a las consecuencias de los fenómenos
transitorios.
Para proporcionar una protección adecuada frente a ambos tipos de esfuer-
zos, es fundamental conocer su origen, calcular sus principales características y
estimar las condiciones de operación más adversas. Un análisis riguroso y preci-
so de los transitorios en los sistemas de potencia es difícil debido al tamaño del
sistema, la complejidad de la interacción entre los dispositivos de potencia y los
fenómenos físicos que deben analizarse. Actualmente, el estudio y simulación
de transitorios en sistemas de potencia reales se realiza con la ayuda de una
computadora. Los aspectos que contribuyen a esta complejidad son la variedad
de causas, la naturaleza de los fenómenos físicos y la escala de tiempo de los
transitorios del sistema de potencia.
Cuando se habla del sistema de potencia, los transitorios pueden ser electro-
magnéticos (cuando es necesario analizar la interacción entre la energía eléctrica
1.1. ANTECEDENTES 3
Un concepto clave del método del análisis nodal modicado es el uso de es-
tampas. Las estampas representan a las ecuaciones de cada elemento, generadas
a partir de sus puntos de conexión, por lo que es importante conocer cómo se
genera una estampa para poder implementar rutinas o algoritmos que solucio-
nen circuitos. Este enfoque se emplea en paquetes como SPICE o EMTP, que
generalmente se basan en una netlist (listado de la composición del circuito).
Por otra parte, existen reglas de integración multipaso (es decir, que im-
plementan información de varios pasos previos), que potencialmente pueden
proporcionar una precisión aceptable sin ser susceptibles a oscilaciones numé-
ricas. No se ha reportado el empleo de métodos multipaso en simulaciones de
transitorios electromagnéticos.
1.4. Objetivos
General:
Simular fenómenos transitorios en redes eléctricas mediante métodos multi-
paso en el dominio del tiempo, para encontrar una respuesta más precisa y que
no oscile.
Especícos
Aplicar el método de análisis nodal modicado para modelar y generar
estampas de elementos de circuito para una correcta simulación
Capítulo 1
En el primer capítulo se presenta una descripción de los eventos transitorios
en redes eléctricas. Se discute el uso de la computación para un análisis más
efectivo de redes eléctricas así como su uso para una mejor planeación de nuevos
sistemas o redes eléctricas aplicando la simulación en el tiempo para el análisis
de los llamados transitorios electromagnéticos.
Capítulo 2
En este capítulo se presentan los conceptos fundamentales utilizados en esta
tesis, desde elementos básicos como lo son el resistor, el inductor y capacitor,
hasta conceptos más complicados como circuitos asociados, estampas, electró-
nica de potencia y las fórmulas diferenciales inversas o backward dierentiation
formulas (BDF), que son métodos multipaso para la discretización de ecuaciones
diferenciales con mayor estabilidad pero mayores requerimientos de memoria.
Capítulo 3
Con los conceptos del capítulo dos, se pueden generar las estampas corres-
pondientes para cada elemento. Cada estampa consta de una matriz de conec-
tividad debida al elemento, su vector de incógnitas y sus aportaciones en la
respuesta del sistema. El vector de variables y la matriz se discretizan eliminan-
do la parte diferencial y se escribe en una ecuación de coecientes que dependen
1.6. ESTRUCTURA DE LA TESIS 7
del orden de la fórmula utilizada. En este capítulo se explica paso a paso cómo
obtener y ensamblar la estampa de cada elemento.
Capítulo 4
Se implementan las estampas para encontrar la solución de problemas pro-
puestos. También se comparan los resultados con los de simuladores comerciales
como EMTP, y se tiene un listado de código para poder determinar y comprobar
su respuesta en programas que puedan resolver sistemas de ecuaciones como lo
es MATLAB
Capítulo 5
Finalmente, se presentan las conclusiones de esta tesis.
8 CAPÍTULO 1. INTRODUCCIÓN
Capítulo 2
Conceptos fundamentales
En este capítulo se denen conceptos y métodos que serán de utilidad para
la solución numérica, desde la denición más simple como lo es una resistencia
y su ecuación de corriente, hasta formas más complejas para la implementación
como lo es el análisis nodal modicado (MNA).
l
R=ρ , (2.1)
A
donde ρ es la resistividad del material en Ω·m, l la longitud en metros y A el área
de la sección transversal. Al conectar la resistencia a una fuente de alimentación,
dará como resultado un campo eléctrico; este campo eléctrico genera un ujo
de electrones en un determinado tiempo, que también se conoce como corriente,
y está dada por la ley de Ohm, nombrada así por el Georg Simon Ohm (1789-
1854):
v = i · R. (2.2)
9
10 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES
2.1.2. Capacitor
Un capacitor es un elemento pasivo el cual almacena una carga eléctrcia
cuando es sometido a una diferencia de potencial (voltaje). Su símbolo se mues-
tra en la Figura 2.2.
z
ϕE = ⃗ · n̂ds = qenc
E (2.3)
ϵ0
donde qenc es la carga encerrada para la supercie gaussiana. Haciendo el análisis
para +Q o -Q en (2.3) se tiene una expresión generalizada para el campo como:
Q
E= (2.4)
ϵ0 A
La denición de diferencia de potencial es:
Z B
∆VAB = VB − VA = − E ⃗
⃗ · dl (2.5)
A
q = Cv (2.7)
Q A
C= Q
= ϵ0
ϵ0 A d
d
A
C = kϵ0
d
donde kϵ0 también se conoce con la letra griega epsilon ϵ que es la permitividad
del medio.
Otra denición importante del capacitor es su expresión de corriente. La
expresión de corriente se deriva de la expresión de la carga 2.7 y resulta en:
dυ(t)
i(t) = C (2.8)
dt
12 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES
2.1.3. Inductor
Un inductor es un elemento pasivo diseñado para almacenar energía en forma
de campo magnético. Se representa con el símbolo de la Figura 2.3. Los induc-
tores encuentran numerosas aplicaciones en sistemas electrónicos y de potencia.
Se usan en transformadores, radios, televisores, radares y motores eléctricos.
Todos los conductores de corriente eléctrica tienen propiedades inductivas y
pueden considerarse inductores, pero para aumentar el efecto inductivo, un in-
ductor práctico suele formarse en una bobina cilíndrica con muchas vueltas de
alambre conductor. Si por un inductor circula corriente, la tensión en el inductor
es directamente proporcional a la razón de cambio de la corriente. Mediante la
convención pasiva de los signos, el voltaje en un inductor está dado por:
di
v=L (2.9)
dt
donde L es la constante de proporcionalidad, llamada inductancia. La inductan-
cia es la propiedad por la cual un inductor presenta oposición al cambio de la
corriente que uye por él y su unidad de medición es el henry (H).
2.1.4. Interruptor
Un interruptor eléctrico es un dispositivo que permite interrumpir el paso
de una corriente eléctrica. En el mundo moderno sus tipos y aplicaciones son
innumerables, desde un simple interruptor de pared como los de uso doméstico
que apaga o enciende una bombilla, hasta un disyuntor (circuit breaker) en alta
tensión para una subestación eléctrica. Se representa con el símbolo mostrado
en la Figura 2.4.
Su expresión más sencilla consiste en dos contactos de metal y un accionador.
Los contactos, normalmente separados, se unen mediante el accionador para
permitir que la corriente circule. El accionador es la parte móvil que en una
de sus posiciones hace presión sobre los contactos para mantenerlos unidos y
permitir la circulación de corriente.
2.1. ELEMENTOS DE CIRCUITO 13
Ánodo Cátodo
2.1.5. Diodo
El diodo es un componente electrónico de dos terminales que conduce corrien-
te de forma unidireccional; en una dirección tiene un baja resistencia (idealmente
cero) y en la otra dirección una resistencia muy alta (idealmente innita). El
más común es el diodo semiconductor, que es una pieza de cristal semiconductor
con una unión p-n conectada a dos terminales eléctricas. La curva característica
de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de
potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de
ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido
a este comportamiento, se les suele denominar recticadores, ya que son disposi-
tivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial
para convertir una corriente alterna en corriente continua [9]. Se representa con
el símbolo de la Figura 2.5.
Ánodo Cátodo
Compuerta
y = ax
donde y es el valor de la fuente (voltaje o corriente), a representa la ganancia y
x el valor (de corriente o voltaje) que controla la fuente y.
Las fuentes dependientes son útiles para modelar el comportamiento de am-
plicadores. El transistor de unión bipolar se puede modelar como una fuente de
corriente que es controlada por corriente mientras que el amplicador operacio-
nal puede representarse como una fuente de voltaje controlada por voltaje [14].
2.2. ARCO ELÉCTRICO 15
Ánodo Cátodo
Ánodo Cátodo
Compuerta Compuerta
a) b)
a) b) c) d)
que está determinada de forma única por una sola condición inicial siendo f
una función de Lipschitz. Cualquier intento de precisar la solución en más de
un punto es matemáticamente absurdo o redundante. Sin embargo, esto solo es
válido si se tiene una solución verdadera o exacta de la ecuación (2.10). Cuando
se lleva esto a la computación, esta redundancia se vuelve de utilidad y se le
puede dar un buen uso siempre y cuando se use de manera adecuada.
Las fórmulas de diferenciación regresiva (backward dierentiation formulas
BDF) son una familia de métodos implícitos para la integración numérica de
ecuaciones diferenciales ordinarias. Son métodos lineales de varios pasos que,
para una función y un tiempo dados, aproximan la derivada de esa función
utilizando información de puntos de tiempo ya calculados, aumentando así la
precisión de la aproximación. Estos métodos se utilizan especialmente para la
solución de ecuaciones diferenciales rígidas. Los métodos fueron introducidos
por primera vez por Charles F. Curtiss y Joseph O. Hirschfelder en 1952 [11].
La expresión general para métodos multipaso tiene la forma:
s
P s
P
am yn+m = h bm f (tn+m , yn+m ) , n = 0, 1, ... (2.11)
m=0 m=0
18 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES
s
X
ak yn+k = hβf (tn+s , yn+s ) (2.12)
k=0
s
!−1
X 1
β=
m=1
m
1 2
β= 1 =
1+ 2
3
Para un BDF de tercer orden:
1 6
β= 1 1 =
1+ 2 + 3
11
¨Para completar la expresión 2.17 se deben determinar los coecientes ak que
están dados por la expresión:
s
X 1 s−m m
ρ (ω) = β ω (ω − 1) (2.13)
m=1
m
2 1 2 4 1
ρ (ω) = ω (ω − 1) + (ω − 1) = ω 2 − ω −
3 2 3 3
donde el grado de ω representa el paso de tiempo correspondiente a su coeciente
ak . De esta manera a0 = 31 , a1 = − 43 y a2 = 1. Para un BDF de tercer orden la
expresión ρ (ω), tiene la forma:
6 1 2 1 3 18 9 2
ρ (ω) = ω 2 (ω − 1) + ω (ω − 1) + ω (ω − 1) = ω 2 − ω 2 + ω −
11 2 3 11 11 11
2.3. MÉTODO BDF 19
2 9 18
y los nuevos coecientes serían
11 , a1 = 11 , a2 = − 11 y a3 = 1. Para BDF
a0 =
de distintos ordenes, se pueden calcular los coecientes β y ak para después
sustituir en (2.12). Hecho esto, se llegan a las siguientes expresiones:
Para s = 1:
Para s = 2:
4 1 2
yn+2 − yn+1 + yn = hf (tn+2 , yn+2 )
3 3 3
Para s = 3:
18 9 2 6
yn+3 − yn+2 + yn − yn = hf (tn+3 , yn+3 )
11 11 11 11
Para s = 4:
48 36 16 3 12
yn+4 − yn+3 + yn+2 − yn+1 + yn = hf (tn+4 , yn+4 )
25 25 25 25 25
Para s = 5:
s
1X
− αk yn+s−k = f (tn+s , yn+s ) (2.14)
h
k=0
donde αk son los coecientes que incluyen a los coecientes ak y el coeciente
β del orden utilizado. La Tabla 2.1 contiene los coecientes αk generalizados
para cada BDF de distinto orden. Es fácil comprobar que si se usa un BDF de
segundo o tercer orden, se llega a la expresiones que usan los coecientes ak y β.
Por ejemplo, para un BDF de segundo orden la ecuación (2.14) tiene la forma:
3 1
yn+2 − 2yn−1 + yn = hf (tn+1 , yn+s )
2 2
2
y si esto se multiplica por
3 se tiene la expresión del método BDF para un paso
s = 2.
20 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES
di
−v + iR + L =0
dt
Si se aplica el método numérico de la fórmula regresiva de Euler, la expresión
discretizada es:
L
((−1) in+1 − (1) in ) = 0
−v + in+1 R − (2.15)
h
De esta manera se puede tener una variable Cn+1 que contenga todos los valores
como capacitores e inductores que multipliquen a sus respectivos diferenciales
de corriente y/o voltaje, otra variable Kn+1 que contenga los valores algebraicos
como los valores de resistencia o ecuaciones de voltaje entre dos nodos, xn+1
que contenga las incógnitas que dependan de un valor histórico xn y de las
aportaciones al vector de resultados fn+1 , como son fuentes de corriente o los
valores de las fuentes de voltaje. Utilizando esta nuevas variables en (2.15), se
obtiene:
1
fn+1 + Kn+1 xn+1 − Cn+1 (α0 xn+1 − α1 xn ) = 0
h
Agrupando términos
α
0
1
− Cn+1 + Kn+1 xn+1 + − Cn+1 α1 xn + fn+1 = 0 (2.16)
h h
De (2.16) se puede escribir una expresión que tenga aplicación para BDF de
distinto orden de la manera:
k
!
α 1
0
X
− Cn+1 + Kn+1 xn+1 + − Cn+1 αi xn+1−i + fn+1 =0 (2.17)
h h i=1
α4 - - - −0,25 − 5,00
4,00
α5 - - - - + 1,00
5,00
ivo + iR = 0
−iR + iC = 0
donde
dυc
iC = i (t) = C
dt
A esta última expresión se le puede aplicar un método numérico, como p. ej. la
fórmula regresiva de Euler:
C C
i (t) = υc (t) − υ (t − h)
h h
C
Se puede ver en esta ecuación el valor jo de conductancia discretizada
h y un
C
valor de corriente variable
h υ (t − h). Este último término corresponde a un
valor de fuente de corriente independiente, por lo que no es necesario agregar
una ecuación, más bien se sustituye en la expresión −iR + iC = 0 queando:
C
−iR + υc (t) + iC(t−h) = 0
h
usando voltajes nodales esta expresión se puede reescribir como:
e1 R e2
vo i C
iνo R iC
e1 R e2
vo i RC iC(t-h)=-(C/h)v(t-h)
iνo R iRC
V1
i=?
V3 V2
v=?
I2 I3
I1
Es por eso que distintos métodos de análisis como súper nodos (KVL) o una
combinación por mallas (KCL) es necesaria para denir estas incógnitas.
Resistor iR = GυR
Inductor υL = L didtL
24 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES
e1 R e2
vo i L
iνo R iL
Paso 1
iv0 + iR = 0
y en el nodo e2 :
−iR + iL = 0
Paso 2
vo = e1
υR = e1 − e2
diL
υL = L = e2
dt
se tiene:
ivo + G (e1 − e2 ) = 0
G (e2 − e1 ) + iL = 0
De esta manera se tienen dos ecuaciones y cuatro incógnitas.
Paso 3
Para obtener una solución a este sistema se debe plantear dos ecuaciones más
que corresponden a las aportaciones de corriente iυ0 e iL para ello se emplean las
ecuaciones vo = e 1 para la fuente de voltaje y υL = L didtL = e2 para el inductor,
lo que lleva a un sistema lineal con solución. Se puede denir un vector x que
contenga las incógnitas del sistema:
2.6. ESTAMPAS 25
e1
e2
x=
iv0
iL
que pueden ensamblarse formando una ecuación del tipo
G −G 1 0 0 0 0 0 0
−G G 0 1 0 0 0 0 0
K=
1
C= f =
−v0
0 0 0 0 0 0 0
0 1 0 0 0 0 0 −L 0
2.6. Estampas
Para poder aplicar el método de análisis nodal modicado (MNA), se debe
conocer el comportamiento de cada elemento y para esto se debe saber generar
su estampa. Las estampas son la forma matricial en la que se puede representar
las entradas generadas por un elemento o componente eléctrico en la ecuación
global. Los elementos de dos terminales generan dos ecuaciones (a excepción
de elementos conectados a tierra), por lo que en primer instancia la mayoría
de componentes cuentan con dos ecuaciones y este número de ecuaciones se
incrementa si el componente tiene aportaciones de corriente . En este caso se le
considera elemento no natural, como lo es un inductor o una fuente de voltaje.
Este concepto se desarrolla a profundidad para cada elemento en el Capítulo 3.
26 CAPÍTULO 2. CONCEPTOS FUNDAMENTALES
Capítulo 3
Desarrollo de estampas de
elementos de circuito
En este capítulo se considera la generación de las estampas de los componen-
tes de circuitos más comunes. Con el uso del MNA y métodos numéricos como
las BDF para la discretización de ecuaciones diferenciales, se pueden generar
estampas generales para cada elemento y establecer una rutina para encontrar
una solución numérica para circuitos o sistemas eléctricos.
Cn+1 corresponde a la matriz asociada con los elementos dinámicos (como ca-
pacitores o inductores) que multiplica al vector de derivadas ẋn+1 . Este vector
contiene los valores de la derivada del voltaje nodal y la derivada de corrientes.
Kn+1 contiene valores de conductancia y valores numéricos que al multiplicarse
por el vector xn+1 de voltajes nodales y corrientes, representan las ecuaciones
de voltaje y aportaciones de corriente. Según el método de integración emplea-
do, se puede generar una matriz K' que incluya tanto los elementos de Cn+1
y xn+1 . Esta tesis se enfoca principalmente en el uso de las BDF (Backward
Dierentiation Formulas)[17]. Aplicando la forma generalizada de las BDF a la
ecuación (3.1) se llega a:
27
28CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO
k
!
α 1
0
X
− Cn+1 + Kn+1 xn+1 + − Cn+1 αi xn−1+i + fn+1 =0 (3.2)
h h i=1
3.1.1. Resistor
Para formular la estampa de un resistor se debe tomar en cuenta la ecuación
de voltaje. Usando la ley de Ohm se tiene:
υ = Ri (3.3)
Como en esta ecuación no aparecen derivadas, se sigue que para una resistencia
no existe la matriz C, por lo que la ecuación de análisis nodal modicado tiene
la forma:
ep − eq = ir R (3.5)
0 0 ėp +G −G ep 0
+ + =0
0 0 ėq −G +G eq 0
Reduciendo la ecuación a la forma (3.4)se tiene:
+G −G ep 0
+ =0 (3.6)
−G +G eq 0
que corresponde a la ley de corrientes de Kircho en las dos terminales del
resistor.
is vs
. . 1 ep 0
. . −1 eq + 0 = 0 (3.7)
1 −1 0 is −υs
donde los valores numéricos de la la 3 corresponden a la ecuación de voltaje de
la fuente y los valores numéricos de la columna 3 a las aportaciones de corriente
debido a la convención de signos empleada como se muestra en la Figura 3.1.
Es fácil ver que la tercera ecuación del sistema corresponde a:
(ep − eq ) = υs
De manera general, este principio funciona para generar estampas de elementos
basados en valores de voltaje o controlados por voltaje, siempre y cuando se
incluyan las aportaciones de corriente. Este enfoque tiene varias de aplicaciones
como se verá más adelante.
3.1.3. Inductor
Para la estampa del inductor de la Figura 3.2, se parte de la ecuación de
voltaje dada por:
diL
υL = L (3.8)
dt
diL
υL − L =0
dt
De (3.8) se tiene una ecuación de voltaje, que se reeja en el sistema como una
ecuación adicional (similar al caso de una fuente de voltaje). Como la inductan-
cia se considera un elemento dinámico, esto quiere decir que su representación
en el MNA tiene la forma (3.1) donde Cn+1 es una matriz que contiene el valor
30CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO
. . 1 ep
. . −1 eq (3.9)
1 −1 0 iL
donde iL corresponde a la corriente que circula a través del inductor y sus
respectivas aportaciones a los nodos p y q, mientras que la ecuación de la la 3
corresponde al valor de voltaje en terminales del inductor ep −eq . Para la matriz
Cn+1 que corresponde al valor de inductancia, su matriz tiene la forma:
. . . e˙p
. . . e˙q (3.10)
. . −L i˙L
Entonces, la estampa completa para un inductor está dada por:
. . . e˙p . . 1 ep
. . . e˙q + . . −1 eq = 0 (3.11)
. . −L i˙L 1 −1 0 iL
Esta última ecuación corresponde a la forma general antes de implementar un
método numérico. Empleando una BDF de orden 1:
(−1) 1
− Cn+1 + Kn+1 xn+1 + − Cn+1 (1)xn + fn+1 = 0 (3.12)
h h
. . 1 e˙p . . . ep
. . −1 e˙q + . . . eq = 0 (3.13)
1 −1 −Lh i˙L n+1 . . L
h n+1
iL n
L L
(ep )n+1 − (eq )n+1 − (iL )n+1 + (iL )n = 0
h h
Se puede obtener un equivalente simplicado de la forma:
. . 1 ep 0
. . −1 eq = 0 (3.14)
1 −1 −Leq iL n+1 V eq n
L
donde Leq = h y Veq = − L
h (iL )n . Es de suma importancia considerar que esto
es válido únicamente para un BDF de orden 1; para un BDF de orden 2 se
deberá determinar una transformación correspondiente tomando en cuenta los
coecientes α0 , α1 y α2 .
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 31
iL vL
iC vC
q
3.1.4. Capacitor
La ecuación de corriente del capacitor tiene la forma:
dυc
ic = C (3.15)
dt
Similar al caso del inductor se usa una matriz Cn+1 que multiplica al vector de
derivadas ẋn+1 . Dado que esta ecuación corresponde a un valor de corriente, no
es necesario añadir una ecuación de aportación de corriente adicional. Formando
el sistema de ecuaciones se tiene:
C −C e˙p 0 0 ep −ic
+ + =0
−C C e˙q 0 0 eq ic
˙
C −C ep −ic
+ =0 (3.16)
−C C eq ic
Aplicando un BDF de orden 1 se obtiene:
C
− Ch − Ch C
h ep h ep −ic
+ + =0
− Ch C
h
eq n+1
C
h − Ch eq n
ic n+1
C C
(ep − eq )n+1 − (ep − eq )n − (ic )n+1 = 0
h h
32CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO
υs = ep − eq = 0 (3.18)
is ̸= 0
Cuando el interruptor está abierto, no hay una corriente que circule en termina-
les y no existe aportación de corriente debida al interruptor. Además, al no tener
conexión la terminal p con la terminal q, existirá una diferencia de potencial.
Las ecuaciones de corriente y voltaje tiene la forma:
ep − eq ̸= 0 (3.19)
is = 0
Con las ecuaciones (3.36) y (3.37), se pueden generar dos matrices Kn+1 ,
para el estado de no conducción (interruptor abierto) y el estado de conducción
(interruptor cerrado). Para el estado de no conducción la ecuación en el MNA
tiene la forma:
. . 1 ep 0
. . −1 eq + 0 = 0
1 −1 0 is 0
y para el estado de conducción tiene la forma:
. . 1 ep 0
. . −1 eq + 0 = 0
0 0 1 is 0
Con estas dos últimas ecuaciones, se puede plantear un caso general que reeje
el comportamiento de apertura y cierre del interruptor. Como la solución se
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 33
ep
is vs
eq
Figura 3.4: Diagrama del interruptor.
encuentra a cada paso de tiempo, se puede añadir una variable p que represente
el comportamiento del interruptor.
1 si el interruptor está en conducción (cerrado)
p= (3.20)
0 si el interruptor no está en conducción (abierto)
. . 1 ep 0
. . −1 eq = 0 (3.21)
p −p 1−p is 0
ek − el = 0 (3.22)
Para la rama 2 (entre las terminales p y q ), la ecuación que especica esta fuente
dependiente es:
is = B · ikl (3.23)
p k
is =Bikl ikl
q l
is
ikl = = D · is (3.24)
B
donde D es el inverso de la ganancia B . Otro de los factores a considerar es el
uso de signos para establecer el sentido de la corriente; en este caso se plantea
que una corriente es positiva al salir de un nodo y negativa al entrar a él.
Con estas expresiones se puede plantear un sistema ecuaciones, que tiene la
forma:
0 0 0 0 +D ek 0
0 0 0 0 −D
el
0
0 0 0 0 +1
ep
+
0 =0
(3.25)
0 0 0 0 −1 eq 0
1 −1 0 0 0 is 0
En (3.25) se tienen las ecuaciones (3.22) y (3.23) representadas de manera
general. La corriente que sale del nodo k y llega al nodo l tiene un valor Dis .
Esto último es lo que se representa en las dos primeras las (las k y l). Ahora
la corriente que sale de p y entra a q sólo es el término is por lo tanto un valor
numérico de 1 representa la existencia de esta corriente y el signo representa la
dirección; respetando la convención de signos se tendrá un 1 para la ecuación
del nodo p y -1 para el nodo q, dando lugar a las las 3 y 4 (las p y q ). Por
último, se tiene la ecuación que relaciona los voltajes nodales k y l, que es la
ecuación (3.22); en la última la (la is ) se sabe que las columnas k y l de ese
renglón corresponden a los voltajes nodales k y l respectivamente, por lo tanto
se agrega el valor numérico 1 donde los signos dependen de la polaridad de las
terminales: se tiene un valor numérico de +1 en la columna k y -1 en la columna
p respetando la ecuación (3.22).
p k
is =Gvkl vkl
q l
is = Gm (ek − el ) (3.26)
is
= is Rm = (ek − el )
Gm
ek − el − Rm i s = 0 (3.27)
0 0 0 0 0 υk 0
0 0 0 0 0
υl
0
0 0 0 0 +1
υp +
0 =0
(3.28)
0 0 0 0 −1 υq 0
1 −1 0 0 −Rm is 0
Bn υkl = υs (3.29)
donde
υkl = ek − el
Entonces:
υs
= Dn (υs ) = Dn (ep − eq )
Bn
1
Dn =
Bn
Esta última ecuación representa la relación que hay entre la rama uno y la rama
dos. Acomodando en un sistema de ecuaciones matriciales se tiene:
0 0 0 0 0 ek 0
0 0 0 0 0
el
0
0 0 0 0 +1
ep +
0 =0
(3.31)
0 0 0 0 −1 eq 0
1 −1 −Dn Dn 0 is 0
p k
vs =Bikl vkl
q l
ek − el = 0 (3.32)
υs = ep − eq = Ro ikl
ep − eq − Ro ikl = 0 (3.33)
Las ecuaciones (3.32) y (3.33) son las relaciones existentes entre la rama uno y la
rama dos. La estampa correspondiente se obtiene a partir de estas expresiones,
y queda:
. . . . +1 0 ek 0
. . . . −1 0
el
0
. . . . 0 +1 ep
+ 0
=0
(3.34)
. . . . 0 −1
eq
0
1 −1 0 0 0 0 is 0
0 0 1 −1 −Ro 0 ikl 0
En (3.34) los renglones k y l aportan términos de corriente ikl ; siguiendo la
convención de signos se tiene en la columna del termino ikl un +1 porque la
k y −1 porque entra al nodo l. Para la fuente dependiente
corriente sale del nodo
se añaden los términos de corriente is que corresponden a su columna, siendo +1
para el nodo p y −1 para el nodo q . Debido a los aportes de corriente el tamaño
de la matriz aumenta, quedando una matriz cuadrada de 6 × 6. La ecuación
de la rama uno corresponde a la diferencia de potencial de los voltajes nodales
ek y el , mientras que la ecuación de la rama dos es la diferencia de potencial
de los nodos p y q más el término de ganancia que multiplica al término ikl ,
cumpliendo la ecuación (3.33).
38CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO
p k
Ldib
υb = + Rib (3.35)
dt
Representada de manera matricial:
0 0 0 e˙1 0 0 +1 e1 0
0 0 0 e˙2 + 0 0 −1 e2 + 0 (3.36)
0 0 −L i˙L 1 −1 −R iL 0
Para dos ramas en las cuales existe un acoplamiento inductivo como se mues-
tra en la Fig. (3.9), las ecuaciones de voltaje son:
p
M = M12 = M21 = k L1 · L2 (3.39)
0 0 0 0 0 0 e˙1
0 0 0 0 0 0
e˙2
0 0 0 0 0 0
e˙3
0 0 0 0 0 0 e˙4
i˙1
0 0 0 0 −L1 ±M12
0 0 0 0 ±M −L2 i˙2
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 39
0 0 0 0 +1 0 e1 0
0 0 0 0 −1 0
e2
0
0 0 0 0 0 +1 e3 0
+ + =0 (3.40)
0 0 0 0 0 −1
e4
0
1 −1 0 0 −R1 0 i1 0
0 0 1 −1 0 −R2 i2 0
0 0 0 0 +1 0 e1 0
0 0 0 0 −1 0
e2
0
0 0 0 0 0 +1 e3 0
+ =0
0 0 0 0 0 −1
e4
0
1 −1 0 0 −R1 − Leq1 +Meq12 i1 υeq1
0 0 1 −1 +Meq21 −R2 − Leq2 n+1
i2 n+1
υeq2 n
(3.43)
donde:
L1
Leq1 = (3.44)
h
L2
Leq2 = (3.45)
h
M12 M21
Meq12 = Meq21 = = (3.46)
h h
L1 n M12 n
υeq1 = i + i (3.47)
h 1 h 2
L2 n M21 n
υeq2 = i + i (3.48)
h 2 h 1
Si bien esta forma es complicada de implementar a menos que se obtengan los
componentes equivalentes Leq y Meq ya discretizados, es un buen acercamiento
40CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO
i1 M i2
v1 L L v2
3.1.11. Diodo
Un diodo semiconductor puede modelarse de varias maneras. Un modelo
comúnmente empleado consiste en tomar una resistencia dinámica que depende
tanto del material como del fabricante. En orden de complejidad, los modelos
pueden consistir de,
Interruptor ideal
Para el caso del diodo como un interruptor ideal, cuyo esquema se muestra
en la Figura 3.11, la estampa se vuelve la misma que la de un interruptor. La
diferencia del diodo con el interruptor son las condiciones lógicas de cierre y
apertura, que ahora dependen de un valor de voltaje en terminales. Una vez
cerrado el diodo, no puede depender del voltaje ya que ambas terminales del
diodo funcionan como un mismo nodo, por lo tanto, no existe una diferencia
de potencial. Ya que no se puede depender de el voltaje para la condición de
apertura, la nueva condición de control que alterna el estado de conducción es el
paso de corriente; un cruce por cero o un valor negativo de corriente representa
una polarización inversa del diodo o el estado de no conducción. Esto quiere
decir que si al cerrar el diodo la variable de control depende de corriente, en
cuanto se cumpla la condición de ser igual o menor que cero el diodo deberá
de abrir y al momento de abrir volverá a depender de los valores de voltaje
en terminales para en caso de que la alimentación sea la adecuada, este diodo
pueda volver a cerrar. La estampa tiene la forma:
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 41
i
Pol. directa
(Conduce)
V
Pol. inversa
(No conduce)
ep ep
eq eq
. . 1 ep 0
. . −1 eq = 0 (3.49)
p −p 1−p is 0
i
Pol. directa
(Conduce)
V
Pol. inversa
(No conduce)
Figura 3.12: Gráca del comportamiento del voltaje y corriente con interruptor
y fuente de voltaje
e p
ep
vd vd
e q
eq
Figura 3.13: Circuito del diodo como interruptor y con fuente de CD.
1 si el interruptor está activo (cerrado)
p= (3.50)
0 si el interruptor no está activo (abierto)
. . 1 ep 0
. . −1 eq + 0 = 0 (3.51)
p −p 1−p is −υd p
En este caso se considera el valor del voltaje requerido del diodo para la
ecuación. En la condición de p=1 (cerrado) la la 3 corresponde a la ecuación:
e p − e q = υd (3.52)
Esto quiere decir que la diferencia de potencial en esta rama serán los 0,7V para
el caso de un diodo de silicio.
3.1. FORMULACIÓN DE ESTAMPAS 43
Debe señalarse que los modelos anteriores tienen problemas para identicar
una diferencia de potencial si hay presencia de elementos inductivos o capaciti-
vos que adelanten o atrasen la corriente. Esto se debe a que en conducción el
interruptor ideal no tiene diferencia de potencial y la manera lógica para poder
abrir el interruptor es depender de un valor de corriente; si ésta se encuentra
en fase con el voltaje (circuito puramente resistivo) un cruce por cero bastará
para abrirlo y después depender de las condiciones de alimentación del diodo.
Tomando en cuenta estas limitantes se propone un modelo con una resisten-
cia de conducción y una resistencia de bloqueo como se muestra en la Figura
3.15. Independientemente del estado del interruptor, debido a estas resistencias
siempre se podrá medir una diferencia de potencial, evitando cierres y apertu-
ras innecesarias cuando la corriente cruce por cero y se tenga una alimentación
adecuada en terminales, o esa misma tensión pero con una corriente atrasada
o adelantada que sea negativa. Recordemos que el diodo solo puede conducir si
se cumplen dos condiciones: polarización adecuada en terminales y corriente en
un sentido. Si alguna de estas dos condiciones no se cumple, el diodo no puede
entrar en conducción.
Al existir en serie un interruptor con una resistencia de conducción más una
resistencia de bloqueo en paralelo, se obtiene la siguiente estampa:
1 si el diodo conduce (cerrado)
p= (3.53)
0 si el diodo está bloqueado(abierto)
Gb . −Gb 1 ep 0
. Gc −Gc −1
e v1
0
+
0 =0
−Gb −Gc Gc + Gb . eq
p −p . 1−p if υf
donde Gb es la conductancia de la resistencia de bloqueo y Gc es la conductancia
de la resistencia de conducción. Esta estampa puede reducirse aún más si se
utiliza resistencias dinámicas, que cambien su valor según el estado diodo, esto
con el n de reducir el número de ecuaciones y agilizar la solución. La estampa
tendría la forma
pGc + (1 − p)Gb − (pGc + (1 − p)Gb) ep 0
+ =0
− (pGc + (1 − p)Gb) pGc + (1 − p)Gb eq 0
En ambos casos la variable p alterna a conducción siempre y cuando se
cumplan tanto la condición de polarización en terminales como la de corriente
que circule de ánodo a cátodo.
Pol. directa
(Conduce)
V
Pol. inversa
(No conduce)
Figura 3.14: Gráca del comportamiento del voltaje y corriente con interruptor
y resistencias de bloqueo y conducción.
ep ep
id=0 id≠0
Rb Rb
Rc Rc
eq eq
(ep – eq)≠0 (ep – eq)≠0
1 la compuerta se activa y se encuentra en conducción
p=
0 se desactiva la compuerta y se abre el interruptor principal
(3.54)
1 el diodo se ecuentra en conducción
d= (3.55)
0 el diodo se encuentra abierto
. . . 1 . ep ip
. . . −1 1
ei
−ip + id
. . . . −1
eq =
−id
(3.56)
p −p . 1−p . ip 0
. d −d . 1−d id 0
Esta última estampa puede reducirse aún más. Cuando el diodo se encuentra
en conducción debe tener un comportamiento similar al de un interruptor; esto
quiere decir que la diferencia de potencial entre sus terminales debe ser nula o
muy baja. Esto se logra combinando las variables p y d, que si se encuentra en
conducción corresponde a la ecuación ep − eq = 0 y si se encuentra bloqueado
is = 0. Esto puede representarse de manera matricial como:
46CAPÍTULO 3. DESARROLLO DE ESTAMPAS DE ELEMENTOS DE CIRCUITO
Interruptor
de compuerta
Interruptor
tipo diodo
. . 1 ep ip
. . −1 eq = iq (3.57)
dp −dp 1 − dp is 0
Para el tiristor GTO las condiciones de apertura y cierre son similares al
tiristor normal; la diferencia es que se añade otra señal de control o compuerta
que tiene prioridad sobre las demás. En el tiristor la única señal de control va a la
compuerta, pero en el tiristor GTO se añade otra compuerta, y esta compuerta
puede hacer que el interruptor conduzca aún si su alimentación no cumple la
tensión requerida. Esto generalmente se logra añadiendo más diodos en paralelo
dentro del circuito, haciendo que pueda conducir a diferentes tensiones siempre
y cuando la señal de control que llega la compuerta principal reciba una señal
lógica de 1. En otras palabras, funciona como un interruptor con ángulo de
disparo, donde el ángulo de disparo dependerá de las condiciones requeridas
para un comportamiento especíco dado por el usuario. La estampa del tiristor
GTO quedaría como:
1 Si cumple las condiciones para accionarse o no hay cruce por cero
p=
0 si no se cumplen las condiciones y hay un cruce por cero (si se indica)
(3.58)
. . 1 ep ip
. . −1 eq = iq (3.59)
p −p 1−p is 0
Capítulo 4
Simulación
En este capítulo se discute el uso de estampas para la solución numérica de
circuitos o sistemas eléctricos. Según sea la complejidad del problema en cues-
tión, se puede tener una rutina manual (no automatizada) en Matlab donde se
ensamblen las estampas de cada elemento, formando un sistema de ecuaciones
para obtener la solución numérica. Si la implementación manual representa un
reto debido a un gran número de ecuaciones, se puede recurrir a una rutina
automatizada. Se ha desarrollado una rutina en Fortran que se basa en el prin-
cipio de las estampas para ensamblar de manera automatizada el sistema de
ecuaciones, donde lo que varía es el método numérico para la solución; esto se
consigue asociando una etiqueta para cada tipo de componente. En este capítulo
se consideran ejemplos de ambos tipos de simulaciones.
0 . 1 e1 0
+ =0
1 . 0 is −υs
Esto signica que para el nodo 1, su voltaje nodal es e1 = υs = 120V. El segundo
elemento es la resistencia R1 , conectada entre el nodo 1 y el nodo 2, por lo que
47
48 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
1
− R11
R1 e1 0
+ =0
− R11 1
R1 e2 0
Esta expresión corresponde a la ecuación de corriente que circula del nodo 1 al
nodo 2. El tercer elemento es el capacitor C1 . Dado que el capacitor no requiere
una ecuación de corriente (a diferencia del inductor), el sistema de ecuaciones
basado en su estampa tendrá la forma:
e˙1
1
− R11
0 0 0 R1 1 e1 0
0 C 0 e2 + − R11 1
R1 0 e2 + 0 = 0 (4.1)
0 0 0 is 1 0 0 is −υs
1
− R11
0 0 0 R1 1 e1
α0
− 0 C 0 + − R11 1
0 e2 +
h R1
0 0 0 n+1 1 0 0 n+1 is n+1
0 0 0 k e1 0
1
− 0
X
C 0 αi e2 + 0 =0 (4.2)
h
0 0 0 n+1 i=1 is n−1+i −υs n+1
1
10 kΩ 2
υ1 =120V 1μF
%C h o o s e BDF
BDF=2;
if BDF==1
a l p h a 0 = =1;
a l p h a 1 =+1;
a l p h a 2= 0;
a l p h a 3= 0;
a l p h a 4= 0;
a l p h a 5= 0;
end
if BDF==2
a l p h a 0 = = 1.5;
a l p h a 1 =+2.0;
a l p h a 2 = = 0.5;
a l p h a 3= 0;
a l p h a 4= 0;
a l p h a 5= 0;
end
50 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
% Matriz K
K( 1 , 1 ) = G1 ; K(1 ,2)= = G1 ;
K(2 ,1)= = G1 ; K( 2 , 2 ) = G1 ;
K( 3 , 1 ) = 1 ; K( 1 , 3 ) = 1 ;
% Matriz C
C( 2 , 2 ) = C l ;
for i =1: l e n g t h ( t )
if i ==1
% RHS
f ( 3 , 1 , i )==Vm;
% Solution
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : , : , i +f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;
% BDF2
A2 ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B2 ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : , : , i ) +f ( : , : , i ) ) ;
x2 ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;
elseif i ==2
% RHS
f ( 3 , 1 , i )==Vm;
% Solution
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i = 1) +f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;
%BDF2
A2 ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B2 ( : , : , i )==(=1/h * C * ( 1 ) * x2 ( : ,: , i = 1) +f ( : , : , i ) ) ;
x2 ( : , : , i )= i n v ( A2 ( : , : , i ) ) * B2 ( : , : , i ) ;
else
% RHS
f ( 3 , 1 , i )==Vm;
% Solution
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
4.1. CIRCUITO CON CAPACITOR 51
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i = 1) +f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;
% BDF2
A2 ( : , : , i )== a l p h a 0 / h *C +K ;
B2 ( : , : , i )==(=1/h * * ( a l p h a 1 * x2 ( : , : , i = 1)
C
+a l p h a 2 * x2 ( : , : , i = 2))+ f ( : , : , i ));
x2 ( : , : , i )= i n v ( A2 ( : , : , i ) ) * B2 ( : , : , i ) ;
end
end
for j =1: l e n g t h ( t )
if j ==1
e_2 ( j ) = 0;
e_2b ( j ) = 0;
i_s ( j ) = 0;
i _ s 2 ( j )= 0;
else
e_2 ( j ) = x(2 ,: , j =1);
e_2b ( j ) = x2 ( 2 , : , j =1);
i_s ( j ) = =x ( 3 ,: , j =1);
i _ s 2 ( j )== x2 ( 3 , : , j =1);
end
end
i _ c t =(Vm/R1 ) * e x p (= t / ( R1 * C l ) ) ;
v_ct=Vm=i _ c t * R1 ;
figure
subplot (2 ,1 ,1) ,
plot ( t , v_ct , t , e_2 , '==', t , e_2b , ' o ' , orcadv ( : , 1 ) , orcadv ( : , 2 ) , ' d ' )
grid
x l a b e l ( ' Time ( s ) ') , y l a b e l ( ' Voltage (V ) ' ) ,
t i t l e ( ' Voltage vs Time Capacitor ' )
legend ( ' Analitic ' , 'BE' , ' BDF2 ' , 'ORCAD' )
subplot (2 ,1 ,2)
plot ( t , i_ct , t , i_s , '==', t , i_s2 , 'o ' , orcadi (: ,1) , orcadi (: ,2) , ' d ' )
grid
x l a b e l ( ' Time ( s ) ') , y l a b e l ( ' Current (A ) ' )
t i t l e ( ' Current vs Time Capacitor ' )
legend ( ' Analitic ' , 'BE' , ' BDF2 ' , 'ORCAD' )
Voltage (V)
100 BE
BDF2
ORCAD
50
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05
Time (s)
Current vs Time Capacitor
0.015
Analitic
Current (A)
0.01 BE
BDF2
ORCAD
0.005
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05
Time (s)
V1 1 0 120 0
R1 1 2 10 e 3
C1 2 0 1 e =6
4.2. Circuito RL
La Figura 4.3 muestra un circuito RL que tiene los nodos enumerados para
determinar sus puntos de conexión. Con los puntos de conexión se puede generar
una netlist, y en este caso la etiqueta para un inductor es la letra L. Para este y
4.2. CIRCUITO RL 53
V1 1 0 120 0
R1 1 2 100
L1 2 0 1 e =3
di
La expresión del inductor υL = L dt , corresponde a la ecuación de la la 4 de
(4.3). Se forma una matriz general de 4x4, 2 ecuaciones por los nodos y 2 por las
aportaciones de la fuente de voltaje y del inductor. Ensamblando las estampas
se tiene un sistema de ecuaciones de la forma:
0 0 0 0 e˙1 G1 −G1 1 0 e1 0
0 0 0 0 e˙2 −G1 G1 0 1 e2 0
+ +
0 i˙s −υs = 0
0 0 0 1 0 0 0 is
0 0 0 −L i˙L 0 1 0 0 iL −υL
(4.3)
Aplicando la formula generalizada de las BDF a la ecuación (4.3), se tiene:
0 0 0 0 G1 −G1 1 0 e1
α0 0 0 0 + −G1
0 G1 0 1 e2
− +
h 0 0 0 0 1 0 0 0 is
0 0 0 −L 0 1 0 0 iL
0 0 0 0 e1 0
k
1 0 0 0 0 X e2 0
− αi + = 0 (4.4)
h 0 0 0 0 is −υs
i=1
0 0 0 L iL −υL
donde:
G1 conductancia debido a la resistencia de 100 Ω conectada entre los nodos 1 y 2
L inductancia con valor de 1 mH
e1 voltaje en el nodo 1
e2 voltaje en el nodo 2
is corriente debido a la fuente independiente
iL corriente del inductor
υs valor de voltaje de la fuente independiente
υL valor de voltaje debido al inductor
En la ecuación (4.4) el exponente n es el paso de tiempo actual y (n − 1) el
valor histórico.
La Figura 4.4 muestra la señal del voltaje y de la corriente del circuito
inductivo de la Figura 4.3por distintos métodos, siendo la respuesta utilizando
una BDF de orden 2 la que más se acerca a la respuesta analítica seguida del
paquete de simulación orcad que combina la regla trapezoidal y la fórmula de
Euler.
El listado de código para Matlab tiene entonces la forma:
54 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
1 100 Ω 2
υ1 =120 V 1 mH
%C h o o s e BDF
if BDF==1
a l p h a 0 = =1;
a l p h a 1 =+1;
a l p h a 2= 0;
a l p h a 3= 0;
a l p h a 4= 0;
a l p h a 5= 0;
end
if BDF==2
a l p h a 0 = = 1.5;
a l p h a 1 =+2.0;
a l p h a 2 = = 0.5;
a l p h a 3= 0;
a l p h a 4= 0;
a l p h a 5= 0;
end
% Matriz K
K( 1 , 1 ) = G1 ; K(1 ,2)= = G1 ;
K(2 ,1)= = G1 ; K( 2 , 2 ) = G1 ;
K( 3 , 1 ) = 1 ; K( 1 , 3 ) = 1 ;
K( 4 , 2 ) = 1 ; K( 2 , 4 ) = 1 ;
% Matriz C
4.2. CIRCUITO RL 55
C(4 ,4)= = L ;
for i =1: l e n g t h ( t )
if i ==1
% RHS
f ( 3 , 1 , i )==Vm;
% Solution
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i )
+f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;
% BDF2
A2 ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B2 ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i )
+f ( : , : , i ) ) ;
x2 ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;
elseif i ==2
% RHS
f ( 3 , 1 , i )==Vm;
% Solution
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i = 1)
+f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;
% BDF2
A2 ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B2 ( : , : , i )==(=1/h * C * ( 1 ) * x2 ( : ,: , i = 1)
+f ( : , : , i ) ) ;
x2 ( : , : , i )= i n v ( A2 ( : , : , i ) ) * B2 ( : , : , i ) ;
else
% RHS
f ( 3 , 1 , i )==Vm;
% Solution
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i = 1)
+f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;
% BDF2
A2 ( : , : , i )== a l p h a 0 / h *C +K ;
B2 ( : , : , i )==(=1/h * C * ( a l p h a 1 * x2 ( : ,: , i = 1)
56 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
+a l p h a 2 * x2 ( : , : , i =2))+ f (: ,: , i ));
x2 ( : , : , i )= i n v ( A2 ( : , : , i ) ) * B2 ( : , : , i ) ;
end
end
for j =1: l e n g t h ( t )
if j ==1
e_2 ( j ) = 0;
e_2b ( j )= 0;
i_s ( j ) = 0;
i _ s 2 ( j )= 0;
else
e_2 ( j ) = x(2 ,: , j =1);
e_2b ( j ) = x2 ( 2 , : , j =1);
i_s ( j ) = =x ( 3 ,: , j =1);
i _ s 2 ( j )== x2 ( 3 , : , j =1);
end
end
i _ i t =(Vm/R1) * (1 = e x p (= t * R1/L ) ) ;
v _ i t=Vm* e x p (= t * R1/L ) ;
figure
subplot (2 ,1 ,1) ,
plot (t , v_it , t , e_2 , '==', t , e_2b , 'o ') , grid ,
x l a b e l ( ' Time ( s ) ') , y l a b e l ( ' Voltage (V ) ' ) ,
t i t l e ( ' Voltage vs Time Inductor ' )
legend ( ' Analitic ' , 'BE' , ' BDF2 ' )
V1 1 0 10 0 0
R1 1 2 1 e3
Q1 2 3 0 5 e =30
C1 3 0 1 e =6
L1 3 0 1 e =3
4.3. CIRCUITO CON INTERRUPTOR 57
100 BE
BDF2
ORCAD
50
0
0 1 2 3 4 5 6
Time (s) 10-5
Current vs Time Inductor
1.5
Analitic
Current (A)
1 BE
BDF2
ORCAD
0.5
0
0 1 2 3 4 5 6
Time (s) 10-5
0 0 0 0 0 0 e˙1 G1 −G1 0 1 0 0 e1 0
0 0 0 0 0 0 e˙2 −G1 G1 0 0 0 1 e2 0
0 0 C 0 e˙3
0 0 0 0 0 0 1 −1 e3 0
+ + =0
˙
0 0 0 0 is
0 0 1 0 0 0 0 0 is −υs
˙
0 0 0 0 −L 0 isw 0 0 1 0 0 0 isw 0
0 0 0 0 0 0 i˙L 0 p −p 0 0 1 − p iL 0
(4.5)
Aplicando el método numérico de las BDF:
58 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
1 1 kΩ 2 3
t = 5ms
10V 1μF 1 mH
0 0 0 0 0 0 G1 −G1 0 1 0 0 e1
0 0 0 0 0 0
−G1 G1 0 0 0 1
e2
α0 0 0 C 0 0 0 0 0 0 0 1 −1 e3
− + +
h
0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 0 0
is
0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 isw
0 0 0 0 0 −L 0 p −p 0 0 1 − p iL
0 0 0 0 0 0 e1 0
0 0 0 0 0 0
k
e2
0
1 0 0 C 0 0 0
X e3 0
− αi
+ = 0(4.6) (4.6)
h 0 0 0 0 0 0
is −υs
i=1
0 0 0 0 −L 0 isw 0
0 0 0 0 0 0 iL 0
donde:
G1 conductancia
p variable de cierre y apertura del interruptor
e1 voltaje en el nodo 1
e2 voltaje en el nodo 2
e3 voltaje en el nodo 3
is aportación de corriente debido a a la fuente independiente
isw valor de corriente que circula en el interruptor
iL valor de corriente que circula en el inductor
υs valor de voltaje de la fuente independiente
Con el sistema de ecuaciones (4.5), se puede hacer el código en Matlab de la
siguiente manera:
clear all
close all
clc
v s =1; r =1; l =1e = 3; c=1e = 6; p =0; h=1e = 6; t =0: h : 1 0 e = 3; c e q=c / h ; l e q= l / h ;
o s =5e = 3; c s =2e = 3; t o=o s / h ; t c=c s / h ;
Y = [1/ r =1/ r 0 1 0 0
4.3. CIRCUITO CON INTERRUPTOR 59
BDF2
-0.2
-0.4
0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 0.01
Time (s)
Current vs Time Inductor
0.02
BE
Current (A)
0.01 BDF2
-0.01
0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 0.01
Time (s)
|
=1/ r 1/ r 0 0 1 0
0 0 ceq 0 =1 1
1 0 0 0 0 0
0 0 0 0 1 0
0 0 1 0 0 =l e q ];
pb =1;
Yb= [ 1 / r =1/ r 0 1 0 0
=1/ r 1/ r 0 0 1 0
0 0 ceq 0 =1 1
1 0 0 0 0 0
0 1 =1 0 0 0
0 0 1 0 0 =l e q ];
I =[ 0; 0; 0; vs ; 0; 0];
V=z e r o s ( l e n g t h ( I ) , 1 , l e n g t h ( t ) ) ;
for i =1: l e n g t h ( t )
if i ==1
V ( : , : , i )= i n v (Y) * I ; % x=A^=1 * z
elseif i <t c
I ( 1 , : , i )= I ( 1 , : , i =1);
I ( 2 , : , i )= I ( 2 , : , i =1);
I ( 3 , : , i )= c / h *V ( 3 , : , i = 1 ) ;
I ( 4 , : , i )= I ( 4 , : , i =1);
I (5 ,: , i )= I ( 5 , : , i = 1 ) ;
I (6 ,: , i )== l / h *V ( 6 , : , i = 1 ) ;
V( : , : , i )= i n v (Y) * I ( : , : , i ) ;
elseif i >=t c && i <t o
I ( 1 , : , i )= I ( 1 , : , i =1);
I ( 2 , : , i )= I ( 2 , : , i =1);
I ( 3 , : , i )= c / h *V ( 3 , : , i = 1 ) ;
I ( 4 , : , i )= I ( 4 , : , i =1);
I (5 ,: , i )= I ( 5 , : , i = 1 ) ;
I (6 ,: , i )== l / h *V ( 6 , : , i = 1 ) ;
V( : , : , i )= i n v ( Yb ) * I ( : , : , i ) ;
else
I ( 1 , : , i )= I ( 1 , : , i =1);
I ( 2 , : , i )= I ( 2 , : , i =1);
I ( 3 , : , i )= c / h *V ( 3 , : , i = 1 ) ;
I ( 4 , : , i )= I ( 4 , : , i =1);
I (5 ,: , i )= I ( 5 , : , i = 1 ) ;
I (6 ,: , i )== l / h *V ( 6 , : , i = 1 ) ;
V( : , : , i )= i n v (Y) * I ( : , : , i ) ;
end
end
4.4. CIRCUITOS CON FUENTES CONTROLADAS 61
for j =1: l e n g t h ( t )
if j ==1
Curr ( j ) = 0 ;
Vol ( j ) = 0 ;
else
C u r r ( j )=V ( 6 , : , j =1);
V o l ( j )=V ( 3 , : , j =1);
end
end
figure
subplot (2 ,1 ,1) , plot ( t , Curr ) , grid
subplot (2 ,1 ,2) , plot ( t , Vol ) , grid
I1 1 0 15 0
R1 1 2 1
R2 3 0 2
R3 2 0 3
F1 2 0 1 3 3
1Ω i1 2Ω
2 3Ω
15 A
3i1
G1 −G1 0 D e1 is
−G1 G1 + G3 0 −1 e2 0
+
0 =0 (4.7)
0 0 G2 −D e3
1 0 −1 0 ids 0
La cuarta la de este sistema de ecuaciones representa el nodo virtual añadido
e implica que no existe una diferencia de potencial entre los nodos 1 y 3, por lo
que pueden considerarse como un mismo punto de conexión. La variable ids es
entonces la corriente que circula en esa rama, que es la variable independiente
de la que depende la fuente controlada. Los parámetros son:
G conductancia
e voltaje nodal
is valor de la fuente de corriente
ids fuente de corriente dependiente de corriente
D inverso de la ganancia de la fuente dependiente
Al no utilizar componentes con términos diferenciales el listado de código
tiene la forma:
B=3; D=1/B ;
Gm=3; Rm=1/Gm;
K=[G1 =G1 0 D
=G1 G1+G3 0 =1
0 0 G2 =D
1 0 =1 0];
f =[15; 0; 0; 0];
4.4. CIRCUITOS CON FUENTES CONTROLADAS 63
x= l i n s o l v e (Y, z ) ;
%% V a l o r e s Obtenidos :
x =
=40.0000
=75.0000
=40.0000
=60.0000
%% V a l o r e s en Orcad :
x =
=40.0000
=75.0000
=40.0000
=60.0000
%% V a l o r e s análiticos
e1 = = 40.0
e2 = = 75.0
i1 = = 20.0
Otra forma de comprobar el circuito es haciendo un análisis nodal manual
donde se generan las ecuaciones de los nodos marcados 1 y 2 y complementando
con la ecuación de la fuente controlada formando un sistema de 3x3. Se puede
comprobar con la ecuación del nodo 1 como:
−40 − (−75)
15 = + (−20) = 35 − 20 = 15A
1
I1 1 0 15 0
R1 1 2 1
R2 3 0 2
R3 2 0 3
G1 2 0 1 3 3
G1 + G2 −G1 0 e1 is
−G1 G1 + G3 −1 e2 + 0 = 0 (4.8)
1 0 −Rn ids 0
donde:
G conductancia
e voltaje nodal
is valor de la fuente de corriente
ids fuente de corriente dependiente de corriente
Rn Ganancia de la fuente dependiente
Con el sistema de ecuaciones (4.8), se puede encontrar la solución en Matlab.
El listado de código es el siguiente:
Gm=3; Rm=1/Gm;
K=[G1+G2 =G1 0
=G1 G1+G3 =1
0 1 =Rm ] ;
f =[15; 0; 0];
x= l i n s o l v e (K, f ) ;
%% V a l o r e s obtenidos
x =
7.1429
=4.2857
=12.8571
%% Orcad
e1 = 7 . 1 4 3
e2 = = 4.286
vx = = 1.428
1Ω 2Ω
2
3Ω
15 A
υx
3υx
R1 1 2 1
R2 3 0 2
R3 2 0 3
H1 2 0 1 3 3
V1 2 1 5 0
V2 4 0 3 0
G1 0 0 0 0 −1 0 0 0 e1 0
0 0 0 0 0 +1 0 0 −1
e2
0
0 0 G2 + G3 −G3 0 0 0 0 1
e3
0
0 0 −G3 G3 0 0 0 1 0
e4
0
0 0 0 0 0 0 1 −1 0
e5 +
0 =0
−1 1 0 0 0 0 0 0 0
is1
υs1
0 0 0 0 1 0 0 0 0
is2
υs2
0 0 0 1 −1 0 0 0 0 i1 0
0 −1 1 0 0 0 0 H 0 isd 0
donde:
66 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
4i 1 2Ω
2 3 4
5
i
1
5V 4Ω 3V
4Ω
1
G conductancia
e voltaje nodal
υs fuente de voltaje
isd aportación de corriente de la fuente dependiente
is aportación de corriente de la fuente de voltaje
i1 variable independiente de corriente
H transresistencia
Con el sistema de ecuaciones completo, se puede encontrar su solución en
Matlab. El listado de código es el siguiente:
H=4;
K=[G1 0 0 0 0 =1 0 0 0
0 0 0 0 0 +1 0 0 =1
0 0 G2+G3 =G3 0 0 0 0 1
0 0 =G3 G3 0 0 0 1 0
0 0 0 0 0 0 1 =1 0
=1 1 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 1 0 0 0 0
0 0 0 1 =1 0 0 0 0
0 =1 1 0 0 0 0 =H 0];
f =[0; 0; 0; 0; 0; 5; 3; 0; 0];
x= l i n s o l v e (K, f )
%% V a l o r e s obtenidos
x =
=1.5000
3.5000
2.5000
4.4. CIRCUITOS CON FUENTES CONTROLADAS 67
3.0000
3.0000
=0.3750
=0.2500
=0.2500
=0.3750
%% Orcad
e1 = = 1.5000
e2 = 3 . 5 0 0 0
e3 = 2 . 5 0 0 0
e4 = 3 . 0 0 0 0
e5 = 3 . 0 0 0 0
R1 1 0 4
R2 3 0 4
R3 3 4 2
V1 2 1 5 0
V2 4 0 3 0
E1 3 2 3 0 2
G1 0 0 0 −1 0 0 e1 0
0 0 0 0 1 0 −1
e2
0
0 0 G2 + G3 −G3 0 0 1 e3
0
0 0 −G3 G3 0 1 0
e4
+
0 =0
−1 1 0 0 0 0 0 is1
υs1
0 0 0 1 0 0 0 is2 υs3
0 −1 1−E 0 0 0 0 isd 0
donde:
68 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
2υx 2Ω
5V υx 4Ω 3V
4Ω
Figura 4.10: Circuito con una fuente de voltaje controlada por voltaje
G conductancia
e voltaje nodal
υs fuente de voltaje
isd aportación de corriente de la fuente dependiente
is aportación de corriente de la fuente de voltaje
i1 variable independiente de corriente
H transresistencia
Con el sistema de ecuaciones completo, se puede encontrar la solución en
Matlab. El listado de código es el siguiente:
E=2;
K=[G1 0 0 0 =1 0 0
0 0 0 0 1 0 =1
0 0 G2+G3 =G3 0 0 1
0 0 =G3 G3 0 1 0
=1 1 0 0 0 0 0
0 0 0 1 0 0 0
0 =1 1=E 0 0 0 0];
f =[0; 0; 0; 0; 5; 3; 0];
x= l i n s o l v e (Y, f )
%% V a l o r e s obtenidos
x =
=10.5000
=5.5000
5.5000
3.0000
4.5. CIRCUITO CON INDUCTORES ACOPLADOS 69
1Ω M = 9H
i1 L1 - M L2 - M i2
υ1 M υ2
=2.6250
1.2500
=2.6250
Kx + f = 0 (4.9)
G1 −G1 0 0 1
−G1 G1 + B1 −B1 0 0
K=
0 −B1 B1 + B2 + BM −B2 0
(4.10)
0 0 −B2 B2 + G2 0
1 0 0 0 0
donde se manejan valores de conductancia (G) y susceptancia (B). Esta suscep-
tancia es el inverso de la impedancia dada por la ecuación:
Z = jωL (4.11)
donde ω = 10t que se sustituye en (4.11) para tener los valores de impedancia
y susceptancia. El vector columna f contiene las variables de voltaje nodal y
aportaciones de corriente del sistema
e1
e2
f =
e3
(4.12)
e4
is
El vector columna f indica las aportaciones de corrientes al sistema y también
representa la ley de corrientes de Kircho. El último renglón determina el valor
de la corriente que circula por la fuente de voltaje, que tiene aportación en el
nodo 1; por lo tanto:
0
0
f =
0
(4.13)
0
−υs
Ordenando y sustituyendo en (4.9) se tiene:
G1 −G1 0 0 1 e1 0
−G1 G1 + B1 −B1 0 0
e2
0
0 −B1 B1 + B2 + BM −B2 0
e3 +
0 =0
0 0 −B2 B2 + G2 0 e4 0
1 0 0 0 0 is −υs
(4.14)
Con este sistema de ecuaciones, se puede programar una rutina sencilla que
obtenga la solución en Matlab. El listado de código es el siguiente:
K=[G1 =G1 0 0 1
=G1 G1+B1 =B1 0 0
0 =B1 B1+B2+BM =B2 0
0 0 =B2 B2+G2 0
1 0 0 0 0];
f =[0; 0; 0; 0; 10];
x= l i n s o l v e (K, f )
%% V a l o r e s obtenidos
x =
1 . 0 e +02 *
0.1000 + 0.0000 i
0.0839 + 0.0128 i
1.1114 + 1.3046 i
0.6606 = 0.1982 i
=0.0161 + 0.0128 i
= 6,880∠ − 16,70◦
Se observa que la tensión de salida V2 es en realidad mayor en magnitud que la
tensión de entrada V1 . ¾Se debe esperar siempre este resultado? La respuesta es
negativa. Si la resistencia de 400 Ω se sustituye por un cortocircuito, V2 = 0.
Si en vez de eso se sustituye la resistencia de 400 Ω por un circuito abierto,
V2
I2 = 0, al resolver, se sabe que el valor máximo que se esperaría para
V1 es
8,955∠5,711◦ . De tal modo, la respuesta al menos parece razonable.
Para un análisis en el tiempo la situación cambia bastante, puesto que, debi-
do a las aportaciones de corriente de las inductancias, se incrementa el número
de ecuaciones de la matriz general. Al no tratarse de régimen permanente, el
modelo T no es un modelo válido por lo que se hace un análisis con base en la
Figura (4.12). La ecuación general del sistema es:
72 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
Cẋ + Kx + f = 0 (4.17)
di1 di2
υ1 = L1 + L12
dt dt
di1 di2
υ2 = L21 + L2
dt dt
donde p
M = L12 = L21 = ±k L1 L2
De esta se obtiene.
˙
0 0 0 0 0 0 e1 +G1 −G1 0 1 0 0 e1 0
0 0 0 0 0 0 e2
−G1 +G1 0 0 1 0
e2 0
0 0 0 0 0 0 e3
+ 0 0 G2 e3 + 0
0 0 1
=0
0 0 0 0 0 0 is
1 0 0 0 0 0
is υs
0 0 0 0 −L1 −M i1 0 1 0 0 0 0 i 1 υ1
0 0 0 0 −M −L2 i2 0 0 1 0 0 0 i2 υ2
(4.18)
Utilizando la forma generalizada de las BDF:
e˙1
0 0 0 0 0 0 +G1 −G1 0 1 0 0
0 0 0 0 0 0
−G1 +G1 0 0 1 0
e2
α0 0 0 0 0 0 0 0 0 G2 0 0 1
e3
− + +
h
0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 0 0
is
0 0 0 0 −L1 −M 0 1 0 0 0 0 i1
0 0 0 0 −M −L2 0 0 1 0 0 0 i2
0 0 0 0 0 0 e1 0
0 0 0 0 0 0 e2 0
k
X
1 0 0 0 0 0 0 e3 0
− αi + = 0 (4.19)
h
0 0 0 0 0 0
i=1
is
υs
0 0 0 0 −L1 −M i1 υ1
0 0 0 0 −M −L2 i2 υ2
netlist y resolviendo en Fortran. Para mostrar cómo se hace esta nueva matriz
modicada se usa el método de Euler inverso, que es el método más sencillo de
los propuestos. Los elementos de la inductancia e inductancia acoplada en la
matriz K′ toman valores de la siguiente manera:
L1
Leq1 = h
L2
Leq2 = h
(4.20)
M
Meq = h
Sustituyendo en K′ :
+G1 −G1 0 1 0 0
−G1 +G1 0 0 1 0
′
0 0 G2 0 0 1
K = (4.21)
1 0 0 0 0 0
0 1 0 0 −Leq1 −Meq
0 0 1 0 −Meq −Leq2
Si se tiene Ky el vector de variables x, se puede hacer una rutina en Matlab de
la siguiente manera.
f=z e r o s ( 6 , 1 ) ;
x=z e r o s ( 6 , 1 ) ;
C=z e r o s ( 6 , 6 ) ;
K=z e r o s ( 6 , 6 ) ;
K( 1 , 1 ) = G1 ; K(1 ,2)= = G1 ;
K(2 ,1)= = G1 ; K( 2 , 2 ) = G1 ;
K( 3 , 3 ) = G2 ; K( 4 , 1 ) = 1;
K( 1 , 4 ) = 1 ; K( 5 , 2 ) = 1;
K( 2 , 5 ) = 1 ; K( 6 , 3 ) = 1;
K( 3 , 6 ) = 1;
for i =1: l e n g t h ( t )
if i ==1
f ( 4 , : , i )=0;
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C *(1)* x ( : ,: , i )
74 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
+f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;
else
f ( 4 , : , i )==Vm* s i n (w* t ( i ) ) ;
A ( : , : , i )= = ( = 1)/h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C * ( 1 ) * x ( : , : , i = 1)
+f ( : , : , i ) ) ;
x ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ) ) * B ( : , : , i ) ;
end
end
for j =1: l e n g t h ( t )
if j ==1
e_1 ( j ) = 0;
e_2 ( j ) = 0;
e_3 ( j ) = 0;
i_s ( j ) = 0;
i _ l 1 ( j )= 0;
i _ l 2 ( j )= 0;
else
e_1 ( j ) = x(1 ,: , j =1);
e_2 ( j ) = x(2 ,: , j =1);
e_3 ( j ) = x(3 ,: , j =1);
i_s ( j ) = =x ( 4 ,: , j =1);
i _ l 1 ( j )= x(5 ,: , j =1);
i _ l 2 ( j )= x(6 ,: , j =1);
end
end
figure
subplot (2 ,1 ,1) , plot ( t , i_l1 ) , grid ,
x l a b e l ( ' Time ( s ) ') , y l a b e l ( ' Current (A ) ' ) ,
t i t l e ( ' Current vs Time Inductor L_1 ')
legend ( ' Simulink ' , ' Euler1 ' )
PS S
PS S
f(x) = 0
0.5 Euler
-0.5
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
Time (s)
Current vs Time Inductor L 2
0.05
Simulink
Current (A)
Euler
-0.05
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
Time (s)
t = 35ms
10 Ω 1Ω
t = 5ms
υ1 =230 kV
Ya=[ G1 =G1 0 1 0 0
=G1 G1 0 0 1 1
0 0 G2 0 =1 =1
1 0 0 0 0 0
0 1 =1 0 0 0
0 0 0 0 0 1];
Yb=[ G1 =G1 0 1 0 0
=G1 G1 0 0 1 1
0 0 G2 0 =1 =1
1 0 0 0 0 0
0 0 0 0 1 0
0 1 =1 0 0 0];
4.6. CIRCUITO CON ARCO ELÉCTRICO 77
Yc=[ G1 =G1 0 1 0 0
=G1 G1 0 0 1 1
0 0 G2 0 =1 =1
1 0 0 0 0 0
0 0 0 0 1 0
0 0 0 0 0 1];
I = [0
0
0
Vm
0
0];
V=z e r o s ( l e n g t h ( I ) , 1 , l e n g t h ( t ) ) ;
I=z e r o s ( l e n g t h ( I ) , 1 , l e n g t h ( t ) ) ;
v t o s=t o s / h ; v t c s 2=t c s 2 / h ;
for i =1: l e n g t h ( t )
if i ==1
I ( 4 , : , i )= v s ( i ) ; % voltaje de la fuente en el tiempo
V ( : , : , i )= i n v ( Yc ) * I ( : , : , i ) ;
Vesp ( i ) = 0 ;
I e s p ( i )=0;
Vespv=Vesp ( i ) ;
I e s p v=I e s p ( i ) ;
c o n t r o l =0;
elseif i <=v t o s && I e s p v >=0
I ( 4 , : , i )= v s ( i ) ; % voltaje de la fuente en el tiempo
V ( : , : , i )= i n v ( Ya ) * I ( : , : , i ) ;
Vesp ( i )= a b s (V ( 2 , : , i )=V ( 3 , : , i ) ) ;
I e s p ( i )=V ( 4 , : , i ) * V ( 4 , : , i =1);
Vespv=Vesp ( i ) ;
I e s p v=I e s p ( i ) ;
c o n t r o l =1;
elseif i >=v t o s && I e s p v >=0 && c o n t r o l ==1
I ( 4 , : , i )= v s ( i ) ;
V ( : , : , i )= i n v ( Ya ) * I ( : , : , i ) ;
Vesp ( i )= a b s (V ( 2 , : , i )=V ( 3 , : , i ) ) ;
I e s p ( i )=V ( 4 , : , i ) * V ( 4 , : , i =1);
Vespv=Vesp ( i ) ;
I e s p v=I e s p ( i ) ;
elseif i >=v t o s && i >=v t c s 2 && Vespv >=150 e 3 && I e s p v >=0
78 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
I ( 4 , : , i )= v s ( i ) ;
V ( : , : , i )= i n v ( Yb ) * I ( : , : , i ) ;
Vesp ( i )=180 e 3 ;
I e s p ( i )=V ( 4 , : , i ) * V ( 4 , : , i =1);
Vespv=Vesp ( i ) ;
I e s p v=I e s p ( i ) ;
c o n t r o l =0;
else
I ( 4 , : , i )= v s ( i ) ;
V ( : , : , i )= i n v ( Yc ) * I ( : , : , i ) ;
Vesp ( i )= a b s (V ( 2 , : , i )=V ( 3 , : , i ) ) ;
I e s p ( i )=V ( 4 , : , i ) * V ( 4 , : , i =1);
Vespv=Vesp ( i ) ;
I e s p v=I e s p ( i ) ;
c o n t r o l =0;
end
end
for j =1: l e n g t h ( t )
i_d ( j )==V ( 4 , : , j ) ; %
v_d ( j )=V ( 2 , : , j )=V ( 3 , : , j ) ; %
v_s ( j )=V ( 1 , : , j ) ;
end
figure
-5
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09
Tiempo (s)
105 Voltaje en terminales de interruptor de arco
5
Voltaje (V)
-5
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09
Tiempo (s)
104 Corriente del interruptor de arco
Corriente (A)
-5
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09
Tiempo (s)
a un valor de voltaje que genere un arco eléctrico pero que si muestra valor de
corriente en estos instantes ejemplicando el recierre del interruptor.
V1 1 0 120 60 0
V2 2 0 120 60 =120
V3 3 0 120 60 +120
L1 1 4 3 e =6
L2 2 5 3 e =6
L3 3 6 3 e =6
D1 4 7
D2 5 7
D3 6 7
D4 8 4
D5 8 5
D6 8 6
80 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
1 mH
1 4
1 mH
2 5
1 kΩ
1 mH
3 6
υ1 υ2 υ3
Figura 4.17: Circuito de un recticador de onda completa trifasico con una carga
resistiva
R1 7 8
e˙1
. . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . .
e2
. . . . . . . . . . . . .
e3
. . . . . . . . . . . . .
e4
. . . . . . . . . . . . .
e5
. . . . . . . . . . . . .
e6
. . . . . . . . . . . . .
e7 +
. . . . . . . . . . . . .
is1
. . . . . . . . . . . . .
is2
. . . . . . . . . . . . .
is3
. . . . . . . . . . L1 . .
iL1
. . . . . . . . . . . L2 . iL2
. . . . . . . . . . . . L3 iL3
4.7. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA PARA UN SISTEMA TRIFASICO 81
Current vs Time L1
200
Code
Current (A)
0 Simulink
-200
-400
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Time (s)
Voltage vs Time Load
150
Code
Voltage (V)
100 Simulink
50
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Time (s)
. . . . . . . 1 . . 1 . . e1
. . . . . . . . 1 . . 1 .
e2
. . . . . . . . . 1 . . 1
e3
. . . d1 + d4 . . −d1 − d4 . . . −1 . .
e4
. . . . d 2 + d5 . −d2 − d5 . . . . −1 . e5
. . . . . d3 + d6 −d3 − d6 . . . . . −1
e6
1
+
. . . . . . Rl + D . . . . . .
e7
1 . . . . . . . . . . . is1
.
. 1 . . . . . . . . . . is2
.
. . 1 . . . . . . . . . is3
.
1 . . −1 . . . . . . . . iL1
.
. 1 . . −1 . . . . . . . . iL2
. . 1 . . −1 . . . . . . . iL3
(4.22)
donde el término dn corresponde a los valores de las resistencias de conducción
y bloqueo dada por la expresión dn = pn R1c + (1 − pn ) R1b , que es el modelo del
diodo simplicado. pn la variable que modula la apertura o cierre del diodo como
Pn
interruptor. La letra D no es más que la sumatoria dn , siendo n el número de
i=1
diodos en la conguración del recticador, es decir D = d1 +d2 +d3 +d4 +d5 +d6 .
Con este sistema de ecuaciones se puede realizar una rutina en Matlab. El
de código es el siguiente:
clear all
82 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
close all
clc
BDF=2;
if BDF==1
a l p h a 0 =1;
a l p h a 1 = =1;
a l p h a 2 =0;
end
if BDF==2
a l p h a 0 = = 1.50;
a l p h a 1 =+2.00;
a l p h a 2 = = 0.50;
end
if BDF==3
a l p h a 0 = = 11/6;
a l p h a 1 =+3.00;
a l p h a 2 = = 1.50;
end
for i =1: l e n g t h ( t )
if i ==1
% Resistencias
K( 7 , 7 ) = 1 / Rl ;
% Inductor
C(11 ,11)= = L ; C(12 ,12)= = L ; C(13 ,13)= = L ; K( 1 1 , 0 1 ) = + 1 ;
K( 1 1 , 0 4 ) = = 1 ; K( 0 1 , 1 1 ) = + 1 ; K( 0 4 , 1 1 ) = = 1 ; K( 1 2 , 0 2 ) = + 1 ;
K( 1 2 , 0 5 ) = = 1 ; K( 0 2 , 1 2 ) = + 1 ; K( 0 5 , 1 2 ) = = 1 ; K( 1 3 , 0 3 ) = + 1 ;
K( 1 3 , 0 6 ) = = 1 ; K( 0 3 , 1 3 ) = + 1 ; K( 0 6 , 1 3 ) = = 1 ;
% Ecuaciones de voltaje
K( 0 8 , 1 ) = 1 ; K( 0 1 , 0 8 ) = 1 ;
K( 0 9 , 2 ) = 1 ; K( 0 2 , 0 9 ) = 1 ;
K( 1 0 , 3 ) = 1 ; K( 0 3 , 1 0 ) = 1 ;
4.7. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA PARA UN SISTEMA TRIFASICO 83
% Resistencia conducción
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + d1 * 1 / Rc ; K( 4 , 7 ) =K( 4 , 7 ) = d1 * 1 / Rc ;
K( 7 , 4 ) =K( 7 , 4 ) = d1 * 1 / Rc ;
K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d1 * 1 / Rc ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + d2 * 1 / Rc ;
K( 5 , 7 ) =K( 5 , 7 ) = d2 * 1 / Rc ;
K( 7 , 5 ) =K( 7 , 5 ) = d2 * 1 / Rc ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d2 * 1 / Rc ;
K( 6 , 6 ) =K( 5 , 5 ) + d3 * 1 / Rc ;
K( 6 , 7 ) =K( 6 , 7 ) = d3 * 1 / Rc ; K( 7 , 6 ) =K( 7 , 6 ) = d3 * 1 / Rc ;
K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d3 * 1 / Rc ;
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + d4 * 1 / Rc ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + d5 * 1 / Rc ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + d6 * 1 / Rc ;
% Resistencia bloqueo
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ; K( 4 , 7 ) =K( 4 , 7 ) = ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 4 ) =K( 7 , 4 ) = ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ;
K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ; K( 5 , 7 ) =K( 5 , 7 ) = ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 5 ) =K( 7 , 5 ) = ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ; K( 6 , 7 ) =K( 6 , 7 ) = ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 6 ) =K( 7 , 6 ) = ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ;
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + ( 1 = d4 ) * 1 / Rb ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + ( 1 = d5 ) * 1 / Rb ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + ( 1 = d6 ) * 1 / Rb ;
% Aportaciones
f ( 0 8 , : , i )=V1 ( i ) ;
f ( 0 9 , : , i )=V2 ( i ) ;
f ( 1 0 , : , i )=V3 ( i ) ;
% Solución
A ( : , : , i )== a l p h a 0 / h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C * a l p h a 1 * x0 +f (: ,: , i ));
xn ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ))* f ( : , : , i ) ;
% Voltaje en diodos
Vd1=xn ( 4 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd2=xn ( 5 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd3=xn ( 6 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd4==xn ( 4 , : , i ) ;
Vd5==xn ( 5 , : , i ) ;
Vd6==xn ( 6 , : , i ) ;
% Condiciones interruptores
84 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
if Vd1>0
d1 =1;
else
d1 =0;
end
if Vd2>0
d2 =1;
else
d2 =0;
end
if Vd3>0
d3 =1;
else
d3 =0;
end
if Vd4>0
d4 =1;
else
d4 =0;
end
if Vd5>0
d5 =1;
else
d5 =0;
end
if Vd6>0
d6 =1;
else
d6 =0;
end
elseif i ==2
% Resistencias
K( 7 , 7 ) = 1 / Rl ;
% Inductor
C(11 ,11)= = L ; C(12 ,12)= = L ; C(13 ,13)= = L ; K( 1 1 , 0 1 ) = + 1 ;
K( 1 1 , 0 4 ) = = 1 ; K( 0 1 , 1 1 ) = + 1 ; K( 0 4 , 1 1 ) = = 1 ; K( 1 2 , 0 2 ) = + 1 ;
K( 1 2 , 0 5 ) = = 1 ; K( 0 2 , 1 2 ) = + 1 ; K( 0 5 , 1 2 ) = = 1 ; K( 1 3 , 0 3 ) = + 1 ;
K( 1 3 , 0 6 ) = = 1 ; K( 0 3 , 1 3 ) = + 1 ; K( 0 6 , 1 3 ) = = 1 ;
% Ecuaciones de voltaje
K( 0 8 , 1 ) = 1 ; K( 0 1 , 0 8 ) = 1 ;
K( 0 9 , 2 ) = 1 ; K( 0 2 , 0 9 ) = 1 ;
K( 1 0 , 3 ) = 1 ; K( 0 3 , 1 0 ) = 1 ;
% Resistencia conducción
4.7. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA PARA UN SISTEMA TRIFASICO 85
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + d1 * 1 / Rc ; K( 4 , 7 ) =K( 4 , 7 ) = d1 * 1 / Rc ;
K( 7 , 4 ) =K( 7 , 4 ) = d1 * 1 / Rc ;
K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d1 * 1 / Rc ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + d2 * 1 / Rc ;
K( 5 , 7 ) =K( 5 , 7 ) = d2 * 1 / Rc ;
K( 7 , 5 ) =K( 7 , 5 ) = d2 * 1 / Rc ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d2 * 1 / Rc ;
K( 6 , 6 ) =K( 5 , 5 ) + d3 * 1 / Rc ;
K( 6 , 7 ) =K( 6 , 7 ) = d3 * 1 / Rc ; K( 7 , 6 ) =K( 7 , 6 ) = d3 * 1 / Rc ;
K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d3 * 1 / Rc ;
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + d4 * 1 / Rc ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + d5 * 1 / Rc ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + d6 * 1 / Rc ;
% Resistencia bloqueo
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ; K( 4 , 7 ) =K( 4 , 7 ) = ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 4 ) =K( 7 , 4 ) = ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ;
K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ; K( 5 , 7 ) =K( 5 , 7 ) = ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 5 ) =K( 7 , 5 ) = ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ; K( 6 , 7 ) =K( 6 , 7 ) = ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 6 ) =K( 7 , 6 ) = ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ;
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + ( 1 = d4 ) * 1 / Rb ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + ( 1 = d5 ) * 1 / Rb ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + ( 1 = d6 ) * 1 / Rb ;
% Aportaciones
f ( 0 8 , : , i )=V1 ( i ) ;
f ( 0 9 , : , i )=V2 ( i ) ;
f ( 1 0 , : , i )=V3 ( i ) ;
% Solución
A ( : , : , i )== a l p h a 0 / h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C * a l p h a 1 * x0 +f (: ,: , i ));
xn ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ))* f ( : , : , i ) ;
% Voltaje en diodos
Vd1=xn ( 4 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd2=xn ( 5 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd3=xn ( 6 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd4==xn ( 4 , : , i ) ;
Vd5==xn ( 5 , : , i ) ;
Vd6==xn ( 6 , : , i ) ;
% Condiciones interruptores
if Vd1>0
d1 =1;
86 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
else
d1 =0;
end
if Vd2>0
d2 =1;
else
d2 =0;
end
if Vd3>0
d3 =1;
else
d3 =0;
end
if Vd4>0
d4 =1;
else
d4 =0;
end
if Vd5>0
d5 =1;
else
d5 =0;
end
if Vd6>0
d6 =1;
else
d6 =0;
end
else
% Resistencias
K( 7 , 7 ) = 1 / Rl ;
% Inductor
C(11 ,11)= = L ; C(12 ,12)= = L ; C(13 ,13)= = L ; K( 1 1 , 0 1 ) = + 1 ;
K( 1 1 , 0 4 ) = = 1 ; K( 0 1 , 1 1 ) = + 1 ; K( 0 4 , 1 1 ) = = 1 ; K( 1 2 , 0 2 ) = + 1 ;
K( 1 2 , 0 5 ) = = 1 ; K( 0 2 , 1 2 ) = + 1 ; K( 0 5 , 1 2 ) = = 1 ; K( 1 3 , 0 3 ) = + 1 ;
K( 1 3 , 0 6 ) = = 1 ; K( 0 3 , 1 3 ) = + 1 ; K( 0 6 , 1 3 ) = = 1 ;
% Ecuaciones de voltaje
K( 0 8 , 1 ) = 1 ; K( 0 1 , 0 8 ) = 1 ;
K( 0 9 , 2 ) = 1 ; K( 0 2 , 0 9 ) = 1 ;
K( 1 0 , 3 ) = 1 ; K( 0 3 , 1 0 ) = 1 ;
% Resistencia conducción
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + d1 * 1 / Rc ; K( 4 , 7 ) =K( 4 , 7 ) = d1 * 1 / Rc ;
K( 7 , 4 ) =K( 7 , 4 ) = d1 * 1 / Rc ;
K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d1 * 1 / Rc ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + d2 * 1 / Rc ;
4.7. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA PARA UN SISTEMA TRIFASICO 87
K( 5 , 7 ) =K( 5 , 7 ) = d2 * 1 / Rc ;
K( 7 , 5 ) =K( 7 , 5 ) = d2 * 1 / Rc ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d2 * 1 / Rc ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + d3 * 1 / Rc ;
K( 6 , 7 ) =K( 6 , 7 ) = d3 * 1 / Rc ; K( 7 , 6 ) =K( 7 , 6 ) = d3 * 1 / Rc ;
K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + d3 * 1 / Rc ;
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + d4 * 1 / Rc ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + d5 * 1 / Rc ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + d6 * 1 / Rc ;
% Resistencia bloqueo
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ; K( 4 , 7 ) =K( 4 , 7 ) = ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 4 ) =K( 7 , 4 ) = ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d1 ) * 1 / Rb ;
K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ; K( 5 , 7 ) =K( 5 , 7 ) = ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 5 ) =K( 7 , 5 ) = ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d2 ) * 1 / Rb ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ; K( 6 , 7 ) =K( 6 , 7 ) = ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ;
K( 7 , 6 ) =K( 7 , 6 ) = ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ; K( 7 , 7 ) =K( 7 , 7 ) + ( 1 = d3 ) * 1 / Rb ;
K( 4 , 4 ) =K( 4 , 4 ) + ( 1 = d4 ) * 1 / Rb ; K( 5 , 5 ) =K( 5 , 5 ) + ( 1 = d5 ) * 1 / Rb ;
K( 6 , 6 ) =K( 6 , 6 ) + ( 1 = d6 ) * 1 / Rb ;
% Aportaciones
f ( 0 8 , : , i )=V1 ( i ) ;
f ( 0 9 , : , i )=V2 ( i ) ;
f ( 1 0 , : , i )=V3 ( i ) ;
% Solución
A ( : , : , i )== a l p h a 0 / h *C +K ;
B ( : , : , i )==(=1/h * C * a l p h a 1 * x0 +f (: ,: , i ));
xn ( : , : , i )= i n v (A ( : , : , i ))* f ( : , : , i ) ;
% Voltaje en diodos
Vd1=xn ( 4 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd2=xn ( 5 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd3=xn ( 6 , : , i )= xn ( 7 , : , i ) ;
Vd4==xn ( 4 , : , i ) ;
Vd5==xn ( 5 , : , i ) ;
Vd6==xn ( 6 , : , i ) ;
% Condiciones interruptores
if Vd1>0
d1 =1;
else
d1 =0;
end
88 CAPÍTULO 4. SIMULACIÓN
if Vd2>0
d2 =1;
else
d2 =0;
end
if Vd3>0
d3 =1;
else
d3 =0;
end
if Vd4>0
d4 =1;
else
d4 =0;
end
if Vd5>0
d5 =1;
else
d5 =0;
end
if Vd6>0
d6 =1;
else
d6 =0;
end
for j =1: l e n g t h ( t )
if j ==1
Veq1 ( j )= 0;
Veq2 ( j )= 0;
Veq3 ( j )= 0;
l o a d ( j )= 0;
c u r r e n t ( j )=0;
else
Veq1 ( j )= xn ( 1 , : , j =1);
Veq2 ( j )= xn ( 2 , : , j =1);
Veq3 ( j )= xn ( 3 , : , j =1);
l o a d ( j )= xn ( 7 , : , j =1);
c u r r e n t ( j )= l o a d ( j ) / Rl ;
end
end
figure
subplot (2 ,1 ,1)
plot (t , Veq1 , t , Veq2 , t , Veq3 )
grid
4.7. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA PARA UN SISTEMA TRIFASICO 89
subplot (2 ,1 ,2)
plot ( t , load )
grid
figure
plot ( t , current )
grid
PS S
Open Simscape
Open Electrical
Library
Library
f(x) = 0
PS S
Conclusiones
La falta de metodologías y técnicas de análisis para eventos transitorio en
circuitos eléctricos y su solución numérica fue la principal motivación para abor-
dar este trabajo de investigación. En este capítulo se sintetizan los diferentes
métodos empleados a lo largo de esta tesis y se indica la importancia del trabajo
y sus aplicaciones a futuro.
5.1. Conclusiones
En la actualidad los paquetes de simulación para circuitos eléctricos que
obtienen respuestas en el dominio del tiempo, simplican sus procesos utilizando
únicamente dos métodos numéricos: trapezoidal y Euler inverso (BDF de primer
orden). El problema de utilizar la regla trapezoidal es que la respuesta oscila
ante eventos transitorios como la desconexión de capacitores y esta oscilación
no se amortigua. El método de Euler por naturaleza amortigua la respuesta aún
cuando en realidad deba existir cierta oscilación lo que podría provocar un cierre
o apertura en alguno de los componentes de electrónica de potencia como lo
son los tiristores que necesitan una señal lógica para modular la compuerta y su
respectiva corriente de disparo. También el método de Euler es una discretización
con baja precisión que depende únicamente de un paso de tiempo, caso contrario
al método trapezoidal que, si bien es otra discretización simple, aprovecha mejor
los valores históricos al ser en principio un promedio de una respuesta adelantada
y una atrasada similar al método de Adams Bashforth (este último se utiliza
más como método predictivo) que da una respuesta más dedigna. Es así como
se consideró la familia de las BDF de orden superior que aprovecha mejor esta
información histórica comparándose en velocidad de respuesta al método de
Euler y delidad de respuesta al método trapezoidal. La única desventaja ocurre
si se piensa a utilizar para esquemas simples donde una sobre discretización de
una función se vuelve redundante y poco útil.
Los motivos por los que no han sido implementados los métodos multipa-
so probablemente se relacionan con el costo de memoria. Los nuevos avances
91
92 CAPÍTULO 5. CONCLUSIONES
[6] Dufour, C., Ould Bachir, T., Gregoire, L.-A. and Belanger, J. (2012) Real-
time simulation of power electronic systems and devices, Chapter 15, in
Dynamics and Control of Switched Electronic Systems: Advanced Per-
spectives for Modeling, Simulation and Control of Power Converters (eds
F. Vasca and L. Iannelli), Springer, London, UK.
[8] Wedepohl, L.M. & Jackson, L.. (2002). Modied nodal analysis: An essen-
tial addition to electrical circuit theory and analysis. Engineering Science
and Education Journal. 11. 84 - 92. 10.1049/esej:20020301.
93
94 BIBLIOGRAFÍA
[13] Harper, C. A., & Petrie, E. M. (2003). Plastics materials and processes: A
concise encyclopedia. John Wiley & Sons.
[14] Serway, R. A., & Jewett, J. W. (2009). Física: Para ciencias e ingeniería
con Física Moderna (7a. ed.--.). México D.F.: Cengage.
[16] Chung-Wen Ho, A. Ruehli and P. Brennan, "The modied nodal approach
to network analysis," in IEEE Transactions on Circuits and Systems, vol.
22, no. 6, pp. 504-509, June 1975, doi: 10.1109/TCS.1975.1084079.
[17] Pillage, L. T., Rohrer, R. A., & Visweswariah, C. (1995). Electronic Circuit
and System Simulation Methods. McGraw-Hill Professional Publishing.
[18] J. Vlach and K. Singhal. Computer Methods for Circuit Analysis and De-
sig n. Van Nostrand Reinhold Company, 1983.
[20] Kae, Jeevan & Thakur, Bhogendra & Bhandari, Indra. (2021). Ap-
plication of Numerical Methods for the Analysis of Damped Parallel
RLC Circuit. Journal of Institute of Science and Technology. 26. 28-34.
10.3126/jist.v26i1.37814.
Índice de guras
2.1. Símbolo del resistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2. Símbolo del capacitor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.3. Símbolo del inductor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.4. Símbolo eléctrico del interruptor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.5. Símbolo eléctrico del diodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.6. Símbolo eléctrico del tiristor SCR. . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.7. Circuito equivalente de un tiristor GTO. . . . . . . . . . . . . . . 15
2.8. Símbolo eléctrico del GTO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.9. a) Fuente de corriente controlada por corriente, b) fuente de co-
rriente controlada por voltaje, c) fuente de voltaje controlada por
voltaje, d) fuente de voltaje controlada por corriente. . . . . . . . 15
2.10. Ilustración de un arco eléctrico entre conductores. . . . . . . . . . 17
2.11. Circuito RC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.12. Circuito asociado a un capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.13. Circuito de fuentes de voltaje independientes . . . . . . . . . . . 23
2.14. Circuito de fuentes de corriente independiente conectadas a un
mismo nodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.15. Circuito RL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
95
96 ÍNDICE DE FIGURAS
97