Materiales Semiconductores y Uniones.

Título de la materia:
Fundamentos de Electrotécnica.
Código de la materia:
TME-001
Nombre del docente:

Pedro Luis Mercedes Guzmán.
Nombre del estudiante:

Enrique Cabral.
Matricula:
2022-1727
Fecha:
03 nov. 2024
Materiales semiconductores y uniones.
Semiconductores.
Un semiconductor es todo aquel material que, dependiendo de las circunstancias
(temperatura, presión, radiación y campos magnéticos), puede actuar como
conductor, permitiendo el paso de la corriente, o como aislante, impidiendo el paso de
la misma. A diferencia de los conductores, donde los electrones pueden moverse
libremente, y de los aislantes, que dificultan este movimiento, los semiconductores
permiten el flujo de electrones bajo ciertas condiciones específicas, lo que los hace
esenciales en la electrónica.
Características:
1. Conductividad Intermedia: Los semiconductores tienen una conductividad entre

la de los conductores (como el cobre) y los aislantes (como el vidrio). Esto
significa que pueden conducir electricidad, pero no tan fácilmente como un
conductor.
2. Energía de Bandas: En los semiconductores, la brecha entre la banda de valencia

y la banda de conducción es pequeña (alrededor de 1 eV), permitiendo que los
electrones salten entre ellas con relativa facilidad bajo ciertas condiciones, como
un aumento de temperatura o la aplicación de voltaje.
3. Dependencia de Temperatura: La conductividad de los semiconductores

aumenta con el aumento de temperatura, ya que el calor proporciona energía a
los electrones para que pasen de la banda de valencia a la banda de conducción.
Esto es opuesto a lo que ocurre en los metales, donde la conductividad disminuye
al aumentar la temperatura.
4. Dopaje: La conductividad de un semiconductor puede ser modificada

introduciendo átomos de otros elementos en su estructura. Estos átomos
adicionales crean más electrones libres (tipo N) o más huecos (tipo P),
aumentando la conductividad del material.
5. Efecto Fotoeléctrico: Algunos semiconductores son sensibles a la luz, lo que

significa que, al ser expuestos a ciertas longitudes de onda de luz, los electrones
pueden ganar suficiente energía para moverse a la banda de conducción. Este
principio se utiliza en dispositivos como celdas solares y sensores de luz.
6. Resistividad Variable: Al aplicar diferentes voltajes, la resistividad del

semiconductor cambia, permitiendo controlar el flujo de corriente. Esta
propiedad es fundamental para el funcionamiento de componentes como los
transistores.
Diferencia entre Material Tipo P y Material Tipo N
La dopación de un material semiconductor es el proceso de añadir impurezas

específicas para modificar su conductividad. Existen dos tipos principales:
• Material Tipo N: Se logra añadiendo átomos con más electrones de valencia

(como el fósforo en el silicio), creando electrones libres como portadores
mayoritarios de carga. Estos electrones son los que permiten la conductividad en
este tipo de material. Estos se conocen como semiconductores de huecos.
• Material Tipo P: Se produce dopando el semiconductor con átomos con menos

electrones de valencia (como el boro en el silicio), lo que genera huecos
(ausencia de electrones) que actúan como portadores mayoritarios de carga. Los
huecos pueden moverse y conducir la corriente eléctrica en el material. Estos
materiales se conocen como semiconductores de huecos.
Comportamiento de las Uniones PN
Una unión PN es el límite o interfaz entre un material tipo P y un material tipo N dentro
de un semiconductor. El comportamiento de esta unión cambia según la polarización
aplicada:
1. Sin polarización (equilibrio):

Cuando el material tipo P y el tipo N se unen, algunos electrones del
lado N migran hacia el lado P para llenar los huecos, y viceversa. Esto
crea una región de agotamiento en la zona de contacto, donde no hay
portadores de carga móviles. En esta región, se establece una diferencia
de potencial que actúa como una barrera natural, impidiendo que más
electrones y huecos se combinen espontáneamente.
2. Polarización directa:
Al aplicar un voltaje positivo al lado P y negativo al lado N, se reduce la
barrera de la región de agotamiento, permitiendo que los electrones del
lado N y los huecos del lado P se muevan a través de la unión. Esto permite
el flujo de corriente a través de la unión, y es el principio de
funcionamiento del diodo en conducción.
3. Polarización inversa:
Cuando se aplica un voltaje negativo al lado P y positivo al lado N, la barrera
de la región de agotamiento se ensancha, y el paso de electrones y huecos se
ve impedido, lo que bloquea el flujo de corriente en la unión. En esta
configuración, la unión PN actúa como un aislante hasta cierto punto de
voltaje llamado voltaje de ruptura.

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1. Conductividad Intermedia: Los semiconductores tienen una conductividad entre

2. Energía de Bandas: En los semiconductores, la brecha entre la banda de valencia

3. Dependencia de Temperatura: La conductividad de los semiconductores

4. Dopaje: La conductividad de un semiconductor puede ser modificada

5. Efecto Fotoeléctrico: Algunos semiconductores son sensibles a la luz, lo que

6. Resistividad Variable: Al aplicar diferentes voltajes, la resistividad del

Diferencia entre Material Tipo P y Material Tipo N

La dopación de un material semiconductor es el proceso de añadir impurezas

• Material Tipo N: Se logra añadiendo átomos con más electrones de valencia

• Material Tipo P: Se produce dopando el semiconductor con átomos con menos

1. Sin polarización (equilibrio):

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