Fase 2

Presenta la solución al problema del circuito con diodos y

transistores unipolares

Nombre Completo

Cedula

Grupo ()

Presentado a:
Tutor
Alejandro Rafael Garcia

Universidad Nacional Abierta y a Distancia Vicerrectoría Académica y

de Investigación
Curso: Electrónica Análoga
Código: (
Fecha
03/04/2024

Introducción
En el siguiente taller vamos adentrarnos en el ámbito de la ingeniería
electrónica, el diseño y la implementación de circuitos amplificadores son
fundamentales para el procesamiento de señales débiles en una variedad de
aplicaciones. En este contexto, se plantea el desafío de desarrollar un
amplificador de baja señal con JFET (Transistor de Efecto de Campo de Unión)
para restaurar señales débiles en circuitos de transmisión y recepción de
información. Este proyecto requiere una comprensión profunda de los
principios teóricos detrás del funcionamiento del JFET, así como habilidades
para realizar cálculos precisos y una implementación efectiva del diseño
propuesto.
Trabajo Individual

Problema 1.

Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y
comercializa instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es presentar
trabajando en equipo con cuatro compañeros, una solución llamada amplificador
de baja señal con JFET, el cual permite restaurar 2 señales débiles en los
diferentes circuitos de transmisión y recepción de información las
especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:

Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

Referencia del JFET para simular en Proteus: J201
ID= 3mA, VD= 10V, VGS (off)= -8V, VCC= 20V.
De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este diseño
se trabajará IDSS=16mA.

El equipo de trabajo cuenta con 3 semanas para presentar un informe a la

empresa, en él mismo, es obligatorio se evidencie una fundamentación teórica,
una argumentación y la validación de la solución. Además, de ser aprobada la
propuesta, se deberá realizar una implementación real y para ello se contará con
acceso a los laboratorios.

Fundamentación teórica
Funcionamiento del Circuito:

El circuito descrito tiene como objetivo principal recibir una señal de

baja amplitud y amplificarla utilizando un transistor bipolar de efecto
de campo de tipo N, conocido como JFET, que se emplea como
amplificador. Este dispositivo cuenta con tres terminales: compuerta
(G), drenaje (D) y fuente (S), que controlan la corriente entre drenaje y
fuente mediante un campo eléctrico establecido por la tensión aplicada
a la compuerta. La aplicación de una tensión eléctrica inversa a la
compuerta estrecha el canal, lo que incrementa la resistencia al paso
de corriente.

Una ventaja clave del JFET sobre los transistores bipolares es su alta
impedancia de entrada, lo que lo hace ideal para circuitos con señales
de entrada mínimas. El circuito consta de dos fuentes de voltaje: una
de 20V y otra de una señal sinusoidal de 300mV con frecuencia de
1KHz. La señal de entrada pasa a través de un alternador conectado a
un condensador (C1) y una resistencia (RG), esta última con alta
resistencia para evitar la fuga de corriente a tierra y garantizar la
energización del resto del circuito.

La señal luego llega al transistor JFET 2N3819 por la compuerta (G). En

el drenaje (D) del JFET se conecta una resistencia (RD) y un
condensador (C2). Después de C2, se sitúa una resistencia (R4) entre
 C2 y C3. En la fuente (S) del JFET se conecta un potenciómetro (RS),
que permite la auto polarización y logra la amplificación de la señal.

Este diseño del circuito permite amplificar señales de baja amplitud de

manera eficiente, aprovechando las características del JFET y una
configuración cuidadosamente diseñada de componentes. La auto
polarización y el control de la corriente a través del JFET son
fundamentales para garantizar un funcionamiento óptimo del circuito.
La combinación de los diferentes elementos asegura una amplificación
efectiva de la señal de entrada, lo que lo hace adecuado para una
variedad de aplicaciones donde se requiere amplificación de señales
débiles.

Fuente de VCC:

Es una fuente de voltaje de corriente continua (CC) utilizada

comúnmente en circuitos electrónicos.

Fuente de VAC:
Es un componente fundamental en circuitos de corriente alterna (AC)
que proporciona una fuente de alimentación eficiente y confiable.

Pines y Referencias Específicas:

 Resistencia:
Se trata de un dispositivo diseñado para ofrecer cierta resistencia al
paso de la corriente eléctrica, lo que ayuda a controlar la cantidad de
corriente que fluye a través del circuito.

Características Principales:

- Valor: rango de 1 ohm a 10 Mohm.

- Tecnología: Metal / Carbon Film.

- Tipo: Fija.

- Potencia: 1/2 Watt.

- Tolerancia: +/ – 5 %.

Data Sheet:
Aplicaciones:

- LEDs: Cuando se conecta un LED a una fuente de alimentación,

es importante limitar la corriente que fluye a través de él para
evitar daños. Las resistencias limitadoras se utilizan en serie con
los LEDs para controlar la corriente y protegerlos.

- Diodos: Los diodos también requieren una corriente controlada

para funcionar correctamente. Las resistencias limitadoras se
 utilizan en aplicaciones donde se necesitan diodos, como en
rectificadores o circuitos de protección.

- Divisores de voltaje: En algunos circuitos, es necesario dividir

un voltaje en proporciones específicas. Las resistencias
limitadoras se utilizan en los divisores de voltaje para crear
relaciones de voltaje deseadas entre diferentes partes del
circuito.

- Protección de circuitos: En algunos casos, las resistencias

limitadoras se utilizan como parte de circuitos de protección para
limitar la corriente en caso de sobrecarga o cortocircuito.

- Aplicaciones de audio: En circuitos de audio, las resistencias

limitadoras se utilizan para controlar la ganancia y la impedancia,
así como para proteger componentes sensibles.

- Estabilización de corriente: En ciertos dispositivos, como

fuentes de alimentación reguladas, las resistencias limitadoras se
pueden utilizar para estabilizar la corriente y evitar fluctuaciones
no deseadas.

Precauciones:

- Selección adecuada: Es crucial seleccionar la resistencia

limitadora con el valor de resistencia correcto para cumplir con
los requisitos de corriente del circuito. Una resistencia con un
valor demasiado bajo puede permitir corrientes peligrosas,
mientras que una con un valor demasiado alto puede no
proporcionar la protección necesaria.

- Disipación de calor: Las resistencias limitadoras pueden

generar calor cuando se disipa energía a través de ellas. Es
importante asegurarse de que la resistencia seleccionada pueda
disipar el calor de manera efectiva para evitar daños por
sobrecalentamiento.

- Montaje adecuado: Las resistencias limitadoras deben

montarse correctamente en el circuito para garantizar un buen
contacto eléctrico y disipación de calor. Se deben seguir las
recomendaciones del fabricante para el montaje adecuado.
 - Verificación de la corriente: Antes de conectar la resistencia
limitadora al circuito, es recomendable verificar la corriente que
fluirá a través de ella para asegurarse de que esté dentro de los
límites especificados.

- Inspección regular: Es importante inspeccionar regularmente

las resistencias limitadoras para detectar signos de daño,
sobrecalentamiento o desgaste. Cualquier resistencia que
muestre signos de problemas debe ser reemplazada de
inmediato.

 Capacitor electrolítico 16V:

Es un componente electrónico utilizado para almacenar energía en

forma de carga eléctrica. Sus principales características incluyen una
alta capacidad de almacenamiento, tamaño compacto y polaridad, lo
que significa que debe conectarse correctamente en el circuito para
evitar daños.

Características Principales:

 Tipo: Aluminio

 Capacidad: 10 uF

 Máximo voltaje corriente directa : 16VDC

 Tolerancia: 20%

 Forma volumétrica: Cilindro

 Tipo: Inserción (TH)

 Estilo de terminación: Radial

 Rango de temperatura de operación: -40°C hasta +85°C

Data Sheet:
Aplicaciones:

- Fuentes de alimentación: Ayudan a suavizar y estabilizar el

voltaje en circuitos de alimentación.

- Circuitos de audio: Utilizados para acoplar señales de audio y

eliminar ruido.

- Circuitos de filtrado: Eliminan ruido o señales no deseadas en

circuitos de comunicación.

- Circuitos de temporización: Se utilizan en circuitos de

temporización y osciladores.

Preocupaciones:

- Polaridad: Conectar el capacitor en la dirección incorrecta

puede dañarlo.

- Tensión inversa: Aplicar una tensión inversa puede causar

fallos en el capacitor.

- Temperatura: Altas temperaturas pueden reducir la vida útil del

capacitor.
 - Fugas: La fuga de corriente puede afectar la capacidad de
almacenamiento del capacitor.

 Potenciómetro de 2 MΩ:

Es una perilla simple que proporciona una resistencia variable que

podemos leer como un valor analógico en microcontroladores como la
placa Arduino.

Características Principales:

- Resistencia nominal: de 2 Mega ohmios.

- Diseño variable: con dial giratorio.

- Conexiones de tres terminales: terminal central y dos

terminales extremos.

Data Sheet:
Aplicaciones:

- Control de volumen en equipos de audio.

- Control de brillo en pantallas y dispositivos de iluminación.

 - Ajuste de sensibilidad en circuitos de sensores.

- Sintonización y ajuste en circuitos de radio y comunicación.

- Control de velocidad en motores y ventiladores.

Preocupaciones:

- Desgaste mecánico por uso frecuente.

- Tolerancia y estabilidad de resistencia.

- Influencia del ruido eléctrico en la señal.

- Calibración y ajuste preciso en aplicaciones críticas.

- Impacto ambiental y durabilidad en entornos adversos.

 Transistor (JFET) canal N:

Es un componente electrónico de estado sólido ampliamente utilizado

en aplicaciones de amplificación y conmutación.

Características Principales:

- Voltaje de ruptura Vbr: -30V

- Corriente de drenaje Idss máxima, tensión de puerta

nula: 15 mA
 - Tensión de ruptura Vgs(off) máxima: -6 V

- Disipación de potencia Pd: 360 mW

- Temperatura de operación máxima: 150°C

- Encapsulado: TO-92

- 3 pines

Data Sheet:
Aplicaciones:

- Amplificación de señales en etapas de baja frecuencia.

- Amplificadores de alta impedancia de entrada.

- Circuitos de conmutación de baja potencia.

- Osciladores y mezcladores en aplicaciones de RF.

Preocupaciones:

- Sensibilidad a la estática durante la manipulación.

- Riesgo de daño por sobre corriente o sobre voltaje.

- Sensibilidad a la temperatura que puede afectar el rendimiento.

- Variabilidad de los parámetros entre dispositivos individuales.

Problema 2.

Dadas Las Fórmulas:

(V CC−V D )
R D= V GS=−I D ∙ R S AV =−Gm ∙ R D
ID

V GS(off ) ID
Rs= RG=Entre 1 y 2 MΩ Gm=
I DSS V GS

- Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando

los siguientes cálculos.

A. Calcular la resistencia del drenaje RD.

 B. Calcular la resistencia del drenaje RS.

C. Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

D. Calcular la ganancia de voltaje AV.

Argumentación:

A. Calculamos la resistencia del drenaje RD

Formula:

(V CC−V D )
R D=
ID

R D: Resistencia de drenaje

V CC : Voltaje de corriente continua

V D: Caída de voltaje entre el drenaje y la fuente del transistor FET

I D : Corriente de drenaje del transistor FET

- Reescribimos la fórmula:

20 V −10 V
R D=
3 mA

10 V
R D=
3 mA

R D=3.33 kΩ

- La resistencia de drenaje que vamos a utilizar es de 3.3 kΩ por qué es la

que vende en el mercado.

B. Calculamos la resistencia de drenaje RS

Formula:
 V GS(off )
Rs=
I DSS

Rs: Resistencia de drenaje

VGS (off ) : Voltaje de puerta a la que se estrangula el canal

completamente

I DSS : Corriente de drenaje en el transistor cuando la tensión puerta-

fuente es cero

- Reescribimos la fórmula:

−8 V
Rs=
16 mA

Rs=500Ω

La resistencia de drenaje (Rs) que vamos a utilizar es de 1 MΩ o 2 MΩ

por qué es la que vende en el mercado y es esta resistencia es para
el potenciómetro.

C. Cuál es el tipo de polarización del JFET y explique porque el

valor de RG debe ser alto?

- Cuál es el tipo de polarización del JFET:

La auto polarización en un transistor de efecto de campo de unión (JFET)

se refiere a la configuración del circuito en la que la resistencia de puerta
(RG) está conectada directamente entre la fuente y la compuerta (G) del
JFET. En este caso, la corriente en la compuerta (IG) es cero y no hay
caída de voltaje a través de la resistencia RG (V RG =0). La compuerta G se
conecta al lado negativo de la fuente a través de una resistencia de fuente
(RS).

Esta configuración permite establecer un punto de polarización estable

para el JFET. La resistencia RS limita la corriente de polarización y ayuda a
controlar el voltaje umbral necesario para encender el JFET. Cuando se
aplica una señal de entrada al JFET, la corriente de puerta controla la
corriente entre el drenaje y la fuente.

- Explique porque el valor de RG debe ser alto:

 La resistencia de gate (RG) en un circuito con un transistor de efecto de
campo (JFET) juega un papel crucial. Su alto valor es fundamental para
prevenir pérdidas de señal y la generación de cortocircuitos, al tiempo que
protege el propio JFET de posibles daños. Además, RG puede eliminar la
necesidad de una segunda fuente de polarización. Al conectarla entre la
compuerta (G) y la fuente (S) del JFET, se genera una caída de tensión que
permite polarizar adecuadamente el dispositivo.
La alta resistencia de gate garantiza que la corriente que fluye hacia la
compuerta sea mínima, lo que evita la carga excesiva y asegura que el
JFET funcione dentro de su rango óptimo. Esto es esencial para mantener
la integridad de la señal y evitar distorsiones no deseadas.

Además, al evitar la necesidad de una segunda fuente de polarización, se

simplifica el diseño del circuito y se reduce la complejidad. Esto puede ser
especialmente beneficioso en aplicaciones donde el espacio y los recursos
son limitados, y donde se busca una solución eficiente y económica.

D. Calculamos la resistencia la reactancia capacitiva de los

condensadores de acople

- Desarrollaremos la capacitancia 1 (C 1):

1
X c1=
2 π∗f∗c 1

- Reescribimos la fórmula:

1
X c1=
2 π∗1000 Hz∗10 μF

X c1=15.91 Ω

- Desarrollaremos la capacitancia 2 (C 2):

1
X c2=
2 π∗f∗c 1

- Reescribimos la fórmula:

1
X c2=
2 π∗1000 Hz∗10 μF
 X c2=15.91 Ω

- Desarrollaremos la capacitancia 3 (C 3 ):

1
X c3=
2 π∗f∗c 1

- Reescribimos la fórmula:

1
X c3=
2 π∗1000 Hz∗0 , 1 μF

X c3=1591.55 Ω

E. Calculamos la ganancia de voltaje AV

- Calcularemos la tensión puerta-fuente:

V GS=−I D ∙ R S

 V GS : Es la diferencia de potencial entre la puerta y la fuente del transistor

de efecto de campo.

 I D : Es la corriente de drenaje que fluye a través del transistor.

 R S: Es la resistencia de drenaje conectada en serie con el drenaje del

transistor.

- Reescribimos la fórmula:

V GS=( (−3 mA ) ∙ ( 500Ω ))

V GS=−1.5V
- Calcularemos la transconductancia (Gm):

ID
Gm=
V GS

 Gm : Es la transconductancia, que representa la relación entre el cambio en

la corriente de salida (I D ) y el cambio en la tensión de entrada (VGS ).

 I D : Es la corriente de drenaje del transistor, que es la corriente que fluye

desde el drenaje hacia la fuente en un FET.

 V GS : Es la tensión entre la compuerta y la fuente del transistor.

- Reescribimos la fórmula:

3 mA
Gm=
−1.5 V

Gm=−2 mS

- Calcularemos la ganancia de voltaje del amplificador (Av):

AV =−Gm ∙ R D

 AV : Representa la ganancia de voltaje del amplificador.

 Gm : Es la transconductancia del transistor FET, que representa la

relación entre la corriente de salida y la diferencia de voltaje de
entrada en la región activa del transistor.

 R D: Es la resistencia de drenaje del transistor FET.

- Reescribimos la fórmula:

AV =−2 mS ∙3.33 kΩ

AV =−6.66 V

Problema 3.
Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto en
la que se evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes mediciones.
- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

- Valor de VGS.

- Valor de VDS.

- Valor de VGD.

- Valor de la corriente ID.

Solución:
- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

 Amplitud de la señal de entrada en el canal A: 300 mV

 Amplitud de la señal de salida en el canal B: 750 mV

- Valor de VGS.
 Es de −0.10 V como lo podemos observar a continuación.

- Valor de VDS.

Es de 18.5 V como lo podemos observar a continuación.

- Valor de VGD.
Es de 16.8 V como lo podemos observar a continuación.

- Valor de la corriente ID.

Es de 0.42 mA como lo podemos observar a continuación.
 Conclusión
Este proyecto recorremos el diseño y la simulación del amplificador de baja
señal con JFET presentado en este trabajo individual reflejan un enfoque
metódico y técnico para abordar problemas de amplificación de señales
débiles. A través de una sólida fundamentación teórica, análisis matemáticos
detallados y una simulación práctica, se ha demostrado la viabilidad y
eficacia de la solución propuesta. Los resultados obtenidos en la simulación,
que incluyen la amplitud de la señal de salida, los valores de voltaje y
corriente en diferentes puntos del circuito, validan la funcionalidad y el
rendimiento esperado del amplificador. Este trabajo sienta las bases para
futuras investigaciones y desarrollos en el campo de la electrónica de señal
débil, ofreciendo una contribución significativa al avance tecnológico y la
innovación en esta área específica.

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