Ejercicios A Resolver Tarea 2 1

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Anexo 2 – Ejercicios a resolver Tarea 2

Apreciado Estudiante

A continuación, se presentan los ejercicios asignados para el desarrollo de


Tarea 2 – Introducción a dispositivos semiconductores. Debe
seleccionar una temática para el desarrollo de los ejercicios de la guía: 1,
2, 3, 4, o, 5 y enunciarlo en el Foro de discusión - Unidad 2 - Tarea
2 – Introducción a dispositivos semiconductores. Tenga en cuenta
que ningún miembro del grupo podrá seleccionar la misma asignación.

Usted debe diligenciar la siguiente tabla en el foro (copie y pegue desde


aquí), si ya sus compañeros hicieron elecciones con anterioridad, debe
registrarlos en cada numeral. Recuerde agregar las ecuaciones que
representen el modelo en cada caso, y seguir todos los lineamientos
expresados por la rúbrica.
Tabla 1.
Distribución Ejercicios Tarea 2

Nombre del estudiante Grupo de ejercicios a


desarrollar
El estudiante desarrolla la temática
de estudiante 1 en todos los
ejercicios.
El estudiante desarrolla la temática
de estudiante 2 en todos los
ejercicios.
El estudiante desarrolla la temática
de estudiante 3 en todos los
ejercicios.
El estudiante desarrolla la temática
de estudiante 4 en todos los
ejercicios.
El estudiante desarrolla la temática
de estudiante 5 en todos los
ejercicios.
Nota: Selección de grupo de ejercicios Tarea 2. Fuente autor.
Información adicional

A continuación, encontrará información que le servirá para el desarrollo


de los ejercicios 2, 3 y 4:

Tabla 2.
Fórmulas y criterios Unidad 2

Descripción Fórmula o criterio


Ley de Ohm 𝑉 =𝐼∗𝑅
Potencia eléctrica 𝑃 =𝑉∗𝐼
Energía eléctrica 𝐸 = 𝑃 ∗ 𝑡 | 𝑡0 = 0
VD (GaAs) 𝑉𝐷 = 1,2 𝑉
VD (Si) 𝑉𝐷 = 0,7 𝑉
VD (Ge) 𝑉𝐷 = 0,3 𝑉
Cálculo de α 𝛼 = 𝛽/(𝛽 + 1)
Cálculo de β 𝛽 = 𝛼/(1 − 𝛼)
Corriente de colector y emisor 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶
Relación de corrientes BJT 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 /𝛼; 𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 /𝛽
Corriente en D (MOSFET) 𝐼𝐷 = (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 ∙ 𝐾/2

Magnitud Unidad
Voltaje Voltio (V)
Corriente Amperio (A)
Resistencia Ohmio (Ω)
Potencia Vatio (W)
Energía Joule (J) / Vatio − hora (Wh)
Tiempo Hora (h) / Minuto (min) / Segundo (s)
Nota: Fórmulas y criterios para el desarrollo de la Unidad. Fuente autor.

Ejercicio 1: Infografía sobre pregunta orientadora

Descripción del ejercicio:

A continuación, encontrará las temáticas propuestas para el desarrollo


de la infografía:

1) ¿Qué es un material superconductor? Ejemplos y aplicaciones.

2) Generalidades de los dispositivos electroluminiscentes (ejemplos).

3) Describir principio de funcionamiento de un inversor (electrónica).

4) ¿Qué es la resistencia negativa? Principios y ejemplos.

5) Explicar cómo funciona una célula fotovoltaica.


A partir del argumento que haya seleccionado deberá realizar las
siguientes actividades:

➢ Realizar una infografía que contenga los datos más relevantes de la


pregunta seleccionada. Puede realizar la explicación mediante
ejemplos prácticos (si aplica).

➢ Realizar un vídeo de 5 minutos máximo, tenga en cuenta las siguientes


recomendaciones:

1. El estudiante hace su presentación personal básica y mostrar su


documento de identidad al inicio del video (sin mostrar el número
de identidad). Posteriormente debe explicar de forma detallada
cómo realizó el ejercicio 1 de su letra escogida (en español).
2. El estudiante debe aparecer en la grabación de frente y sin ningún
filtro. Luego explica en pantalla compartida la problemática
planteada.
3. Para la realización del vídeo puede usar la cámara de un celular, la
cámara de una computadora u otra alternativa que se le facilite.
También podrá usar la herramienta Teams para la realización de la
grabación. Deberá subir el vídeo a una plataforma de vídeos (por
ejemplo: YouTube, Loom, OBS, Clipchamp, Screencast, etc) y
compartir el enlace sin restricción al tutor asignado (puede
configurar en modo oculto si es de su elección).
Ejercicio 2: Uso de diodos en circuitos eléctrico

Descripción del ejercicio:


A continuación, encontrará los elementos para el desarrollo del ejercicio
2:

Encontrar los valores de corriente y voltaje mediante el método que


considere según el esquema presentado:

Tabla 3.
Ejercicio 2 Tarea 2

Enunciado Esquema
1. Hallar 𝑽𝒐

2. Hallar 𝑰𝑫𝟐
3. Hallar 𝑽𝒐

4. Hallar 𝑰𝑫𝟏

5. Hallar 𝑽𝒐

Nota: Actividades Ejercicio 2 Tarea 2. Fuente autor.


A partir del esquema seleccionado calcular:

➢ Variables faltantes en el circuito según lo solicitado (V, I).


➢ Potencia y energía consumida por R1 en cada esquema en un tiempo
𝑡 = 30 𝑚𝑖𝑛.

Ejercicio 3: Transistor de unión bipolar

Descripción del ejercicio:

A continuación, encontrará los elementos para el desarrollo del ejercicio


3:

Encontrar los valores de corriente y voltaje según el esquema


presentado:

Tabla 4.
Ejercicio 3 Tarea 1

Enunciado Esquema
1. Hallar 𝑽𝑪𝑬
2. Hallar 𝑽𝑬

3. Hallar 𝑽𝑪
4. Hallar todos los valores
de 𝑹

5. Hallar 𝑽𝑪

Nota: Actividades Ejercicio 3 Tarea 2. Fuente autor.

A partir del esquema seleccionado calcular:

➢ 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝐼𝐸 para cada esquema.


➢ Variables requeridas en el enunciado de voltaje y resistencia según el
caso.
Ejercicio 4: Aplicaciones industriales

Descripción del ejercicio:


Se tiene el siguiente esquema para un transistor MOSFET que tiene un
voltaje umbral 𝑉𝑇 = 7 𝑉 y los elementos que se muestran a continuación:

Figura 1.
Esquema Ejercicio 4 Tarea 2

Nota: Esquema Ejercicio 4 Tarea 2. Fuente autor.

A partir de la información suministrada responder las siguientes


preguntas:

a) Con la configuración planteada, ¿el transistor permite el paso de


corriente? Explicar.

b) ¿Qué valor mínimo de 𝑅3 se debería garantizar para que el


transistor permita el paso de corriente entre D y S?

c) Calcular el valor de 𝑉𝐺𝑆 , 𝐼𝐷 y 𝑉𝐷𝑆 .

d) ¿El transistor opera en la región de corte, lineal o saturación?

Para tener en cuenta:

➢ El valor de ψ corresponde al numeral seleccionado por el estudiante:

Estudiante 1: ψ =1. Estudiante 4: ψ =4.


Estudiante 2: ψ =2. Estudiante 5: ψ =5.
Estudiante 3: ψ =3.
➢ Para los grupos de estudiante 1 y 2, asumir 𝑅3 = 600 Ω para los cálculos
del literal c).
➢ En el cálculo de 𝐼𝐷 asuma una operación en la región de saturación.

Nota:
Apreciado estudiante, tenga en cuenta que la valoración máxima de esta
actividad es de 75 puntos, para aprobar deberá lograr una calificación
superior o igual a 45 puntos.

Para tener en cuenta:

Se recomienda la comprobación de los ejercicios por medio del uso de la


herramienta Tinkercad para cada temática propuesta y se debe integrar
los resultados de la simulación en el entregable de la actividad.

El estudiante podrá utilizar el Anexo 1 - Plantilla Tarea 2 como


documento base para la realización del informe final o entregable de la
Tarea 2.

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