TEMA 7

ELECTRÓNICA DE
POTENCIA
ELCA

DPTO. DE ELECTRICIDAD-ELECTRÓNICA
I.E.S. MAIMÓNIDES
ÍNDICE

1. Introducción a la electrónica de potencia............................................................................................1

2. Aplicaciones de la electrónica de potencia. ........................................................................................1
2.1. Convertidores AC-AC. .................................................................................................................1
2.2. Convertidores AC-DC. .................................................................................................................1
2.3. Convertidores DC-DC. .................................................................................................................2
2.4. Convertidores DC-AC. .................................................................................................................2
3. Semiconductores de potencia. ...........................................................................................................2
4. Diodos de potencia.............................................................................................................................2
4.1. Rectificador de media onda trifásico. ...........................................................................................3
4.2. Rectificador de onda completa trifásico. ......................................................................................3
5. Transistores. ......................................................................................................................................3
5.1. El transistor bipolar de potencia. ..................................................................................................4
5.1.1. Aplicaciones de los transistores BJT en electrónica de potencia. ..........................................4
5.2. El transistor MOSFET de potencia. ..............................................................................................6
5.2.1. Aplicaciones de los transistores MOSFET en electrónica de potencia...................................6
5.3. Transistor IGBT. ..........................................................................................................................8
5.3.1. Aplicaciones de los transistores IGBT en electrónica de potencia. ........................................8
6. Tiristor. ............................................................................................................................................. 10
6.1. Tiristor SCR. .............................................................................................................................. 10
6.1.1. Funcionamiento en corriente continua del SCR. .................................................................. 10
6.1.2. Funcionamiento en corriente alterna del SCR. .................................................................... 11
6.1.3. Aplicaciones de los SCR. .................................................................................................... 11
6.2. Tiristor GTO. .............................................................................................................................. 12
6.3. Triac. ......................................................................................................................................... 13
6.3.1. El Triac como interruptor. .................................................................................................... 13
6.3.2. Control de fase de un Triac. ................................................................................................ 13
6.4. Diac. .......................................................................................................................................... 14
6.5. Optodiac. ................................................................................................................................... 15
7. Ejercicios.......................................................................................................................................... 16
1. Introducción a la electrónica de potencia.
La electrónica de potencia, también denominada electrónica industrial, es una técnica de estado sólido
destinada a controlar cargas de gran potencia mediante dispositivos semiconductores. A diferencia de
la electrónica de «señales débiles» estudiada hasta ahora, en la electrónica de potencia, las señales
(tensión, corriente...) trabajan con niveles considerablemente altos.
La mayor parte de las aplicaciones de electrónica de potencia hacen trabajar a los dispositivos
semiconductores como si de interruptores se tratase, siendo mucho más importante en ellas su
comportamiento en la conmutación que en el control de su ganancia o amplificación.
La conmutación de los dispositivos de potencia es gestionada mediante un circuito de mando o de
control, que en algunas ocasiones requiere de realimentación o feedback para gestionar la carga de
forma adecuada.

2. Aplicaciones de la electrónica de potencia.

Las principales aplicaciones de la electrónica de potencia se encuentran en los denominados
convertidores. Con ellos es posible convertir un tipo de energía eléctrica en otra de diferentes
características.

Su clasificación es la siguiente:

2.1. Convertidores AC-AC.

Son los encargados de transformar una señal de corriente alterna de unas características en otra del
mismo tipo, pero de características diferentes.
Un convertidor AC-AC puede ser un simple transformador. Con él es posible convertir la tensión de
corriente alterna de entrada en otra tensión de valor diferente en la salida.
Si se desea que la señal de salida disponga de una frecuencia en hercios diferente a la de entrada, no
solo hay que utilizar un transformador, como se ha planteado anteriormente, sino que es necesario
configurar un circuito de conmutación electrónica para convertir tanto la amplitud de la señal como
para modificar su frecuencia.

2.2. Convertidores AC-DC.

Permiten convertir una señal de corriente alterna de entrada en una de corriente continua en su salida.
Dentro de este grupo se encuentran los denominados rectificadores con diodos, como los que ya se
han estudiado en unidades anteriores.
Pueden ser de dos tipos:

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• Rectificadores no controlados, construidos a base de diodos.
• Rectificadores controlados, construidos a base de tiristores.

2.3. Convertidores DC-DC.

Se utilizan para conseguir una señal de corriente continua partiendo de otra señal del mismo tipo, pero
con características diferentes.
Dentro de esta categoría, se pueden incluir los reguladores de tensión, basados en diodos Zener,
transistores o circuitos integrados reguladores de tensión.

2.4. Convertidores DC-AC.

También denominados onduladores o inversores, son los encargados de convertir una señal de
corriente continua en otra de corriente alterna.
Su campo de aplicación se encuentra en:
• Sistemas de alimentación ininterrumpida o SAl.

• Gestión de motores de corriente alterna.

• Ondulación de señales DC procedentes de instalaciones fotovoltaicas.

3. Semiconductores de potencia.
La principal característica de los semiconductores de potencia es su capacidad de controlar cargas
con valores de tensión y corriente muy elevados.
Algunos de estos componentes se utilizan para controlar corrientes débiles, como son los diodos o los
transistores, pero en este caso se estudiarán sus versiones para gestionar cargas de potencia.
Uno de los principales problemas de los semiconductores de potencia es que generan mucho calor
cuando trabajan a plena carga. Por este motivo, es importante su correcta disipación mediante
radiadores metálicos o ventilación forzada.

Los principales dispositivos semiconductores utilizados en electrónica de potencia son:

• Diodos de potencia.
• Transistores:
- BJT de potencia.
- Power MOSFET.
- IGBT.
• Tiristores:
- SCR.
- GTO.
- Triac.
- Diac.

4. Diodos de potencia.
Los diodos se utilizan en la electrónica de potencia con el mismo fin que en la electrónica de corrientes
débiles. Es decir, tienen aplicación para la rectificación y construcción de fuentes de alimentación. Sin
embargo, se diferencian de sus «hermanos pequeños» en que son construidos en formatos
industriales de gran tamaño, cuya instalación se realiza sobre racks o disipadores de calor metálicos y
no sobre placas de circuito impreso.
En la industria es habitual encontrarlos en dispositivos que permiten rectificar la corriente de sistemas
trifásicos que trabajan con tensiones y cargas elevadas, como los utilizados para el control de motores
eléctricos. En estas aplicaciones, no es tan importante el filtrado y la estabilización de la tensión de
salida como el rendimiento del sistema. Este tipo de conversión puede hacerse mediante rectificadores
de media onda u onda completa, obteniéndose en su salida una corriente con un rizado mucho menor
que sus equivalentes monofásicos, debido a que la rectificación se hace sobre tres señales senoidales
desfasadas entre sí 120º.

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4.1. Rectificador de media onda trifásico.
El rectificador trifásico de media onda consta de tres diodos, uno por fase, con el cátodo común
conectado al positivo de la señal de salida. El negativo se toma de la conexión central del
transformador trifásico, que corresponde con el neutro.

4.2. Rectificador de onda completa trifásico.

El rectificador de onda completa trifásico requiere seis diodos conectados en puente, como se muestra
en la figura.
Este rectificador tiene un rizado mucho menor que el de media onda, debido a que todos los
semiciclos de cada una de las fases del sistema trifásico son rectificados y convertidos en semiciclos
de signo positivo.

5. Transistores.
En la electrónica de potencia, los transistores se utilizan principalmente para controlar cargas por
conmutación, que trabajan con valores de corriente y tensión elevados.

Los transistores de potencia pueden ser de tres tipos:

• BJT.
• Power MOSFET.
• IGBT.

Los del tipo MOSFET e IGBT son los más utilizados en la actualidad, debido a su fácil control,
respecto a los BJT.
Los transistores de potencia presentan diferentes tipos de encapsulados y formatos. Algunos se
conectan por la técnica de soldadura blanda en placas de circuito impreso, pero, otros, debido a las
altas corrientes que deben soportar, se conectan mediante bornes por tornillo. Estos, en ocasiones, se
presentan en formato de módulos, en los que se combinan con otros transistores o diodos para facilitar
su integración en los sistemas que se quieren controlar.

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Muchas de las aplicaciones de los transistores de potencia consisten en ser utilizados en circuitos para
sustituir a los contactores o relés.

5.1. El transistor bipolar de potencia.

El transistor bipolar BJT es económico respecto a los de otros tipos y permite la gestión de cargas
elevadas, sin embargo, presenta una serie de inconvenientes que en la mayoría de las aplicaciones
han sido sustituidos por los de tipo MOSFET o IGBT.
• Su conmutación es lenta respecto a los MOSFET e IGBT.
• Se controla en corriente.
• La tensión entre emisor y colector, incluso en modo de saturación completa, suele ser de varios
voltios.
• Térmicamente es bastante inestable, ya que su ganancia varía con la temperatura.
A pesar de sus inconvenientes, el uso del transistor BJT está muy extendido en la electrónica de
potencia que requiere controlar cargas no demasiado exigentes.

5.1.1. Aplicaciones de los transistores BJT en electrónica de potencia.

A continuación, se muestran sencillos ejemplos de uso de este tipo de transistores para controlar
cargas de pequeña potencia, como pueden ser pequeños motores DC.

Circuito de conmutación de un motor DC

Este circuito utiliza un transistor NPN que funciona como interruptor, para controlar el funcionamiento
de un motor con un solo sentido de giro.
La conmutación se realiza aplicando una señal a la base, que se encuentra polarizada mediante su
correspondiente resistencia.
La conmutación de cargas inductivas requiere utilizar un diodo volante conectado en paralelo con la
carga, para evitar que la conmutación destruya el semiconductor.

El uso de optoaisladores para controlar la corriente de la base evita que, por fallo o avería, exista un
contacto eléctrico entre el circuito de potencia y el circuito de control.

El aislamiento o separación galvánica impide el contacto eléctrico entre dos partes bien diferenciadas
de un circuito, como puede ser la etapa de potencia y la etapa de señales de mando o control.

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Inversión del sentido de giro de un motor DC con transistores BJT en push-pull.
La inversión del sentido de giro de un motor DC de imanes permanentes se realiza cambiando la
polaridad en sus terminales de alimentación. Así, si por medios electrónicos se consigue el mismo
efecto desde el circuito de control, es posible invertir el sentido de giro en función de la polaridad
aplicada a la etapa de potencia.

Una forma de realizar esta inversión de giro consiste en conectar dos transistores BJT en push-pull en
un circuito que utiliza una fuente de alimentación simétrica (+V, 0, -V). En este caso, el motor debe
estar conectado a masa por uno de sus terminales, y al circuito de salida de los transistores por el
otro:
• El motor gira en un sentido cuando el transistor NPN entra en conducción al ser polarizado
positivamente, entregando un valor positivo de tensión en la salida de potencia.
• Por el contrario, el motor gira en sentido contrario cuando el transistor PNP entra en conducción al
estar polarizado negativamente, entregando un valor negativo en la salida de la etapa de potencia.
De igual forma que en el circuito anterior, es necesario utilizar dos diodos volantes, uno por cada
transistor, para evitar que las conmutaciones los destruyan.

Puente H mediante transistores BJT

El circuito anterior tiene la ventaja de utilizar solamente dos transistores.
Sin embargo, presenta el inconveniente de requerir una fuente de alimentación simétrica de potencia y
dos transistores complementarios, uno PNP y otro NPN.
Si lo que se desea es realizar la inversión del sentido de giro de un motor DC con una fuente de
alimentación simple, es decir, no simétrica, y con todos los transistores del mismo tipo, es necesario
utilizar el circuito denominado puente en H.
El puente en H de la figura está formado por cuatro transistores bipolares NPN. En él, el sentido de la
corriente y la polaridad está siempre controlado a través de dos de los transistores. De tal forma, si se
polarizan los transistores Q1y Q4 el motor gira en un sentido, y si se polarizan Q2 y Q3, el motor gira
en sentido contrario, ya que se invierte el sentido de corriente y, por tanto, también se invierte la
polaridad en los bornes del motor.

En el puente en H es necesario utilizar cuatro diodos para proteger los transistores de los picos de
tensión producidos por la desconexión de las bobinas del motor.

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5.2. El transistor MOSFET de potencia.
Desde los años 70, los transistores MOSFET han ido sustituyendo de forma progresiva a los
transistores bipolares en aplicaciones de electrónica de potencia, ya que son numerosas sus ventajas
respecto a estos:
• Se controlan en tensión, en lugar de corriente, mediante el terminal de puerta G, lo que facilita su
conmutación.
• Cuando se encuentra en conducción, la resistencia entre el drenador y la fuente es muy baja, por lo
que no hay prácticamente pérdidas de tensión.
• Suelen disponer de un diodo integrado, denominado damper, que evita que el transistor se destruya
por efectos de realimentación.
• Pueden trabajar hasta tensiones de 250 V.
• Se comportan muy bien con altas frecuencias (mayores de 200 kHz).
No obstante, a pesar de sus enormes ventajas respecto a los BJT, el transistor MOSFET presenta
algunos inconvenientes, que han de ser tenidos en cuenta:
• Suelen ser más caros que sus equivalentes bipolares.
• Son sensibles a la electricidad estática, por lo que hay que tomar precauciones para que no se
destruyan cuando se están manipulando.
• Tienen limitaciones para trabajar con corrientes superiores a 100 A, muy habituales en aplicaciones
industriales.
En ocasiones, los transistores Power MOSFET se comercializan en formato de módulo, en
combinación con otros componentes, como otros MOSFET o diodos, para facilitar su configuración en
aplicaciones de potencia.

5.2.1. Aplicaciones de los transistores MOSFET en electrónica de potencia.

A continuación, se muestran algunos circuitos prácticos para experimentar con los transistores
MOSFET en circuitos de electrónica de potencia.

Control de motores DC con MOSFET

La configuración de los circuitos para el control de motores DC con transistores MOSFET es similar a
la estudiada anteriormente para los transistores BJT. La principal diferencia radica en que el control de
los terminales de puerta (G) se hace en tensión y no en corriente, como ocurre en los BJT, facilitando
así el diseño del circuito que los controla.
De igual forma que en otros circuitos de semiconductores que se utilizan para activar cargas
inductivas, como pueden ser motores, es necesario proteger los transistores mediante diodos
volantes, para evitar su destrucción por los picos de sobretensión que se producen en el momento de
su desconexión.

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En los esquemas, se muestra el control de un motor DC con transistores MOSFET de canal N. Pero,
de igual forma, se podrían usar los de canal P, teniendo en cuenta que su polarización y los sentidos
de la corriente cambian.

Inversor DC-AC con transistores MOSFET

Un inversor u ondulador es un circuito que permite convertir energía, partiendo de una fuente de
corriente continua, en otra de corriente alterna.
Este tipo de circuitos se utiliza ampliamente en instalaciones de energía solar, en las que se requiere
conectar en la red de corriente continua generada dispositivos o electrodomésticos que funcionan a
230 V de corriente alterna.
Para ello, se utiliza un circuito de conmutación basado en transistores, que convierte la señal DC en
otra señal de tipo pulsante de onda cuadrada, que se eleva mediante un transformador para conseguir
el valor de la tensión de salida adecuado para alimentar los receptores de alterna (230 V, por ejemplo).
La conmutación de los transistores, a través de sus terminales de puerta, se hace mediante un circuito
oscilador que trabaja a 50 Hz.

Inversor trifásico para motores de inducción

Una aplicación industrial de los transistores MOSFET consiste en utilizarlos como inversores trifásicos
para controlar y regular la velocidad de motores trifásicos de inducción en corriente alterna. En este
caso, el circuito con transistores MOSFET es alimentado directamente desde un puente rectificador
trifásico de potencia, el cual trabaja directamente con red trifásica de 230/400 V.
El control de los terminales de puerta (G) de cada uno de los MOSFET es controlado mediante
microprocesador, a través de una señal sinusoidal modulada en pulso denominada SPWM.

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Este circuito es en realidad un convertidor DC/AC, en el que, partiendo de una tensión en corriente
continua, procedente del puente rectificador trifásico, se consigue energía en corriente alterna de tipo
trifásico, la cual se puede modificar en amplitud y en frecuencia por medios electrónicos.

5.3. Transistor IGBT.

Este transistor es principalmente un interruptor o switch, que fue desarrollado en la década de los
ochenta del siglo XX como un híbrido entre un transistor BJT y un MOSFET, aprovechando las
ventajas de ambas tecnologías en un solo componente.

Así, un transistor IGBT se caracteriza por:

• Su rápida conmutación, que es más lenta que los MOSFET, pero más rápida que el BJT.
• Control de grandes cargas, que trabajan con altas tensiones y elevados valores de corriente, que no
se pueden gestionar por los otros tipos de transistores.
• Facilidad de control mediante su terminal de puerta por tensión.

Todas estas ventajas han hecho que el transistor IGBT se haya convertido en el transistor «estrella»
de los dispositivos industriales de estado sólido para controlar grandes cargas.

5.3.1. Aplicaciones de los transistores IGBT en electrónica de potencia.

Los IGT se utilizan de forma similar a los MOSFET, pero para aplicaciones con cargas más elevadas.
Así, los circuitos típicos para controlar cargas inductivas, como pueden ser motores, tienen una
configuración análoga a las de otros tipos de transistores de potencia.

Las patillas de un transistor IGBT se denominan B-Base, C-Colector y E-Emisor.

Características importantes de los transistores IGBT:

VGE(th): tensión de umbral aplicable en la puerta para que el transistor entre en conducción.
VGE: tensión máxima a aplicar entre el terminal de puerta G y el emisor E.
VCES: tensión máxima de trabajo del transistor entre el colector y el emisor.
IC: corriente máxima en el colector.

EI IGBT como interruptor

El transistor IGBT es ideal para trabajar como conmutador o switch en la industria, ya que permite
controlar cargas de gran potencia. Se utiliza de forma similar a un MOSFET, ya que basta con
polarizar de forma adecuada su terminal G para que el transistor entre en conducción.

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En los transistores IGBT es importante consultar el dato VGE de la hoja de características, ya que
indica la tensión máxima que se puede aplicar al terminal de puerta sin que el transistor se destruya.

Control de un motor DC con transistores IGBT

La conexión es similar a las ya estudiadas para los otros tipos transistores. En este caso, el motor se
conecta entre el colector y el positivo de la fuente de tensión y se debe disponer de un diodo volante
para evitar que se destruya en las maniobras de conmutación.
Una buena opción para invertir el sentido de giro de un motor DC, es utilizar los transistores en puente
H, de forma que cuando conducen Q1 y Q4, el motor gira en un sentido, y si lo hacen Q2 y Q3, el
motor gira en sentido contrario.

Control de un motor trifásico de inducción con IGBT

El equivalente de este circuito con transistores IGBT es idéntico al visto para los transistores MOSFET.
Y, de igual forma que en él, la dificultad recae en el diseño del circuito necesario para excitar cada una
de los terminales de puerta (G), y sincronizar el bloqueo y conducción de cada uno de los transistores.

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Los inversores con transistores IGBT se utilizan para aplicaciones que requieren más potencia que los
MOSFET.
6. Tiristor.
El tiristor es un dispositivo semiconductor que trabaja en conmutación y que es controlado mediante
una corriente débil aplicada en uno de sus terminales.
La familia de tiristores está formada principalmente por los siguientes componentes:
• Tiristor SCR.
• Tiristor GTO.
• Triac.
• Diac.
• Variantes ópticos de algunos de ellos.

6.1. Tiristor SCR.

Es un dispositivo semiconductor que permite conmutar cargas como si de un interruptor se tratase. La
parte de potencia, que controla la carga, se comporta de forma similar a un diodo. Sin embargo, a
diferencia de este, el tiristor dispone de un terminal o patilla denomina puerta o gate, que se utiliza
para controlar a voluntad el paso o no de corriente, como lo haría un relé.
El tiristor también es conocido como rectificador controlado de silicio o SCR debido a su denominación
en inglés Silicon Controlled Rectifier.

El símbolo del tiristor es:

Un tiristor está formado por cuatro capas de material P-N, de forma que su circuito equivalente
corresponde a la conexión de dos transistores.
Dispone de tres terminales denominados ánodo (A), cátodo (K) y puerta (G).
Se puede decir que un tiristor es un interruptor unidireccional de estado sólido, por lo que tiene dos
estados: bloqueado (OFF), que impide el paso de la corriente, o activo (ON), que permite el paso de la
corriente a través de él. En el primer caso, se comporta como un interruptor abierto, y en el segundo,
como un interruptor cerrado.
Con un tiristor SCR es posible gestionar corrientes elevadas controlando su puerta G con una
corriente muy baja.

6.1.1. Funcionamiento en corriente continua del SCR.

El tiristor SCR entra en conducción cuando se le aplica un pulso positivo en el terminal de puerta G
cuando hay una tensión positiva entre ánodo y cátodo, es decir la tensión en el ánodo es mayor que
en el cátodo. En esta situación, aunque desaparezca la señal de puerta, el tiristor continúa en
conducción o cebado.

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Para que el tiristor deje de conducir, es necesario interrumpir momentáneamente el paso de corriente
por el cátodo (S2 en la figura), o cortocircuitar temporalmente las patillas del ánodo y cátodo (S3 en la
figura). De esta forma, el semiconductor se desceba y vuelve al estado de bloqueo y sin conducción
de corriente.

6.1.2. Funcionamiento en corriente alterna del SCR.

En un circuito alimentado por corriente alterna, el tiristor se comporta como un rectificador controlado
y, por tanto, el resultado en la carga es una señal de corriente continua. En este caso, el tiristor
conduce durante los semiciclos positivos y deja de hacerlo durante los ciclos negativos. Así, de forma
contraria al funcionamiento visto en corriente continua, el tiristor se desceba de forma automática
cuando la señal de alterna pasa por cero.
Si la señal aplicada en la puerta está en fase con la de la fuente de tensión AC, la potencia en la carga
es completa. A medida que aumenta el desfase de la señal del terminal de puerta con respecto a la de
la fuente de tensión, la potencia en la carga baja proporcionalmente. De esta forma, controlado el
desfase de la puerta entre 0 y 180º, es posible recortar en mayor o menor medida los semiciclos
rectificados y, por tanto, entregar una potencia variable en la carga.

A esta forma de trabajo del tiristor se la denomina «control de fase» y se utiliza para regular la
luminosidad en lámparas incandescentes o variar la velocidad de motores eléctricos.
El control de fase se puede hacer por medios pasivos, a través de una resistencia y un condensador, o
de forma más precisa, por medios activos, mediante transistores o algún dispositivo de disparo de
tiristores.

Principales características del tiristor:

IGT: corriente de disparo de la puerta G.
VGT: tensión de disparo de la puerta G.
IH: corriente de mantenimiento. Es el valor de corriente en el terminal G del que se debe bajar para que
el tiristor deje de conducir.
Imáx: corriente máxima que soporta el tiristor.
Vmáx: tensión máxima de trabajo.

6.1.3. Aplicaciones de los SCR.

Una de las aplicaciones en las que más se utilizan los tiristores del tipo SCR es para el control de
cargas de potencia mediante los denominados «rectificadores controlados de silicio».

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Rectificadores controlados de silicio
Se configuran en forma de puente, combinados o no con diodos, y pueden ser semicontrolados o
totalmente controlados. Estos pueden diseñarse tanto para sistemas monofásicos como trifásicos.
Su uso está ampliamente extendido en aplicaciones industriales para el control y regulación de
velocidad de motores eléctricos.

En este tipo de rectificadores, la dificultad recae en sincronizar el control de fase de cada una de las
puertas de los tiristores que intervienen en el circuito. Así, cuanto mayor sea el número de tiristores
empleados, mejor control se tendrá de la señal de salida, pero más complejo es el circuito de disparo
de los terminales de puerta para controlar el desfase.

6.2. Tiristor GTO.

El tiristor GTO nació para solucionar los inconvenientes que presentan los SCR de mantenerse
cebados o en conducción, a pesar de retirar la corriente de control del terminal de puerta.
Así, en este tipo de tiristores, cuando al terminal G se le aplica una tensión de valor positivo respecto
al cátodo, el tiristor entra en conducción, permaneciendo en esta situación hasta que se aplica una
tensión de valor negativo en el mismo terminal.

GTO viene del inglés Gate Turn-Off Thyristor, que significa tiristor de apagado por puerta.
Su sencillo control de puerta los hace ideales para el control de cargas, como motores eléctricos,
mediante conmutación.

El símbolo de este tiristor es el siguiente:

Su circuito de control básico es el siguiente:

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6.3. Triac.
Un Triac es el equivalente dos tiristores conectados en antiparalelo, en los cuales los terminales de
puerta G se encuentran unidos en un mismo punto y se controlan a la vez.
El Triac es ideal para controlar cargas en corriente alterna, ya que permite el paso tanto de los
semiciclos positivos como de lo negativos.
Se puede decir que un Triac es un interruptor de estado sólido para corriente alterna, que dispone de
tres terminales, denominados A1, A2 y G, y cuyo símbolo es el siguiente:

6.3.1. El Triac como interruptor.

Para hacer funcionar el Triac como interruptor basta polarizar el terminal de puerta con los valores de
tensión y corriente que dicta el fabricante en su hoja de características.
La carga a conectar siempre debe ser de corriente alterna, sin embargo, el disparo de la puerta se
puede hacer tanto en alterna como en continua. En ambos casos el tiristor solamente pasa al estado
conducción cuando la puerta está activada, y al modo de bloqueo cuando la puerta deja de hacerlo.

6.3.2. Control de fase de un Triac.

En el Triac, al ser un interruptor bidireccional, el control de fase se hace en ambas semiondas,
pudiéndose regular la potencia de las cargas que funcionan en corriente alterna, de forma similar a
como se hace con el SCR en corriente continua.

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Al contrario que en un tiristor, un Triac no se mantiene cebado aunque por el terminal G deje de pasar
corriente, ya que al estar la carga conectada a una fuente de corriente alterna cualquiera de los
ánodos son desconectados cuando la señal senoidal pasa por cero.

La forma más sencilla para controlar el ángulo de conducción es utilizando un circuito de tipo pasivo
de resistencias y condensadores, donde el ajuste se hace mediante un potenciómetro o resistencia
ajustable.

Los Triac se han estado utilizando durante años para la construcción de reguladores de luminosidad o
dimmers de lámparas incandescentes. En la actualidad, tiene gran aplicación para la regulación de
velocidad en motores universales de electrodomésticos.

6.4. Diac.
Un Diac es un dispositivo semiconductor de la familia de los tiristores, cuyo circuito equivalente
corresponde con dos diodos conectados en antiparalelo. Dispone de dos terminales sin polaridad que
normalmente se denominan A1-A2.
Se puede considerar como un interruptor bidireccional, que no entra en conducción hasta que se ha
superado su tensión de disparo, que suele ser de 30 V.

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El Diac se utiliza para gestionar el ciclo de disparo de la puerta de los Triac y, por tanto, se conecta en
serie con este terminal, pudiéndose emplear tanto en circuitos de control de fase como en circuitos
que utilizan el Triac como interruptor.

6.5. Optodiac.
Es un optoacoplador que se presenta en formato DIL (Dual In-Line package) y permite optoaislar el
circuito de control de un Triac de su etapa de potencia.
Dispone de un LED emisor de luz que debe ser polarizado mediante una resistencia. Así, cuando
dicho LED es alimentado y emite luz, el optodiac conduce, activando el terminal G del Triac y, por
tanto, la carga conectada a él.
El siguiente circuito muestra un ejemplo de un optoaislador basado en Diac que conmuta un Triac para
controlar una carga a 230 VAC mediante un circuito de mando de 5 VDC.

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7. Ejercicios.

1. Haz una lista de los dispositivos semiconductores utilizados en los sistemas electrónicos de
potencia describiendo la función y características de cada uno de ellos, dibujando su símbolo y
describiendo sus aplicaciones.

2. Identifica la función de:

a) Puente de diodos.
b) Puente en H.
c) Diodo volante
d) Etapa de mando.
e) Etapa de potencia.

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