Teoria Bandas
Teoria Bandas
Teoria Bandas
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En un sólido cristalino los átomos están muy Dos átomos separados
próximos entre sí, los niveles de energía de los
átomos individuales se ven alterados.
Cuando la distancia es del orden de 1 Å, se produce un
desdoblamiento de los niveles de energía, relacionado
con las dos funciones de onda, simétrica y
antisimétrica, soluciones de la ecuación de
Schrödinger.
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En un sólido multiatómico cada nivel energético se amplia a una Banda
Energética.
Los niveles cuánticos mono-atómicos 1s, 2s, 2p, 3s,... dan lugar a bandas en
el sólido: banda 1s, banda 2s, banda 2p, banda 3s,...
La anchura de la banda es mayor donde haya más solapamiento, esto es, para
los niveles correspondientes a electrones más externos.
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Teoría de Bandas (sólidos): Aislante – Conductor – Semiconductor.
Para que un electrón contribuya a la corriente eléctrica, ha de poder moverse en la
presencia de un campo eléctrico. Para que esto suceda, debe poder moverse a un nivel
de energía superior desocupado, o sea, la banda no puede estar llena.
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Magnesio 12Mg (1s2 2s2 2p6 3s2)
debería ser un aislante, al tener la banda 3s
completamente llena.
Sin embargo, un nuevo fenómeno, el
solapamiento de la banda 3s con la 3p, hace
que sea un conductor. Esto mismo sucede para
el Berilio, Calcio, Bario.
Para estos elementos la BV y la BC están
solapadas.
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Consideremos ahora el 6C en la estructura de diamante.
Esquema esperado: la banda 2p estaría parcialmente llena y podría conducir. Habría 2N
electrones para 6N niveles energéticos posibles.
Sin embargo, se produce el solapamiento de la banda 2s con la 2p dando lugar a 8N
niveles separados en dos bandas de 4N niveles cada una.
Entre estas bandas se establece un gap de energía Eg de 6 eV. De este modo aparece una
banda de valencia completamente llena separada de una banda de conducción. El
diamante es, por tanto, un aislante.
Diamante Diamante
4N 2s2p
2N 2p Eg=6 eV
2s 4N 2s2p
2N
2N 1s 2N 1s
nº e- banda E nº e- banda E
Silicio Silicio
4N 3s3p
2N 3p
Eg=1.1 eV
2N 3s 4N 3s3p
6N 2p 6N 2p
2N 2s 2N 2s
2N 1s 2N 1s
nº e- banda E nº e- banda E
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Germanio Germanio
4N 4s4p
2N 4p
Eg=0.7 eV
La hibridación en el Ge se 2N 4s 4N 4s4p
da entre las bandas 4s y 4p
10N 3d 10N 3d
y el gap de energía tiene un
valor Eg(Ge) = 0,7 eV. 6N 3p 6N 3p
Aislante.
2N 3s 2N 3s
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Semiconductor intrínseco:
la agitación térmica, radiación EM o
campo E pueden hacer saltar
electrones a la banda de conducción.
3,0
2,5 Si
Ge
2,0 GaAs
10 ·ni (cm )
-3
1,5
15
1,0
0,5
0,0
0 100 200 300 400 500 600
T (K) 10
Semiconductor extrínseco:
se añaden impurezas (átomos de otro tipo) a la red cristalina para añadir
niveles energéticos dentro de la Banda Prohibida para reducir el gap.
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3,0
2,5 Si (intrínseco)
Si (extrínseco)
10 ·n (cm ) 2,0
-3
1,5
15
1,0
0,5
0,0
0 100 200 300 400 500 600
T (K)
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