ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

EL TRANSISTOR BJT

Principios de funcionamiento
Circuitos de Polarizacion

MECATRONICA
 TIPOS DE TRANSISTORES
NPN
BIPOLARES
PNP

TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIÓN
CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)

MECATRONICA
 EL TRANSISTOR BJT

• También llamados transistores BIPOLARES están constituidos por tres

capas y en consecuencia tiene 2 uniones.
• Están formados por 2 tipos de Silicio: tipo N y Tipo P
• Se dice que es un dispositivo electrónico amplificador de corriente.
• La denominación "transistor" fue sugerida por J.R. Pierce, quién dijo:

MECATRONICA
Transistor Bipolar de Juntura - BJT
• El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones
semiconductoras separadas por dos uniones pn.

• Las tres regiones se denominan emisor, base y colector

C

N-

P N+

B E

¡¡¡ IMPORTANTE !!!

No es un dispositivo simétrico

MECATRONICA
Transistor Bipolar de Juntura - BJT
Por la estructura de sus capas se obtienen 2 tipos de
transistores BJT: NPN y PNP Estructura equivalente

Símbolos

MECATRONICA
MECATRONICA
 Transistor Bipolar de Juntura - BJT

La operación del transistor NPN es exactamente la misma del

PNP con los roles de los electrones y huecos intercambiados

El Diodo Base – Colector es un diodo

dinámico, desaparece cuando circula
la corriente entre base y emisor

MECATRONICA
 IE = IC + IB
Se considera que IC ≈ IE
Y que la corriente de base es
mucho más pequeña que la
corriente de colector. IB << IC

MECATRONICA
 GANANCIA DE CORRIENTE βdc

HFE =
βdc se define como la ganancia de corriente de un transistor. Es la relación
entre la corriente de colector y la corriente de base.

La ganancia de corriente es una gran ventaja de un transistor y ha llevado a

todo tipo de aplicaciones.

Para transistores de baja potencia (menores a 1W, la ganancia de corriente

es típicamente de 100 a 300.

Los transistores de alta potencia (por encima de 1W) normalmente tienen

ganancias de entre 20 y 100.
 TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)

Para permitir el avance de la corriente a lo largo de la unión

NP, el emisor tiene un pequeño voltaje negativo con
respecto a la capa tipo P, o componente base, que controla
el flujo de electrones.

MECATRONICA
 TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)
• El material tipo N en el circuito de salida sirve como elemento colector y tiene
un voltaje positivo alto con respecto a la base, para evitar la inversión del flujo
de corriente.
• Los electrones que salen del emisor entran en la base, son atraídos hacia el
colector cargado positivamente y fluyen a través del circuito de salida.
• La impedancia de entrada (la resistencia al paso de corriente) entre el emisor
y la base es reducida, mientras que la impedancia de salida entre el colector y
la base es elevada.

MECATRONICA
 TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)
• Por lo tanto, pequeños cambios en el
voltaje de la base provocan grandes
cambios en la caída de voltaje a lo
largo de la resistencia del colector,
convirtiendo a este tipo de transistor
en un eficaz amplificador.
• Sin corriente que circule a través de
la base no funciona el transistor BJT

• En tal caso tenemos un

IC amplificador y a esta
Hay una función de transferencia = ganancia de corriente es
IB conocida como el HFE o ß del
Si Vcc  Vi ⎯
⎯→ iC  iB
transistor, esta es una
iC ganancia de corriente por lo
 1 que el transistor es un
iB amplificador de corriente.
MECATRONICA
 TRANSISTOR BIPOLAR PNP (NPN bipolar transistor)

Similar al tipo NPN en cuanto a su funcionamiento, el transistor

de unión PNP dispone también de dos uniones pero cambian las
polarizaciones.

MECATRONICA
 Polarización del Transistor
• Existen varias configuraciones para la polarización del transistor para
esto antes se define que:

MECATRONICA
CONFIGURACIÓN BASE COMÚN
• La base es común tanto para la entrada como para la salida de la configuración
• Para describir a un dispositivo de tres terminales se requiere un conjunto de características
• Parámetros de entrada (relaciona corriente IE con el voltaje de entrada VBE para varios
niveles de voltaje de salida VCB)
• Parámetros de salida (relaciona una corriente IC con el voltaje de salida VCB para varios
niveles de IE)

MECATRÓNICA
Configuración Emisor Común
• Se denomina configuración de emisor común porque el emisor es común
tanto a las terminales de entrada como a las de salida
• (en este caso, es también común a las terminales de la base y del
colector).
• También se necesitan dos conjuntos de características para describir en
forma completa el comportamiento de la configuración de emisor común:
• una para la entrada o circuito de la base
• una para la salida o circuito del colector.

ELECTRÓNICA ANALÓGICA 1
 Configuración Emisor Común
Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su
dirección de corriente convencional real.

MECATRONICA
Curva Característica
 CARACTERÍSTICAS DE LA BASE DE UN
TRANSISTOR BJT EN EMISOR COMÚN.
Se requiere de dos conjuntos de características, uno para los
parámetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de
salida.
El conjunto de entrada relacionará una corriente de entrada (IB) con
un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida
(VCE)

En la configuración de emisor
común las características de la
salida serán una gráfica de la
corriente de salida (IC) versus
el voltaje de salida (VCE) para
un rango de valores de la
corriente de entrada (IB).

MECATRÓNICA
 CARACTERÍSTICAS DEL COLECTOR UN TRANSISTOR BJT
EN LA CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN.

• Curva característica: Existen3 regiones de operación: de corte, activa y de

saturación.
• En la región de corte, el transistor está desactivado o la corriente de base no
es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones polarización inversa.
• En la región activa, el transistor actúa como un amplificador donde, donde la
corriente del colector queda amplificada mediante una ganancia y el voltaje
colector-emisor disminuye con la corriente de la base. La unión colectora base
tiene polarización inversa, y la base-emisor polarización directa.
• En la región de saturación, la corriente de base es lo suficiente alta para que
el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor actúa como un interruptor
ambas uniones tiene polarización directa.

MECATRONICA
 CARACTERÍSTICAS DEL COLECTOR UN TRANSISTOR BJT
EN LA CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN.

• Las curvas de IB no son tan horizontales como las que se obtuvieron

para IE en la configuración de base común, lo que indica que el voltaje
de colector a emisor afectará la magnitud de la corriente de colector.

• En la región activa de un amplificador emisor común la unión colector-

base está polarizada inversamente, en tanto que la unión base-emisor
está polarizada directamente.

MECATRONICA
 RELACIONES ENTRE α y β

Considerando que β es la ganancia de corriente en emisor común y que

α es la ganancia en la configuración de base común se tiene que:

IC
= =
IC
IB IE
 
= =
 +1  +1

MECATRONICA
MECATRONICA
MECATRONICA
CIRCUITOS DE POLARIZACION

MECATRONICA
 POLARIZACION DEL TRANSISTOR : Con 2 fuentes

VCC
VCC

RC RC
Vi1

RB1 Q2

Vcc1
RB Q1
RB Q1

Vi RC1
Vi

Vi = IB * RB + VBE Vcc = IC * RC + VCE

Vi − VBE Vcc − VCE
IB = IC =
RB RC
IC
HFE =  =
IB
Vi Vcc
IB max = IC max =
RB RC
VBE max = Vi VCE max = Vcc
MECATRONICA
POLARIZACION DEL TRANSISTOR : Con una fuente
VCC
VCC

RC

RB1 Q2

RB Q1

RC1

Vcc = IC * RC + VCE
Vcc = IB * RB + VBE Vcc − VCE
Vcc − VBE IC =
IB = RC
RB IC
HFE =  =
IB Vcc
Vcc IC max =
IB max = RC
RB VCE max = Vcc
VBE max = Vcc

MECATRONICA
 POLARIZACION DEL TRANSISTOR : Con divisor
de tensión
R2
VCC Veq = Vcc
VCC R1 + R 2
Re q = R1  R 2

RC R2a
R1
Veq = IB * Re q + VBE
Q2
Veq − VBE
IB =
Re q
Q1

R1a RCa Veq

R2 IB max =
Re q
VBE max = Veq

IC
VCC HFE =  =
IB

RC
RC
R1 Vcc = IC * RC + VCE
Vcc − VCE
IC =
RB Q1
Vcc1 RC
Q1

Vcc
R2
Vi
IC max =
RC
VCE max = Vcc

MECATRONICA
POLARIZACION DEL TRANSISTOR : Con fuentes positiva y negativa
VCC
VCC

RC

RBa Q2

RB Q1

RCa

VSS VSS

Veq = 0V − Vss (Vcc − Vss ) = IC * RC + VCE

Veq = IB * RB + VBE (Vcc − Vss ) − VCE
IC =
Veq − VBE RC
IB =
RB
IC
HFE =  = Vcc − Vss
IB IC max =
Veq RC
IB max =
RB VCE max = Vcc − Vss
VBE max = Veq MECATRONICA
Ejercicios
Cuando P1 está en la posición 1 IC =
• Datos: 40mA, para cuando VCE = 1/3Vcc
• Vcc = 12V Caso contrario VCE=2/3
• HFE = 120

MECATRONICA
 • Datos:
Ejercicios
• Vcc = 12V
• HFE = 120 Cuando P1 está en la posición 1 IC =
40mA, para cuando VCE = 1/3Vcc
Cuando P1 está en la posición 1
Caso contrario VCE=2/3
1 1
VCE =  Vcc =  12 = 4V
3 3
Ic 40mA
IB1 = = = 333.33 A
HFE 120
Vcc = VRC + VCE
Vcc = Ic  RC + VCE Vcc = VRB + VBE
Vcc = 40mA  RC + 4 Vcc = IB1  RB1 + 0.7
12 − 4 12 − 0.7
RC = = 200 RB1 = = 33.9k 
40mA 333.33 A

MECATRONICA
 Ejercicios
Cuando P1 está en la posición 2 IC = 40mA, para
• Datos: cuando VCE = 1/3Vcc
• Vcc = 12V
Caso contrario VCE=2/3Vcc
• HFE = 120
Cuando P1 está en la posición 2
2 1
VCE =  Vcc =  12 = 8V
3 3
Vcc = VRB + VBE
Vcc = VRC + VCE
Vcc = IB2  RB2 + 0.7
Vcc = Ic  RC + VCE 12 − 0.7
RB2 = = 67.8k 
Vcc = Ic  200 + 8 166.667  A
12 − 8 P1 = RB2 − RB1 = 67.8k − 33.9k
Ic = = 20mA
200 P1 = 33.9k  ⎯⎯
→ 30k 
Ic 20mA RB = RB2 − P1 = 67.8k − 30k
IB2 = = = 166.667  A
HFE 120 RB = 37.8k  ⎯⎯
→?
MECATRONICA
MECATRONICA
MECATRONICA
Ejercicios
Cuando S1 está en la posición 1
• Datos: IC = 40mA, para cuando VCE = 1/3Vcc
• Vcc = 12V Caso contrario 2/3
• HFE = 150

RC=200Ω = 100Ω+100Ω

RB1=39KΩ

P=30KΩ

MECATRONICA
POLARIZACION CON RESISTENCIA DE EMISOR
Se aplica a todos los tipos de polarización revisados anteriormente

VCC

Q1
2N2222A RE1

RE

Q2
12A02CH-TL-E

IE = IB + IC

VRE = IE * RE Amplificación de la Z de ingreso amplificación de la RE

VRE = (1 +  )IB * RE

 1
VRE = 1 +  IC * RE
 

MECATRONICA
Polarización del Transistor con RE
• POLARIZACIÓN FIJA:
Vcc = IB * RB + VBE + IB * (1 +  )RE
Vcc − VBE
IB =
RB + RE (1 +  )
Vcc
IB max =
RB + RE (1 +  )
VBE max = Vcc

 1
Vcc = IC * RC + VCE + IC * 1 +  * RE
 
Vcc − VCE
IC =
 1
RC + RE 1 + 
 
Vcc
IC max =
 1
RC + RE 1 + 
 
VCE max = Vcc
MECATRONICA
 Polarización del Transistor con RE
• CON DIVISIÓN DE VOLTAJE:
Req=R1||R2 Veq = Voltaje en R2 aplicando teoría de partidor de tensión
Veq = IB * Re q + VBE + IB * (1 +  )RE
Veq − VBE
IB =
ANALISIS EXACTO Re q + RE (1 +  )
Veq
IB max =
Re q + RE (1 +  )
VBE max = Veq
R2
Veq = Vcc  1
R1 + R 2 Vcc = IC * RC + VCE + IC * 1 +  * RE
Re q = R1  R 2  
Vcc − VCE
VR2= VB IC =
 1
RC + RE 1 + 
 
Vcc
IC max =
 1
RC + RE 1 + 
 
MECATRONICA
VCE max = Vcc
 CON REALIMENTACIÓN AL COLECTOR:

Polarización del Transistor Autopolarizacion

VC = Vcc − ( IB + IC ) RC
VC = IB * RB + VBE + IB * (1 +  )RE
VC − VBE
IB =
RB + RE (1 +  )
VC
IB max =
RB + RE (1 +  )
VBE max = VC

 1  1
Vcc = IC * 1 +  * RC + VCE + IC * 1 +  * RE
   
 1
Vcc = VCE + IC 1 + (RC + RE )
 
Vcc − VCE
IC =
(RC + RE )1 + 1 
 
Vcc
IC max =
 1
( RC + RE )1 + 
 
MECATRONICA
VCE max = Vcc
Polarización del Transistor
• Emisor Seguidor

 1
VEE = VCE + IC * 1 +  * RE
 
VEE − VCE
IC =
VEE = IB * RB + VBE + IB * (1 +  )RE  1
RE 1 + 
VEE − VBE  
IB =
RB + RE (1 +  ) VEE
IC max =
VEE  1
IB max = RE 1 + 
RB + RE (1 +  )  
VBE max = VEE VCE max = VEE

MECATRONICA
 Polarización del Transistor
• Base común

MECATRONICA
GRACIAS

MECATRONICA
 BIBLIOGRAFIA:
• Diapositivas del Ing. Juan Inga
• http://www.pcbheaven.com/opendir/index.php?show=550qr3440mv7565d9a2
• https://es.slideshare.net/ooortigaaa/transistor-bjt-y-fet-uni
• https://pt.slideshare.net/joselin33/transistores-bipolares-de-union-5529268/20
• https://fjasin.wixsite.com/electronica-asin/encapsulados
• http://alerce.pntic.mec.es/~hmartin/electr%F3nica/componentes/transistor.htm
• https://www.slideshare.net/IvanJavierMuliaNava/configuracin-emisor-comn
• https://eebasicausacvesp.files.wordpress.com/2014/03/problemas-resueltos-
transistores-bjt.pdf
• https://es.slideshare.net/armandorob/electronica-ejercicios
• http://www.labc.usb.ve/paginas/mgimenez/EC1113/Contenido/problemabipolar.pdf
• http://www.utn-
eaplicada.com.ar/DownLoads/SEDRA%20Y%20SMITH%20CAP%C3%8DTULO%204.pdf

MECATRONICA