UT02 05 Componentes - Memoria RAM

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UT02: Memoria principal (RAM) Introducción

MME 2023/2024

Memoria RAM

RAM: Random Access Memory


Su función es almacenar de forma temporal los datos e instrucciones del programa
que se está ejecutando.

Cualquier resultado parcial o final de cualquier proceso, así como todas las
operaciones de entrada y salida, deben almacenarse en esta memoria.

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Memoria RAM

La RAM va insertada en la placa base para conectarse a los buses.


Para ello usa unas ranuras (slots) donde se insertan los módulos de memoria.

Los módulos pueden tener diferentes capacidades de almacenamiento y


distribuyen los datos en bancos de memoria (los chips del módulo).

Memoria RAM

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Memoria RAM

La memoria RAM es volátil: pierde los datos al perder la alimentación eléctrica.

Es de acceso aleatorio (random) a los datos, es decir que puede leer o escribir
una posición cualquiera sin tener que pasar por las demás (acceso aleatorio vs.
secuencial).

Aparte de los bancos de memoria, encontramos el chip SPD (Serial Presence


Detect) almacena datos relativos al módulo (tamaño de la memoria, tiempo de
acceso, velocidad y tipo de memoria). Esta información sirve para que la CPU
sepa cómo comunicarse (tiempos de acceso, frecuencias…) con el módulo de
RAM.

Random Access Memory La controladora de memoria,


(Memoria de acceso aleatorio) ubicada en el chipset
Array de 2 dimensiones al o en la CPU. Marcará el tipo
que se accede por (fila, columna) de memoria a utilizar.

¿Quién la
¿Qué es? RAM gestiona?

¿Su
función? ¿Formato? Características

Almacenar información
(instrucciones + datos) Módulos: PCBs - Acceso aleatorio
(circuitos impresos) - Volátil
en los que se - Rápida
Operaciones
integran los chips
(bancos) de memoria
Lectura → recuperar
Escritura → almacenar

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Memoria RAM: algunas definiciones

Capacidad
Cantidad de información que puede almacenar. Se expresa en bytes (en la
actualidad, del orden de GB).

Frecuencia
Veces por segundo a la que circulan los datos que entran y salen del módulo.
Se mide en hercios (Hz) (en la actualidad, del orden de GHz).

Ancho de Banda
Indica la cantidad de información que se transmite.
Se mide en bytes/segundo (en la actualidad, del orden de GB/s).

Voltaje
Tensión eléctrica que necesita para funcionar correctamente.
Medida en voltios (V).

Memoria RAM: algunas definiciones

Tiempo de acceso
Tiempo que tarda la CPU en acceder a la memoria.
Se mide en nanosegundos (1 nanosegundo = 10-9 segundos).

Latencia
Retardo (medido en ciclos de reloj) producido al acceder a los distintos componentes
de la memoria.

Latencia CAS o CL
Un tipo de latencia (mide el tiempo de acceso a una columna del banco de memoria).
Por ejemplo, una latencia CL 10 significa que el controlador de memoria necesita
esperar diez pulsos de reloj desde que solicita un dato hasta está disponible.

ECC (Error Checking and Correction)


Las memorias pueden tener errores de lectura y escritura debido a factores como
fluctuaciones de energía, interferencias, componentes defectuosos, etc.
ECC es capaz de detectar y corregir algunos de estos errores.

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CARACTERÍSTICAS

Frecuencia: Hz a los que trabaja.

Módulo Ancho de banda: máxima cantidad de


información que puede transferir
RAM cada segundo.

Latencia: mide los tiempos (nº de


ciclos de reloj) de las operaciones y el
acceso a distintos componentes de
los módulos / bancos.

Nº de canales: canales
independientes y simultáneos por los Controlador de
que se puede acceder a los distintos memoria
módulos.

Memoria RAM: algunas definiciones

Estas características (capacidad, tipo de tecnología, frecuencia, tasa de


transferencia, latencia, voltaje, etc.) las podemos encontrar en las etiquetas y
ficha del producto.

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Resumen: tecnologías de memoria
• SRAM (Static RAM)

• DRAM (Dynamic RAM) dinámica → refresco de los datos


– DRAM Asynchronous (obsoleta)
– SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)
Síncrona→ el reloj del sistema coordina o sincroniza el acceso a la memoria
(mayor rapidez y eficiencia)

• SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM)


• DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM) [2002]
• DDR2 SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM)
• DDR3 SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM)
• DDR4 SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM)
• DDR5 SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM) [2021]

Memoria RAM: dinámicas VS estáticas

SRAM (Static Random Access Memory)


Memoria estática de acceso aleatorio o RAM Estática

Tecnología de memoria RAM basada en semiconductores que, mientras siga


alimentada, no necesita refresco.

Se utilizan en memorias caché y registros de CPU, switches, routers teléfonos IP,


automoción, etc.

DRAM (Dynamic Random Access Memory )


Memoria dinámica de acceso aleatorio o RAM Dinámica

Tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga


progresivamente y necesitan que, cada cierto período, se reponga dicha carga en un
ciclo de refresco.

Se usan principalmente en módulos de memoria principal RAM.

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- No hace falta refrescarlas - Refresco continuo de la
- Rapidísimas (usadas para cachés) información.

Tipos de Memoria

SRAM (Static RAM) DRAM (Dynamic RAM)


CONSUMO DE ENERGIA

CAPACIDAD

COMPLEJIDAD (HAY QUE REFRESCARLAS)

VELOCIDAD (ACCESO, TRANSFERENCIA, ETC.)

PRECIO

Memoria dinámica: DRAM

Dentro de las DRAM (es decir, las memorias dinámicas, que


necesitan el refresco de los datos), distinguimos:

• DRAM asíncrona (obsoleta)

• SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)


Es una memoria síncrona → el reloj del sistema coordina o
sincroniza el acceso a la memoria (mayor rapidez y eficiencia)

En la actualidad, las memorias RAM que conocemos son


SDRAM, es decir, memorias dinámicas síncronas.

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Memoria SDRAM: SDR (single) VS DDR (double)

Dentro de las SDRAM


(memorias dinámicas síncronas),
distinguimos:
• SDR (Single Data Rate):
Memorias que realizan una
transferencia de información
por ciclo de reloj.

• DDR (Double Data Rate):


Memorias que realizan dos transferencias de información por
ciclo de reloj.
En la actualidad, las memorias RAM que usan los PCs son
SDRAM DDR, es decir, memorias dinámicas síncronas de doble
transferencia por ciclo de reloj.

Módulos de memoria: DIMM y SO-DIMM

DIMM (Dual In-line Memory Module)


• Se conectan directamente en las ranuras (slots) de la placa base y están
constituidos por pequeños circuitos impresos que contienen circuitos
integrados de memoria.
• Cada contacto (o pin) de una de sus caras está separado del opuesto.

SO-DIMM (Small Outline Dual In-line memory Module)


• Versión compacta de los módulos DIMM.
• Usadas en portátiles, impresoras de gama alta, equipos con placa Mini-
ITX, etc.

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Módulos de memoria: DIMM y SO-DIMM

DIMM
(Dual In-line Memory Module)

Módulos de memoria: DIMM y SO-DIMM

SO-DIMM
(Small Outline Dual In-line memory Module)

DIMM
(Dual In-line Memory Module)

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Tecnologías de memoria: SINGLE Data Rate
Synchronous DRAM
SDR SDRAM (Dynamic RAM)

Características

Memoria síncrona que realiza una transferencia por


Modelos
ciclo de reloj.
Con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se
presentan en módulos DIMM de 168 contactos.
Bus de datos de 64 bits.
Fue utilizada en los Pentium II y en los Pentium III ,
PC100 PC133 así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron
(100 MHz) (133 MHz)

Cálculo de la tasa de transferencia


• Recuerda que, en general, el bus de datos es
de 64 bits (8 bytes).
• Para calcular la tasa de transferencia de una
memoria:

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Tecnologías de memoria: DOUBLE Data Rate
Synchronous DRAM
DDR SDRAM (Dynamic RAM)

Modelos Características

PC-2700 (DDR-333) Memoria síncrona que envía los datos dos veces por cada
2700 MB/s a 333MHz ciclo de reloj (Double Data Rate). De este modo trabaja al
doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de
PC-3200 (DDR-400) aumentar la frecuencia de reloj.

PC-4200 (DDR-533) Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos en el caso


de ordenador de escritorio y en módulos SO-DIMM de 200
contactos para los ordenadores portátiles

Tecnologías de memoria: Double Data Rate Synchronous DRAM


DDR SDRAM

Modelos
Teniendo en cuenta el cálculo de la tasa de
transferencia, obtenemos la siguiente
PC-2700 (DDR-333) nomenclatura:
2700 MB/s y 333MHz
PC-2700 == DDR-333
PC-3200 (DDR-400)
porque tiene una frecuencia de E/S de 333 MHz y
PC-4200 (DDR-533) una tasa de transferencia de 2700 MB/s

8 bytes x 333 MHz = 2700 MB/s

Al ser DDR (Double Data Rate), la frecuencia del bus


realmente será de 166 MHz ya que tenemos que
dividir entre dos: 333 MHz / 2 = 166 MHz

Esta nomenclatura se utiliza en las tecnologías DDR,


DDR2, DDR3, DDR4 y DDR5.

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Tecnologías de memoria: Double Data Rate Synchronous DRAM
DDR SDRAM

Tecnologías de memoria: DDR de segunda generación


DDR2 SDRAM

Modelos 1, 2, 4 y 8 Características
GB/módulo

PC2-4200 o DDR2-533 Memoria síncrona que envía los datos 4 veces por cada
PC2-5300 o DDR2-667 ciclo de reloj. Son una mejora de DDR.
PC2-6400 o DDR2-800 Se presenta en módulos DIMM de 240 contactos en el caso
PC2-8600 o DDR2-1066 de ordenador de escritorio y en módulos SO-DIMM de 200
PC2-9000 o DDR2-1200 contactos para los ordenadores portátiles.

Menor voltaje y por tanto menor consumo y menor


disipación de calor.

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Tecnologías de memoria: DDR de tercera generación
DDR3 SDRAM

Modelos 1, 2, 4, 8, 16 Características
GB/módulo

PC3-8500 o DDR3-1066 Es una mejora del tipo DDR2. Aumentan su frecuencia


PC3-9600 o DDR3-1200 hasta 2200 MHz a costa de aumentar los tiempos de
acceso.
PC3-10600 o DDR3-1333
PC3-12800 o DDR3-1600 Se presenta en módulos DIMM de 240 contactos en el caso
PC3-14900 o DDR3-1866 de ordenador de escritorio y en módulos SO-DIMM de 204
PC3-16000 o DDR3-2000 contactos para los ordenadores portátiles.
PC3-18000 o DDR3-2200 Se vuelve a bajar voltaje y por tanto a mejorar el consumo
y la disipación de calor.

Memoria Principal- Elementos HW del PC

Tecnologías de memoria: DDR de cuarta generación


DDR4 SDRAM

Modelos Hasta Características


64 GB/módulo

PC4-12800 o DDR4-1600 Es una mejora del tipo DDR3. Aumentan su frecuencia


PC4-14900 o DDR4-1866 hasta 3600 MHz.
PC4-17000 o DDR4-2133 Se presenta en módulos DIMM de 288 contactos en el caso
PC4-19200 o DDR4-2400 de ordenador de escritorio y en módulos SO-DIMM de 260
PC4-21300 o DDR4-2666 contactos para los ordenadores portátiles.
PC4-25600 o DDR4-3200
Presentan un mayor rendimiento y menor consumo.
PC4-28800 o DDR4-3600

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Tecnologías de memoria: DDR de quinta generación
DDR5 SDRAM

Modelos Hasta Características


512 GB/módulo

PC5-35200 o DDR5-4400 Es una mejora del tipo DDR4. Aumentan su frecuencia


PC5-38400 o DDR5-4800 hasta 8000 MHz (64.000 MB/s = 64 GB/s)
PC5-41600 o DDR5-5200
PC5-44800 o DDR5-5600
PC5-48000 o DDR5-6000 Se presenta en módulos DIMM de 288 contactos en el caso
PC5-49600 o DDR5-6200 de ordenador de escritorio y en módulos SO-DIMM de 260
PC5-51200 o DDR5-6400 contactos para los ordenadores portátiles.
PC5-52800 o DDR5-6600
PC5-54400 o DDR5-6800 Presentan un mayor rendimiento y menor consumo.
PC5-57600 o DDR5-7000
PC5-56000 o DDR5-7200
PC5-60800 o DDR5-7600
PC5-64000 o DDR5-8000

Diferencias físicas

¿El tamaño?
NO

Los módulos DIMM de


tecnologías DDR, DDR2 y
DDR3, DDR4 y DDR5 tienen
el mismo tamaño de
conector (slot), pero cambia
de posición la muesca, para
no equivocarnos al
conectarla.
Un slot de
memoria solo
En consecuencia puede albergar
un tipo de
módulo.

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Diferencias físicas

¿El tamaño?
NO

Los módulos SO-DIMM de


tecnologías DDR, DDR2 y
DDR3, DDR4 y DDR5 tienen
el mismo tamaño de
conector (slot), pero cambia
de posición la muesca, para
no equivocarnos al
conectarla.
Un slot de
memoria solo
En consecuencia puede albergar
un tipo de
módulo.

Básicamente, la latencia es
LATENCIAS el tiempo que tarda el
(timings) procesador en conseguir
acceder a un dato en la
memoria RAM.
Módulo
RAM Se mide en número de
ciclos de reloj.

A menor latencia, mejor


rendimiento (con iguales
condiciones de frecuencia y
capacidad)

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CAS (Column Address Strobe) (tCL) +
LATENCIAS Nº de ciclos que transcurren desde R
(timings) que la controladora de memoria E
envía una petición para leer una P
E
posición de memoria y el momento
R
en que los datos son enviados a los C
Módulo pines del módulo. U
S
RAM I
RAS to CAS Delay, (tRCD ) Ó
Nº de ciclos desde que se activan la N
fila y la columna donde se encuentra
almacenado el dato necesario. R
E
N
RAS Precharge, (tRP) D
Nº de ciclos desde que termina el I
acceso a una fila y comienza el acceso M
I
a otra. E
N
T
tRAS: Nº mínimo de ciclos de reloj O
durante los cuales una fila debe
quedar abierta hasta que un dato se -
lea o escriban correctamente.

La latencia más importante es


LATENCIAS la latencia CAS (CL)
(timings)
Menores latencias dan una mayor agilidad a la hora
de acceder a la información.

Módulo • Cuando el microprocesador necesita acceder a


un dato, primero lo busca en sus cachés (L1, L2,
RAM L3)

• Si no lo encuentra en ninguna de ellas, accede a


la memoria principal, que es la RAM.

• Por ello, este acceso se repite constantemente


en la mayoría de aplicaciones que utilizamos, por
lo que cuanto menos tiempo tardemos en
hacerlo, mejor será para el rendimiento de
nuestro equipo.

• A este retardo lo denominamos latencia de


acceso a memoria y determina el tiempo que
tarda el procesador en conseguir acceder a un
dato en la memoria RAM.

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LATENCIAS
(timings)

• En resumen: la latencia es el tiempo que transcurre desde


que se realiza la petición de acceder a un dato hasta que se
consigue acceder a él.
• El dato CL de la memoria RAM, también llamado latencia
CAS, es importante pero mucho menos que la frecuencia a la
que funciona (2133, 2400, 3000 MHz…), que es un factor
mucho más determinante.
• En general, entre dos módulos de igual frecuencia, mejor
el que menor latencia CL tenga.
• En general, entre dos módulos de diferente frecuencia,
mejor el que más frecuencia tenga.

LATENCIAS
(timings)
Tabla comparativa en nanosegundos de la relación frecuencia / latencia
Como puedes ver, el valor de la latencia hay que valorarlo junto a la frecuencia.
Cuanto menor es el valor en nanosegundos, más rápida es la memoria.

Para calcular los valores: (1 ÷ frecuencia REAL) × latencia CAS (CL) × 1000

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Canales: single, dual, triple y quad channel

La memoria RAM se comunica con el controlador de memoria (que


actualmente se sitúa en el procesador, antiguamente en el puente norte)
mediante un bus de datos de 64 bits (8 bytes).

Lo que se hizo fue diseñar más buses de memoria (más canales) que salgan
del controlador, de manera que se incremente el ancho de banda entre los
módulos de memoria y el controlador de memoria.

Así, se podrán utilizar 2, 3 ó 4 canales de memoria de manera simultánea.

Canales: single, dual, triple y quad channel

Single channel
• Solo hay un solo canal (bus) de comunicación de 64 bits (8
bytes) entre el controlador de memoria y los módulos de
memoria (independientemente del número de módulos que
se tenga instalados en la placa base).

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Canales: single, dual, triple y quad channel

Dual channel
• El controlador de memoria RAM dispone de dos buses de
memoria, cada uno de 64 bits, que pueden ser empleados de
manera simultánea por el controlador de memoria.

Triple channel
• Lo mismo, pero con tres buses
de 64 bits.

Quad channel
• Lo mismo, pero con cuatro buses
de 64 bits.

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Canales: single, dual, triple y quad channel

Cuando queremos utilizar dual / triple / quad channel, tenemos


que fijarnos en la compatibilidad entre los módulos de memoria.

• Si queremos ampliar la memoria de nuestro equipo y habilitar el


dual channel, nos tocaría conseguir un módulo o kit de RAM
idéntico al que ya tenemos instalado (capacidad, velocidad,
frecuencia, latencia e incluso fabricante).

• Si instalamos un nuevo módulo


de memoria que sea diferente a los que
tenemos, el dual channel se desactivará.

Canales: single, dual, triple y quad channel

• El manual de la placa base nos indicará en qué slots insertar los


módulos para aprovechar el dual channel.
• Normalmente será en los slots del mismo color, pero mejor
asegurarnos leyendo el manual.

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Canales: single, dual, triple y quad channel

Canales: single, dual, triple y quad channel

¿Doblamos el rendimiento con dual channel? NO

Un usuario estándar (excepto que use aplicaciones muy exigentes,


como por ejemplo juegos de última generación), no va a notar gran
mejoría entre utilizar dual channel o single channel.

Pero si tenemos un equipo que utiliza una adaptador gráfico


integrado en la CPU (iGPU), sabemos que utiliza parte de la
memoria RAM como memoria gráfica.
En este caso sí que se nota diferencia al utilizar el dual channel, ya
que su rendimiento aumentará entre un 10% y un 30% frente a
single channel.

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IMPORTANTE: mezclando módulos

¿Se pueden combinar módulos RAM de diferente frecuencia?

• Independientemente de su capacidad, SÍ, es posible.


• El módulo con mayor frecuencia bajará su frecuencia de funcionamiento a
la del módulo con menor frecuencia.
Ejemplo:
Módulo A: 8GB DDR4-2400 MHz (PC4-19200)
Módulo B: 8GB DDR4-3200 MHz (PC4-25600)
• En este caso el módulo B adaptará su frecuencia de funcionamiento a
2400 MHz, por lo que estaremos desaprovechando algo de rendimiento.

• Es posible que dual channel no funcione en este tipo de situaciones, aunque


normalmente sí que funcionará correctamente.

Características y monitorización con CPU-Z

La frecuencia marcada por CPU-Z es la


frecuencia de reloj, que es la mitad de la
frecuencia que anuncian los fabricantes
(recuerda que DDR = Double Data Rate).

En este ejemplo, el valor DRAM Frequency


es 1800 MHz (frecuencia de reloj), aunque
al ser memoria de tipo DDR, la frecuencia
de datos será el doble (3600 MHz).

Por tanto, esta memoria RAM la habremos


comprado de 3600 MHz y CL16.

En la imagen de ejemplo estamos usando


estos módulos:

Corsair DDR4 3600 PC4-28800 CL16

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Características y monitorización con CPU-Z

Timings Table
(tabla de latencias)
Se muestra el comportamiento compatible
con el módulo. Esta información está
almacenada en el SPD.

Para una determinada frecuencia de trabajo


de esa RAM, el módulo se comportará con
diferentes latencias.

Por ejemplo, en la imagen:


• a 609 MHz la latencia CAS será de 8
• a 800 MHz, la latencia CAS será de 11

JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) es


una organización que establece los estándares de
medición.

Recomendaciones
• En general es recomendable usar dual channel, pero sobre
todo en CPUs con adaptador gráfico integrado (iGPU), ya que
su rendimiento aumenta entre un 10% y un 30%.

• CPUs AMD Ryzen Gen5: es muy recomendable que las


memorias sean de frecuencia alta, 3200 MHz como mínimo,
ya que aprovechan mucho la velocidad de estas.

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XMP: Extreme Memory Profile
• XMP (Extreme Memory Profile) permite realizar
overclock de los módulos de memoria DDR4/DDR5 que
sean compatibles con esta tecnología.
– Básicamente, consiste en hacer overclock a la RAM de
manera segura y certificada por el fabricante.

• Se pueden cargar perfiles de funcionamiento (profiles)


desde la BIOS/UEFI o mediante una aplicación externa.
– Aumentamos así de manera automática el voltaje, la
frecuencia y la latencia de la memoria, mejorando el
rendimiento.

XMP: Extreme Memory Profile


• Debemos asegurarnos de que el uso de XMP está habilitado
en la BIOS/UEFI.

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XMP: Extreme Memory Profile
• Debemos asegurarnos de que el uso de XMP está habilitado
en la BIOS/UEFI.

XMP: Extreme Memory Profile


• Los modos de funcionamiento XMP de los módulos de RAM
están grabados en el chip SPD.

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XMP: Extreme Memory Profile
• Cuidado: puede ser que aunque tengamos módulos de 3200,
3600, 4000 MHz… estos funcionen a una frecuencia más baja
hasta que habilitemos XMP en la BIOS y carguemos un perfil
de funcionamiento.

XMP: Extreme Memory Profile

Ejemplo: este módulo Corsair DDR4 a 3600 MHz CL18 (anunciado como de
3600 MHz) funcionará a 2666 MHz si no tiene habilitado XMP en la BIOS:

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XMP: Extreme Memory Profile
• XMP es una tecnología desarrollada por Intel.
En placas base con CPUs / chipsets AMD puede aparecer
bajo las siglas DOCP (Direct Over Clock Profile).
• Recuerda que, en caso de duda→ manual de la placa base.

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