Resumen FET

Transistor FET
Los transistores FET (Field Effect Transistor) se divide en dos principales categorías, estas
son:
• JFET: Transistor de Efector de Campo de Unión (Junction Field Effect Transistor)

• MOSFET: Transistor de Campo Metal-Oxido-Semiconductor (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor)
Una importante característica de los transistores FET es que estos son unipolares, esto quiere
decir que el nivel de conducción dependerá únicamente de un único tipo de portadores, estos
portadores son: electrones en los de canal n y de los huecos de canal p.
En general, los transistores FET son mas estables con la temperatura y normalmente más
pequeños en construcción en comparación a los BJT, lo que hace particularmente que los
FET sean más útiles en circuitos integrados.
Transistores De Unión De Efecto De Campo (JFET)
Los transistores JFET se pueden clasificar en dos principales grupos, estos son:
• JFET de canal n
• JFET de canal p
Figura 1: Estructura básica JFET tipo n.
Figura 2: Demostración JFET tipo n y tipo p.

Como se observa en la Figura 2. La principal diferencia del tipo n y tipo p es el sentido de la
flecha. En el transistor tipo n la flecha señala al entrante positivo de la pueta, mientras que
en el tipo p la flecha sale. Este sentido de las flechas nos indica el sentido de la circulación
de corriente por los transistores.
Figura 3: Polarización JFET tipo n y tipo p.
Figura 4: Corriente drenador JFET tipo n.

Como se observa en la figura 4. Si se sigue aumentando en VGS, el canal del transistor
se va a volver más estrecho, lo que conlleva a que el flujo de corriente del transistor sea nulo.
Zonas de trabajo
• Zona de corte o de no conducción

En esta zona, La corriente del drenador (ID) va a ser igual a 0.
Independientemente del valor de VDS. Esto ocurre para valores de VGS ≤
VGSoff. Cuando el canal está totalmente cerrado.
• Zona óhmica o de no saturación
Se da para valores de VDS inferiores al de saturación, cuando VDS ≤ VGS -
VGSoff. Para estas características, la tensión en el canal se va estrechando de la
parte del drenador, hasta llegar al punto de VDSsaturado.
• Zona de saturación o de corriente constante
En esta zona, los valores de VDS > VDSsaturación. Entonces la corriente
permanecerá constante sin importar los cambios de VDS y la corriente solo
depende de la tensión VGS. Aquí, el transistor se comporta como una fuente
de corriente controlado por la tensión VGS. Esto deriva la siguiente ecuación:
𝑉𝐺𝑆
ID = IDSS(1 − 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓)2
Transistores de efecto de campo metal-oxido-semiconductor. (MOSFET)
Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos, estos son:
• MOSFET de acumulación
• MOSFET de deplexión
MOSFET de acumulación
Figura 5: Estructura de un MOSFET de acumulación
La principal característica de este transistor es que la puerta está aislada eléctricamente del
dispositivo por un elemento SiO2, esto quiere decir que no hay una conexión eléctrica entre
la puerta y el sustrato.
Figura 6: Simbología de los MOSFET

Las dos principales diferencias que encontramos en los tipos p y tipo n es que la puerta (G)
no posee una conexión con el resto de terminales, ya que como se mencionó, esta parte está
aislada del resto del dispositivo y como segunda diferencia los terminales del drenador (D) y
la fuente están unidos por una línea discontinua. Y, por último, el sentido de la flecha indica
el sentido del flujo de corriente a través del dispositivo.
Figura 7: polarización de los MOSFET
Los transistores MOSFET de acumulación de canal n se polarizan aplicando una tensión

positiva entre drenador y fuente (V DS) y una tensión positiva entre puerta y fuente (VGS).
De esta forma, la corriente circulará en el sentido de drenador a fuente. En el caso del
MOSFET de acumulación de canal p la tensión V DS a aplicar debe ser negativa y la tensión
V GS negativa, de esta forma la corriente fluirá en el sentido de la fuente hacia el drenador.
Figura 8: Tensión del VGS modula la anchura del canal

Curvas Características de los MOSFET
Figura 9: Curvas características de un MOSFET
En esta curva se destacan 4 funcionalidades del transistor.

• Zona de saturación o de corriente eléctrica
• Zona de ruptura
Zonas de trabajo
En esta zona la corriente del drenador (ID) va a ser igual a 0

independientemente del valor del VDS. Esto es para valores de VGS ≤ VT

En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable
controlada por la tensión de la puerta (G). Cuando VDS ≤ VGS -VT.
• Zona de saturación o de corriente constante
Esta zona se da para valores VDS > VDsaturado. Entonces, la corriente del
drenador no varía independiente de los valores de VDS y solo va a depender de
la tensión VGS aplicada.
Figura 10: MOSFET como fuente de corriente controlado por VGS
• Zona de ruptura
Un transistor MOSFET se puede romper por 2 motivos. El primero es porque
se perfora el dieléctrico cuando la tensión VGS supera un valor determinado
que viene determinado por el aislante. O porque en la unión pn del drenador
se polariza en inversa y esta supera el valor de la tensión de ruptura de la
unión.

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• JFET: Transistor de Efector de Campo de Unión (Junction Field Effect Transistor)

Transistores De Unión De Efecto De Campo (JFET)

Figura 2: Demostración JFET tipo n y tipo p.

Figura 3: Polarización JFET tipo n y tipo p.

Figura 4: Corriente drenador JFET tipo n.

• Zona de corte o de no conducción

Transistores de efecto de campo metal-oxido-semiconductor. (MOSFET)

Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos, estos son:

Figura 5: Estructura de un MOSFET de acumulación

Figura 6: Simbología de los MOSFET

Figura 7: polarización de los MOSFET

Los transistores MOSFET de acumulación de canal n se polarizan aplicando una tensión

Figura 8: Tensión del VGS modula la anchura del canal

Figura 9: Curvas características de un MOSFET

En esta curva se destacan 4 funcionalidades del transistor.

• Zona de corte o de no conducción

• Zona de corte o de no conducción

En esta zona la corriente del drenador (ID) va a ser igual a 0

• Zona óhmica o de no saturación

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