1

Unidad 1 – Leyes Básicas de Circuitos Eléctricos

Julián Andrés Mora Vásquez – Código 1094945824

Física Electrónica 100414 – 1701

Grupo (100414A_1701)

Director-Tutor

Elvis Rodríguez / Alejandro Ferrero Botero

Universidad Nacional Abierta y a Distancia - UNAD

Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería

2024
 2

Introducción

En el presente trabajo perteneciente a la Unidad 2, se utilizarán las leyes básicas de los

circuitos y analizando el comportamiento de los dispositivos semiconductores, se completa la

tarea 2, que incluye 3 circuitos.

En estos circuitos, los valores de corriente y voltaje se estiman analizando diodos y

transistores y su configuración.
 3

Objetivos

General

 Resolver circuitos eléctricos usando dispositivos semiconductores.

Específicos

 Resolver un problema con diodos.

 Resolver un problema con transistores.

 Resolver un problema con un transistor MOSFET.

 4

Ejercicio 1: Infografía sobre pregunta orientadora

Grupo de ejercicios: 1, 2, 3, 4 o 5 según el seleccionado

Grupo de ejercicios: 2

Infografía:

https://www.canva.com/design/DAGD5--61q4/gCl8eGeSSIEMPQ2BAoE-Cw/edit?

utm_content=DAGD5--

61q4&utm_campaign=designshare&utm_medium=link2&utm_source=sharebutton
 5

Fuente: Propia.

Enlace vídeo explicativo Ejercicio 1:

Ejercicio 2: Ley de Ohm / Potencia y Energía eléctrica

 6

Grupo de ejercicios: 1, 2, 3, 4 o 5 según el seleccionado

Grupo de ejercicios: 2

2) Hallar I D 2

A partir del esquema seleccionado calcular:

 Variables faltantes en el circuito según lo solicitado (V, I).

 Potencia y energía consumida por R1 en cada esquema en un tiempo 𝑡 = 50 𝑚𝑖𝑛.

Respuesta:

Como 12 𝑉 𝑒𝑠 𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟 𝑞𝑢𝑒 0.3 𝑉 se asegura que ambos diodos están conduciendo entonces

realizando la malla:

−12+V D +V R 1=0

−12+0.3+V R 1=0

V R 1=12−0.3

V R 1=11.7 [ V ]

Con este valor calculado se puede hallar la corriente de la resistencia R1:

V R 1=I R 1∗R 1

11.7=400 I R 1
 7

11.7
I R 1=
400

I R 1=29.25 mA

Ahora teniendo en cuenta que esta corriente se divide en los 2 diodos:

IR1
I D2=
2
−3
29.25∗10
I D2=
2

I D 2 =14.625 mA

También se calcula la potencia y la energía en el tiempo t=50min para la resistencia R1:

P R 1=0.02925∗11.7

P R 1=0.3422

E R 1=0.3422∗0.83333

E R 1=0.2851 Wh
 8

Herramienta Tinkercad – Solución Ejercicio.

Ejercicio 3: Leyes de Kirchoff

Grupo de ejercicios: 1, 2, 3, 4 o 5 según el seleccionado

Grupo de ejercicios: 2

2) Hallar V E

A partir del esquema seleccionado calcular:

 I B, I C, I E para cada esquema.

 Variables requeridas en el enunciado de voltaje y resistencia según el

caso.

Respuesta:

Para este ejercicio se plantean relaciones entre corrientes y algunas mallas, iniciando con una

malla externa para calcular la corriente de la resistencia 1:

−18+ R1∗I R 1 +3=0

18−3
I R 1=
1000

I R 1=15 mA
 9

Ahora se procede a calcular la corriente de base I B:

I E =I B (β +1)

−18+ R2∗I B +V B E + R3∗I E =0

−18+ R2∗I B +V BE + R 3∗I B ( β +1)=0

−18+ I B (R 2+ R 3∗( β +1 ) )+ 0.7=0

De esto se despeja la corriente de la base:

18−0.7
I B=
2000+500∗(90+1)

I B=364.2105 μA

Ahora, la corriente del emisor se calcula pues ya se conoce la corriente por la base:

I E =33.1432 mA

Y con esto se calcula la tensión del emisor:

−3
V E=500∗33.1432∗10

V E=165716 V

Calculando la tensión del colector - emisor:

−18+ I R 1∗R1 +V C E + V E =0

V CE =18−( 15∗10−3∗1∗103 )−16.5716

V CE =−13.5716 V

Lo cual implica que el transistor está en la región de saturación y los cálculos realizados no

funcionan, se inicia de nuevo el ejercicio partiendo de:

V CE =0 V

Por ende, realizando una malla:

 10

−3+V CE +V E=0

V E=3 V

Se calcula la corriente del emisor:

VE
I E=
R3

3
I E=
500

I E =6 mA

Ahora la corriente de la base:

−18 I B R 2+ 0.7+3=0

18−0.7−3
I B=
2000

I B=7.15 mA

Y la corriente del colector:

I C =I E −I B

−3 −3
I C =6∗10 −7.15∗10

I C =−1.15 mA

Ejercicio 4: Divisor de voltaje y corriente.

Grupo de ejercicios: 1, 2, 3, 4 o 5 según el seleccionado

Grupo de ejercicios: 2

Descripción del ejercicio:

Se tiene el siguiente esquema para un transistor MOSFET que tiene un voltaje umbral 𝑉𝑇 = 5 𝑉 y

los elementos que se muestran a continuación:

 11

Para tener en cuenta:

- El valor de ψ corresponde al numeral seleccionado por el estudiante:

Estudiante 1: ψ =1.

Estudiante 2: ψ =2.

Estudiante 3: ψ =3.

Estudiante 4: ψ =4.

Estudiante 5: ψ =5.

- Para los estudiantes que aplique el literal b) asumir 𝑅3 = 300 Ω para los cálculos.

A partir de la información suministrada responder las siguientes preguntas:

a) Con la configuración planteada, ¿el transistor permite el paso de corriente? Explicar.

Respuesta:

Haciendo una malla externa se puede concluir que la tensión tanto como de R2 como de R3 se

puede calcular con un divisor de voltaje, calculando la tensión V gs que es la misma tensiónV R 3
 12

R 3∗V 1
V R 3=
R2 + R3

200∗20
V R 3=
500+200

V R 3=5.7142 V

Y como:

V gs=V R 3

V gs=5.7142V

b) En caso contrario, ¿qué valor mínimo de R3 se debería garantizar para que el

transistor permita el paso de corriente entre D y S?

Respuesta:

Esta tensión es mayor que el voltaje umbral de 5 Volts, entonces ya se puede concluir que el

transistor si permite el flujo de electrones. Como el transistor si conduce corriente no es

necesario calcular el valor mínimo de R3 para que el transistor permita el paso de corriente

entre D y S.

c) Calcular el valor de V gs, I D y V DS

Respuesta:

Se asume primero la región de saturación si se encuentra alguna incoherencia se asume la región

activa u óhmica. Transistor MOSFET en saturación, cálculo de I D

1
I D = ∗k∗¿
2

1 −3
I D = ∗2∗10 ∗¿
2

I D =510.0816 μA
 13

Y ya conociendo la corriente de drenaje 𝐼𝐷 se puede calcular la tensión entre los puntos D y S

I D R1 +V DS=V 1

V DS=V 1−I D R 1

−6
V DS=20−510.0816∗10 ∗100

V DS=19.9489 V

d) ¿El transistor opera en la región de corte, lineal o saturación?

Respuesta:

El transistor opera en la zona de saturación.

 14

Conclusiones

Los semiconductores se encuentran ampliamente en la electrónica de consumo, como teléfonos

móviles o portátiles. Comprender cómo funcionan los semiconductores nos ayuda a comprender

cómo funcionan estos dispositivos electrónicos y luego mejorarlos.

 15

Referencias Bibliográficas

- Alexander, C. K., Sadiku, M. N. O.(2022). Fundamentos de circuitos eléctricos Plus.

McGrawHill - Plus. (capitulo 1, conceptos básicos ). Disponible: https://www-ebooks7-24-

com.bibliotecavirtual.unad.edu.co/?il=31298&pg=s9ml/chapter01/portadilla.xhtml=

- Baliga, BJ (2005). Dispositivos semiconductores de potencia. Saltador.

- Sedra, AS y Smith, KC (2003). Microelectrónica: circuitos y sistemas. Prensa de la

Universidad de Oxford.