15

TRANSISTORES
Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica. Tambin en electrnica algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS. Se consideran dispositivos activos porque pueden obtener una mayor corriente de salida a partir de , corriente o tensin de entrada, y por lo tanto, se utilizan en amplificacin de tanto, corrientes y tensiones. Disponen de 3 terminales, pudiendo adoptar varias configuraciones:considerndose como entrada dos de ellos y de salida el tercero.

CLASIFICACIN

16

SIMBOLOGIA DE TRANSISTORES

17

EL TRANSISTOR BIPOLAR BJT Formado por dos uniones PN con tres zonas cada una conectada a los terminales:C: "Colector", la zona central es la B:"Base" y E: "Emisor". El Emisor est muy impurificado, la Base tiene una impurificacin muy baja, mientras que el Colector posee una impurificacin intermedia. Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso).
CURVAS CARACTERSTICAS Y REGIONES DE FUNCIONAMIENTO:

Curvas B-E IB (VBE) se corresponden con las de un diodo de unin. Curvas Ic(VCE):para diferentes valores de IB:

IE sale; IB, IC entran

IE entra; IB, IC salen

PARAMETROS DADOS POR EL FABRICANTE: VCEO <Vcc, VCESAT, VBESAT Icmax, Pcmax = HFE ICBO=Ico=Ic con la base en circuito abierto.
EL TRANSISTOR POLARIZADO

Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados nuevos e inesperados. Hay 3 configuraciones:

Base comn (BC). Emisor comn (EC). Colector comn (CC).

Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:

Zona ACTIVA: Zona de SATURACIN: Zona de CORTE: Zona ACTIVA INVERTIDA: UE en Directa y UC en Inversa. UE en Directa y UC en Directa. UE en Inversa y UC en Inversa. UE en Inversa y UC en Directa. AMPLIFICADORES CONMUTACIN CONMUTACIN SIN UTILIDAD

18
ECUACIONES DEL TRANSISTOR BIPOLAR:

Corrientes: Transistor como un nudo: IE=IC+IB Ic= IB + (+1) IC0; IC0: Corriente Ic con la base en circuito abierto. Ganancia en corriente contnua: HFE =Ic IB Ganancia en corriente : =Ic / IE

Tensiones: VCE= VCB+ VBE ; para transistores NPN. VEC= VEB+ VBC ; para transistores PNP.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO CON CURVAS LINEALIZADAS:

ECUACIONES DE UN CIRCUTO CON TRANSISTOR BIPOLAR Ecuacin de la malla de base:

VBE=0,7v
,
=30,4A

15=470IB+ VBE; IB

Ecuacin de la malla de colector :

VCEsat=0,2v
= 4,11mA

,
15=3,6IC+ VCE; ICSAT=

IC= IB =100 0,0304mA=3,04mA< ICSAT=>TRT en activa VCE=15-3,6IC = 15-3,63,04=4,05v

19 Potencia mxima de un transistor:

Potencia disipada por un transistor: Pc=VCE Ic Punto de trabajo ptimo: Pc=VCEQ= Vcc/2 ; ICQ= Vcc/2Rc

EL TRANSISTOR EN CONMUTACION Un transistor trabaja en conmutacin cuando ante seales de entrada en la base reacciona funcionando en corte: Ic=0; VCE=Vcc en saturacin:Ic=IcSAT;VCE=0,2v 0v. Este modo de funcionamiento es til para activar/desactivar dispositivos o para arquitectura de puertas lgicas. CORTE SATURACION

=100; VBE=0,7v Si Ve=10v

ICSAT=(10-VCESAT)/1K =(10-0,2)/1K =9,8mA IB=(Ve-VBE)/10K =(10-0,7)/10K =0,93mA; IC= IB=1000,93mA=93mA>ICSAT=>Ic= ICSAT=9,8mA; VCE= VCESAT=0,2v=>TRT en SAT Si Ve=0v IB=0mA=>Ic=0mA=>VCE=Vcc=10v=>TRT en CORTE.

Se comporta como un inversor.

Simulacion de punto de trabajo y recta de carga

20
EJEMPLOS DE PUERTAS LOGICAS CON DIODOS Y TRANSISTORES:

Si a y b tienen un nivel bajo de tensin(<0,7v)=> los dos transistores estaran en corte=>Vs=VH=3v Si a b tienen un nivel alto de tensin(>0,7v)=> uno o los dos transistores estaran en saturacin=>Vs=VL=0,2v

Circuito A Circuito B Circuito A Si a y b tienen un nivel alto de tensin=> los dos diodos no conducen=> IB>0;VBE=0,7v =>transistor en SAT=>Vs=VL=0,2v

Si a b tienen un nivel bajo de tensin=> Uno o los dos diodos conducen=> VBE<0,7v ; IB=0; =>transistor en CORTE=>Vs=VH=5V. Circuito B

Si a y b tienen un nivel alto de tensin=> los dos diodos no conducen=> T1 en SAT D3 conduce y Ve>0,7v =>T2 en SAT=>Vs=VL=0,2v Si a b tienen un nivel bajo de tensin=> Uno o los dos diodos conducen=> VB<0,7v ; IB=0; T1 en CORTE D3 NO conduce y Ve=0v =>T2 en CORTE=>Vs=VH=5V.

-Siempre que en a o b haya un nivel bajo, el transistor multiemisor conducir porque Vbe>0,7v. =>T no conduce porque su corriente de base es negativa. =>T2 no conduce porque Vb2=0, ya que la IE de T es cero. =>El diodo no conduce=> T1 en corte(no conduce)=>Vc2=5v. -Si a y b son niveles altos, el transistor multiemisor no conduce porque Vbe<=0. =>T conduce porque su corriente de base es positiva. =>T1 y T2 conducen en saturacin porque Vb1,Vb2>0,7v ,ya que la IE de T es >0. =>El diodo conduce=> =>Vc2=Vce2sat=0,2v.

21
ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES - El TO-92: Para la amplificacin de pequeas seales. La asignacin de patitas (emisor - base - colector) no est estandarizado. - El TO-18: Es metlico. En la carcasa hay un pequeo saliente que indica que la patita ms cercana es el emisor - El TO-39: tiene le mismo aspecto que es TO-18, pero es mas grande, pero tambin tiene la patita del colector pegado a la carcasa, para efectos de disipacin de calor. - El TO-126: En aplicaciones de pequea a mediana potencia. Puede o no utilizar disipador dependiendo de la aplicacin en se este utilizando. Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro del transistor. Se debe utilizar una mica aislante - El TO-220: Debe disipar potencia algo menor que con el encapsulado TO-3, y al igual que el TO-126 debe utilizar una mica aislante si va a utilizar disipador, fijado por un tornillo debidamente aislado. - El TO-3: En transistores de gran potencia. Como se puede ver en el grfico es de gran tamao debido a que tiene que disipar bastante calor. Est fabricado de metal y es muy normal ponerle un "disipador" para liberar la energa que este genera en calor. Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor, pues este estara conectado directamente con el colector del transistor. Para evitar el contacto se pone una mica para que sirva de aislante y a la vez de buen conductor trmico. El emisor y la base se encuentran ligeramente a un lado y si se pone el transistor como se muestra en la figura, al lado izquierdo estar el emisor y la derecha la base. IDENTIFICACION DE LOS TERMINALES y estado DE UN TRANSISTOR

Para los dos valores mas bajos(200): patilla 3 se repite=>3=BASE Patilla3 positiva=>Tipo: NPN
Patilla3 negativa=>Tipo: PNP

Para el siguiente valor mas bajo (8K): Tipo NPN : Patilla2 positiva=>2=COLECTOR
Tipo PNP : Patilla2 positiva=>2=EMISOR.

Esto ayuda a determinar tambien el estado del transistor. Con un polmetro que disponga de opcin HFE se puede determinar : El patillaje. El tipo La ganancia en corriente Contnua HFE

22
EJERCICIO 1: =260, VEB=0,65v, VCESAT=0v. VCC=10v.
VCC
1

Calcular: a. Las corrientes y las tensiones de los dos transistores para:Ve=0v y Ve=9v. Si la Resistencia de 500 se corresponde con un rel de: ION=7,5mA, IOFF=1,6mA. a. Se activar o desactivar para las dos tensiones de entrada anteriores? b. Cules son los lmites de Ve para la activacin y desactivacin del rel? Si el BC337 es el complementario de BC328, lo es el circuito?

2 1

500

Ve
B

b.
E

Ve

BC328*
2 1

BC337

500

0
1

c.
VCC

EJERCICIO 2: =200, VEB=0,65v, VCESAT=0,2v. VCC=10v. a. b. Marcar en el circuito todas las tensiones y corrientes. Calcular: Las corrientes y las tensiones de los dos transistores . Calcular: Las potencias del circuito.

21

21

1k

10k

VCC

EJERCICIO 3: =100, VBE=0,7v, VCESAT=0,2v. a. b. Marcar en el circuito todas las tensiones y corrientes. Calcular: Las corrientes y las tensiones de los dos transistores .

EJERCICIO 4: =100, VBE=0,7v, VCESAT=0,2v.

BC328*
VCC

c. d.

Marcar en el circuito todas las tensiones y corrientes. Calcular: Las corrientes y las tensiones de los dos transistores .

23
EJERCICIO 5: =100, VBE=0,7v, VCESAT=0,2v.

e. Marcar en el circuito todas las tensiones y corrientes. Calcular: Las corrientes y las tensiones de los dos transistores . Estudiar la estabilidad frente a la temperatura.

EJERCICIO 6: =200, VBE=0,7v, VCESAT=0,2v. RB=50K , RC=1K Marcar en el circuito todas las tensiones y corrientes. Calcular: Las corrientes y las tensiones de los dos transistores . Estudiar la estabilidad frente a la temperatura.

EJERCICIO 7: =200, VBE=0,7v, VCESAT=0,2v. Hallar: Vsal

EJERCICIO 8: =1500, VBE=0,7v, VCESAT=0,2v. VD=1,6v, VZ=9,1v,Ion=5mA,Izmin=5mA Hallar: Las corrientes, las tensiones y las potencias

VC C

VC C

21

KA

220

2
C

B 337 C
3

K A

21

B V55-C Z 9V1

220

0
1

24
EJERCICIO 9: VBE=0,7v, VCESAT=0,2v. Calcular los puntos de trabajo. Circuito1:IZMIN=5mA IZMIN=10mA. Circuito2:IZMIN=0mA IZMIN=5mA.

EJERCICIO 10:

25

Hoja de caractersticas de un transistor

Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904. VCB....................................60 V (mximo valor en inversa) VCEo...................................40 V (mximo valor en inversa con la base abierta) VEB.......................................6 V (mximo valor en inversa) En realidad en la hoja de caractersticas tenemos que diferenciar los transistores en: Transistores de pequea seal (IC pequea), por ejemplo: 2N3904. Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.

Corriente y potencia mximas

En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas, siendo la unin ms problemtica la unin CB, porque es la que ms se calienta. En un transistor se dan tres tipos de temperaturas: Tj = Temperatura de la unin. TC = Temperatura de la capsula. TA = Temperatura del ambiente.

Factor de ajuste

Indica como disminuye la PDmx por cada grado de aumento de temperatura por encima de un valor determinado. EJEMPLO: Para el 2N3904 PDmx = 350 mW (a 25 C) Factor de ajuste = - 2,8 mW/C Si TA aumenta a 60 C: PDmx = 350 - 2,8 (60 - 25) = 252 mW. CALCULO Y ELECCION DE UN CIRCUITO EN DC CON RESISTENCIAS Y TRANSISTORES:

Disear un circuito en EC que cumpla los requisitos siguientes: VBB = 5 V, VCC = 15 V, hFE = 120, IC = 10 mA y VCE = 7,5 V. Resolverlo usando la 2 aproximacin. Solucin: Colocando los datos que da el problema en el circuito emisor comn se ve que falta por determinar el valor de RB y RC. Malla de entrada y ecuacin de la ganancia:

Malla de salida:

26
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: Transistor de efecto de campo de unin o JFET Transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensin con una alta impedancia de entrada (1012 ). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analgicos como amplificador o como conmutador. Sus caractersitcas elctricas son similares aunque su tecnologa y estructura fsica son totalmente diferentes. Ventajas del FET: 1. Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107a 1012 ). 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4. Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar msdispositivos en un C1. 5. Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensindrenaje-fuente. 6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir operaciones de muestreo en conversores A/D y memorias.

7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. Desventajas que limitan la utilizacin de los FET: 1) Presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada, y en general son menos lineales que los BJT. 2) Se pueden daar debido a la electricidad esttica.

Caractersticas elctricas del JFET

27

|VGS|<|VP| |VDS|=<|VP|-|VGS|

|VGS|<|VP| |VDS|>|VP|-|VGS|

28 RECTA DE CARGA Y PUNTO DE TRABAJO:

PARMETROS COMERCIALES Se presenta a continuacin algunas de las caractersticas de los transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos: IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuracin de fuente comn y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la prctica marca la mxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor. VP (Pinch-Off Voltage): es la tensin de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor. RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensin de estrangulamiento.

TRANSISTOR MOSFET
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero sus ecuaciones analticas son muy similares. NMOS de Enriquecimiento:

29

EJERCICIO 11: Calcular el punto de trabajo:VDS,VGS, ID

30
EJERCICIO 12 Determinar el valor de las salidas V01 y V02 cuando VIN valga cero y diez voltios. Datos: VTH = 5 V. ECC = 20 V. Rd1=1K,Rd2=0,1K,K=0,5mA/v2

EJERCICIO 13 a) Explicar su funcionamiento y determinar qu tipo de puerta lgica es.

EJERCICIO 14

Calcular los parmetros que toman las resistencias RD y RS del circuito de la figura para que el transistor opere con una ID=4mA y VD=1.Datos: VTH=2V; K=4mA/V2 K=0.4mA/V2

31

1.- Dibujar las curvas caractersticas de un transistor bipolar: BC547B RC=1K a) Montar el circuito RB =10K Curva de entrada: b) Con Vcc=10v; VBE=0..0,8v ,variando VBB ,medir VBE , y calcular IB=(VBB VBE)/RB c) Anotar IB=en la tabla en uA. Curva de salida: d) ParaVBE=0,2v, 0,72v y 0,8v; Anotar la IB correspondiente, y variando Vcc,=0..20v , medir VCE , y calcular IC=(VCC VCE)/RC c) Anotar IB=en la tabla en uA.

2.- Hallar , dibujar , y medir el punto de trabajo para el transistor anterior: Vcc=20v VBB=1,5v 3.- Sacar las curvas de entrada y salida utilizando el osciloscopio y el montaje de la figura

OSCILOSCOPIO: AJUSTES DEL OSCILOSCOPIO Aislar masas del osciloscopio

Triguer edge. Modo XY Autoset:Centrar

AJUSTES DEL GENERADOR:

Entrada: 4Vp, 2DC, 5Hz Salida: 30Vp,16DC,1KHz

4.- Hallar y medir el punto de trabajo para el transistor FET: 2N4416 del circuito de la figura VGG=-1v, RD=RS=1K, VDD=15v, 8 12 RG=100K
1k

5
S

6
100k

2N4416
2 1

Vp(Id=0)= Idss(Vgs=0)=

15 V

9
2 1

21

1V

1k

Prcticas de electrnica
Entrenador:
Material:

Grupo:

Detector de oscuridad

Entrenador de electrnica Transistor BD135 Resistencia 10K Potencimetro 10K LDR Roscur=10K Diodo Rel Rrele=0,23K
Explicar el funcionamiento.

Esquema:

COM
NA

NC

Ic
I1 I2
LDR

Ib

c b e
BD135

Clculos:
De los datos de las medidas: SIN LUZ:Rldr=10K I2=Vldr/10K= I1=I2-Ib= R1=(VCC-Vldr)/I1= CON LUZ: I1=(Vcc-Vldr)/R1 I2=I1-Ib Rldr=Vldr/I1=

Toma de medidas con el polmetro.

Con luz VBE = VCE = VLDR = Ib = Ic =

Sin luz VBE = VCE = VLDR = Ib = Ic =

32

Ejercicio 1: Curva caracterstica de entrada

Si variamos el valor de la pila VBB de la malla de entrada, tomando valores de IB y VBE podemos obtener la caracterstica de (la malla de) entrada.

Ejercicio 2 : Curva caracterstica de salida

1. 2. 3. 4. Analizamos la malla de salida y obtenemos distintas curvas para diferentes valores de IB. Ajustando VBB fijamos un valor de IB que vamos a mantener constante (por ejemplo IB = 10 A). Ahora variamos VCC , medimos valores de VBE y IC y obtenemos la correspondiente curva de IB = 10 A. Hacemos lo mismo para IB = 20 A, etc... Y as sucesivamente para diferentes valores de IB. En cada una de estas curvas hay diferentes zonas:

BC546/547/548/549/550

BC546/547/548/549/550
Switching and Applications
High Voltage: BC546, VCEO=65V Low Noise: BC549, BC550 Complement to BC556 ... BC560

TO-92

1. Collector 2. Base 3. Emitter

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol VCBO Collector-Base Voltage Parameter : BC546 : BC547/550 : BC548/549 Value 80 50 30 65 45 30 6 5 100 500 150 -65 ~ 150 Units V V V V V V V V mA mW C C

VCEO

Collector-Emitter Voltage : BC546 : BC547/550 : BC548/549 Emitter-Base Voltage Collector Current (DC) Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature : BC546/547 : BC548/549/550

VEBO IC PC TJ TSTG

Electrical Characteristics Ta=25C unless otherwise noted

Symbol ICBO hFE VCE (sat) VBE (sat) VBE (on) fT Cob Cib NF Parameter Collector Cut-off Current DC Current Gain Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Current Gain Bandwidth Product Output Capacitance Input Capacitance Noise Figure : BC546/547/548 : BC549/550 : BC549 : BC550 Test Condition VCB=30V, IE=0 VCE=5V, IC=2mA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5mA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5mA VCE=5V, IC=2mA VCE=5V, IC=10mA VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz VEB=0.5V, IC=0, f=1MHz VCE=5V, IC=200A f=1KHz, RG=2K VCE=5V, IC=200A RG=2K, f=30~15000MHz 580 Min. 110 90 200 700 900 660 300 3.5 9 2 1.2 1.4 1.4 10 4 4 3 6 700 720 Typ. Max. 15 800 250 600 mV mV mV mV mV mV MHz pF pF dB dB dB dB Units nA

hFE Classification
Classification hFE
2002 Fairchild Semiconductor Corporation

A 110 ~ 220

B 200 ~ 450

C 420 ~ 800

Rev. A2, August 2002

BC546/547/548/549/550

Typical Characteristics
100

100

80

IB = 350A IB = 300A
IB = 250A
IB = 200A

IC[mA], COLLECTOR CURRENT

IC[mA], COLLECTOR CURRENT

IB = 400A

VCE = 5V

10

60

40

IB = 150A
IB = 100A

20

IB = 50A
0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0.1 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE

Figure 1. Static Characteristic

Figure 2. Transfer Characteristic

VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE

10000

VCE = 5V
1000

IC = 10 IB

hFE, DC CURRENT GAIN

1000

V BE(sat)

100

100

10

V CE(sat)

1 1 10 100 1000

10 1 10 100 1000

IC[mA], COLLECTOR CURRENT

IC[A], COLLECTOR CURRENT

Figure 3. DC current Gain

Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage

100

1000

fT, CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT

Cob[pF], CAPACITANCE

f=1MHz IE = 0
10

VCE = 5V

100

10

0.1 1 10 100 1000

1 0.1

10

100

V CB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE

IC[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 5. Output Capacitance

Figure 6. Current Gain Bandwidth Product

2002 Fairchild Semiconductor Corporation

Rev. A2, August 2002

2N4416/2N4416A/SST4416
Vishay Siliconix

N-Channel JFETs

PRODUCT SUMMARY
Part Number
2N4416 2N4416A SST4416

VGS(off) (V)
v6 2.5 to 6 v6

V(BR)GSS Min (V)

30 35 30

gfs Min (mS)

4.5 4.5 4.5

IDSS Min (mA)

5 5 5

FEATURES
D Excellent High-Frequency Gain: 2N4416/A, Gps 13 dB (typ) @ 400 MHz D Very Low Noise: 3 dB (typ) @ 400 MHz D Very Low Distortion D High AC/DC Switch Off-Isolation

BENEFITS
D D D D D Wideband High Gain Very High System Sensitivity High Quality of Amplification High-Speed Switching Capability High Low-Level Signal Amplification

APPLICATIONS
D D D D High-Frequency Amplifier/Mixer Oscillator Sample-and-Hold Very Low Capacitance Switches

DESCRIPTION
The 2N4416/2N4416A/SST4416 n-channel JFETs are designed to provide high-performance amplification at high frequencies. The TO-206AF (TO-72) hermetically-sealed package is available with full military processing (see Military Information.) The TO-236 (SOT-23) package provides a low-cost option and is available with tape-and-reel options (see Packaging Information). For similar products in the TO-226AA (TO-92) package, see the J304/305 data sheet.

TO-206AF (TO-72) TO-236 (SOT-23)

S 1 4 C D 1 3 S 2 D Top View 2N4416 2N4416A 3 G 2 G

Top View SST4416 (H1)* *Marking Code for TO-236

For applications information see AN104. Document Number: 70242 S-04028Rev. F, 04-Jun-01 www.vishay.com

7-1

2N4416/2N4416A/SST4416
Vishay Siliconix
HIGH FREQUENCY SPECIFICATIONS FOR 2N4416/2N4416A (TA = 25_C UNLESS NOTED)
Limits
100 MHz 400 MHz

Parameter
Common Source Input Conductance Common Source Input Susceptance Common Source Output Conductance Common Source Output Susceptance Common Source Forward Transconductance Common-Source Power Gain Noise Figure

Symbol
giss biss goss boss gfs Gps NF

Test Conditions

Min

Max
100 2,500

Min

Max
1,000 10,000 100 4,000

Unit

VDS = 15 V, VGS = 0 V

75 1,000 4,000

m mS

VDS = 15 V, ID = 5 mA RG = 1 kW

18 2

10 4 dB

Notes a. Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing. b. Pulse test: PW v300 ms duty cycle v3%. c. This parameter not registered with JEDEC.

NH

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Drain Current and Transconductance vs. Gate-Source Cutoff Voltage
20 IDSS Saturation Drain Current (mA) 10 rDS(on) Drain-Source On-Resistance ( ) gfs Forward Transconductance (mS) 500

On-Resistance and Output Conductance vs. Gate-Source Cutoff Voltage

100

rDS @ ID = 1 mA, VGS = 0 V

400 gos @ VDS = 10 V, VGS = 0 V f = 1 kHz 80 gos Output conductance (S)

16

IDSS

12

gfs

300

rDS gos

60

200

40

IDSS @ VDS = 10 V, VGS = 0 V gfs @ VDS = 10 V, VGS = 0 V f = 1 kHz 0 2 4 6 8 VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage (V) 10

100

20

0 0 4 6 8 VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage (V) 2 10

Output Characteristics
10 VGS(off) = 2 V 8 ID Drain Current (mA) ID Drain Current (mA) VGS = 0 V 6 0.2 V 0.4 V 4 0.6 V 0.8 V 2 1.0 V 1.2 V 1.4 V 4 6 8 VDS Drain-Source Voltage (V) 12 15

Output Characteristics
VGS(off) = 3 V

VGS = 0 V 9 0.3 V 0.6 V 6 0.9 V 1.2 V 1.5 V 3 1.8 V

10

4 6 8 VDS Drain-Source Voltage (V)

10

Document Number: 70242 S-04028Rev. F, 04-Jun-01

www.vishay.com

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2N4416/2N4416A/SST4416
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Output Characteristics
5 VGS(off) = 2 V VGS = 0 V 4 ID Drain Current (mA) 0.2 V ID Drain Current (mA) 0.4 V 3 0.6 V 2 0.8 V 1.0 V 1 1.2 V 1.4 V 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 4

Output Characteristics
5 VGS(off) = 3 V 0.3 V 0.6 V 3 0.9 V 1.5 V 2 1.8 V 1 2.1 V 1.2 V VGS = 0 V

VDS Drain-Source Voltage (V)

VDS Drain-Source Voltage (V)

Transfer Characteristics
10 VGS(off) = 2 V 8 ID Drain Current (mA) ID Drain Current (mA) TA = 55_C 6 25_C VDS = 10 V 8 10

Transfer Characteristics
VGS(off) = 3 V VDS = 10 V

TA = 55_C 6 25_C

125_C

125_C

0 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 VGS Gate-Source Voltage (V)

0 0 0.6 1.2 1.8 2.4 3 VGS Gate-Source Voltage (V)

Transconductance vs. Gate-Source Voltage

10 VGS(off) = 2 V gfs Forward Transconductance (mS) 8 TA = 55_C 6 25_C VDS = 10 V f = 1 kHz gfs Forward Transconductance (mS) 8 10

Transconductance vs. Gate-Source Voltgage

VGS(off) = 3 V VDS = 10 V f = 1 kHz

TA = 55_C 6 25_C 4

125_C

125_C

0 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 VGS Gate-Source Voltage (V)

0 0 0.6 1.2 1.8 2.4 3 VGS Gate-Source Voltage (V)

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Document Number: 70242 S-04028Rev. F, 04-Jun-01