Laboratorio # 03 Espejo de Corriente y Puente H

Resumen:
Previo a la práctica se construyeron de forma física en una placa de pruebas dos circuitos cuyos
diagramas esquemáticos se encuentran en la Figura 1 y 2. El circuito mostrado en la Figura 1
corresponde a un Espejo de Corriente, para este circuito se realizó la medición de la corriente en el
Drain del transistor JFET (𝐼1 ) y de la corriente entrante al potenciómetro (𝐼𝑥 ) para valores de 0Ω,
250Ω, 500Ω, 750Ω y 1kΩ, con el objetivo de determinar el porcentaje de corriente reflejada para
cada configuración. Por otro lado, el circuito mostrado en la Figura 2 corresponde a un Puente H,
para este circuito se comprobó que al presionar el primer Push Button se encienda el LED rojo, que
al presionar el segundo Push Button se encienda el LED verde y en caso de presionar ambos ninguno
se encienda. Adicionalmente, ambos circuitos fueron simulados en el software NI Multisim para
comparar los resultados de la práctica, los de la simulación y los teóricos.

5V 5V

R3
Q1 1kΩ 50 %
2N5457 Key=A

Q2 Q3
2N3904 2N3904

Figura 1: Diagrama esquemático del circuito Espejo de Corriente.

1
 5.0V 5.0V 5.0V 5.0V

R1 R5
10kΩ 10kΩ
R2 Q1 Q3 R6
LED2
2N3906 2N3906
1kΩ 1kΩ
R4

180Ω
LED1
Q4 R7
R3 Q2
2N3904
2N3904 1kΩ
1kΩ

S1 S2

Key = Space Key = A

Figura 2: Diagrama esquemático del circuito Puente H.

Objetivos:
• Comprender el funcionamiento del circuito Espejo de Corriente y Puente H.
• Analizar el comportamiento de los transistores BJT tanto en el Espejo de Corriente y del
Puente H.
• Comparar los valores obtenidos por el análisis teórico con los valores obtenidos durante la
práctica y la simulación.

Teoría:
Espejo de corriente

Un espejo de corriente es un circuito el cual actúa como un regulador de corriente, ya que tiene
como objetivo el replicar y controlar el valor de una corriente desarrollada en una parte del circuito
hacia otra parte del mismo circuito, generalmente siendo partes que se encuentran una frente a la
otra. Debe estar compuesto por al menos dos transistores del mismo tipo, pero generalmente se
utilizan tres transistores, uno para establecer la corriente de referencia y otros dos transistores
necesariamente del mismo tipo para lograr replicar la corriente, ya que para lograr esto es necesario
que ambos transistores tengan la misma caída de voltaje Base-Emisor y el mismo valor de ganancia
de corriente (β). Sin embargo, este tipo de circuito no es tan eficiente ya que se genera una
constante variación en la corriente reflejada pues los transistores encargados de la réplica disipan
calor constantemente para igualar sus condiciones.

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Figura 3: Diagrama esquemático de un Espejo de Corriente empleando un JFET para establecer la
corriente de referencia y dos transistores BJT para replicar dicha corriente.

Puente H

El puente H es un circuito utilizado para realizar un cambio en el sentido de la corriente que fluye a
través de un componente el cual puede ser un LED, pero generalmente se utiliza para motores de
corriente continua ya que con este se puede cambiar el sentido y velocidad del giro. Se encuentra
compuesta por transistores ya sea BJT o MOSFET los cuales están en configuración para ser
utilizados como interruptores. Su funcionamiento se basa en la activación de interruptores, ya que
al activar uno el sentido de la

Figura 4: Diagrama esquemático de un puente H utilizando transistores BJT de tipo PNP en la parte
superior y NPN en la parte inferior para encender un LED en dependencia del sentido de la
corriente.

3
Resultados prácticos:
A continuación, se adjuntan imágenes de las mediciones de las corrientes realizadas para el primer
circuito (Figura 1) de forma física y simulada, imágenes del comportamiento de los LEDs del segundo
circuito (Figura 2) en dependencia del switch activado y capturas de pantalla del mismo circuito
simulado.

Espejo de Corriente

Figura 6: Imagen de la medición de la

Figura 5: Imagen de la medición de la corriente
corriente entrante al potenciómetro (𝐼𝑥 )
en la terminal Drain del transistor JFET (𝐼1 ),
cuando la resistencia del mismo era de 1.6Ω,
realizada durante la práctica. Notar que la
realizada durante la práctica. Notar que la
escala es mA.
escala es mA.

Figura 8: Imagen de la medición de la

Figura 7: Imagen de la medición de la corriente
corriente entrante al potenciómetro (𝐼𝑥 )
entrante al potenciómetro (𝐼𝑥 ) cuando la
cuando la resistencia del mismo era de
resistencia del mismo era de 250.7Ω, realizada
500.7Ω, realizada durante la práctica. Notar
durante la práctica. Notar que la escala es mA.
que la escala es mA.

Figura 10: Imagen de la medición de la

Figura 9: Imagen de la medición de la corriente
corriente entrante al potenciómetro (𝐼𝑥 )
entrante al potenciómetro (𝐼𝑥 ) cuando la
cuando la resistencia del mismo era de 956Ω,
resistencia del mismo era de 750Ω, realizada
realizada durante la práctica. Notar que la
durante la práctica. Notar que la escala es mA.
escala es mA.

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Figura 11: Captura de pantalla de las mediciones de corriente realizadas en la simulación del
circuito. El multímetro XMM1 muestra la corriente 𝐼1 y el XMM2 la corriente 𝐼𝑥 para 0Ω.

Figura 12: Captura de pantalla de las mediciones de corriente realizadas en la simulación del
circuito. El multímetro XMM1 muestra la corriente 𝐼1 y el XMM2 la corriente 𝐼𝑥 para 250Ω.

Figura 13: Captura de pantalla de las mediciones de corriente realizadas en la simulación del
circuito. El multímetro XMM1 muestra la corriente 𝐼1 y el XMM2 la corriente 𝐼𝑥 para 500Ω.

5
 Figura 14: Captura de pantalla de las mediciones de corriente realizadas en la simulación del
circuito. El multímetro XMM1 muestra la corriente 𝐼1 y el XMM2 la corriente 𝐼𝑥 para 750Ω.

Figura 15: Captura de pantalla de las mediciones de corriente realizadas en la simulación del
circuito. El multímetro XMM1 muestra la corriente 𝐼1 y el XMM2 la corriente 𝐼𝑥 para 1kΩ.

Puente H

Figura 16: Fotografía del segundo circuito en Figura 17: Fotografía del segundo circuito en
donde se muestra su comportamiento al donde se muestra su comportamiento al
presionar el primer Push Button. presionar el segundo Push Button.

5.0V 5.0V 5.0V 5.0V

5.0V 5.0V 5.0V 5.0V

R1 Q1 R5 R1 R5
R2 R6 Q1
10kΩ 2N3906 LED2 10kΩ 10kΩ R2 R6 10kΩ
Q3 2N3906 LED2
Q3
1kΩ 2N3906 1kΩ 1kΩ 1kΩ
2N3906
R4 R4

180Ω 180Ω
LED1 LED1
R7 R7
R3 R3
Q4 Q4
Q2 1kΩ Q2 1kΩ
1kΩ 2N3904 1kΩ 2N3904
2N3904 2N3904

S2 S2
S1 S1
Key = A Key = A
Key = Space
Key = Space

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 Figura 19: Captura de pantalla de la
Figura 18: Captura de pantalla de la simulación
simulación del segundo circuito en la que se
del segundo circuito en la que se muestra el
muestra el comportamiento al cerrar el
comportamiento al cerrar el interruptor 1.
interruptor 2.

Error porcentual de la corriente reflejada durante la práctica.

Tabla 1

Error porcentual de la corriente reflejada para los valores de 1.6Ω, 250.8Ω, 500.7Ω, 750Ω y 956Ω
del potenciómetro.

𝑰𝟏 Valor del potenciómetro 𝑰𝒙 Error porcentual

1.6Ω 2.501mA -17.1%
250.8Ω 2.487mA -16.4%
2.136mA 500.7Ω 2.433mA -13.9%
750Ω 2.378mA -11.3%
955Ω 2.323mA -8.75%

Como se puede observar en los datos presentados en la Tabla 1 a medida que se aumenta el valor
del potenciómetro disminuye el error porcentual ya que ante una mayor resistencia se realiza una
pérdida en la corriente replicada por los transistores la cual generalmente es mayor a la corriente
de referencia, por lo que a mayor sea la resistencia, más se acerca el valor de la corriente reflejada
al valor de la corriente de referencia.

Error porcentual de la corriente reflejada durante la simulación

Tabla 2

Error porcentual de la corriente reflejada para los valores de 0Ω, 250Ω, 500Ω, 750Ω y 1kΩ del
potenciómetro.

𝑰𝟏 Valor del potenciómetro 𝑰𝒙 Error porcentual

0Ω 3.107mA -4.4%
250Ω 3.077mA -3.39%
2.976mA 500Ω 3.047mA -2.39%
750Ω 3.017mA -1.38%
1kΩ 2.989mA -0.44%

Como se puede observar en los datos presentados en la Tabla 2 ocurre el mismo efecto que en los
datos mostrados en la Tabla 1, por lo que a mayor sea el valor de la resistencia más cercano es el
valor de la corriente reflejada al valor de la corriente de referencia.

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 Procedimientos teóricos:
Espejo de corriente
2
5V 5V 𝑉𝐺𝑆
𝐼1 = 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑝
R3
Q1 1kΩ 50 % Ya que 𝑉𝐺 = 𝑉𝑆 pues las terminales se encuentran unidas,
2N5457 Key=A
𝑉𝐺𝑆 = 0
𝐼𝐺 𝐼1
2𝐼𝐵 Por lo que 𝐼1 = 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆
a 𝐼𝐶1
𝐼𝐶2
Sea 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 3𝑚𝐴, según la hoja de datos del transistor
Q2 𝐼𝐵2 𝐼𝐵1 Q3 2N5457 (Figura 21), entonces
2N3904 2N3904
𝐼1 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 3𝑚𝐴

Figura 20: Diagrama esquemático del

Circuito Espejo de Corriente utilizado
durante la práctica.

Aplicando Ley de Corriente de Kirchoff en el nodo a:

𝐼1 + 𝐼𝐺 = 𝐼𝐶2 + 2𝐼𝐵

Debido a que la corriente en la terminal Gate del JFET es muy pequeña esta es considerada un valor
despreciable, por lo que la ecuación se reduce a:

𝐼1 = 𝐼𝐶2 + 2𝐼𝐵

Debido a que los dos transistores BJT poseen las mismas características de corriente en la base,
caída de voltaje Base- Emisor y misma ganancia de voltaje, 2𝐼𝐵 puede expresarse en términos de la
corriente en el colector de ambos, la cual es la misma por las condiciones anteriormente
mencionadas.

2𝐼𝐶
𝐼1 = 𝐼𝐶 +
𝛽

2
𝐼1 = 𝐼𝑐 (1 + )
𝛽
2
𝛽
es un valor muy pequeño, por lo que es considerado un valor despreciable al igual que 1. Entonces
se obtiene que:

𝐼1 = 𝐼𝑐

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Y sabiendo que 𝐼𝑐 = 𝐼𝑥 , finalmente se obtiene que:

𝐼1 = 𝐼𝑥 = 3𝑚𝐴

Comparación de resultados
Tabla 3
Tabla de comparación de los valores teóricos, de la simulación y experimentales de las corrientes
𝐼1 e 𝐼𝑥 para un valor de 𝑅𝑥 de aproximadamente 1kΩ.
Error Error Error
Valor Valor de la Valor
Parámetro porcentual porcentual porcentual
Teórico Simulación Experimental
𝜺𝑻−𝑺 𝜺𝑻−𝑬 𝜺𝑺−𝑬
𝑰𝟏 3mA 2.976mA 2.136mA 0.8% 28.8% 28.2%
𝑰𝒙 3mA 2.989mA 2.323mA 0.367% 22.6% 22.3%

Nota: 𝜀𝑇−𝑆 se refiere al error porcentual entre el valor teórico y el obtenido en la simulación.
𝜀𝑇−𝐸 se refiere al error porcentual entre el valor teórico y el obtenido durante la práctica.
𝜀𝑆−𝐸 se refiere al error porcentual entre el valor el obtenido en la simulación y el obtenido
durante la práctica.

A partir de los datos mostrados en la Tabla 3 es posible observar que existe un error porcentual
relativamente pequeño entre los valores teóricos y experimentales para ambas configuraciones
utilizadas durante la práctica. Esto se debe a que las ganancias son sumamente altas por lo que una
pequeña variación, que posiblemente haya ocurrido durante la simulación, no afectó sign

Conclusiones:
• Los amplificadores en configuración ya sea Darlington o de Par de Retroalimentación no
generan un cambio en el voltaje de una señal, ya que como se mostró en las gráficas
generadas por la simulación y del circuito físico la amplitud de la señal de salida es igual a la
de entrada e incluso no posee un desfase, y esto se demuestra en el análisis en AC de ambas
configuraciones. Sin embargo, la utilidad de estas configuraciones es que poseen una
extremadamente alta ganancia de corriente por lo que permiten amplificar de unas
unidades de microamperios a decenas e incluso centenas de miliamperios.
• Para ambas configuraciones el comportamiento del amplificador es prácticamente igual al
de un único amplificador pero con una ganancia de corriente sumamente mayor, sin

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 embargo, estas se diferencian entre sí debido a que en la configuración Darlington no se
produce un desfase en la señal de salida, mientras que en la configuración de Par de
Retroalimentación si, siendo este un desfase de 180°.

Bibliografía:
[1] “Transistor Darlington - ¿Qué es? Cómo Funciona? - Electrónica Unicrom”. Electrónica Unicrom.
Accedido el 27 de febrero de 2024. [En línea]. Disponible: https://unicrom.com/transistor-
darlington/

[2] “Amplificador Darlington”. Monografias.com. Accedido el 27 de febrero de 2024. [En línea].

Disponible: https://www.monografias.com/trabajos99/amplificador-darlington/amplificador-
darlington

[3] seglarmelkor. “Par de Retroalimentacion | PDF”. Scribd. Accedido el 27 de febrero de 2024. [En
línea]. Disponible: https://es.scribd.com/presentation/103755695/Par-de-retroalimentacion

[4] R. L. Boylestad, Electronic devices and circuit theory. Upper Saddle River, N.J: Pearson/Prentice
Hall, 2009.

[5] “▷ Transistor | ¿Qué es un y para qué sirven? | SDI”. SDI. Accedido el 28 de febrero de 2024. [En
línea]. Disponible: https://sdindustrial.com.mx/blog/que-es-un-transistor-para-que-sirve-y-como-
funciona/

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