Practica 4 TONATO
Practica 4 TONATO
Practica 4 TONATO
CARRERA
ELECTRÓNICA ☒
LABORATORIO
ELN2
ASIGNATURA
DISPOSITIVOS
PRÁCTICA DE LABORATORIO
Quito - Ecuador
AUTORES:
Stalin Tonato
[email protected]
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Índice
Objetivos……………………………………………………………………………………...…1
Objetivos Generales…………………………………………………………………………………………………..1.1
Objetivos específicos………………………………………………………………………………………………….1.2
Marco teórico……………………………………………………………………………………3
Cuestionario……………………………………………………………………………………..6
Conclusiones y recomendaciones………………………………………………………………7
Bibliografía…………………………………………………………………………………......8
Anexos (Fotografías)……………………………………………………………………………9
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TIEMPO
TEMA ASIGNATURA
PRACTICA No ESTIMADO
1 Aplicaciones no lineales del Dispositivos
2 horas
transistor Electrónicos
OBJETIVO Y PREPARATORIO
Distribución de Pines:
Pin 1: Base (B)
Pin 2: Colector (C)
Pin 3: Emisor (E)
Ganancia de Corriente (hfe): La ganancia de corriente, hfe (también
conocida como beta, β), suele estar en el rango de 40 a 250 para el
TIP122. Este valor puede variar según el fabricante y las condiciones
de operación.
Componentes básicos:
Etapas de funcionamiento:
Sin corriente en la bobina: Cuando no hay corriente en la bobina, el
campo magnético generado es débil o inexistente, y el interruptor del
relé está en su posición normal (abierta o cerrada, dependiendo del
diseño del relé).
EQUIPO Y MATERIALES.
MARCO TEÓRICO.
Condiciones de Corte
Como se mencionó, un transistor está en la región de corte cuando la unión base-emisor
no está polarizada en directa. Si se ignora la corriente de fuga, todas las corrientes son
cero y VCE es igual a VCC.
Condiciones de Saturación
Como ya lo aprendió, cuando la unión base-emisor está polarizada en directa y existe
suficiente corriente en la base para producir una corriente máxima en el colector, el
transistor está en saturación. La fórmula para la corriente de saturación de colector es
Puesto que VCE(sat) es muy pequeño comparado con VCC, casi siempre puede ser
despreciado. El valor máximo de la corriente en base requerida para producir
saturación es
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Normalmente, IB debe ser significativamente más grande que IB(mín) para garantizar
que el transistor esté en saturación.
PROCEDIMIENTO
4.1 Exposición del instructor sobre el objetivo y las tareas a cumplir durante la práctica.
4.2 Armar el circuito de la Figura 1. Tomar el valor de voltaje y corriente sobre la
bobina del relé.
Figura 1
Figura 2
CUESTIONARIO
5.1 Presente el circuito completo de la práctica y comente los resultados. Presentar
los valores de corriente y voltaje medidos.
Los datos obtenidos estuvieron a la par de lo esperado tanto el primer circuito como el
segundo con los ventiladores en la regio de corte y la de saturación todo funciono como
debía y con los datos que eran necesarios
INFORME
El informe que a entregarse debe contener la siguiente estructura base.
1. Tema.
2. Objetivos.
3. Equipo y materiales utilizados.
4. Marco teórico.
5. Actividades realizadas por el/los alumnos.
6. Plano de trabajo (Si se realizó alguna pieza).
7. Cuestionario
8. Conclusiones y recomendaciones.
9. Bibliografía.
10. Anexos (Fotografías).
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CONCLUSIONES
En esta práctica el transistor demostró ser un componente esencial y versátil en el
procesamiento de señales, ofreciendo una amplia gama de aplicaciones no lineales.
Desde la modulación de frecuencia hasta la generación de pulsos, el transistor permite
diseñar circuitos que realizan funciones específicas en sistemas de comunicación y
control.
Su capacidad para amplificar, modular y generar señales no solo ha revolucionado las
tecnologías de transmisión de información, sino que también ha permitido el desarrollo
de dispositivos electrónicos avanzados.
BIBLIOGRAFIAS
Coughlin, R. F., Driscoll, F. F., & Flores, G. A. (1999). Amplificadores operacionales y circuitos
integrados lineales (Vol. 5). Prentice Hall.
CARDOZA, L., INZUNZA, E., LOPEZ, R. M., GARCIA, E. E., OLGUIN, J. E., & HERNANDEZ,
J. M. Diseño de Amplificadores de mediana potencia para aplicaciones WiMAX.
López, J. R. M. (2014). Comparación de modelos lineales en modo pulsado y no pulsado de
transistores GaN de potencia.
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ANEXOS
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