Ins. Semi Conductores
Ins. Semi Conductores
Ins. Semi Conductores
INGENIERÍA EN
SEMICONDUCTORES DEL
en Semiconductores
TECNOLÓGICO
del Tecnológico
NACIONAL DE MÉXICO
Nacional de México
DIRECTORIO
i
PRESENTACIÓN
ii
Estancias y movilidad para desarrollo de investigación, actualización de
conocimientos, desarrollo tecnológico y certificación de competencias
profesionales y especializadas. Programa permanente de intercambio de
buenas prácticas y experiencias con empresas y universidades involucradas en
el nearshoring.
En materia de vinculación consideramos de alto impacto, generar una serie de
convenios de colaboración con universidades, empresas y centros de
investigación para promover el intercambio de conocimientos, capacitación,
certificación, investigación, desarrollo tecnológico, movilidad de estudiantes y
docentes de nivel licenciatura y posgrado con países de América del Norte
como son EUA y CANADA, en Asia con Taiwan, Japón y China. Aprovechar el
marco que proveen los tratados de libre comercio en cuanto a la participación
de instituciones de educación superior como lo es el Tecnológico Nacional de
México.
Ramón Jiménez López
Director General del Tecnológico Nacional de México
iii
ÍNDICE DE FIGURAS
iv
ÍNDICE DE CONTENIDO
DIRECTORIO ........................................................................................................................................................I
PRESENTACIÓN................................................................................................................................................ II
1. INTRODUCCIÓN ........................................................................................................................................ 1
2. ANTECEDENTES ........................................................................................................................................5
3. FUNDAMENTACIÓN................................................................................................................................ 11
v
7. ALIANZAS ESTRATÉGICAS ................................................................................................................183
8. COLABORADORES ...............................................................................................................................185
vi
1. INTRODUCCIÓN
1
privado y social; en este sentido, es de vital relevancia responder a las
necesidades del entorno, por lo que el TecNM se ha involucrado de manera
dinámica en el proyecto estratégico del país llamado Plan Sonora de Energías
Sostenibles.
2
en Minería, Ingeniería en Geociencias, Ingeniería en Nanotecnología, Ingeniería
Química, Ingeniería en Sistemas Automotrices e Ingeniería Mecánica con un
total de 225,303 estudiantes inscritos actualmente.
3
• Promover la formación de investigadores especialistas y expertos en
tópicos de Semiconductores.
• Concentrar la investigación de desarrollo tecnológico generada por los
diferentes Institutos Tecnológicos y Centros adscritos al TecNM en temas
de Semiconductores.
4
2. ANTECEDENTES
Derivado de la suma de esfuerzos del gobierno federal por construir una nación
acorde al humanismo mexicano, el Tecnológico Nacional de México responde
al llamado de la Secretaría de Educación Pública atendiendo la creación de
diversos programas de educación en materia de semiconductores, con la
finalidad de identificar las áreas de oportunidad y cooperación entre
instituciones para fortalecer el ecosistema en el que las diferentes ofertas
educativas se complementan y nutren.
5
Semiconductores del TecNM. La Coordinación Nacional es un órgano colegiado
de diferentes Institutos Tecnológicos que integra equipos de investigadores
por cada área temática, para formar recursos humanos altamente capacitados
en el área de semiconductores y diseño de circuitos integrados (Analógicos,
Digitales y Modo Mixto), equipos capaces de realizar investigación básica y
aplicada e incorporarse a las actividades docentes, contribuyendo al desarrollo
tecnológico de los Semiconductores.
6
investigación aplicada en la cadena de valor de la industria
estratégica, asociada a los semiconductores en nuestro país para el
desarrollo de la competencia a nivel mundial.
- Los módulos de especialidad para programas educativos afines al
área de los semiconductores. Especialidad 1. Diseño de Materiales
Semiconductores para dispositivos electrónicos, Especialidad 2.
Fabricación de Dispositivos Electrónicos y Circuitos Integrados,
Especialidad 3. Diseño de Circuitos Integrados y Especialidad 4.
Diseño de Sistemas Embebidos.
- La nueva carrera de nivel licenciatura del TecNM. Ingeniería en
Semiconductores, inició a partir del ciclo escolar 2023-2024 (agosto de
2023).
- Programas de posgrado. Dirigido a estudiantes, egresados, docentes
y profesionistas en general, con el objetivo de fortalecer sus
habilidades en el área de semiconductores.
- La especialización a nivel de posgrado. Dirigida a egresados TecNM
y público en general con perfiles específicos, la cual Inicia en agosto
de 2023.
- Programas de Maestría y Doctorado en el área de semiconductores.
• Diseño de Laboratorios Nacionales en Espacio Común. El TecNM
diseña la estrategia para sumar capacidades de los Institutos
Tecnológicos para conformar los Laboratorios Nacionales CONAHCYT.
7
desarrollo en la que se encuentra Sonora, derivado del potencial y la
trascendencia de lo que implica la industria de semiconductores, destacando
el reto que significa, la manera en que concibe el sistema educativo, el
aprovechamiento de las fuentes de energía emergentes, así como las
perspectivas de desarrollo de la fuerza laboral en la entidad con base a la
industria de semiconductores. Se conocieron los detalles del Plan Sonora de
Energías Sostenibles que, con su estrategia de energía limpia, infraestructura y
desarrollo de talento, crea el entorno ideal para el establecimiento de la cadena
de suministro del proceso final de semiconductores, a partir de un ecosistema
sostenible de los sectores estratégicos: Energía; Infraestructura Estratégica;
Minerales Críticos; y Capital Humano.
8
y 19 de mayo de 2023 en Washington D.C., en la que Canadá, Estados Unidos y
México reconocieron que la cadena de suministro de semiconductores es
fundamental para la seguridad y la competitividad económica.
9
En este rubro, la delegación mexicana del TecNM participó haciendo referencia
a la importancia que tiene el Tecnológico Nacional de México en la capacidad
de participar en este tema y el potencial de fuerza laboral para la Industria en
la materia que representan los egresados en carreras afines. Los
representantes del TecNM comentaron también la creación del Diplomado
Nacional en Semiconductores por parte del TecNM, en colaboración con el Plan
Sonora, el cual inició en modalidad a distancia y gratuito el 29 de mayo de 2023
para estudiantes, docentes, egresados, profesionistas y público en general.
Además del Diplomado se diseñaron los módulos de Especialidad para
programas educativos afines a Semiconductores, la Ingeniería en
Semiconductores y los programas de Posgrado en Semiconductores, los cuales
se ofertaron a partir de agosto de 2023.
10
3. FUNDAMENTACIÓN
11
cerraron temporalmente. Esta crisis puso en evidencia las debilidades de una
industria que se ha convertido en tema de seguridad nacional para los países
más industrializados a nivel mundial. Además, ha supuesto un punto de
inflexión para los Estados Unidos, que hasta épocas recientes dominaban el
mercado tecnológico en materia de desarrollo de circuitos integrados. En este
sentido promulgan la Ley Chips en 2022, a fin de impulsar la industria de los
semiconductores en Norteamérica (USA, Canadá y México), con la intención de
formar un bloque de desarrollo tecnológico en el área de los semiconductores
entre los tres países.
12
han traído capacidades tecnológicas de proceso y de organización de la
producción, pero se requiere formar ingenieros con más énfasis, primero en el
sector de manufactura de materiales semiconductores y circuitos integrados,
por otro lado, aprovechando este punto de inflexión derivado de la iniciativa de
los Estados Unidos, iniciar con una formación en las áreas de diseño de circuitos
integrados. La ubicación geográfica de nuestro país y los acuerdos comerciales
con los principales mercados del mundo serán de suma importancia para
lograr esta meta.
13
4. ESTRUCTURA DEL PLAN DE ESTUDIOS DE INGENIERÍA EN
SEMICONDUCTORES ISEM-2023 244
14
15
4.2 Objetivo del plan de estudios
16
Para lograrlo, los Instituto Tecnológicos que forman parte del Tecnológico
Nacional de México ofrecen:
• Una formación acorde con la idea de carrera genérica que deriva en una
gran amplitud para el campo de trabajo del egresado.
• Una preparación actualizada de los egresados, acorde con las
necesidades regionales, mediante un plan de estudios flexible que
garantice una sólida formación en el campo básico de la Ingeniería en
Semiconductores y que permite también profundizar o ampliar en
alguna área o campo de aplicación específico, para atender las distintas
demandas del entorno; su revisión periódica para su actualización tanto
en sus contenidos como en su orientación.
• Un programa de equipamiento permanente para contar con sistemas y
equipos necesarios, así como alianzas estratégicas con otras instituciones
que faciliten la ampliación de la infraestructura disponible.
• Una estrecha vinculación institucionalizada con centros de desarrollo de
ingeniería e investigación del Sistema de Centros Públicos de
Investigación del Consejo Nacional de Humanidades, Ciencia y
Tecnología, CONAHCYT, contribuyendo al desarrollo del sector
productivo del país a través de proyectos de investigación, desarrollo e
innovación, así como servicios tecnológicos especializados de alto nivel.
• Sistemas de apoyo para adquirir información actualizada y de distintas
fuentes y países.
• El desarrollo de actividades que fomenten la creatividad en la solución
innovadora de problemas en el ámbito de la Ingeniería en
Semiconductores y que fortalezcan el dominio de conocimiento de las
ciencias básicas en que se apoya estos programas educativos (Eventos
Nacionales de Innovación, concursos, congresos, ferias, etc.).
17
• Un conjunto de actividades extracurriculares académicas, cívicas,
culturales y deportivas que favorece una formación integral del
estudiantado.
18
para estar a la vanguardia en los cambios científicos y tecnológicos que
se dan en el ejercicio de su profesión, liderando equipos diversos e
inclusivos en entornos multidisciplinarios, presenciales, remotos y
distribuidos.
7. Fundamenta, realiza y colabora en proyectos de investigación para
desarrollar soluciones a problemas de ingeniería complejos
considerando el desarrollo sostenible y el bienestar humano.
8. Modela y simula sistemas electrónicos para predecir su comportamiento
empleando conocimientos de las matemáticas, ciencias naturales y los
fundamentos de la ingeniería en plataformas computacionales.
19
4.4 Retícula
Esta retícula incluye los nombres de cada una de las asignaturas, el número de
horas de teoría y de práctica que corresponden a cada una de ellas, así como
los créditos que se le asignan a cada una; así mismo, apunta los espacios
correspondientes a la especialidad, servicio social, residencia profesional y
actividades complementarias.
20
Las asignaturas del sector de formación genérica están ubicadas con base en
relaciones temporales entre ellas.
Total de Horas
Área HT HP Horas Créditos
del área
Asignatura Semana/semestre SATCA
Académica académica
Cálculo Diferencial 3 2 5/80 5
Cálculo Integral 3 2 5/80 5
Álgebra Lineal 3 2 5/80 5
Cálculo Vectorial 3 2 5/80 5
Probabilidad y 3 1 4/64 4 912
Ciencias Básicas
Estadística
Electromagnetismo 3 2 5/80 5
Ecuaciones 3 2 5/80 5
Diferenciales
Tópicos Selectos de 3 1 4/64 4
Física
Análisis Numérico 2 2 4/64 4
Química I 3 1 4/64 4
Física Moderna 2 1 3/48 3
Química II 3 2 5/80 5
Introducción a la 2 1 3/48 3
Ingeniería de
Semiconductores
21
Total de Horas
Área HT HP Horas Créditos
del área
Asignatura Semana/semestre SATCA
Académica académica
Mediciones Eléctricas 2 3 5/80 5
Física de 3 2 5/80 5
Semiconductores
Programación 2 3 5/80 5
Ciencias de la
Estructurada 560
Ingeniería
Total de
Área Horas Créditos
HT HP Horas del área
Académica Asignatura Semana/semestre SATCA académica
Taller de Ética 0 4 4/64 4
Desarrollo Humano 2 2
4/64 4
y 336
Ciencias
Sociales
Fortaleci
mientoProfesional
Desarrollo Sustentable 2 3 5/80 5
Taller de Investigación I 2 2 4/64 4
Taller de Investigación II 1 3 4/64 4
Total de
Área Horas Créditos
HT HP Horas del área
Académica Asignatura Semana/semestre SATCA académica
Taller de Liderazgo 0 3 3/48 3
Administrativas
Gerencial
Económico -
Conocimiento
Economía 2 1 3/48 3
Total de
Área Horas Créditos
HT HP Horas del área
Académica Asignatura Semana/semestre SATCA
académica
Temas Selectos de 3 2
Fabricación de 5/80 5
IngenieríaAplicada
Cadena de valorde
Semiconductores
Fabricación
22
Total de
Área Horas Créditos
HT HP Horas del área
Académica Asignatura Semana/semestre SATCA académica
Física del Estado Sólido 3 2 5/80 5
Tecnología de 3 1 4/64 4
Semiconductores
Cadena de
Materiales
Ingeniería
Aplicada
valorde
Total de
Área Horas Créditos
HT HP Horas del área
Académica Asignatura Semana/semestre SATCA
académica
Instrumentación 3 2
5/80
Cadena de valor de Diseño
5
Diodos y Transistores 3 2
Ingeniería Aplicada
5/80 5
Diseño con Transistores 3 2 560
5/80 5
Amplificadores 3 2
5/80 5
Operacionales
Electrónica de Potencia 3 2
5/80 5
Diseño Digital con HDL 3 2
5/80 5
Microcontroladores 3 2
5/80 5
23
4.5 Programas de asignaturas
24
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Cálculo Diferencial
Clave de la asignatura: ACF – 0901
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Todas las Carreras
Competencia a desarrollar
Plantea y resuelve problemas utilizando las definiciones de límite y derivada de
funciones de una variable para la elaboración de modelos matemáticos aplicados.
Temario
No Temas Subtemas
1.1 Los números reales.
1.2 Axiomas de los números reales.
1.3 Intervalos y su representación gráfica
1.4 Valor absoluto y sus propiedades.
1 Números reales. 1.5 Propiedades de las desigualdades.
1.6 Resolución de desigualdades de primer y segundo
grado con una incógnita.
1.7 Resolución de desigualdades que incluyan valor
absoluto.
2.1 Definición de variable, función, dominio y
rango.
2.2 Función real de variable real y su
representación gráfica.
2.3 Función inyectiva, suprayectiva y biyectiva.
2.4 Funciones algebraicas: polinomiales y racionales.
2.5 Funciones trascendentes: trigonométricas,
2 Funciones.
logarítmicas y exponenciales.
2.6 Funciones escalonadas.
2.7 Operaciones con funciones: adición,
multiplicación, división y composición.
2.8 Función inversa.
2.9 Función implícita.
2.10 Otro tipo de funciones.
3.1 Noción de límite.
3.2 Definición de límite de una función.
3.3 Propiedades de los límites.
3.4 Cálculo de límites.
3 Límites y continuidad. 3.5 Límites laterales.
3.6 Límites infinitos y límites al infinito.
3.7 Asíntotas.
3.8 Continuidad en un punto y en un intervalo.
3.9 Tipos de discontinuidades.
25
3.1 Interpretación geométrica de la derivada.
3.2 Incremento y razón de cambio.
3.3 Definición de la derivada de una función.
3.4 Diferenciales.
4 Derivadas.
3.5 Cálculo de derivadas.
3.6 Regla de la cadena.
3.7 Derivada de funciones implícitas.
3.8 Derivadas de orden superior.
5.1 Recta tangente y recta normal a una curva
en un punto.
5.2 Teorema de Rolle y teoremas del valor
medio.
5.3 Función creciente y decreciente.
5.4 Máximos y mínimos de una función.
5.5 Criterio de la primera derivada para máximos y
mínimos.
Aplicaciones de la 5.6 Concavidades y puntos de inflexión.
5
derivada. 5.7 Criterio de la segunda derivada para
máximos y mínimos.
5.8 Análisis de la variación de una función.
Graficación.
5.9 Problemas de optimización y de tasas
relacionadas.
5.10 Cálculo de aproximaciones usando
diferenciales.
5.11 La regla de L’Hôpital.
26
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Cálculo Integral
Clave de la asignatura: ACF – 0902
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Todas las Carreras
Temario
No. Temas Subtemas
1.1 Medición aproximada de figuras amorfas.
1.2 Notación sumatoria.
1.3 Sumas de Riemann.
1.4 Definición de integral definida.
Teorema fundamental 1.5 Teorema de existencia.
1
del cálculo. 1.6 Propiedades de la integral definida.
1.7 Función primitiva.
1.8 Teorema del valor intermedio.
1.9 Teorema fundamental del cálculo.
1.10 Cálculo de integrales definidas básicas.
2.1 Definición de integral indefinida.
2.2 Propiedades de integrales indefinidas
2.3 Cálculo de integrales indefinidas.
Métodos de 2.3.1 Directas.
2 integración e integral 2.3.2 Cambio de variable.
indefinida. 2.3.3 Por partes.
2.3.4 Trigonométricas.
2.3.5 Sustitución trigonométrica.
2.3.6 Fracciones parciales.
3.1 Áreas.
3.1.1 Área bajo la gráfica de una función.
3.1.2 Área entre las gráficas de funciones.
Aplicaciones de la
3 3.2 Longitud de curvas.
integral.
3.3 Cálculo de volúmenes de sólidos de revolución.
3.4 Integrales impropias.
3.5 Aplicaciones.
4.1 Definición de sucesión.
4.2 Definición de serie.
4.2.1 Finita
4.2.2 Infinita
4 Series.
4.3 Serie numérica y convergencia. Criterio de
la razón. Criterio de la raíz. Criterio de la
integral.
4.4 Series de potencias.
27
4.5 Radio de convergencia.
4.6 Serie de Taylor.
4.7 Representación de funciones mediante la serie de
Taylor.
4.8 Cálculo de integrales de funciones
expresadas como serie de Taylor.
28
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Algebra Lineal
Clave de la asignatura: ACF-0903
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Todas las Carreras
Competencia desarrollar
Resuelve problemas de modelos lineales aplicados en ingeniería para la toma de decisiones
de acuerdo a la interpretación de resultados utilizando matrices y sistemas de ecuaciones.
Analiza las propiedades de los espacios vectoriales y las transformaciones lineales para
vincularlos con otras ramas de las matemáticas y otras disciplinas.
Temario
No. Temas Subtemas
1.1 Definición y origen de los números
complejos.
1.2 Operaciones fundamentales con números
complejos.
1.3 Potencias de “i”, módulo o valor absoluto
1 Números complejos.
de un número complejo.
1.4 Forma polar y exponencial de un número complejo.
1.5 Teorema de De Moivre, potencias y
extracción de raíces de un número complejo.
1.6 Ecuaciones polinómicas.
2.1 Definición de matriz, notación y orden.
2.2 Operaciones con matrices.
2.3 Clasificación de las matrices.
2.4 Transformaciones elementales por reglón.
Escalonamiento de una matriz. Núcleo y rango de
una matriz.
2 Matrices y determinantes.
2.5 Cálculo de la inversa de una matriz.
2.6 Definición de determinante de una matriz.
2.7 Propiedades de los determinantes.
2.8 Inversa de una matriz cuadrada a través
de la adjunta.
2.9 Aplicación de matrices y determinantes.
3.1 Definición de sistemas de ecuaciones
lineales.
3.2 Clasificación de los sistemas de
ecuaciones lineales y tipos de solución.
Sistemas de ecuaciones
3 3.3 Interpretación geométrica de las
lineales.
soluciones.
3.4 Métodos de solución de un sistema de
ecuaciones lineales: Gauss, Gauss-Jordan, inversa
de una matriz y regla de Cramer.
29
3.5 Aplicaciones.
4.1 Definición de espacio vectorial.
4.2 Definición de subespacio vectorial y sus
propiedades.
4.3 Combinación lineal. Independencia lineal.
4.4 Base y dimensión de un espacio vectorial, cambio
4 Espacios vectoriales.
de base.
4.5 Espacio vectorial con producto interno y
sus propiedades
4.6 Base ortonormal, proceso de ortonormalización de
Gram-Schmidt.
5.1 Definición de transformación lineal.
5.2 Núcleo e imagen de una transformación
lineal.
5 Transformaciones lineales 5.3 Representación matricial de una transformación
lineal.
5.4 Aplicación de las transformaciones
lineales: reflexión, dilatación, contracción y rotación.
30
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Cálculo Vectorial
Clave de la asignatura: ACF – 0904
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Todas las Carreras
Competencia a desarrollar
Aplica los principios y técnicas básicas del cálculo vectorial para resolver problemas de
ingeniería del entorno.
Temario
No. Temas Subtemas
1.1 Definición de un vector en el plano y en el espacio y
su interpretación geométrica.
1.2 Álgebra vectorial y su geometría.
1 Vectores en el espacio. 1.3 Producto escalar y vectorial.
1.4 Ecuación de la recta.
1.5 Ecuación del plano
1.6 Aplicaciones.
2.1 Ecuaciones paramétricas de algunas curvas planas y
su representación gráfica.
Curvas planas,
2.2 Derivada de una curva en forma
ecuaciones
paramétrica.
2 paramétricas y
2.3 Tangentes a una curva.
coordenadas
2.4 Área y longitud de arco.
polares.
2.5 Curvas planas y graficación en coordenadas polares.
2.6 Cálculo en coordenadas polares.
3.1 Definición de función vectorial de una
variable real.
3.2 Límites y continuidad de una función
vectorial.
Funciones vectoriales de
3.3 Derivada de una función vectorial.
3 una
3.4 Integración de funciones vectoriales.
variable real.
3.5 Longitud de arco.
3.6 Vectores tangente, normal y binormal.
3.7 Curvatura.
3.8 Aplicaciones.
4.1 Definición de una función de varias
variables.
4.2 Gráfica de una función de varias variables.
Funciones reales de 4.3 Curvas y superficies de nivel.
4 varias 4.4 Límite y continuidad de una función de
variables. varias variables.
4.5 Derivadas parciales.
4.6 Incrementos y diferenciales.
4.7 Regla de la cadena y derivada implícita.
31
4.8 Derivadas parciales de orden superior.
4.9 Derivada direccional y gradiente.
4.10 Valores extremos de funciones de varias variables
5.1 Cálculo de áreas e integrales dobles.
5.2 Integrales iteradas.
5.3 Integral doble en coordenadas rectangulares.
5.4 Integral doble en coordenadas polares.
5.5 Integral triple en coordenadas
rectangulares. Volumen.
5 Integración múltiple.
5.6 Integral triple en coordenadas cilíndricas y esféricas.
5.7 Campos vectoriales.
5.8 La Integral de línea.
5.9 Divergencia, rotacional, interpretación geométrica y
física.
5.10 Teoremas de integrales. Aplicaciones.
32
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Probabilidad y Estadística
Clave de la asignatura: AEE-1051
SATCA1: 3-1-4
Carrera: Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electromecánica,
Ingeniería Electrónica, Ingeniería Aeronáutica e
Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1.1 Población y muestra aleatoria.
1.2 Obtención de datos estadísticos.
1.3 Medidas de tendencia central.
1.4 Medidas de dispersión.
1.5 Tabla de distribución de frecuencias.
1 Estadística descriptiva.
1.6 Cuantiles.
1.7 Gráficos.
1.8 Cajas y alambres.
1.9 Diagrama de Pareto.
1.10 Uso de software.
2.1 Probabilidad de eventos.
2.2 Espacio muestral.
2.3 Ocurrencia de eventos.
2.4 Permutaciones y combinaciones
2 Probabilidad
2.5 Diagramas de árbol.
2.6 Axiomas de probabilidad.
2.7 Teorema de Bayes
2.8 Independencia y probabilidad condicional.
3.1 Variables aleatorias y su clasificación.
3.2 Distribuciones de probabilidad discretas
3.3 Distribución Hipergeométrica.
Funciones de distribución 3.4 Distribución de Poisson.
3 de 3.5 Distribuciones de probabilidad continua.
probabilidades 3.6 Distribución t.
3.7 Distribución Chi-cuadrada.
3.8 Distribución F.
3.9 Esperanza matemática.
4.1 Inferencia estadística.
4 Estadística inferencial
4.2 Muestreo estadístico.
33
4.3 Estimadores.
4.4 Estimación puntual.
4.5 Estimación por intervalo.
4.6 Errores tipo I y II.
4.7 Contraste de hipótesis unilateral y bilateral
5.1 Control de calidad.
5.2 Diagrama de dispersión.
5.3 Regresión lineal simple.
5.4 Correlación.
5.5 Determinación y análisis de los coeficientes de
5 Regresión y correlación.
correlación y de determinación.
5.6 Distribución normal bidimensional.
5.7 Intervalos de confianza y pruebas para el
coeficiente de correlación.
5.8 Errores de medición
34
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Electromagnetismo
Clave de la asignatura: AEF-1020
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Mecatrónica, Ingeniería
Mecánica, Ingeniería Bioquímica, Ingeniería
Electrónica, Ingeniería en Nanotecnología, Ingeniería
en Energías Renovables, Ingeniería Biomédica,
Ingeniería Aeronáutica e Ingeniería en
Semiconductores.
Temario
No. Temas Subtemas
1.1 La carga eléctrica.
1.2 Conductores y Aislantes Eléctricos.
1 Electroestática 1.3 Interacción Eléctrica.
1.4 El campo Eléctrico.
1.5 La Ley de Gauss.
2.1 Energía Potencial Electrostática.
2.2 Potencial electrostático.
2.3 Capacitancia.
2 Energía Electroestática 2.4 Capacitores en serie, paralelo y mixtos
2.5 Dieléctricos en Campos Eléctricos.
2.6 Momento Dipolar Eléctrico.
2.7 Polarización Eléctrica.
3.1 Definición de Corriente Eléctrica.
3.2 Vector Densidad de Corriente.
3.3 Ecuación de Continuidad.
3.4 Ley de Ohm.
3.5 Resistencias en serie, paralelo y mixtos.
3 Corriente Eléctrica
3.6 Ley de Joule.
3.7 Fuerza Electromotriz (fem).
3.8 Leyes de Kirchhoff.
3.9 Resistividad y efectos de la Temperatura.
3.10 Circuito R-C en Serie.
4 El campo magnético 4.1 Interacción Magnética.
35
4.2 Fuerza Magnética entre Conductores.
4.3 Ley de Biot-Savart.
4.4 Ley de Gauss del Magnetismo.
4.5 Ley de Ampere.
4.6 Potencial Magnético.
4.7 Corriente de desplazamiento (término de Maxwell)
5.1 Deducción de la Ley de Inducción de Faraday.
5.2 Autoinductancia.
Inducción 5.3 Inductancia Mutua.
5
Electromagnética 5.4 Inductores en Serie, Paralelo y Mixtos.
5.5 Circuito R-L.
5.6 Energía Magnética.
6.1 Magnetización.
6.2 Intensidad Magnética.
Propiedades Magnéticas
6 6.3 Constantes Magnéticas.
de la Materia
6.4 Clasificación Magnética de los Materiales.
6.5 Circuitos Magnéticos.
36
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Ecuaciones Diferenciales
Clave de la asignatura: ACF-0905
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Todas las carreras
Competencia a desarrollar
Aplica los métodos de solución de ecuaciones diferenciales ordinarias para resolver
problemas que involucran sistemas dinámicos que se presentan en la ingeniería.
Temario
No. Temas Subtemas
1.1 Teoría preliminar.
1.1.1 Definiciones (Ecuación diferencial,
orden, grado, linealidad)
1.1.2 Soluciones de las ecuaciones
diferenciales.
1.1.3 Problema de valor inicial.
Ecuaciones diferenciales
1.1.4 Teorema de existencia y unicidad.
1 ordinarias
1.2 Ecuaciones diferenciales ordinarias.
de primer orden.
1.2.1 Variables separables y reducibles.
1.2.2 Homogéneas.
1.2.3 Exactas.
1.2.4 Lineales.
1.2.5 De Bernoulli.
1.3 Aplicaciones.
2.1 Teoría preliminar.
2.1.1 Definición de ecuación diferencial de
orden n.
2.1.2 Problemas de valor inicial.
2.1.3 Teorema de existencia y unicidad.
2.1.4 Ecuaciones diferenciales lineales
homogéneas.
2.1.4.1 Principio de superposición.
2.1.5 Dependencia e independencia lineal.
Ecuaciones diferenciales
Wronskiano.
2 lineales
2.1.6 Solución general de las ecuaciones
de orden superior.
diferenciales lineales homogéneas.
2.1.6.1 Reducción de orden.
2.2 Solución de ecuaciones diferenciales
lineales homogéneas de coeficientes
constantes.
2.2.1 Ecuación característica de una ecuación
diferencial lineal de orden superior.
2.3 Solución de las ecuaciones diferenciales
lineales no homogéneas.
37
2.3.1 Método de los coeficientes
indeterminados.
2.3.2 Variación de parámetros.
2.4 La ecuación diferencial de Cauchy-Euler.
2.5 Aplicaciones.
3.1 Teoría preliminar.
3.1.1 Definición de la transformada de
Laplace. Propiedades.
3.1.2 Condiciones suficientes de existencia
para la transformada de una función.
3.2 Transformada directa.
3.3 Transformada inversa.
3.4 Función escalón unitario.
3.5 Teoremas de traslación.
3 Transformada de Laplace. 3.6 Transformada de funciones multiplicadas por tn, y
divididas entre t.
3.7 Transformada de una derivada y derivada de una
transformada.
3.8 Teorema de convolución.
3.9 Transformada de una integral.
3.10 Transformada de una función periódica.
3.11 Transformada de la función delta de
Dirac.
3.12 Aplicaciones
4.1 Teoría preliminar.
4.1.1. Sistemas de ecuaciones diferenciales lineales.
4.1.2. Sistemas de ecuaciones diferenciales lineales
homogéneos.
4 Sistemas de 4.1.3. Solución general y solución particular de
ecuaciones diferenciales sistemas de ecuaciones diferenciales lineales.
lineales. 4.2 Métodos de solución para sistemas de ecuaciones
diferenciales lineales.
4.3 Método de los operadores.
4.4 Utilizando la transformada de Laplace.
3.13 Aplicaciones.
5.1 Teoría preliminar.
5 Introducción a las 5.2 Series de Fourier.
series de Fourier. 5.2.1 Series de Fourier en cosenos, senos y de medio
intervalo.
38
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Tópicos Selectos de Física
Clave de la asignatura: SEE-2330
SATCA1: 3-1-4
Ingeniería en Semiconductores
Carrera:
Temario
No. Temas Subtemas
1.1 Estándares de longitud, masa y tiempo
1 Conceptos
1.2 Materia y construcción de modelos
fundamentales
1.3 Análisis dimensional
1.4 Conversión de unidades
1.5 Estimaciones y cálculos de orden de
magnitud
1.6 Cifras significativas
2.1 Estática de los fluidos profundidad
2 Fluidos
2.1.1. Conceptos y propiedades de los fluidos.
2.1.2 Presión. Variación de la presión con la
profundidad
2.2 Ecuación de la hidrostática.
2.3 Principio de Arquímedes.
2.3.1. Empujes sobre superficies y cuerpos
sumergidos.
2.4 Efectos de la tensión superficial.
2.5 Dinámica de los fluidos.
2.5.1. Definiciones y características del
movimiento de los fluidos
3 Ondas 3.1 Ondas viajeras.
3.1.1. Tipos de Onda. Características.
3.1.2. Ondas viajeras unidimensionales.
3.1.3. Ondas senoidales. Transferencia de
energía.
3.1.4. Velocidad de onda y variables básicas
del movimiento ondulatorio.
3.2 Ondas sonoras.
3.2.1. Rapidez y propagación de ondas
longitudinales.
3.2.2. Intensidad del sonido.
3.2.3. Efecto Doppler.
39
3.3 El principio de superposición.
3.3.1. Interferencia de ondas senoidales
3.4 Ondas estacionarias.
3.4.1. Ondas estacionarias en columnas de aire.
3.4.2. Resonancia.
3.5 Ondas transversales en una cuerda.
3.5.1. Ecuación de onda de la cuerda vibrante.
3.6 Pulsaciones
4 Introducción a la 4.1 Ley cero de la termodinámica.
termodinámica 4.1.1. Temperatura.
4.2 Escalas de temperatura.
4.3 Expansión térmica de sólidos y líquidos.
4.4 Primera ley de la termodinámica.
4.4.1 Sistemas cerrados y abiertos.
4.4.2 Interacciones: calor y trabajo.
4.4.3 Capacidad calorífica y calor específico.
4.4.4 Energía interna y entalpía.
4.5 Modelo de gas ideal.
4.5.1. Cálculo de trabajo y de propiedades en
procesos.
4.6 Segunda ley de la termodinámica.
4.6.1.Entropía.
4.6.2. Máquinas térmicas. Ciclo de Carnot.
4.6.3. Potenciales termodinámicos.
Relaciones de Maxwell.
4.6.4. Ecuaciones generales para el cambio entropía
40
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Análisis Numérico
Clave de la asignatura: SEC-2301
SATCA1: 2-2-4
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Introducción. 1.1 Problemas matemáticos y sus soluciones
1.2 Importancia de los métodos numéricos
1.3 Tipos de errores
1.3.1 Definición de error
1.3.2 Error por redondeo
1.3.3 Error por truncamiento
1.3.4 Error numérico total
1.3.5 Errores humanos
1.4 Uso de herramientas computacionales
2 Solución de Ecuaciones 2.1 Teoría de un método iterativo
Algebraicas. 2.2 Raíz de una ecuación
2.2.1 Fundamento matemático
2.3 Métodos de intervalo
2.3.1 Método de bisección
2.3.2 Método de falsa posición
2.4 Métodos de punto fijo
2.4.1 Método de aproximaciones sucesivas
2.4.2 Método de la secante
2.4.3 Método de Newton-Raphson
2.5 División sintética
2.6 Uso de herramientas computacionales
41
4 Diferenciación e 4.1 Derivación numérica
integración numérica 4.1.1 Derivación de polinomios de Lagrange
4.2 Integración numérica
4.2.1 Método del trapecio
4.2.2 Método de Simpson
4.2.3 Integración de Romberg
4.2.4 Método aleatorio
4.3 Integración múltiple Uso de herramientas
computacionales.
42
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Química I
Clave de la asignatura: SEE-2321
SATCA1: 3-1-4
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Elementos químicos y su 1.1. Modelos de la estructura atómica.
clasificación 1.2. Características de la clasificación periódica
moderna de los elementos.
1.2.1. Tabla periódica larga y tabla cuántica.
1.3. Propiedades atómicas y su variación periódica.
1.3.1. Carga nuclear efectiva.
1.3.2. Radio atómico, radio covalente, radio iónico.
1.3.3. Energía de ionización.
1.3.4. Afinidad electrónica.
1.3.5. Número de oxidación.
1.3.6. Electronegatividad.
43
3 Reacciones químicas y 3.1 Clasificación de las reacciones.
estequiometría 3.2 Balanceo de reacciones químicas.
3.3 Leyes estequiométricas.
3.3.1 Unidades de medida usuales en
estequiometría.
44
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Física Moderna
Clave de la asignatura: AER-23-110
SATCA1: 2-1-3
Carrera: Ingeniería Eléctrica e Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Óptica 1.1 Naturaleza y propagación de la luz
1.2 Velocidad de la luz
1.3 Dualidad onda partícula
1.4 Leyes de reflexión y refracción
1.5 Reflexión interna total
1.6 Dispersión y polarización
1.7 Principio de Huygens
2 Óptica geométrica 2.1 Imágenes formadas por espejos.
2.2 Imágenes formadas por refracción.
2.3 Lentes delgadas.
2.4 Aplicaciones
3 Interferencia y difracción 3.1 Concepto de interferencia.
3.2 Experimento de la doble rendija de Young.
3.3 Cambio de fase por reflexión.
3.4 Difracción de ondas luminosas.
3.5 Polarización de ondas luminosas.
3.6 Aplicaciones
4 Teoría cuántica. 4.1 Hipótesis de Planck, Radiación de cuerpo negro.
4.2 Modelo atómico de Bohr.
4.3 Fotones y ondas electromagnéticas.
4.4 Propiedades ondulatorias de partículas.
4.5 Principio de incertidumbre.
4.6 Postulados de la mecánica cuántica.
4.7 Aplicaciones
5 Física nuclear 5.1 Conceptos básicos.
5.2 Radioactividad.
5.3 Reacciones nucleares.
5.4 Fisión nuclear.
5.5 Fusión nuclear.
5.6 Aplicaciones
45
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Química II
Clave de la asignatura: SEF-2322
SATCA1: 3 – 2 – 5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Teoría cuántica. 1.1 El átomo y sus partículas subatómicas.
1.1.1 Rayos catódicos y rayos anódicos.
1.1.2 Radiactividad.
1.2 Base experimental de la teoría cuántica.
1.2.1 Teoría ondulatoria de la luz.
1.2.2 Radiación del cuerpo negro y teoría de Planck.
1.2.3 Efecto fotoeléctrico.
1.2.4 Espectros de emisión y series espectrales.
1.3 Teoría atómica de Bohr.
1.3.1 Teoría atómica de Bohr-Sommerfeld.
1.4 Teoría cuántica.
1.4.1 Principio de dualidad. Postulado de De
Broglie.
1.4.2 Principio de incertidumbre de
Heisenberg.
1.4.3 Ecuación de onda de Schrödinger.
1.4.3.1 Significado físico de la función de
onda ψ2.
1.4.3.2Números cuánticos y orbitales atómicos.
1.5 Distribución electrónica en sistemas
polielectrónicos.
1.5.1 Principio de Aufbau o de construcción.
1.5.2 Principio de exclusión de Pauli.
1.5.3 Principio de máxima multiplicidad de Hund.
1.5.4 Configuración electrónica de los elementos y
su ubicación en la clasificación
periódica.
1.5.5 Principios de radiactividad.
1.6 Aplicaciones tecnológicas de la emisión electrónica
de los átomos
46
2 Introducción a la química 2.1 Estados de la materia.
del estado 2.2 Sólidos cristalinos y amorfos.
sólido 2.3 Diagramas de fases.
2.4 Modelos estructurales simples:
Empaquetamientos compactos y huecos.
2.5 Estructuras tipo.
2.6 Planos cristalográficos.
2.7 Índices de Miller.
2.8 Direcciones de celda.
2.9 Notaciones de planos.
2.10 Ley de Schmidt
3 Enlaces en metales y 3.1 Radios metálicos.
semiconductores. 3.2 Enlace en metales y semiconductores.
3.3 Conductividad eléctrica y resistividad.
3.4 Teoría de bandas de metales y aislantes.
3.5 Nivel de Fermi.
3.6 Teoría de bandas de semiconductores.
3.7 Semiconductores.
3.7.1 Semiconductores intrínsecos.
3.7.2 Semiconductores extrínsecos (tipo n- y p).
47
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Introducción a la Ingeniería de Semiconductores
Clave de la asignatura: SER-2315
SATCA1: 2-1-3
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1. Dinámica del Desarrollo 1.1 El yo personal y el yo profesional. Tu misión
Personal y Profesional. personal y Profesional.
1.2 Concepto y características del ingeniero en
semiconductores (IS).
1.3 Conjunción de saberes y habilidades del IS
1.4 Campo de acción del ingeniero en
Semiconductores
1.5 Identidad e imagen personal y profesional.
1.6 Ser y deber ser de la práctica profesional del IS.
1.7 Plan de vida y carrera del IS
2. Estudio del desarrollo de 2.1 Historia, desarrollo y estado actual de la
su profesión y su estado Ingeniería en Semiconductores.
actual 2.2 Los ámbitos del desarrollo de la profesión en el
contexto social, solidario y económico.
2.3 Las prácticas predominantes y emergentes de la IS
en el contexto local, nacional e internacional
3. Marco Teórico–jurídico de 3.1 Criterios para una profesión
la profesión del Ingeniero 3.2 Perfil profesional.
en Semiconductores 3.3 Dimensiones legales del ejercicio profesional.
3.4 Jurisprudencia que rige el ejercicio de las
profesiones en México (Ley Reglamentaria del
Artículo 5o. Constitucional).
3.5 Ética profesional.
3.6 Artículo 123 Constitucional.
3.7 Ley Federal del Trabajo.
4. Cadena de Valor de los 4.1 Introducción a los Semiconductores.
Semiconductores 4.2 Introducción a la fabricación de materiales
semiconductores y circuitos integrados.
4.3 Introducción al diseño de circuitos integrados.
4.4 Tecnologías emergentes.
4.4.1 Desarrollo de nuevos materiales
semiconductores.
4.4.2 Nuevas tecnologías de fabricación.
4.4.3 Arquitecturas de procesamiento y sistemas
embebidos.
4.5 Tópicos selectos de nuevas tecnologías.
48
CIENCIAS DE LA INGENIERÍA, 560 HORAS
49
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Mediciones Eléctricas
Clave de la asignatura: AED-23111
SATCA1: 2-3-5
Carrera: Ingeniería Electrónica e Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1.1. Sistema de unidades, patrones y calibración.
1 Conceptos básicos 1.2. Concepto de medida.
1.3. Precisión, exactitud y sensibilidad.
1.4. Errores en mediciones y su reducción.
1.5. Tipos de corriente eléctrica.
1.6. Formas de onda.
1.7. Frecuencia, período y amplitud.
1.8. Valor promedio, valor máximo, valor pico a pico y
valor eficaz.
1.9. Normas de seguridad en la medición de
variables eléctricas.
50
3.2.2 3. Potencia y energía en c.a.
3.3 Efectos de carga de los instrumentos en las ediciones.
3.3.1 Impedancia de los instrumentos de medición.
3.3.2 Sondas o puntas de prueba
51
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Física de Semiconductores
Clave de la asignatura: SEF-2310
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
Introducción a la física del 1.1. Propiedades y crecimiento de cristales
1 semiconductores.
semiconductor
1.1.1. Dopado.
1.2. Átomos y electrones.
1.3. Bandas de energía y portadores de carga en
semiconductores.
1.4. Portadores en exceso.
52
3.1.7 Diodo Avalancha.
3.1.8 Fotodetectores.
3.1.9 Fotoemisores.
53
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Programación Estructurada
Clave de la asignatura: SED-2319
SATCA1: 2-3-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No
Temas Subtemas
.
1 Fundamentos de 1.1 Clasificación de los lenguajes de programación.
programación 1.2 Diseño de algoritmos
1.2.1 Pseudocódigo.
1.2.2 Diagramas de flujo.
1.2.3 Uso de programas de simulación de
pseudocódigo y diagramas de flujo.
1.3 Compiladores en lenguajes de alto nivel.
54
3.1 Estructuras de condición
3 Estructuras de control 3.1.1 IF
3.1.2 IF/ELSE
3.1.3 IF/ELSIF
3.2 Estructuras de repetición.
3.2.1 WHILE
3.2.2 WHILE
3.2.3 FOR
3.3 Estructura de múltiple selección.
3.3.1 SWITCH. /CASE
3.3.2 3.4 Formulación y aplicación de algoritmos
utilizando estructuras de control.
55
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Circuitos Eléctricos
Clave de la asignatura: SEF-2303
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Conceptos básicos de 1.1 Elementos de circuitos básicos
circuitos 1.2 Leyes fundamentales
Eléctricos 1.2.1 Ley de Ohm
1.2.2 Leyes de Kirchhoff
1.3 Divisor de corriente y divisor de voltaje
1.4 Simplificación de circuitos serie, paralelo, serie-paralelo
y transformaciones estrella - delta.
1.5 Implementación física y Simulación de circuitos
básicos con software.
2 Técnicas de análisis de 2.1 Análisis de mallas y nodos
circuitos de CD 2.2 Transformación de fuentes
2.3 Teorema de superposición
2.4 Teorema de Thevenin y Norton.
2.5 Teorema de máxima transferencia de potencia.
2.6 Simulación de circuitos resistivos
2.7 Inductancia y capacitancia
2.7.1 Circuitos RLC serie y paralelo
2.8 Análisis de transitorios de circuitos RL.
2.9 Análisis de transitorios de circuitos RC.
2.10 Análisis de transitorios de circuitos RLC.
2.11 Simulación de circuitos RL, RC y RLC
3 Técnicas de análisis de 3.1 Características de la onda senoidal
circuitos de CA 3.2 Concepto de fasor y diagramas fasoriales
3.3 Concepto de impedancia y admitancia.
3.4 Análisis de mallas y nodos
3.5 Teorema de superposición.
3.6 Teorema de Thevenin y Norton
3.7 Teorema de máxima transferencia de
potencia
3.8 Simulación de circuitos de CA.
56
4 Análisis de potencia de 4.1 Potencia monofásica compleja (potencia Media,
circuitos potencia reactiva, potencia aparente).
monofásicos y trifásicos 4.2 Factor de potencia, triángulo de potencias y
corrección del factor de potencia.
4.3 Análisis de redes eléctricas por el método de
potencias.
4.4 Fuente trifásica
4.5 Cargas delta y estrella
57
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Programación Visual
Clave de la asignatura: SED-2320
SATCA1: 2-3-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Introducción a la 1.1 Aplicaciones visuales.
programación 1.2 Introducción a la programación orientada a objetos.
visual 1.3 Introducción a la programación orientada a eventos.
1.4 Interacción persona-ordenador.
1.5 Experiencia de usuario.
1.6 1APIs, Frameworks, IDEs y bindings.
2 Elementos básicos de las 2.1 Introducción al desarrollo de interfaces gráficas de
interfaces gráficas de usuario.
usuario. 2.2 Objetos básicos de interfaz gráfica:
2.1.1 Manejo de texto.
2.1.2 Botones.
2.1.3 Barras de desplazamiento.
2.1.4 Listas desplegables.
2.1.5 Cajas de verificación.
2.1.6 Cuadros de imágenes.
2.3 Diseño de interfaces utilizando objetos básicos.
3 Elementos avanzados de 3.1 Aplicación de objetos avanzados
las 3.1.1 Menús.
interfaces gráficas de 3.1.2 Cajas de diálogo.
usuario. 3.1.3 Controles de rango.
3.1.4 Temporizadores.
3.1.5 Barras de progreso.
3.1.6 Cuadros de diálogo predefinidos.
3.1.7 Otros.
3.2 Diseño de interfaces gráficas de usuario utilizando
objetos avanzados.
3.3 Organización y visualización de datos.
3.4 Asistentes para el desarrollo de
interfaces.
58
4 Desarrollo de interfaces 4.1 Introducción a la programación de puertos con
gráficas interfaces visuales.
de usuario aplicadas a 4.2 Desarrollo de aplicaciones con interfaces gráficas de
puertos. usuario con conectividad a puertos seriales y/o
paralelo.
5 Desarrollo de 5.1 Desarrollo de aplicaciones de interfaces gráficas en la
aplicaciones. adquisición de datos digitales y analógicos.
5.2 Desarrollo de interfaces gráficas aplicadas a sistemas
de control.
5.3 Desarrollo de aplicaciones de interfaces gráficas de
usuario aplicadas a procesos locales y remotos.
5.4 Manejo básico de base de datos con aplicación a
sistemas electrónicos
59
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Teoría Electromagnética
Clave de la asignatura: AEF-23113
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería Electrónica e Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Ecuaciones de Maxwelly 1.1 Introducción a la electrostática y magnetostática
Propagación de las desde un enfoque histórico para deducir las
ondas Electromagnéticas. Ecuaciones de Maxwell.
1.2 Forma integral y Diferencial de las Ecuaciones de
Maxwell y sus aplicaciones.
1.3 La ecuación de onda. Ondas viajeras y ondas
planas uniformes
1.4 Propagación de las Ondas Electromagnéticas
Planas en medios con y sin pérdidas.
1.5 Polarización, Potencia y Vector Poynting.
1.6 Reflexión de Ondas en incidencia normal y oblicua.
2 Líneas de Transmisión. 2.1 Ecuaciones y parámetros de las líneas de
transmisión.
2.2 Comportamiento de la línea de transmisión con
carga, Impedancia de entrada y Relación de Onda
Estacionaria.
2.3 Carta de Smith.
2.4 Acoplamiento de una línea de transmisión.
2.5 Análisis y diseño con líneas de transmisión.
2.6 Ecuaciones de Maxwell aplicadas a líneas de
transmisión. Líneas de transmisión de microcintas
3 Guías de onda. 3.1 Ecuaciones y parámetros de las guías de onda
rectangulares.
3.2 Análisis de los Modos magnéticos transversales
(MT).
3.3 Análisis de los Modos eléctricos transversales (ET).
3.4 Propagación de las ondas en la guía de onda.
3.5 Transmisión de potencia y atenuación.
3.6 Resonadores y filtros en las guías de onda.
60
4 Antenas. 4.1 Parámetros y características básicas de una antena.
4.2 Radiación.
4.3 Análisis del dipolo eléctrico elemental y de media
onda.
4.4 Análisis de otros tipos de antena especiales.
4.5 Adaptación de antenas.
4.6 Arreglos de antena.
4.7 Área efectiva y fórmula de transmisión de Friis.
61
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Comunicaciones digitales
Clave de la asignatura: SEF-2304
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores.
Temario
No. Temas Subtemas
1 Comunicación de Datos 1.1 Introducción a las comunicaciones digitales.
1.2 Taxonomía de datos.
1.3 Modelo OSI.
1.3.1 Protocolos de aplicación.
1.3.2 Protocolos de transporte.
1.3.3 Protocolos de red.
1.4 Medios físicos de transmisión de datos.
2 Protocolos de 2.1 Características generales de los protocolos
comunicación serial, capa seriales.
física. 2.2 Protocolos síncronos.
2.2.1 SPI.
2.2.2 I2C.
2.2.3 I2S.
2.3 Protocolos asíncronos.
2.3.1 UART.
2.3.2 LIN.
2.3.3 CAN.
2.3.4 USB.
2.3.5 Ethernet
3 Protocolos Inalámbricos 3.1 Bandas ISM.
de Radiofrecuencia (RF). 3.2 Esquemas de modulación.
3.1.1 ASK
3.1.2 FSK
3.1.3 QAM
3.3 Wi-Fi
3.4 Bluetooth.
3.5 LoRa.
3.6 RFID.
3.7 NFC.
62
4 Antenas. 4.1 Tipos de antenas.
4.2 Antenas impresas microstrip.
4.2.1 Características.
4.2.2 Métodos de polarización.
4.2.3 Configuraciones.
4.2.4 Fabricación.
4.3 Aplicaciones
63
CIENCIAS SOCIALES, 336 HORAS
64
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Taller de Ética
Clave de la asignatura: ACA-0907
SATCA1: 0-4-4
Carrera: Todas las carreras
Temario
No. Temas Subtemas
1. El sentido de aprender 1.1 Generalidades sobre ética.
sobre ética. 1.1.1 La ética, su objeto de estudio y su sentido
sociocultural.
1.1.2 El juicio moral y el juicio ético. 1.1.3 Valores éticos
fundamentales: verdad, responsabilidad justicia
y libertad
1.1.3 Derechos Humanos.
1.2 Significadoy sentido del comportamiento ético.
1.2.1 En el ámbito personal y social.
1.2.2 En el ámbito académico.
1.2.3 En el ejercicio de la ciudadanía.
65
3. Ética en el ejercicio de la 3.1 Consideraciones generales de la ética profesional
profesión. 3.1.1 Dimensiones, deberes e implicaciones de
la ética profesional
3.1.2 El profesionista y su ética en el ejercicio del
liderazgo
3.1.3 Dilemas éticos profesionales
3.2 Códigos de ética profesionales
3.2.1 Contenido, sentido e implicaciones de los
códigos de ética profesionales.
4. La ética en las 4.1 Proceder ético en las instituciones y organizaciones.
instituciones y 4.1.1 Código de ética de las instituciones y
organizaciones. organizaciones.
4.1.2 Casos concretos del proceder ético en las
instituciones y organizaciones.
4.2 La Responsabilidad social de las Instituciones y
organizaciones.
4.2.1 Desarrollo del concepto de
Responsabilidad social.
4.2.2 Contexto actual de la responsabilidad social.
4.3 Derechos humanos laborales.
4.3.1 Conceptos generales.
4.3.2 Observanciade los derechos humanos
laborales.
66
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Desarrollo Humano y Fortalecimiento Profesional
Clave de la asignatura: SEC-2305
SATCA1: 2-2-4
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1.1 Teoría del Desarrollo Humano.
1 Desarrollo Humano en el
ingeniero 1.2 Personalidad y raíces del comportamiento.
1.3 Teoría de las necesidades.
1.4 Las potencialidades del ser humano y factores que
afectan su desarrollo.
1.5 Recursos naturales del individuo.
1.6 Identificación de la realidad personal.
2.1 Autoconocimiento (biopsicosocial,
2 Estrategias para el
desarrollo de las cualidades y motivaciones)
potencialidades humanas 2.2 Salud mental, emocional y física
2.3 Relaciones y habilidades sociales
2.4 Los hábitos de las personas felices y altamente
efectivas.
2.5 Resiliencia
3.1 Aprendizaje continuo
Aprendizaje continuo y
3 3.2 Habilidades digitales y trabajo remoto
marca personal
3.3 Tendencias y plataformas tecnológicas para el
aprendizaje
3.4 Herramientas y tecnologías en el campo laboral
3.5 Tus saberes, habilidades y destrezas
3.6 Tu estilo de trabajo y el desarrollo de una marca
personal
4.1 Pensamiento divergente
4 Pensamiento lateral para
la creatividad e 4.2 Romper patrones
innovación 4.3 Generar Ideas
4.4 Conexión de ideas aparentemente no relacionadas
4.5 Enfoque en el proceso no en el resultado
4.6 Metodologías para la innovación
4.6.1 Triz (Teoría de la Resolución de Problemas
Inventivos)
4.6.2 Pensamiento de Diseño Design Thinking
67
4.6.3 Lienzo de Modelo de Negocio Business
Model Canvas
4.7 Valoración de la originalidad
5.1. Definición e importancia de las Redes de
5 Trabajo con Redes de
Contactos Contacto
5.1.1. Redes empresariales
5.1.2. Redes científicas y académicas
5.1.3. Redes gubernamentales
5.2. Desarrollo de una red de contacto en la
gestión de tecnología
5.3. Ventajas funcionales de las redes de contacto
5.4. Impacto de las redes de contacto
68
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Desarrollo Sustentable
Clave de la asignatura: ACD-0908
SATCA1: 2-3-5
Carrera: Todas las carreras
Competencia(s) a desarrollar
Competencia(s) específica(s) de la asignatura
Aplica una visión sustentable, en los ámbitos social, económico y ambiental que le
permitirá evaluar y disminuir el impacto de la sociedad sobre el entorno, tomando en
cuenta estrategias y considerando profesionalmente los valores ambientales.
Temario:
No. Temas Subtemas
3 Escenario socio-cultural
3.1 Sociedad, organización social
3.2 Cultura, diversidad socio-cultural
3.2.1 Desarrollo humano
3.2.2 Índice de desarrollo humano
3.2.3 Índice de desarrollo social
3.2.4 Desarrollo urbano y rural
69
3.3 Impacto de actividades humanas sobre la
naturaleza
3.4 Cambio climático global: causas y
consecuencias.
3.5 Estilos de vida y consumo
3.6 Estrategias de sustentabilidad para el escenario
socio-cultural
3.6.1 Carta de la tierra
3.6.2 Agenda 21
3.6.3 Política ambiental
4 Escenario económico 4.1 Economía y diversidad económica
4.2 Sistemas de producción (oferta y demanda)
4.3 Economía global vs economía local
4.4 Producto interno bruto (PIB), distribución del PIB
4.5 Externalización e internalización de costos
4.6 Obsolescencia planificada y percibida
4.7 Valoración económica de servicios ambientales
4.8 Estrategias de sustentabilidad para el escenario
económico
4.8.1 Análisis del ciclo de vida: Huella ecológica.
4.8.2 Empresas socialmente responsables
4.8.3 Oportunidades de desarrollo regional a partir
de los servicios ambientales o los recursos
naturales.
5 Escenario modificado 5.1 Crecimiento demográfico, industrialización, uso de
la energía.
5.1.1 Fenómenos naturales
5.2 El Estado como regulador del desarrollo.
5.2.1 Constitución política de los Estados Unidos
Mexicanos
5.3 Inseguridad alimentaria, social, política, jurídica,
económica
5.4 Distribución de la riqueza
5.5 Estrategias de sustentabilidad para
los escenarios modificados
5.5.1 Producción más limpia
5.5.2 Procesos ecoeficientes
5.5.3 Planes de Desarrollo Nacional Estatal y
Municipal
70
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Taller de Investigación I
Clave de la asignatura: SEC-2325
SATCA1: 2-2-4
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
72
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Taller de Investigación II
Clave de la asignatura: SEH-2326
SATCA1: 1-3-4
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Evaluación y 1.1 Revisión y consolidación del diseño y contenido de
complementación del protocolo de Taller de Investigación I
protocolo de 1.1.1 Revisión de la estructura general del protocolo
investigación 1.1.2 Revisión y conclusión del Marco Teórico
1.1.2.1 Antecedentes o Marco Histórico
1.1.2.2 Marco Conceptual
1.1.2.3 Marco Teórico o Referencial
1.1.2.4 Documentos normativos de protección
legal para la investigación
1.1.3 Revisión de la metodología
2 Desarrollo metodológico 2.1 Definición y operacionalización de las variables con
de la investigación base en el planteamiento del problema a resolver y
en objetivos generales y específico
2.2 Diseño y validación de los instrumentos y métodos
seleccionados.
2.3 Ejecución de la metodología mediante la aplicación
de los instrumentos
2.4 Recolección y tratamiento de datos
2.5 Procesamiento, análisis y contrastación de
resultados
2.6 Redacción de conclusiones
3 Informe de investigación 3.1 Elementos que integran el informe de
investigación.
- Preliminares: Portada, agradecimientos, resumen,
índice e introducción.
- De contenido o cuerpo del trabajo
comprenden:
74
CIENCIAS ECONÓMICO ADMINISTRATIVAS, 208 HORAS
75
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Taller de Liderazgo Gerencial
Clave de la asignatura: SEO-2327
SATCA1: 0-3-3
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1.1 Administración y su relación con la ingeniería
1 Gestión Organizacional
1.1.1 Áreas funcionales y operativas, su relación
con la ingeniería.
1.2 Proceso Administrativo y su relación con la
ingeniería
1.2.1 Planeación
1.2.2 Organización
1.2.3 Dirección
1.2.4 Control
76
2.5.2 Capacitación a Supervisores y Directivos
2.5.3 Programa de Desarrollo Profesional
2.6 Evaluación del Desempeño
2.6.1 Métodos y Técnicas de evaluación del
desempeño
2.6.2 Evaluación del Desempeño Individual
2.6.3 Evaluación del Desempeño Colaborativo
77
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Innovación y Gestión del Conocimiento
Clave de la asignatura: AEO-23118
SATCA1: 0-3-3
Carrera: Ingeniería en Semiconductores e Ingeniería
Ferroviaria
Temario
No. Temas Subtemas
1 Innovación 1.1 Definición
1.2 Tipos de innovación
1.2.1 Productos o servicios
1.2.2 Procesos
1.2.3 Negocio
1.2.4 Tecnológica
1.2.5 Social
1.2.6 Otra que sea afín con la especialidad
1.3 Elementos de la innovación
2 Metodologías 2.1 TRIZ
2.2 Design Thinking
2.3 Business Model Canvas
2.4 Otras metodologías que sean afines con la
especialidad
3 Técnicas de innovación 3.1. Técnicas con enfoque en:
3.1.1. El cliente
3.1.2. El usuario
3.1.3. El modelo de negocio
3.1.4. El proceso
3.2. Técnicas de creatividad
3.3. Técnicas de solución de problemas
4 Gestión del Conocimiento 4.1 Metodologías Ágiles
4.2 Técnicas de colaboración y trabajo en equipo
4.3 Innovación abierta y cerrada
4.4 Propiedad Intelectual
78
5.1 Tipos de prototipado
5 Prueba y 5.2 Tipos de pruebas
lanzamiento de 5.2.1 De desempeño
invenciones 5.2.2 De experiencia de usuario
5.2.3 Otras afines a la especialidad
5.3 Técnicas de presentación a partes interesadas.
79
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Economía
Clave de la asignatura: SER-2309
SATCA1: 2-1-3
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1.1 Definición, campo y objeto de la economía
1 Conceptos Básicos de
Economía 1.2 Desarrollo histórico de la economía
(escuelas)
1.3 Principio de escasez
1.4 Teoría subjetiva y teoría objetiva
1.5 Factores productivos
1.6 Flujo circular de la actividad económica
81
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Gestión de Proyectos
Clave de la asignatura: SEH-2312
SATCA1: 1-3-4
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1.1 Conceptos de Proyectos
1 Gestión de Proyectos 1.2 Tipología de proyectos
1.3 Características, objetivos y delimitaciones de los
proyectos
1.4 Gestión de Proyectos
1.5 Actividades del proyecto (Relaciones de precedencia,
Relaciones secuenciales, Cronogramas)
1.6 Representación de actividades utilizando
1.7 redes.
2.1 Metodologías Ágiles Vs Metodologías Tradicionales
2 Metodologías de 2.2 Metodología de cadena de eventos
Gestión de Proyectos 2.3 Gestión de proyectos en cascada o tradicional
2.4 Metodologías basadas en procesos
2.5 Otras metodologías de gestión de proyectos
3.1 Concepto de mercado
3 Análisis del Mercado 3.2 Concepto de análisis de mercado
3.3 Proceso para el análisis de un mercado
3.4 Factores que intervienen en el análisis de un mercado
3.5 Herramientas y Técnicas para analizar el mercado
3.6 Informe y Presentación del análisis del mercado
3.7 Viabilidad del Proyecto
4 Análisis Técnico 4.1 Localización y Ubicación del Proyecto
4.2 Tamaño y Capacidad del proyecto
4.3 Distribución y Diseño de Instalaciones
4.4 Presupuesto y Cronograma de Inversión
4.5 Estructura Legal aplicable al proyecto
4.6 Factibilidad del proyecto
5 Análisis Organizacional 5.1 Estructura Organizacional
5.1.1 Organización Administrativa
5.1.2 Constitución de la Organización
5.2 Normatividad aplicable
5.2.1 Jurídica
5.2.2 Fiscal
5.2.3 Laboral
82
5.2.4 Normas Oficiales Mexicanas/ Normas Mexicanas
5.2.5 Normas Internacionales
5.3 Propiedad Intelectual
5.3.1 Patentes y Derechos de autor
5.3.2 Dibujos industriales
5.3.3 Modelos de utilidad
6 Análisis Económico 6.1 Estados financieros básicos para la toma de decisiones
Financiero 6.1.1 Estado de Resultados
6.1.2 Balance General
6.1.3 Flujo de Efectivo
6.1.4 Análisis Financiero
6.1.5 Métodos Horizontales y Métodos Verticales
6.2 Evaluación Financiera
6.2.1Presupuestos
6.2.2 Fuentes de Financiamiento
6.2.3 Costo de Capital y Financiamiento
6.2.4 Depreciación y Amortizaciones
6.2.5 Estados Financieros proyectos
6.2.6 Análisis de Sensibilidad
6.2.7 Indicadores Financieros
6.2.7.1 Valor presente neto
6.2.7.2 Tasa Interna de Rendimiento
6.2.7.3 Periodo de Recuperación de la Inversión
7 Evaluación del Impacto 7.1 Evaluación Socia Vs Evaluación Privada de proyectos
Social de un proyecto 7.2 Indicadores Sociales de un proyecto
7.2.1 La sostenibilidad del proyecto
7.2.2 Alineación del proyecto a las ODS
83
INGENIERÍA APLICADA: CADENA DE VALOR DE FABRICACIÓN,
352 HORAS
84
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Temas Selectos de Fabricación de Semiconductores
Clave de la asignatura: SEF-2329
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Fotodetectores 1.1 Tipos de fotodetectores
1.1.1 fotodetectores de UV
1.1.2 fotodetectores UV a región visible
1.1.3 fotodetectores de IR
1.2 Materiales para fabricación de fotodetectores
1.3 Procesos de fabricación
1.4 Técnicas de validación
85
3.3.3 Técnicas de fabricación
3.4 Celdas de Tercera Generación
3.4.1 Polímeros conductores y su naturaleza
electrónica
3.4.2 Materiales absorbedores
3.4.3 Procesos de fabricación
Técnicasde validación de celdas
fotovoltaicas
4 Materiales para 4.1 Introducción al almacenamiento de datos.
almacenamiento de 4.2 Memorias de semiconductor.
datos 4.2.1 RAM Estática.
4.2.2 RAM Dinámica.
4.2.3 ROM
4.2.4 PROM
4.2.5 EPROM
4.2.6 EEPROM
4.2.7 FLASH.
4.2.8 Discos duros de estado sólido.
4.3 Otros materiales utilizados para el
almacenamiento de datos.
4.3.1 Materiales magnéticos. Cintas y HDD
4.3.2 Materiales ferroeléctricos. FRAM
86
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Taller de Fabricación de Circuitos Electrónicos
Clave de la asignatura: SEO-2314
SATCA1: 0-3-3
Carrera: Ingeniería en Semiconductores.
Temario
No. Temas Subtemas
1 Diseño de tarjetas 1.1 Esquema general para el proceso de diseño y
electrónicas impresas fabricación de PCBs.
(PCB) 1.2 Herramientas de diseño de PCBs.
1.3 Diseño de tarjetas con un editor de PCB.
1.3.1 Conocimiento general de la herramienta de
diseño.
1.3.2 Colocación del borde de la tarjeta.
1.3.3 Colocación y rotación de componentes.
1.3.4 Enrutamiento de las pistas.
1.4 Diseño de tarjetas a través de proyectos desde
diagramas esquemáticos.
1.4.1 Creación de diagramas esquemáticos con
software de diseño electrónico.
1.4.2 Vinculación del PCB con el diagrama
esquemático.
1.4.3 Definición de las reglas de diseño.
1.4.4 Colocación de componentes.
1.4.5 Colocación de orificios de perforación.
1.4.6 Enrutamiento de pistas.
1.4.7 Colocación de etiquetas e identificadores.
1.4.8 Generación de archivos de diseño.
2 Fabricación de PCBs. 2.1 Fabricación por fotolitografía.
2.2 Fabricación por maquinado
3 Introducción al diseño 3.1 Tecnología planar y fabricación de
físico de circuitos componentes.
integrados. Layout. 3.1.1 Transistores MOS
3.1.2 Resistencias.
3.1.3 Capacitores.
3.1.4 Inductores.
3.2 Herramientas CAD para Layout.
3.3 Reglas de diseño.
3.4 Procesos de verificación DRC y LVS
87
4 El proceso fotolitográfico 4.1 Tecnologías de fabricación.
en la fabricación de 4.2 Foto Máscaras y archivos GDSII
circuitos integrados.
88
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Logística y Cadena de Suministro
Clave de la asignatura: SEH-2317
SATCA1: 1-3-4
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1.1 Concepto e importancia de la logística.
Introducción a la
1 1.2 Concepto e Importancia de la Cadena de
Logística y Cadena de
Suministro
Suministro
1.3 Tipos de cadenas de suministro
1.4 Metodología para el diseño de cadenas de
suministro
1.5 Medición del desempeño de la cadena
2 Aprovisionamiento 2.1 Abastecimiento y Aprovisionamiento
2.2 Gestión del flujo de materiales
2.3 Recepción del material
2.4 Almacenamiento
3 Gestión de la Producción 3.1 Conceptos básicos de Gestión de la Producción
3.2 Planeación de la Producción
3.3 Manejo de Materiales
3.4 Almacenamiento
3.5 Empaque y Embalaje
4 Gestión de Bodegas y 4.1 Organización y control de bodegas y almacenes
Almacenes 4.2 Bodegas y Almacenes, manuales y automatizadas
4.3 Tecnologías de información en el control de Bodegas
y almacenes
4.4 Empaque y Embalaje de productos terminados
5 Sistemas de Distribución 5.1 Comercialización
5.2 Servicio al Cliente
5.3 Transporte y logística
5.4 Unitarización
5.5 Logística Inversa
6 Gestión y Organización 6.1 Logística Lean
de Operaciones 6.2 Logística 4.0
6.3 Inteligencia Artificial y la Ciencia de los Datos
6.4 Herramientas Tecnológicas y sus Aplicaciones
89
7.1 Uso de RAFTD en la logística de transporte
7 Logística Internacional
internacional
7.2 Uso de INCOTERMS en la logística de transporte
internacional
7.3 Trámites y Documento relacionados con el
transporte internacional
7.4 Uso de Depósitos Fiscales, Recintos Fiscales y
Fiscalizados en los procesos de importación
90
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Sistemas de Calidad en la Industria Electrónica
Clave de la asignatura: SEF-2323
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No
Temas Subtemas
.
1 Sistemas de gestión de 1.1 Organismos de normalización y Certificación
calidad 1.1.1 Normatividad nacional aplicable
1.1.2 ISO 9001
1.1.3 ISO 26262
1.1.4 AS/EN 9100
1.1.5 Normas IEC (International Electrotechnical
Commission)
1.1.6 Estándares de IPC
1.1.7 NFPA (National Fire Protection Association)
1.1.8. ASTM (American Society for Testing and Materials)
1.1.9 Conceptos y terminología básica de la Seguridad,
higiene y salud ocupacional.
2 Procesos de Manufactura 2.1 Clasificación de los procesos de manufactura
2.2 Mapa de Procesos
2.3 Indicadores de un proceso ( KPI’s )
3 Manufactura Esbelta (Lean 3.1 Introducción a la Manufactura Esbelta.
Manufacturing) 3.2 Conceptos de manufactura esbelta.
3.3 Metodología 5’s.
3.4 Identificación y Clasificación de desperdicios.
3.5 Sistemas de producción justo a tiempo.
3.6 El sistema Kaizen.
4 Herramientas de calidad 4.1 Diagrama de Ishikawa
para la solución de 4.2 Sistemas poka yoke
problemas 4.3 5 porqués 5W y de modo estructurado 3L5W
4.4 Análisis de modo y efecto de fallas PFMEA.
4.5 Metodología DMAIC
4.6 Metodología sistemática para resolver problemas
(8D)
91
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Sistemas MEMs y NEMs
Clave de la asignatura: SEF-2324
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Introducción 1.1 Nuevas tendencias en ciencia e ingeniería: Sistemas
a micro y nano escala.
1.2 Descripción general de sistemas micro y
nanoelectromecánicos.
1.3 Introducción al diseño de MEMS y NEMS.
1.4 Aplicaciones de sistemas micro y
nanoelectromecánicos.
1.5 Sistemas microelectromecánicos.
1.5.1 Definiciones de dispositivos y
estructuras.
1.5.2 Materiales para MEMS:
1.5.2.1 Silicio
1.5.2.2 Compuestos de silicio
1.5.2.3 Polímeros
1.5.2.4 Metales
1.5.3 Software para el diseño de sistemas MEMs.
1.5.4. Diseño de un sistema MEM básico.
2 Transductores MEMs. 2.1 Transductores mecánicos.
2.1.1 Sensores mecánicos.
2.1.2 Actuadores mecánicos.
2.2 Transductores de radiación.
2.2.1 Sensores de radiación.
2.2.2 Actuadores de radiación (ópticos)
2.3 Transductores térmicos
2.3.1 Sensores térmicos.
2.3.2 Actuadores térmicos.
2.4 Transductores magnéticos.
2.4.1 Sensores magnéticos.
2.4.2 Actuadores magnéticos.
2.5 Transductores químicos y biológicos.
2.5.1 Sensores químicos y biológicos.
92
1.6 Actuadores químicos.
3 Tecnologías de 3.1 Procesos de fabricación de microsistemas.
fabricación de MEMS 3.1.1 Fotolitografía.
3.1.2 Implantación de iones.
3.1.3 Difusión.
3.1.4 Oxidación.
3.2 Depósitos de película delgada.
3.2.1 LPCVD
3.2.2 Sputtering.
3.2.3 Evaporación.
3.2.4 Galvanoplastia (electroplating)
3.3 Técnicas de grabado.
3.3.1 Grabado en seco y en húmedo
3.3.2 Grabado electromecánico.
3.4 Micromaquinado.
3.4.1 Bulk micromachining.
3.4.2 Micromaquinado de superficie.
3.4.3 Tecnología de alta relación de aspecto (LIGA y
LIGA-Like)
3.5 Empaquetado.
3.5.1 Empaquetado de microsistemas.
3.5.2 Tecnología esencial de empaquetado.
2.6 Selección de materiales para empaquetado.
4 MEMs para RF. 4.1 Introducción a la tecnología RF MEMs.
4.1.1 Necesidad de componentes RF MEMs en
comunicaciones, aplicaciones espaciales y
de defensa.
4.1.2 Materiales y fabricación de tecnologías.
4.2 Componentes y dispositivos RF MEMS.
4.2.1 Conmutadores MEMs.
4.2.2 Capacitores MEMs.
4.2.3 Inductores MEMs.
4.2.4 Microrresonadores.
4.2.5 Desfasadores MEMs.
4.2.6 Antenas MEMs.
4.3 Aplicaciones de MEMs para RF.
5 Nanosistemas (NEMs) 5.1 Estructuras atómicas y mecánica cuántica.
y mecánica 5.2 Dinámica molecular y de nanoestructura: Ecuación
cuántica. de Schrodinger y teoría de la función de onda.
5.3 Teoría funcional de densidad.
5.4 Campos electromagnéticos y su cuantificación.
Cables y circuitos moleculares.
93
INGENIERÍA APLICADA: CADENA DE VALOR DE MATERIALES,
352 HORAS
94
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Física del Estado Sólido
Clave de la asignatura: SEF-2311
SATCA1: 3 – 2 – 5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Estructura cristalina 1.1 Introducción a la estructura atómica y energía de
enlace (curvas energía-distancia y fuerza-distancia).
1.2 Redes espaciales y celdas unitarias.
1.3 Índices de Miller.
1.4 Densidad lineal y densidad planar.
1.5 Factor de empaquetamiento.
1.6 Cálculo de la densidad teórica a partir de
parámetros cristalinos.
1.7 Sistema cristalino cúbico: Estructura cúbica
centrada en el cuerpo, cúbica centrada en las caras.
1.8 Estructura hexagonal compacta.
1.9 Alotropía y polimorfismo.
1.10 Simetría.
1.11 Proyección estereográfica.
1.12 Red Recíproca.
1.13 Principios de difracción cristalina.
1.14 Determinación de la estructura cristalina mediante
la Ley de Bragg.
2 Teoría de bandas 2.1 Teorías del enlace químico.
2.2 Formación de bandas de energía.
2.2.1 Banda de valencia y banda de
conducción.
2.3 Teorema de Bloch.
2.4 Cálculo de bandas de energía.
2.5 Modelo del electrón libre.
2.6 Metales, semimetales, semiconductores, aislante.
2.6.1 Masa efectiva.
2.7 Concepto de hueco.
3 Propiedades de los 3.1 Defectos estructurales.
materiales 3.1.1 Tipos de defectos.
3.1.2 Defectos puntuales.
3.1.3 Defectos lineales.
3.1.4 Defectos superficiales.
95
3.2 Propiedades de los materiales.
3.2.1 Propiedades eléctricas
3.2.2 Propiedades magnéticas
3.2.3 Propiedades ópticas
3.2.4 Propiedades térmicas
3.2.5 Propiedades mecánicas
4 Soluciones sólidas y 4.1 Fases intermedias.
difusión. 4.2 Soluciones sólidas intersticiales.
4.3 Soluciones sólidas sustitucionales.
4.4 Soluciones ordenadas y desordenadas.
4.5 Primera Ley de Fick y Segunda Ley de Fick.
4.6 Mecanismos de difusión.
4.7 Factores que influyen en la difusión.
96
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Tecnología de Semiconductores
Clave de la asignatura: SEE-2316
SATCA1: 3-1-4
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Miniaturización de 1.1 Historia de la miniaturización en la electrónica.
dispositivos electrónicos 1.2 Tecnologías de fabricación de circuitos electrónicos.
1.2.1 Procesos de litografía
1.2.2 Deposición de capas
1.2.3 Grabado
1.3 Efectos de la miniaturización en la electrónica.
1.4 Desafíos en la miniaturización de componentes
electrónicos.
1.4.1 Limitaciones físicas
1.4.2 Problemas de disipación de calor
1.4.3 Dificultades en la integración de componentes
1.5 Aplicaciones de la miniaturización en la electrónica.
2 Procesos de integración 2.1 Tecnologías de fabricación de semiconductores y
de circuitos integrados.
semiconductores 2.2 Diseño de máscaras y patrones de circuitos
integrados
2.3 Tendencias en la integración de semiconductores:
miniaturización, chips multicapa, circuitos
integrados en 3D, etc.
2.4 Aspectos económicos y ambientales de la
fabricación de circuitos integrados.
3 Materiales 3.1 Materiales semiconductores para dispositivos
semiconductores electrónicos de alta frecuencia y potencia.
avanzados 3.2 Materiales semiconductores compuestos.
3.3 Materiales semiconductores orgánicos.
3.4 Materiales semiconductores de dos dimensiones.
3.5 Materiales semiconductores ferroeléctricos.
3.6 Materiales semiconductores para la electrónica
flexible.
3.7 Materiales semiconductores para la fotónica.
97
4 Problemas de fiabilidad y 4.1 Degradación de los materiales y componentes.
estabilidad en las 4.2 Influencia de las variaciones en el proceso de
tecnologías de fabricación.
semiconductores 4.3 Diseño de dispositivos electrónicos para mejorar la
fiabilidad y estabilidad.
4.4 Estrategias de prueba y monitoreo.
4.5 Métodos de modelado y simulación.
4.6 Normas y regulaciones relacionadas con la fiabilidad
y estabilidad de los dispositivos electrónicos.
4.7 Estudios de caso de fallos en dispositivos electrónicos
y análisis de causa raíz para mejorar la fiabilidad y
estabilidad en el futuro
98
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Caracterización Óptica y Eléctrica
Clave de la asignatura: SEH-2328
SATCA1: 1 - 3 - 4
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Caracterización Óptica 1.1 Fundamentos de a Espectroscopías Moleculares
1.1.1 La radiación electromagnética y su interacción
con la materia.
1.1.2 Regiones del espectro y tipos de
espectroscopías.
1.1.3 Absorción y emisión de radiación.
1.1.4 Ley de Lambert-Beer.
1.1.5 Dispersión de radiación.
1.2 Espectroscopías UV-Vis
1.2.1 Transiciones electrónicas
1.2.2 Espectros de Absorción y Transmisión
1.2.3 Efectos batocrómicos e hipercrómicos
1.2.4 Espectroscopía de Reflexión y
Transmisión.
1.2.5 Instrumentación
1.2.6 Aplicaciones en semiconductores
1.3 Espectroscopía de Fotoluminiscencia
1.3.1 Florescencia y fosforescencia
1.3.2 Espectros de Fluorescencia y
fosforescencia
1.3.3 Desactivación sin radiación
1.3.4 Relajación por fluorescencia y
fosforescencia
1.3.5 Espectros de excitación vs emisión
1.3.6 Instrumentación (fluorímetro y
espectrofluorómetro)
1.3.7 Aplicaciones en semiconductores
1.4 Espectroscopía Infrarrojo
1.4.1 Fundamento fisicoquímico
1.4.2 Instrumentación
1.4.3 Aplicaciones
1.5 Espectroscopía Raman
1.5.1 Dispersión Raman
99
1.5.2 Líneas Stokes y Antistokes
1.5.3 Intensidad de las líneas Stokes y ntistokes
1.5.4 Principios de la FT-Raman
1.5.5 Preparación y montaje de la muestra
1.5.6 Instrumentación
1.5.7 El problema de la fluorescencia
1.5.8 Aplicaciones en semiconductores
1.6 Métodos ópticos para la medición de espesores en
películas delgadas semiconductoras.
1.6.1 Elipsometría
1.6.2 Perfilometría
1.6.3 Espectrometría
100
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Optoelectrónica
Clave de la asignatura: SEF-2318
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Fundamentos de 1.1 Bandas de energía electrónicas
optoelectrónica 1.1.1 Estructuras de bandas electrónicas: método
del vector[k]*vector [p]
1.1.2 Pozos cuánticos
1.1.3 Aleaciones de semiconductores
1.1.4 Desplazamiento de bandas en
interfases heterogéneas
1.2 Transporte de portadores de carga
1.2.1 Deriva y difusión
1.2.2 Homouniones y heterouniones
1.2.3 Efecto túnel
1.2.4 Movilidad de portadores
1.2.5 Generación y recombinación de
portadores
1.2.6 Modelos de transporte avanzados
1.3 Ondas ópticas
1.3.1 Ondas planas en interfases
1.3.2 Ecuaciones de onda de Helmholtz
1.3.3 Guías de onda simétricas planas
1.3.4 Guías de onda rectangulares
1.3.5 Estructuras periódicas
1.3.6 Haces Gaussianos y campo lejano
1.4 Generación de fotones
1.4.1 Ganancia óptica
1.4.2 Emisión espontánea
1.5 Generación y disipación de calor
1.5.1 Ecuación de flujo de calor
1.5.2 Generación de calor
1.5.3 Resistencia térmica
1.5.4 Condiciones de frontera
101
2.2 Diodos emisores de Luz
2.2.1 Propiedades de los materiales de nitruro
2.2.2 Diodo emisor de luz InGaN/GaN
2.2.3 Diodo láser InGaN/GaN
2.2.4 Nuevos materiales para diodos emisores de
Luz
3 Optoaisladores 3.1 Optoacopladores
3.1.1 Clasificación y construcción
3.1.2 Características eléctricas
3.1.3 Aplicaciones
3.2 Relevadores de estado sólido y de potencia
(FotoMOS)
3.2.1 Clasificación y construcción
3.2.2 Características eléctricas
3.2.3 Aplicaciones
3.3 Relevadores fotovoltaicos
3.3.1 Construcción
3.3.2 Características eléctricas
4. Láseres 4.1 Edge-limiting laser
4.1.1 Modelos y parámetros de material
4.1.2 Efectos de longitud de cavidad en parámetros
de pérdida
4.1.3 Limitaciones en eficiencia de
pendiente
4.1.4 Efectos de la temperatura en el desempeño
del laser
4.2 Laser de cavidad vertical
4.2.1 Laser de cavidad vertical de longitud de onda
amplia
4.2.2 Modelos y parámetros
4.2.3 Efectos en el transporte de portadores de
carga
4.2.4 Análisis térmico
4.2.5 Simulación óptica
4.2.6 Efectos de la temperatura en la ganancia
óptica
102
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Caracterización Estructural
Clave de la asignatura: SEC-2302
SATCA1: 2-2-4
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Difracción de rayos X 1.1 Naturaleza de los rayos X
1.2 Generación de rayos X
1.3 Ley de Bragg
1.4 Factor de estructura
1.5 Técnicas de difracción de rayos X
1.6 Patrones de difracción
1.7 Simulación de estructuras y patrones de difracción
Método Rietveld
2 Microscopía Electrónica 2.1 Óptica electrónica
de Barrido 2.2 Interacción haz de electrones–materia
2.3 Formación de imágenes
2.4 Microanálisis por dispersión de energía
2.5 Microanálisis por dispersión de longitud de onda
Preparación de muestras
3 Microscopía 3.1 Descripción y principios de funcionamiento
Electrónica de 3.2 Técnicas de preparación de muestras
Transmisión 3.3 Poder de resolución
3.4 Formación de imágenes
3.5 Formación de patrones de difracción
3.6 Reglas de indexación
3.7 Teoría cinemática
3.8 Teoría dinámica
3.9 Microscopía de alta resolución
103
INGENIERÍA APLICADA: CADENA DE VALOR DE DISEÑO,
560 HORAS
104
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Instrumentación
Clave de la asignatura: AEF-1038
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica, Ingeniería
mecatrónica, Ingeniería Petrolera, Ingeniería en Energías
Renovables e Ingeniería en Semiconductores.
Temario
No. Temas Subtemas
1. Introducción a la 1.1 Definiciones y conceptos
Instrumentación 1.2 Clasificación y características de los instrumentos
1.3 Simbología, normas (SAMA, ISA) y Sistema de
Unidades
1.4 Principios generales para la selección de la
instrumentación
1.5 Propagación del error
2. Sensores, transductores 2.1 Medición de Presión
transmisores y 2.2 Medición de Nivel y densidad
transductores 2.3 Medición de flujo
2.4 Medición de temperatura
2.5 Medición de otras variables
2.6 Procedimiento para la calibración
2.6.1 Consideraciones previas para la calibración.
2.6.2 Error
2.6.3 Incertidumbre
2.7 Criterios de selección
2.8 Acondicionamiento de señal
105
4. Controladores 4.1 Lazo Cerrado
4.2 Modos de Control aplicados en instrumentación:
4.2.1 On-Off.
4.2.2 Proporcional
4.2.3 Proporcional + Integral
4.2.4 Proporcional + Derivativo
4.2.5 Proporcional + Integral + Derivativo
4.3 Criterios para la Selección de un controlador
4.4 Sintonización de Controladores
4.5 Comunicación del controlador con otros
instrumentos
5. Control Asistido por 5.1 Adquisición de datos
Computadora 5.2 Control supervisorio
5.3 Control digital
5.4 Control distribuido
5.5 Instrumentación virtual
5.6 Pantallas Táctiles (Touchscreen)
5.7 Proyecto final
106
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Diodos y Transistores
Clave de la asignatura: SEF-2306
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario:
107
3 Transistores de Efecto de 3.1 Introducción al Efecto de Campo
Campo 3.2 FET
3.2.1 Características, parámetros y punto de
operación.
3.3 MOSFET
3.3.1 Características, parámetros y punto de
operación
3.4 Configuraciones de Polarización.
4 Amplificadores con 4.1 Introducción a los Amplificadores en pequeña
transistores BJT’s señal.
Y FET’s. 4.2 Amplificador con BJT.
4.2.1 Modelo re.
4.2.2 Parámetros de redes de 2 puertos.
4.2.3 Modelo Híbrido.
4.2.4 Determinación de los parámetros del
amplificador en pequeña señal para las
diferentes configuraciones.
4.2.5 Efecto de la resistencia Rs y RL.
4.2.6 Análisis por computadora.
4.3 Modelo del MOSFET en pequeña señal.
4.3.1 Determinación de los parámetros de un
amplificador
4.3.2 Análisis de Circuitos Amplificadores
5 Aplicaciones 5.1 Reguladores
5.1.1 Lineales
5.1.2 Retroalimentados
5.1.3 Conmutados
108
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Diseño con Transistores
Clave de la asignatura: SEF-2307
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Amplificadores Multietapa en 1.1 Análisis con BJT.
media frecuencia. 1.2 Análisis con MOSFET.
1.3 Análisis de circuitos mixtos (BJT y MOSFET).
2 Arreglos especiales. 2.1 Darlington.
2.2 Diferencial.
2.3 Cascode.
2.4 Amplificador sintonizado.
2.5 Espejo de corriente.
2.6 Fuente de corriente.
2.7 Carga Activa.
3 Respuesta a la Frecuencia. 3.1 Análisis de Bode.
3.2 Respuesta en baja y alta frecuencia del
amplificador BJT.
3.3 Respuesta en baja y alta frecuencia del MOSFET.
3.4 Ganancia ancho de banda del amplificador.
3.5 Amplificador sintonizado.
4 Amplificadores 4.1 Topologías de retroalimentación.
Retroalimentados. 4.2 Efectos de la retroalimentación.
4.3 Respuesta en frecuencia.
4.4 Osciladores y Temporizadores.
5 Amplificadores de Potencia. 5.1 Conceptos básicos y aplicación.
5.2 Análisis de expresiones de potencia y eficiencia.
5.3 Análisis de efecto térmico y distorsión.
5.4 Análisis y diseño de amplificadores de potencia.
5.5 Efectos de ruido.
109
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Amplificadores Operacionales
Clave de la asignatura: AEF-23108
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería Electrónica e Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Amplificadores 1.1 Fundamentos y especificaciones del Amplificador
operacionales en lazo Operacional.
abierto. 1.2 Características en lazo abierto.
1.3 Detector de cruce por cero y en diferente nivel.
2 Amplificadores 2.1 Características en lazo cerrado.
operacionales con 2.2 Amplificadores básicos.
retroalimentación negativa. 2.2.1 Amplificador seguidor de voltaje.
2.2.2 Amplificador inversor.
2.2.3 Amplificador no inversor.
2.2.4 Amplificador diferenciador.
2.2.5 Amplificador sumador.
2.2.6 Amplificador derivador.
2.2.7 Amplificador integrador.
2.3 Aplicaciones lineales con.
2.3.1 Amplificador de instrumentación con
amplificador operacional.
2.3.2 Amplificador de transconductancia.
2.3.3 Amplificador aislador.
2.3.4 Amplificador sintonizado.
2.3.5 Convertidor voltaje a corriente y
corriente a voltaje.
2.3.6 Convertidor voltaje a frecuencia y
frecuencia a voltaje.
2.3.7 Convertidores DAC y ADC.
2.4 Aplicaciones no lineales.
2.4.1 Rectificadores de precisión.
2.4.2 Amplificador multiplicador.
2.4.3 Amplificador divisor.
2.4.4 Amplificador logarítmico.
2.4.5 Amplificador exponencial
3 Amplificadores 3.1 Comparadores.
operacionales con 3.2 Circuitos de control.
retroalimentación positiva. 3.3 Osciladores.
110
4 Filtros activos. 4.1 Principios y tipos de filtros.
4.2 Pasa – bajas.
4.3 Pasa – altas.
4.4 Pasa-banda.
4.5 Rechaza-banda.
111
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Electrónica de Potencia
Clave de la asignatura: AEF-23109
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería Electrónica e Ingeniería en
Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Introducción a la Electrónica 1.1 Antecedentes de la Electrónica de Potencia.
de Potencia y Circuitos de 1.1.1 Terminología y principios de operación de la
Disparo. familia de los tiristores, (SCR, TRIAC, UJT, PUT,
ETC.).
1.1.2 Clasificación y características voltaje
corriente de los tiristores, dispositivos,
símbolo, características eléctricas y su
clasificación en unidireccionales y
bidireccionales.
1.2 Circuitos de disparo.
1.2.1 Circuitos de disparo sin aislamiento: Redes
Pasivas, (resistivas y RC).
1.2.2 Circuitos de disparo con aislamiento.
1.2.2.1 Acoplados ópticamente.
1.2.2.2 Acoplados magnéticamente.
1.2.3 Circuitos de disparo con dispositivos Digitales.
1.2.3.1 Timer.
1.2.3.2 Divisores de frecuencia.
1.2.3.3 Detectores de cruce por cero.
1.2.3.4 Microcontroladores.
1.2.3.5 Moduladores de Ancho del Pulso.
1.2.3.6 Módulos de potencia, características y
aplicación.
112
2.3 Parámetros de rendimiento.
2.4 Rectificador monofásico controlado.
2.4.1 Convertidor unidireccional.
2.4.2 Semiconvertidor.
2.4.3 Convertidor completo.
2.4.4 Convertidor dual.
Rectificador trifásico controlado.
3 Convertidores AC-AC. 3.1 Principio del control de abrir y cerrar.
3.2 Principio del control de fase.
3.3 Control trifásico de media onda y de onda
completa.
3.4 Cicloconvertidor monofásico y trifásico.
3.5 Control trifásico de media onda y onda
completa.
3.6 Cicloconvertidor monofásico y trifásico.
4 Convertidores DC – DC. 4.1 Características y principio de operación.
4.2 Clasificación por: modulación, operación de
cuadrantes, configuración, otros.
4.3 Modulador de Ancho de Pulso.
4.4 Reguladores DC - DC en modo conmutado.
4.5 Control de motores de CD.
4.6 Fuentes conmutadas.
5 Convertidores DC –AC. 5.1 Bases de operación de un inversor.
5.2 Inversor monofásico de medio puente.
5.3 5.3 Inversor con salida rectangular.
5.4 Inversor monofásico puente completo.
5.5 Parámetros de rendimiento.
5.6 Inversor trifásico.
5.7 UPS.
5.8 Variador de velocidad.
113
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Diseño Digital con HDL
Clave de la asignatura: SEF-2308
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Fundamentos de diseño 1.1 Sistemas digitales y sistemas analógicos.
digital 1.2 Sistema de numeración decimal, binaria, octal y
hexadecimal.
1.3 1.3 Conversión entre sistemas de numeración.
1.4 1.3. Operaciones aritméticas básicas
con sistemas numéricos.
1.5 1.5 Códigos BCD, Gray. ASCII, UNICODE.
1.6 Compuertas lógicas.
1.7 Familias lógicas (TTL y CMOS).
114
4.3 Representación de los modelos de Mealy y de Moore
en diagramas de estado.
4.4 Diseño de máquinas de estados finitos tipo Mealy y
tipo Moore utilizando HDL.
4.4.1 Tablas de estado.
4.4.2 Ecuaciones de estado.
4.4.3 Diseño de contadores y registros.
4.4.4 Simulación e implementación de sistemas
secuenciales en un FPGA o un CPLD.
115
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Microcontroladores
Clave de la asignatura: AED-23112
SATCA1: 2-3-5
Carrera: Ingeniería Electrónica e Ingeniería en Semiconductores
Temario
No. Temas Subtemas
1 Arquitectura interna y 1.1 Conceptos básicos de los Microcontroladores.
externa del 1.1.1 Diferencia entre microcontrolador y
microcontrolador. microprocesador.
1.1.2 Tipos de arquitecturas computacionales.
1.2 Arquitectura interna del Microcontrolador.
1.2.1 Componentes del microcontrolador.
1.2.2 Registros internos.
1.2.3 Tipos y distribución de las memorias internas.
1.3 Arquitectura externa del microcontrolador.
1.3.1 Distribución de terminales.
2 Programación del 2.1 Programación en lenguaje ensamblador.
microcontrolador 2.1.1 Modos de direccionamiento.
en lenguaje ensamblador. 2.1.2 Conjunto de instrucciones.
2.1.2.1 Instrucciones aritméticas.
2.1.2.2 Instrucciones lógicas.
2.1.2.3 Instrucciones de control de programa.
2.2 Ambiente integrado de desarrollo (IDE) para
Microcontroladores.
2.2.1 Ensamblador y compilador.
2.2.2 Simulador, debugger y emulador.
2.2.3 Equipos programadores de
Microcontroladores.
2.3 Programación del microcontrolador en lenguaje
ensamblador.
2.3.1 Programación básica.
3 Programación del 3.1 Introducción a la programación en lenguaje
microcontrolador de alto nivel en microcontroladores.
en un lenguaje de alto 3.1.1 Estructura del programa.
nivel. 3.2 Puertos de entrada/salida digital.
3.3 Interrupciones.
3.3.1 Tipos de interrupciones.
116
3.3.2 Características de la rutina
manejadora de interrupción.
3.3.3 Las interrupciones externas.
3.3.4 Fuentes internas de interrupciones.
3.4 Convertidor analógico/digital.
3.4.1 Arquitectura interna.
3.4.2 Configuración y programación.
3.4.3 Aplicación en un control de señal analógica.
3.5 Temporizador, generador de señales, medidor de
intervalos, decodificador de pulsos de cuadratura
(QEP) y PWM.
3.6 Lectura y escritura en la memoria interna.
4 Interfaces de 4.1 Comunicación paralela.
Comunicación 4.2 Comunicación serial síncrona y asíncrona (RS-232,
I2C, SPI, UART, USB, etc.).
4.3 Redes de comunicación (CAN).
5 Desarrollo de aplicaciones 5.1. Aplicaciones.
con microcontroladores.
117
4.6 Institutos Tecnológicos con apertura de Ingeniería en
Semiconductores en agosto 2023
Tabla 1. Institutos Tecnológicos autorizados para apertura del programa educativo en agosto
2023
NÚM INSTITUTO
1 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE AGUASCALIENTES
2 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE APIZACO
3 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CELAYA
4 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CIUDAD JUÁREZ
5 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CIUDAD MADERO
6 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE DURANGO
7 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE HERMOSILLO
8 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE MÉRIDA
9 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE MORELIA
10 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE NOGALES
11 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE NUEVO LEÓN
12 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE ORIZABA
13 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE QUERÉTARO
14 INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE COATZACOALCOS
15 INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE FRESNILLO
16 INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE SANTIAGO
PAPASQUIARO
17 INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DEL SUR DE
GUANAJUATO
118
5. MÓDULOS DE ESPECIALIDAD PARA LOS PLANES DE
ESTUDIO AFINES AL ÁREA DE SEMICONDUCTORES
119
5.1 Especialidad 1. Diseño de materiales semiconductores para
dispositivos electrónicos (DMS-2023-01)
5.1.1 Asignaturas
• Diseño De Experimentos
• Principios Físicos Para El Diseño De Dispositivos Semiconductores
• Análisis De Propiedades Físico-Químicas De Semiconductores
• Dispositivos Optoelectrónicos
• Componentes Semiconductores De Control
120
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Diseño de experimentos
Clave de la asignatura: DMF-2303
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Carrera: Ingeniería Electrónica, Ingeniería en Materiales y
afines
Temario
No Temas Subtemas
1 Introducción al Diseño de 1.1 Definición y objetivo del diseño de
Experimentos experimentos
1.2 Aplicaciones del diseño de experimentos
1.3 Definiciones básicas en el diseño de experimentos
1.3.1 Experimento y unidad experimental
1.3.2 Variables, factores y niveles
1.3.3 Error aleatorio y error experimental
1.3.4 Etapas en el diseño de experimentos
1.4 Principios básicos
1.4.1 Aleatorización
1.4.2 Repetición
1.4.3 Bloqueo
1.5 Clasificación y selección de los diseños de
experimentos
2 Elementos de Inferencia 2.1 Conceptos estadísticos básicos
Estadística: 2.1.1 Población y muestra
Experimentos con uno y 2.1.2 Parámetros y estadísticos
dos Tratamientos. 2.1.3 Distribución de probabilidad e inferencia
estadística
2.2 Estimación puntual y por intervalo
2.3 Pruebas de hipótesis
2.3.1 Hipótesis estadística y estadístico de prueba
2.3.2 Criterio de rechazo y errores tipo I y II
2.3.3 Prueba para la media
2.3.4 Prueba para la varianza
2.4 Hipótesis para dos medias: comparación de dos
tratamientos
2.5 Prueba para la igualdad de varianzas
2.6 Poblaciones pareadas
2.7 Uso de software estadístico (Minitab)
121
3 Experimentos con un 3.1 El análisis de varianza
solo Factor: Análisis de 3.2 Diseño completamente al azar y modelo de efectos
Varianza (ANOVA) fijos
3.2.1 Descomposición de la suma de cuadrados
totales
3.2.2 Análisis estadístico
3.2.3 Estimación de los parámetros del modelo
3.2.4 Datos no balanceados
3.2.5 Diagrama de cajas
3.2.6 Diagrama de medias
3.3 Verificación de los supuestos del modelo
3.3.1 Normalidad
3.3.2 Varianza constante
3.3.3 Independencia
3.4 Comparación o pruebas de rangos múltiples
3.4.1 Método de diferencia mínima significativa
(LSD)
3.4.2 Método de Tukey
3.4.3 Método de Duncan
3.4.4 Comparación por contrastes
3.5 Uso de software estadístico (Minitab)
122
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Principios físicos para el diseño de dispositivos
Clave de la asignatura: semiconductores
SATCA1: DMF-2305
Carrera: Ingeniería Electrónica, Ingeniería en Materiales y afines
Temario
No. Temas Subtemas
1 Introducción a la 1.1 Propiedades de los semiconductores.
Física del 1.1.1 Propiedades Estructurales
semiconductor
1.1.2 Propiedades Morfológicas
1.1.3 Propiedades Ópticas
1.1.4 Propiedades Eléctricas
1.2 Crecimiento y obtención de cristales
semiconductores
1.3 Tecnologías de obtención y procesamiento de SC
1.4 Dopaje
1.5 Bandas de energía y portadores de carga en
semiconductores.
2 Unión P-N 2.1 Unión P-N en estado de equilibrio.
2.1.1 Potencial de contacto.
2.1.2 Campo eléctrico.
2.1.3 Zonas de vaciamiento.
2.1.4 Carga almacenada.
2.1.5 Capacitancia de difusión y transición.
2.2 Condiciones de polarización.
2.2.1 Efecto de potencial de barrera.
2.2.2 Polarización directa.
2.2.3 Polarización inversa.
2.2.4 Características de corriente voltaje.
2.3 Fenómenos de ruptura.
2.3.1 Ruptura por multiplicación o avalancha.
2.3.2 Ruptura Zener.
2.4 Unión metal-semiconductor.
2.4.1 Barrera Schottky.
2.5 Contactos rectificadores y óhmicos
123
4 Transistores de Unión 4.1 Transistor BJT.
Bipolar 4.1.1. Parámetros de corriente (alfa y beta);
corriente de fuga.
4.1.2. Funcionamiento del transistor bipolar
BJT.
4.1.3. Curvas características y regiones de
operación.
4.1.4. Configuraciones básicas (BC, EC, CC).
4.2 Aplicaciones básicas
124
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Análisis de Propiedades Fisicoquímicas de
Semiconductores
Clave de la asignatura: DMF-2301
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Carrera: Ingeniería Electrónica, Ingeniería en Materiales y
afines
Temario
No Temas Subtemas
1 Principios de Análisis 1.1 Métodos clásicos e instrumentación
Instrumental 1.2 Clasificación de las técnicas instrumentales
1.3 Sensibilidad de las técnicas instrumentales
1.4 La relación señal/ruido
1.5 Curvas de calibración
126
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Dispositivos optoelectrónicos
Clave de la asignatura: DMF-2304
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería Electrónica, Ingeniería en Materiales, y afines
Temario
No Temas Subtemas
1 Fundamentos de 1.1 Bandas de energía electrónicas
Optoelectrónica 1.2 Transporte de portadores de carga
1.3 Ondas ópticas
1.4 Generación de fotones
1.5 Generación y disipación de calor
2 Transductores 2.1 Clasificación de los sensores de luz
Optoelectrónicos 2.1.1 Materiales
2.1.2 Fotorresistencia
2.1.3 Fotodiodo
2.1.4 Fototransistor
2.1.5 Fototiristores
2.2 Diodos emisores de Luz
2.2.1 Propiedades de los materiales de nitruro
2.2.2 Diodo emisor de luz InGaN/GaN
2.2.3 Diodo láser InGaN/GaN
2.2.4 Nuevos materiales para diodos emisores de luz
3 Optoaisladores 3.1 Optoacoploadores
3.1.1 Clasificación y Construcción.
3.1.2 Características eléctricas.
3.1.3 Aplicaciones.
3.2 Relevadores de estado sólido y de potencia
(FotoMOS).
3.2.1 Clasificación y construcción.
3.2.2 Características eléctricas.
3.2.3 Aplicaciones.
3.3 Relevadores fotovoltaicos.
3.3.1 Construcción
3.3.2 Características eléctricas
127
4 Celdas solares 4.3 Construcción y características eléctricas de las celdas
y paneles solares
4.4 Baterías y acumuladores como dispositivos de
almacenamiento de un sistema con celdas solares.
4.5 Aplicación de las celdas fotovoltaicas en un sistema
alterno de generación de energía eléctrica.
4.5.1. Cálculo de un sistema fotovoltaico
(Selección de Panel, Regulador, Inversor,
materías).
5 Laser 5.1 Clasificación y construcción de láser.
5.2 Amplificadores ópticos
5.3 Luminiscencia
5.4 Características eléctricas.
5.5 Diodo láser
5.5.1 Circuitos de activación.
5.6 Conceptos de holografía.
5.7 Medidas de seguridad
5.8 Aplicaciones en la industria, medicina,
comunicaciones y otras áreas.
128
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Componentes Semiconductores de Control Clave de la
Clave de la asignatura: DMF-2302
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Carrera: Ingeniería Electrónica, Ingeniería en Materiales
y afines
Temario
No Temas Subtemas
1 Sensores, Transductores y 1.1 Medición de Presión
Transmisores 1.2 Medición de Nivel y densidad
1.3 Medición de flujo
1.4 Medición de temperatura
1.5 Medición de otras variables
1.6 Procedimiento para la calibración
1.6.1 Consideraciones previas para la calibración
1.6.2 Error
1.6.3 Incertidumbre
1.7 Criterios de selección
1.8 Acondicionamiento de señal
129
En términos generales, las asignaturas tienen el siguiente aporte al perfil
de egreso:
La asignatura de Diseño de experimentos, proporciona las herramientas
metodológicas, para el análisis, caracterización, interpolación y predicción de
los distintos fenómenos involucrados en las diferentes áreas dentro del proceso
de producción e investigación con la interpretación de los resultados haciendo
uso de sus conocimientos para la toma de decisiones.
130
5.2 Especialidad 2. Fabricación de dispositivos
electrónicos y circuitos integrados. (FDE-2023-02)
5.2.1 Asignaturas
• Introducción a los Semiconductores.
• Caracterización de Dispositivos Electrónicos Semiconductores.
• Calidad en los Procesos de Manufactura.
• Sostenibilidad Ambiental.
• Procesos de Fabricación De Materiales Semiconductores y Circuitos
Integrados.
• Ingeniería de Interfaces de Comunicación.
131
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Introducción a los semiconductores.
Clave de la asignatura: FDL-2305
SATCA1: 4-1-5
Carrera: Carrera: Ingeniería en Semiconductores y afines
Temario
No Temas Subtemas
1 Introducción a la Física 1.1 Los átomos
Cuántica. 1.2 Modelos
1.3 Efecto fotoeléctrico
1.4 Teoría de Planck
1.5 Dualidad onda – partícula. Teoría de De Broglie
132
2.7 Conducción de corriente en
semiconductores, huecos y electrones
3 Unión P-N. 3.1 Estática de la unión P-N.
3.2 Electrostática de la región vacía.
3.3 Dinámica de la unión P-N.
3.4 Polarización y diagrama energético de la región vacía.
3.5 Portadores mayoritarios y portadores minoritarios.
3.6 Unión P-N.
133
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Caracterización de dispositivos electrónicos
Clave de la asignatura: semiconductores.
SATCA1: FDF-2303
Carrera: Ingeniería en Semiconductores y afines
134
Temario
No. Temas Subtemas
1 Introducción a la 1.1 Estructura de bandas de energía en materiales
Caracterización de semiconductores
Dispositivos 1.1.1 Bandas de energía
Semiconductores. 1.1.2 Bandas de valencia y bandas de conducción
1.2 Conductores, semiconductores y aislantes
1.2.1 Bandas y la conductividad eléctrica
1.2.2 Ejemplos de materiales conductores,
semiconductores y aislantes
1.3 Tipos de semiconductores y su aplicación
1.3.1 Semiconductores intrínsecos y
extrínsecos
2 Caracterización de 2.1 Diodos
Dispositivos de Unión. 2.1.1 Diodo rectificador
2.1.2 Diodo Zener
2.1.3 Diodo Schottky
2.2 Transistores
2.2.1 Transistor NPN
2.2.2 Transistor PNP
2.3 Tiristores
2.3.1 SCR
2.3.2 Triac
2.4 Aplicaciones
3 Caracterización de 3.1 LED
Dispositivos 3.2 Fotodiodo y fototransistor
Optoelectrónicos. 3.3 Dispositivos fotovoltaicos
3.4 Diodos Laser
3.5 Tecnologías OLED
2.5 Aplicaciones
4 Caracterización de 4.1 Transistores de efecto de campo
Dispositivos de Efecto de 5.7.1 De canal N
Campo. 5.7.2 De canal P
4.2 Transistores de compuerta aislada IGBT
4.2.1 De canal N
4.2.2 De canal P
4.3 FinFET
4.4 Dispositivos de carburo de silicio y nitruro de galio
Aplicaciones
135
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Calidad en los procesos de manufactura.
Clave de la asignatura: Clave: FDL-2302
SATCA1: 4-1-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores y afines
Temario
No. Temas Subtemas
1 Herramientas Básicas en 1.1 Clasificación de un sistema de producción.
los Sistemas de 1.2 Estudio de métodos de trabajo
Producción. 1.3 Diagramas de procesos
1.4 Hojas de Operación Estándar
1.5 Medición de la productividad
1.6 Eficiencia general del equipo
1.7 Generalidades de la Manufactura esbelta
2 Herramientas para el 2.1 Importancia y costos de la Calidad
Control de Calidad 2.2 Herramientas estadísticas
2.2.1 Hojas de verificación
2.2.2 Diagrama de Pareto.
2.2.3 Diagrama Causa-Efecto
2.2.4 Histograma
2.2.5 Diagrama de Dispersión
2.2.6 Estratificación
2.3 Control de calidad en las diferentes etapas de la
cadena de suministro (aprovisionamiento, producción,
distribución y almacenamiento) para la industria de los
semiconductores.
136
3 Control Estadístico del 3.1 Conceptos generales del Control Estadístico de
Proceso. Procesos.
3.1.1 Interpretación de gráficas para variables.
3.1.2 Interpretación de gráficas para atributos
3.1.3 Capacidad de proceso
3.2 Ingeniería de la calidad de Taguchi
4 Planes de Muestreo de 4.1 Conceptos básicos del muestreo de aceptación
Aceptación. 4.2 Uso de Tablas de Muestreo (MIL-STD, 414, 105D y
DODGE ROMING)
4.2.1 Plan de muestreo de aceptación por atributos.
4.2.2 Plan de muestreo de aceptación por variables.
4.3 Métodos de inspección en fabricación de
semiconductores.
137
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Sostenibilidad ambiental.
Clave de la asignatura: Clave: FDL-2301
SATCA1: 4-1-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores y afines
Temario
No. Temas Subtemas
1 Introducción a la 1.1 Definiciones y conceptos generales
Industria 1.2 Panorama mundial, regional y local de la industria
de de los Semiconductores
Semiconductores 1.3 Descripción general del proceso productivo
1.3.1 Insumos
1.3.2 Productos y subproductos
1.3.3 Residuos
2 Impacto Ambiental de la 2.1 Emisiones a la atmósfera
Industria de 2.2 Aguas residuales
Semiconductores 2.3 Residuos Sólidos y contaminación del suelo
2.4 Consumo de energía (o de energéticos).
2.5 Materiales y sustancias peligrosas
2.6 Impactos generales del proceso
2.7 Análisis del Ciclo de Vida de materiales y
productos
3 Prevención de la 3.1 Optimización de procesos (Modificación del
Contaminación y Mitigación proceso).
de Impactos Ambientales. 3.1.1 Tecnologías limpias
3.1.2 Energías Alternativas
138
3.1.3 Química Verde
3.1.4 Sustitución Química
3.1.5 Eficiencia de energía (Enfriadores de alto
rendimiento, a recuperación del calor, etc.).
3.2 Sistemas para la reducción de las emisiones de
gases y partículas
3.2.1 Sistemas generales
3.2.2 Reducción de vapores ácidos (depuradores
húmedos horizontales).
3.2.3 Reducción de los compuestos orgánicos
volátiles (COV) (Oxidantes térmicos
regenerativos, Lecho fijo de carbón
absorbente, lecho fluido de carbón
absorbente, etc.).
3.3 Tratamiento de Aguas Residuales
3.3.1 Aguas residuales del proceso industrial
3.3.2 Otras corrientes de aguas residuales
3.3.3 Aprovechamiento de Aguas Tratadas
(residuales).
3.3.4 Aprovechamiento de agua pluvial
3.4 Manejo de Residuos
3.4.1 Residuos de Manejo Especial
3.4.2 Residuos Peligrosos
3.4.2.1 Metales Pesados
Sustancias tóxicas (crónicas, agudas y ambientales).
4 Salud y Seguridad 4.1 Sustancias químicas peligrosas
Ocupacional 4.2 Riesgos de origen químico y energético
4.3 Radiación ionizante y no ionizante
4.4 Equipo de protección personal
4.5 Manejo y mitigación de riesgos
4.6 Comunicación de riesgos
5 Normatividad Ambiental. 5.1 Normas y organismos internacionales
5.1.1 Gestión Ambiental
5.1.2 Responsabilidad Social
5.2 Normas y organismos nacionales
5.2.1 CPEUM
5.2.2 LGEEPA
5.2.3 LGPGIR
5.2.4 Reglamentos federales
5.2.5 NOMs
5.2.6 Estándares
5.3 Regulaciones locales
139
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Proceso de Fabricación de Materiales Semiconductores
y Circuitos Integrados.
Clave de la asignatura: FDL-2301
SATCA1: 4-1-5
Carrera: Carrera: Ingeniería en Semiconductores y afines
Temario
No. Temas Subtemas
1 Introducción. 1.1 Introducción a la fabricación de Circuitos integrados
1.1.1 Introducción a los semiconductores y su
importancia en la tecnología moderna
140
3 Métodos de Dopaje para 3.1 Difusión de impurezas
Semiconductores. 3.1.1. Difusión
3.1.1.1 Ecuación de difusión de Fick
3.1.2. Perfiles de difusión
3.1.2.1 Difusión con concentración de dopante
constante en la superficie
3.1.2.2 Difusión con cantidad total de dopante
constante
3.1.3. Difusión extrínseca
3.1.4. Efectos relacionados con la difusión
3.1.5. Efecto de difusiones sucesivas
3.1.5.1 Máscaras para la difusión de SiO2
3.1.5.2 Redistribución de impurezas
durante la oxidación térmica
3.1.5.3 Redistribución de impurezas durante el
crecimiento epitaxial
3.1.6. Difusión lateral
3.2 Implantación de iones
3.2.1 Implantes múltiples
3.2.2 Capas de enmascaramiento
3.2.3 Implantes de ángulos de inclinación
3.2.4 Implantes de alta energía
3.2.5 Implantes de alta corriente
4 Proceso Fotolitográfico. 4.1 Proceso fotolitográfico en la fabricación de CI
4.1.1 Fuentes de luz
4.1.2 Óptica
4.1.3 Fotomáscaras
Materiales fotosensibles
141
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Ingeniería de Interfaces de Comunicación.
Clave de la asignatura: FDF-2304
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Carrera: Ingeniería en Semiconductores y afines
Temario
No. Temas Subtemas
1 Proceso de Diseño de 1.1 Introducción al PSP 2.1
Software 1.1.1 Principios y estructura
1.2 Planificación del proyecto
1.2.1 Definición, establecimiento de requisitos y
estimación de recursos
1.3 Análisis de riesgos
1.3.1 Identificación de riesgos y desarrollo del plan
de contingencia
1.4 Diseño conceptual y diseño detallado
1.4.1 Arquitectura del proyecto
1.4.2 Diseño de Interfaz de Usuario
1.4.3 Especificación de algoritmos y estructura de
datos
1.5 Implementación
1.5.1 Implementación de diseño
1.5.2 Pruebas de cumplimiento de requisitos
142
2.5.1 Respuesta en el tiempo del circuito RL, RC y
RLC
2.5.2 Respuesta en el tiempo de circuitos en
cascada
2.5.3 Modelado de dispositivos semiconductores
(diodo, BJT, FET, etc.).
144
5.3 Especialidad 3. Diseño de circuitos integrados. (DCI-2023-
03)
Asignaturas 5.3.1
145
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Caracterización de dispositivos electrónicos
Clave de la asignatura: semiconductores.
SATCA1: FDF-2303
Carrera: Ingeniería en Semiconductores y afines
146
Temario
No. Temas Subtemas
1 Introducción a la 1.1 Estructura de bandas de energía en
Caracterización de materiales semiconductores.
Dispositivos 1.1.1. Bandas de energía
Semiconductores. 1.1.2. Bandas de valencia y bandas de conducción
1.2 Conductores, semiconductores y aislantes
1.2.1. Bandas y la conductividad eléctrica
1.2.2. Ejemplos de materiales conductores,
semiconductores y aislantes
1.3 Tipos de semiconductores y su aplicación
1.3.1. Semiconductores intrínsecos y extrínsecos
147
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Ingeniería de interfaces de comunicación.
Clave de la asignatura: DCF-2305
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores y afines
Temario
No Temas Subtemas
1 Proceso de Diseño de 1.1 Introducción al PSP 2.1
Software 1.1.1 Principios y estructura
1.2 Planificación del proyecto
1.2.1 Definición, establecimiento de requisitos y
estimación de recursos
1.2.2 Análisis de riesgos
1.3 Identificación de riesgos y desarrollo del plan de
contingencia
1.4 Diseño conceptual y diseño detallado
1.4.1 Arquitectura del proyecto
1.4.2 Diseño de Interfaz de Usuario
1.4.3 Especificación de algoritmos y estructura de
datos
1.5 Implementación
1.5.1 Implementación de diseño
1.5.2 Pruebas de cumplimiento de requisitos
148
2.5 Modelado de dispositivos y sistemas
electrónicos
2.5.1 Respuesta en el tiempo del circuito RL, RC y
RLC
2.5.2 Respuesta en el tiempo de circuitos en cascada
2.5.3 Modelado de dispositivos semiconductores
(diodo, BJT, FET, etc.).
3 Diseño de Interfaces 3.1 Elementos de una interfaz gráfica de usuario
Gráficas de Usuario GUI (botones, barras de desplazamiento, listas
para Simulación. desplegables, cajas de verificación, menús, barras de
progreso, cuadros de texto).
3.2 Representación gráfica de variables
3.3 Solución de ecuaciones mediante interfaces gráficas
3.4 Representación gráfica de la respuesta temporal de
dispositivos electrónicos
3.5 Manejo datos con ficheros
3.6 Programación de puertos con interfaces de usuario
4 Diseño de Interfaces 4.1. Aplicación de protocolos de comunicación
Físicas para Emulación. 4.1.1. Protocolos para circuitos integrados (SPI, I2C,
UART).
4.1.2. Protocolos para conexión de dispositivos
(USART, USB, CAN, Ethernet).
4.2. Muestreo y reconstrucción de señales analógicas
4.2.1. Sensores y transductores (voltaje, corriente,
frecuencia, temperatura, campo magnético,
etc.)
4.2.2. Conversión analógico a digital
4.2.3. Conversión digital a analógico
4.3. Captura de señales digitales
4.3.1. Registros de desplazamiento (SISO, SIPO, PISO,
PIPO).
4.4. Transmisión y recepción de datos analógicos y
digitales entre interfaces físicas e interfaces de usuario
5 Integración del 5.1 Proyecto de aplicación
Sistema de
Adquisición y Análisis de
Datos (DAQ/DAS)
149
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Análisis y síntesis de circuitos digitales.
Clave de la asignatura: Clave: DCF-2301
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería en Semiconductores y afines
Temario
No Temas Subtemas
150
4.2.1 Flip Flop RS
4.2.2 Flip Flop JK
4.2.3 Flip Flop D
4.2.4 Flip Flop T
4.3 Registros de desplazamiento
4.4 Contadores
4.4.1 Contadores síncronos
4.4.2 4.4.2 Contadores asíncronos
151
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Arquitecturas de procesamiento y memorias.
Clave de la asignatura: Clave: DCL-2302
SATCA1: 4-1-5
Carrera: Ingenierías a Electrónica, Ingeniería en
Semiconductores y afines
Temario
1 Introducción a las 1.1. Historia de los microprocesadores.
Arquitecturas de 1.2. Arquitectura Von Neumann
Procesamiento. 1.3. Arquitectura Harvard.
1.4. Máquinas de estados algorítmica.
1.5. Otros paradigmas de procesamiento
152
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Análisis y diseño de circuitos integrados analógicos.
Clave de la asignatura: DCF-2304
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Carrera: Ingeniería en Semiconductores y afines
Temario
No Temas Subtemas
1 Introducción al Diseño 1.1. Flujo de diseño.
Analógico con Tecnología 1.2. Polarización y recta de carga.
CMOS. 1.3. Amplificadores de un transistor.
153
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Procesos de fabricación y layout para circuitos
Clave de la asignatura: integrados.
SATCA1: DCF-2306
Carrera: Ingeniería en Semiconductores y afines
Temario
No Temas Subtemas
1 Proceso Fotolitográfico 1.1 Introducción a la fabricación de Circuitos integrados.
para Fabricación de CI. 1.2 Proceso fotolitográfico en la fabricación de CI
1.2.1 Tipos de fuente de luz.
1.2.2 Óptica.
1.2.3 Fotomáscaras.
1.2.4 Materiales fotosensibles.
1.2.5 Proceso de limpieza
154
3 Celdas Estándar en 3.1 Herramientas CAD para layout de CI
Circuitos Digitales 3.2 Compuertas lógicas
3.3 Arquitectura y distribución física del CI (Floor
planning)
3.4 Verificación y validación
4 Técnicas de Layout para 4.1 Efectos parasíticos
CI Analógicos. 4.2 Desviación de parámetros
4.3 Técnicas de matching
4.4 Técnicas de shielding
4.5 Técnicas de routing
6 6.1 THT
Encapsulados. 6.2 6.2 SMT
6.3 6.3 Servicios de producción electrónica (EMS)
156
5.4 Especialidad 4. Diseño de Sistemas embebidos. (DSE-2023-
04)
5.4.1 Asignaturas.
• Matemáticas Avanzadas Para Ingeniería.
• Inteligencia Artificial.
157
• Internet De Las Cosas.
• Sistemas Embebidos Basados En Procesamiento Digital De Señales.
• Sistemas Embebidos Basados En Fpgas
Temario
No. Tema Subtema
1 Números Complejos y 1.1. Definición de número complejo
Funciones 1.2. Operaciones
Complejas 1.3. Las raíces de un polinomio real
1.4. Aplicaciones geométricas de los números
complejos: transformaciones en el plano
1.5. Funciones complejasb
158
3.3 Existencia de la transformada de Fourier
3.4 Teorema de Parseval para señales de energía y
señales de potencia
3.5 Función impulso y funciones elementales
3.6 Propiedades de la transformada de Fourier
3.7 Convolución
159
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Inteligencia Artificial.
Clave de la asignatura: DSF-2302
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Carrera: Ingeniería Electrónica y afines
Temario
No. Tema Subtema
1 Introducción a la 1.1. Historia de la IA
Inteligencia Artificial 1.2. Conceptos y técnicas (Estado del arte).
1.3. Campos de la IA
1.3.1.1. Tratamiento de Lenguajes Naturales
1.3.1.2. Sistemas Expertos
1.3.1.3. Problemas de Percepción
1.3.1.4. Aprendizaje
1.4. Modelos de agente inteligente
1.5. Heurística
160
4.1.2 Lenguajes utilizados en la representación de
conocimiento
4.2 Mapas conceptuales
4.3 Redes semánticas
4.4 Lógica de predicados
4.4.1 Sintaxis
4.4.2 Semántica
4.4.3 Validez
4.4.4 Inferencia
4.5 Razonamiento con incertidumbre
4.5.1 Aprendizaje
4.5.2 Razonamiento probabilístico
161
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Internet de las Cosas.
Clave de la asignatura: Clave: DSD-2303
SATCA1: 2-3-5
Carrera: Ingeniería Electrónica y afines
Temario
No. Tema Subtema
1 Introducción 1.1. Concepto de IoT
1.2. Componentes y arquitecturas
1.3. Tecnologías
1.3.1. Conceptos de Redes LAN
1.3.2. Topologías
1.3.3. Modelo OSI
1.3.4. Bases del Estándar IEEE802.3
1.3.5. Partes de un paquete
1.3.6. Uso de un monitor de red
1.3.7. Protocolo TCP/IP
1.3.8. Protocolo DHCP
1.3.9. Enrutamiento a accesos remotos
1.4. Aplicaciones
163
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Sistemas embebidos basados en Procesamiento Digital
Clave de la asignatura: de Señales.
SATCA1: DSD-2301
Carrera: Ingeniería Electrónica y afines
Temario
No. Tema Subtema
1 Señales y Sistemas en 1.1. Secuencias en tiempo discreto
Tiempo Discreto 1.2. Principio de superposición
1.3. Secuencia impulso unitario
1.4. Sistemas invariantes en el tiempo
1.5. Convolución lineal en tiempo discreto
1.6. Criterio de estabilidad para sistemas discretos en
tiempo
1.7. Ecuaciones de diferencia lineales de coeficientes
constante
2 Señales y Sistemas en 2.1 Transformada de Fourier en tiempo discreto (DTFT)
Dominio Frecuencia 2.2 Propiedades de la DTFT
2.3 DTFT de secuencias especiales
2.4 Convolución circular
2.5 Transformada de Fourier en tiempo discreto Inversa
(IDFT).
2.6 Transformada de Fourier en discreta (DFT).
2.7 Propiedades de la DFT
2.8 Convolución circular
2.9 Convolución lineal mediante la DFT
2.10 Transformada rápida de Fourier (FFT)
164
3.3 Plano complejo Z y región de convergencia
3.4 Relación entre la transformada z y la transformada
de Fourier
3.5 Transformada Z inversa
3.6 Diseño de filtros digitales FIR e IIR
165
Datos Generales de la asignatura
Nombre de la asignatura: Sistemas Embebidos basados en FPGAs.
Clave de la asignatura: Clave: DSF-2305
SATCA1: 3-2-5
Carrera: Ingeniería Electrónica y afines
Temario
No. Tema Subtema
1 Conceptos Generales 1.1. Sistemas digitales.
1.2. Procesamiento digital de señales.
1.3. IP Core.
1.4. Relación de conceptos generales con diseño,
simulación e implementación de bloques
combinacionales y secuenciales en FPGA.
2 Representaciones 2.1 Representación binaria de números enteros
Numéricas Binarias 2.2 Representación binaria de números con signo
2.3 Representación binaria de números fraccionarios
signados en formato de Punto Fijo
2.4 Resolución binaria
2.5 Representación binaria de números en formato de
Punto Flotante
3 Operaciones Matemáticas 3.1 Suma con números fraccionarios signados
Lineales 3.2 Multiplicación con números fraccionarios signados
3.3 Implementación en FPGA
4 Operaciones Matemáticas 4.1 División con números fraccionarios signados
No Lineales 4.2 Polinomios con números fraccionarios signados
4.3 4.3 Implementación en FPGA
5 Sistemas Embebidos con 5.1 Definición de sistemas embebidos.
FPGA 5.2 Definición RToS (Real Time Operaton Systems).
5.3 Definición de SoC ( System on Chip)
5.4 Arquitecturas de sistemas embebidos basados en
FPGA.
5.5 Simuladores de sistemas embebidos basados en
FPGA.
166
La asignatura de Matemáticas avanzadas para ingeniería aporta saberes y
habilidades, al perfil del egresado, en números complejos, series y
transformadas de Fourier, así como de la transformada Z.
167
5.5 Institutos tecnológicos que implementaron los módulos
de especialidad en distintos planes de estudio afines.
NÚM INSTITUTO
168
6. POSGRADOS DEL ÁREA DE SEMICONDUCTORES
Para lograr este fin, se llevaron a cabo dos reuniones para el análisis de
conocimientos y habilidades necesarios en la integración de los catálogos de
asignaturas, que sirven de base para los programas de posgrado, en apego al
Lineamiento para la Operación de los Estudios de Posgrado en el Tecnológico
Nacional de México, publicado en noviembre de 2018. La primera de ellas se
llevó a cabo en el Instituto Tecnológico de Aguascalientes del 17 al 19 de mayo
de 2023 y en un segundo momento, en el Instituto Tecnológico de Puebla del
13 al 15 de septiembre del mismo año, donde gracias al trabajo de expertos en
este campo emergente fue posible conjuntar un total de 13 asignaturas básicas
y 23 optativas, con las cuales es posible que investigadores, docentes y
estudiantado de posgrado desarrollen proyectos acordes a las Líneas de
Trabajo o de Investigación que se proponen en el presente documento.
169
6.1.1 Asignaturas básicas
Contenido Sintético:
• Conceptos Generales.
• Sensores y transductores de variables básicas.
• Sensores y transductores de variables especializadas.
• Acondicionamiento y procesamiento de la señal.
Contenido Sintético:
• Lenguaje VHDL y Verilog.
• Sistemas combinacionales.
• Sistemas secuenciales.
• Máquinas de Estados Finitos.
• Diseño con VHDL de IP cores.
• FPGAs.
• Microcontroladores y microprocesadores.
• DSPs.
• Implementación con VHDL.
ELECTROMAGNETISMO
Objetivo:
Adquiere conocimientos básicos de teoría electromagnética y su aplicación en la solución
de problemas prácticos.
Contenido Sintético:
• Fuerza electrostática y el campo eléctrico.
• Potencial eléctrico.
• Trabajo y energía electrostática.
• Campo eléctrico.
• Magnetostática.
• Campo magnético.
170
• Electrodinámica.
ANÁLISIS MATEMÁTICO
Objetivo:
Adquiere las herramientas matemáticas para el análisis de sistemas físicos y su aplicación a
la solución de problemas concretos.
Contenido Sintético:
• Cálculo.
• Variable compleja.
• Álgebra lineal.
• Ecuaciones diferenciales ordinarias.
MATEMÁTICAS AVANZADAS
Objetivo:
Adquiere las herramientas para el análisis de sistemas electrónicos y su aplicación a la
solución de problemas concretos.
Contenido Sintético:
• Álgebra lineal y Vectorial.
• Ecuaciones Diferenciales y en Diferencias (sistemas dinámicos).
• Análisis complejo.
• Transformadas integrales (Laplace, Fourier y Z).
171
técnicas aplicándolas a distintos sistemas metálicos y cerámicos.
Contenido Sintético:
• Microscopía.
• Difractometría.
• Espectroscopía.
Contenido Sintético:
• Distribución de Electrones en Aislantes y Semiconductores.
• Elementos de Mecánica Cuántica.
• Teoría de Bandas.
Contenido Sintético:
• Propiedades mecánicas.
• Uniones y dispositivos con Semiconductores.
• Propiedades ópticas y electroquímicas de los Semiconductores.
• Transistores de Unión Bipolar.
• Transistores de Efecto de Campo.
FÍSICA CUÁNTICA
Objetivo:
Analiza y resuelve problemas de mecánica cuántica con énfasis en semiconductores.
Contenido Sintético:
• El átomo.
• Postulados de la mecánica cuántica.
• Ecuación de Schrödinger.
• Momento angular cuántico
172
FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO
Objetivo:
Analiza la estructura de los sólidos cristalinos aplicados en semiconductores.
Contenido sintético
Contenido Sintético:
• Estructuras cristalinas.
• Teoría de metales.
• Teoría de Bandas.
• Semiconductores.
Contenido Sintético:
• Métodos de purificación y crecimiento de cristales.
• Métodos de dopaje para semiconductores.
• Proceso fotolitográfico.
• Proceso de integración de tecnología CMOS.
• Inspección y ensamble.
Contenido Sintético:
• Herramientas para el control de calidad en los sistemas de producción.
• Planes de muestreo de aceptación.
• Inspección de partículas/defectos en la fabricación de CMOS.
• Monitoreo e inspección de cuartos limpios.
• Normatividad en la industria de los semiconductores
173
6.1.2 Optativas
Objetivo:
Diseña dispositivos semiconductores para la mejora en el desempeño de los convertidores
de potencia.
Contenido Sintético:
• Física y propiedades de los semiconductores.
• Caracterización de los dispositivos semiconductores de potencia.
• Optimización de pérdidas de conmutación de dispositivos semiconductores.
• Comportamiento eléctrico de los dispositivos semiconductores de potencia.
• Modelado y simulación de los dispositivos semiconductores de potencia.
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Objetivo:
Aplica los principios de funcionamiento y circuitos de disparo de dispositivos de
conmutación, utilizados en electrónica de potencia.
Contenido sintético
Contenido Sintético:
• Dispositivos semiconductores de potencia
• Convertidores de CA-CD, rectificadores.
• Convertidores de CD-CA, inversores.
• Convertidores de CD-CD, troceadores.
• Convertidores resonantes y técnicas de modulación.
• Acondicionadores de potencia y ASDs.
Objetivo
INTELIGENCIA ARTIFICIAL
Objetivo:
Propone soluciones a problemas de ingeniería utilizando algoritmos de inteligencia artificial.
Contenido Sintético:
• Redes neuronales artificiales (RNA).
• Lógica difusa.
• Máquina de vectores de soporte.
• Algoritmos genéticos.
• Machine learning.
• Deep learning.
174
CONVERTIDORES CA-CD (RECTIFICADORES)
Objetivo:
Diseña los convertidores CA-CD en una aplicación específica.
Contenido Sintético
Contenido Sintético:
• Configuraciones rectificadoras no controladas, monofásicas y trifásicas.
• Configuraciones rectificadoras controladas, monofásicas y trifásicas.
• Aspectos colaterales en aparatos rectificadores.
• Montaje multipulsos.
• Rectificadores activos.
Objetivo:
Aplica los principios de funcionamiento de los procesadores digitales de señal en proyectos
de ingeniería.
Contenido Sintético:
• Fundamentos de los DSPs.
• Teoría de señales
• Conversión analógico-digital.
• Generador de señales PWM y otras.
• Diseño de sistemas e implementación en un proyecto de ingeniería.
Objetivo:
Implementa en hardware arquitecturas de procesamiento digital de señales.
Contenido sintético
Contenido Sintético:
• Arquitectura de dispositivos FPGA.
• Diseño de sistemas digitales con VHDL para IP Cores.
• Co-simulación e implementación hardware en DSP.
• Implementación en FPGA de funciones típicas para DSP (operaciones aritméticas
binarias con signo y punto fijo, punto flotante, etc.).
• Sistemas DSP basados en procesadores embebidos.
• Soft processors.
175
SISTEMAS OPERATIVOS EN TIEMPO REAL (RTOS) PARA SISTEMAS EMBEBIDOS
Objetivo:
Aplica las técnicas para el procesamiento digital de señales en tiempo real.
Contenido sintético
Contenido Sintético:
• Configuración del núcleo.
• Interrupciones por Hardware y Software.
• Tareas, planificadores y tiempos de respuesta.
• Manejo de memoria.
• Fiabilidad y tolerancia a fallas.
Objetivo:
Aplica la tecnología CMOS, el lenguaje de descripción de hardware y los conceptos de diseño
lógico combinacional y secuencial para desarrollar arquitecturas de procesamiento e
interfaces digitales.
Contenido Sintético:
• Lenguaje de descripción de Hardware y flujo de diseño VLSI.
• Circuitos combinacionales y secuenciales.
• Diseño de máquinas de estado algorítmicas.
• Relación algoritmo-arquitectura.
• Diseño y verificación funcional.
Objetivo:
Evalúa el comportamiento eléctrico de los dispositivos semiconductores.
Contenido sintético
Contenido Sintético:
• Caracterización de dispositivos semiconductores.
• Caracterización de dispositivos de unión.
• Caracterización de dispositivos optoelectrónicos.
• Caracterización de dispositivos de efecto de campo.
176
DISEÑO DE CIRCUITOS INTEGRADOS ANALÓGICOS
Objetivo:
Diseña circuitos analógicos utilizando tecnología CMOS.
Contenido Sintético:
• Diseño analógico con tecnología CMOS.
• Bloques constructivos de circuitos integrados analógicos.
• Amplificadores.
• Sistemas analógicos.
• Procesamiento analógico de señales (data converters, continuous filters, switched
capacitor filters, modulators, PLLs).
Objetivo:
Aplica las técnicas de diseño físico y fabricación de circuitos integrados (CI) y dispositivos
electrónicos.
Contenido Sintético:
• Proceso fotolitográfico para fabricación de CI.
• Construcción de dispositivos electrónicos.
• Celdas estándar en circuitos digitales.
• Técnicas de layout para CI analógicos.
• Protección electrostática.
• Encapsulados.
Objetivo:
Aplica técnicas y estrategias para la mitigación del impacto ambiental de la industria de
semiconductores, con el fin de fomentar la adopción de prácticas sostenibles y responsables.
Contenido Sintético:
• La industria de semiconductores y su impacto ambiental.
• Normatividad ambiental relacionada a la industria de semiconductores.
• Prevención de la contaminación y mitigación de impactos ambientales en la cadena de
valor de semiconductores.
• Salud, higiene y seguridad en la industria de semiconductores.
177
DISEÑO DE EXPERIMENTOS
Objetivo:
Interpreta los resultados experimentales para la toma de decisiones en la cadena de valor de
los semiconductores.
Contenido Sintético:
• Elementos de inferencia estadística.
• Experimentos con un solo factor: análisis de varianza (ANOVA) y multifactoriales.
• Diseño factorial.
• Regresión lineal simple y múltiple.
Objetivo:
Analiza los principios físicos de los materiales para el diseño de dispositivos semiconductores
orientado a la creación de circuitos electrónicos.
Contenido Sintético:
• Principios de análisis instrumental.
• Medición de propiedades eléctricas en semiconductores.
• Propiedades ópticas de semiconductores.
• Propiedades térmicas de semiconductores.
• Propiedades tribológicas.
MATEMÁTICAS AVANZADAS
Objetivo:
Analiza las características de desempeño y los parámetros de funcionamiento de los
dispositivos optoelectrónicos, que permitan la selección adecuada en su implementación.
Contenido Sintético:
• Transductores optoelectrónicos.
• Optoaisladores.
• Celdas solares.
• Láser.
• Fotodetectores.
Objetivo:
Aplica los conocimientos para el diseño de circuitos de procesamiento matemático y de
encriptación de datos.
178
Contenido Sintético:
• Lógica y conjuntos.
• Funciones y recursión.
• Combinatoria y probabilidad.
• Unidades de punto flotante FPU.
• Teoría de grafos y criptografía.
Objetivo:
Aplica las arquitecturas de procesamiento tradicionales para el diseño de sistemas
avanzados de uso específico.
Contenido Sintético:
• Arquitectura y rendimiento de sistemas paralelos.
• Procesadores vectoriales y matriciales.
• Redes de interconexión.
• Multiprocesadores y multicomputadoras.
• Arquitecturas avanzadas GPU, SOCs, SOMs, NOCs.
Objetivo:
Diseña algoritmos de inteligencia artificial para su implementación en hardware (circuitos
integrados).
Contenido Sintético:
• Fundamentos de inteligencia artificial.
• ASICs (Circuito integrado de aplicación específica) para redes neuronales.
• Deep learning analógico.
• Hardware analógico para inteligencia artificial.
• Cómputo neuromórfico.
Objetivo:
Diseña circuitos integrados para sistemas de comunicación inalámbricos digitales en
campos de aplicación bajo estándares internacionales.
179
Contenido Sintético:
• Antenas y bandas ISM.
• Esquemas de modulación y regulaciones legales: ASK, FSK, QAM.
• Protocolos inalámbricos: Wi-Fi, Bluetooth, LoRa, RFID, NFC.
Objetivo:
Aplica técnicas de medición y estándares internacionales de supresión electromagnética y
protección antiestática en circuitos integrados.
Contenido Sintético:
• Interferencia electromagnética y compatibilidad.
• Mecanismos de acoplamiento y métodos disipativos de protección.
• Técnicas de mitigación electrostática y electromagnética.
• Estándares y regulaciones.
• Métodos de pruebas EMI e instrumentación.
TEMAS SELECTOS I
Objetivo:
Actualiza y profundiza los conocimientos del estudiantado en el campo de su especialidad,
con el fin de apoyar al desarrollo de su tesis o tesina.
Contenido Sintético:
• El contenido de esta asignatura se determinará en función de las necesidades de los
estudiantes inscritos en ella, previa consideración del Consejo de Posgrado
correspondiente.
TEMAS SELECTOS II
Objetivo:
Actualiza y profundiza los conocimientos del estudiantado en el campo de su especialidad,
con el fin de apoyar al desarrollo de su tesis o tesina.
Contenido sintético
Contenido Sintético:
• El contenido de esta asignatura se determinará en función de las necesidades de los
estudiantes inscritos en ella, previa consideración del Consejo de Posgrado
correspondiente.
180
TEMAS SELECTOS III
Objetivo:
Actualiza y profundiza los conocimientos del estudiantado en el campo de su especialidad,
con el fin de apoyar al desarrollo de su tesis o tesina.
Contenido Sintético:
• El contenido de esta asignatura se determinará en función de las necesidades de los
estudiantes inscritos en ella, previa consideración del Consejo de Posgrado
correspondiente.
3. Microelectrónica y semiconductores
181
6.2 Institutos Tecnológicos con apertura de la
especialización en 2023
En atención a la Convocatoria de apertura del Programa de especialización en
Semiconductores, para el semestre agosto- diciembre 2023, que se emitió a
todos los Institutos Tecnológicos adscritos al Tecnológico Nacional de México
para participar en el proceso de apertura y que de acuerdo con los requisitos,
los Institutos Tecnológicos que cumplieron, se describen en la Tabla 3.
NÚM INSTITUTO
1 CENTRO NACIONAL DE INVESTIGACIÓN Y DESARROLLO
TECNOLÓGICO (CENIDET)
2 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE LEÓN
182
7. ALIANZAS ESTRATÉGICAS
184
8. COLABORADORES
INSTITUCIÓN ACADÉMICA(O)
CENIDET MANUEL ADAM MEDINA
CRODE Celaya ALEJANDRO ESPINOSA CALDERÓN
IT Aguascalientes ALEJANDRO SÁNCHEZ BARROSO
IT AGUASCALIENTES IRAAM ANTONIO LÓPEZ SALAS
IT AGUASCALIENTES JULIO CÉSAR MARTÍNEZ ROMO
IT AGUASCALIENTES OCTAVIO VALDÉS VALADEZ
IT AGUASCALIENTES PEDRO PABLO MARTÍNEZ PALACIOS
IT AGUASCALIENTES EDINGUER VÁZQUEZ AYALA
IT AGUASCALIENTES JUAN ANTONIO LÓPEZ GUEVARA
IT AGUASCALIENTES. JUAN CARLOS DÍAZ GUTIÉRREZ
IT AGUASCALIENTES RAFAEL PORTILLO ROSALES
IT CELAYA JAVIER DIAZ CARMONA
IT CELAYA NIMROD VÁZQUEZ NAVA
IT MATAMOROS ALAN LEÓN GONZÁLEZ ALMAGUER
IT MORELIA HUGO ENRIQUE ALVA MEDRANO
IT MORELIA HÉCTOR JAVIER VERGARA HERNÁNDEZ
IT QUERÉTARO MÓNICA BALVANERA ORTUÑO LÓPEZ
IT QUERÉTARO YOLANDA JIMÉNEZ FLORES
ITS SUR DE
JEZIEL VÁZQUEZ NAVA
GUANAJUATO
186
PARTICIPANTES EN EL DISEÑO DEL PLAN DE ESTUDIOS DE
INGENIERÍA EN SEMICONDUCTORES
INSTITUCIÓN COORDINADORES GENERALES
SAII-TecNM GAUDENCIO LUCAS BRAVO
IT MATAMOROS MARA GRASSIEL ACOSTA GONZÁLEZ
INSTITUCIÓN ACADÉMICA(O)
IT AGUASCALIENTES ALEJANDRA GARCÍA CASTAÑÓN
IT AGUASCALIENTES EDINGUER VÁZQUEZ AYALA
IT AGUASCALIENTES IRAAM ANTONIO LOPEZ SALAS
IT AGUASCALIENTES JUAN CARLOS DÍAZ GUTIÉRREZ
IT CHIHUAHUA PEDRO SÁNCHEZ SANTIAGO
IT CIUDAD MADERO SAMUEL MAR BARÓN
IT COLIMA ANA ROSA BRAÑA CASTILLO
IT HERMOSILLO DANIEL FERNANDO ESPEJEL BLANCO
IT MATAMOROS ALAN LEÓN GONZÁLEZ ALMAGUER
IT MÉRIDA ARTURO GAMINO CARRANZA
IT MÉRIDA DANIEL ARCÁNGEL LÓPEZ SAURI
IT MÉRIDA JORGE CARLOS CANTO ESQUIVEL
IT OCOTLÁN MAGDA SAGRARIO VELÁZQUEZ LÓPEZ
IT QUERÉTARO MÓNICA BALVANERA ORTUÑO LÓPEZ
IT QUERÉTARO YOLANDA JIMÉNEZ FLORES
IT TIJUANA JULIO CÉSAR CALVA YAÑEZ
IT TORREÓN JAIME DÍAZ POSADA
ITES IRAPUATO GABRIEL HERRERA PÉREZ
ITES IRAPUATO MIGUEL ÁNGEL ARMENTA LOREDO
ITS CAJEME LUIS ALBERTO LIMÓN VALENCIA
ITS LERDO ALEJANDRINA DÁVILA ESQUIVEL
ITS DE PURÍSIMA
GERMÁN PÉREZ ZÚÑIGA
DEL RINCÓN
ITS DE PURÍSIMA
JOSÉ DE JESÚS COLÍN ROBLES
DEL RINCÓN
187
PARTICIPANTES EN EL DISEÑO DE MÓDULOS DE ESPECIALIDAD DE
INGENIERÍA EN SEMICONDUCTORES
INSTITUCIÓN ACADÉMICA(O)
CRODE CELAYA ALEJANDRO ESPINOSA CALDERÓN
IT AGUASCALIENTES AHÍZA MARTÍNEZ ROMO
IT AGUASCALIENTES ALEJANDRO SÁNCHEZ BARROSO
IT AGUASCALIENTES ARACELI DELGADILLO ACERO
IT AGUASCALIENTES CARLOS ALBERTO DOMÍNGUEZ BÁEZ
IT AGUASCALIENTES CARLOS RODRIGO MARTÍN CLEMENTE
IT AGUASCALIENTES EDGAR DARÍO ACOSTA PÉREZ
IT AGUASCALIENTES EDINGUER VÁZQUEZ AYALA
IT AGUASCALIENTES FÁTIMA MARICELA GARCÍA KOHLS
IT AGUASCALIENTES FRANCISCO JAVIER VILLALOBOS PIÑA
IT AGUASCALIENTES HÉCTOR ULISES RODRÍGUEZ MARMOLEJO
IT AGUASCALIENTES ILIANA ROSALES CANDELAS
IT AGUASCALIENTES IRAAM ANTONIO LÓPEZ SALAS
IT AGUASCALIENTES J ASCENCIÓN GUERRERO VIRAMONTES
IT AGUASCALIENTES J RAFAEL MOLINA CONTRERAS
IT AGUASCALIENTES JAVIER MASCORRO PANTOJA
IT AGUASCALIENTES JOSÉ ANTONIO CALDERÓN MARTÍNEZ
IT AGUASCALIENTES JUAN ANTONIO LÓPEZ GUEVARA
IT AGUASCALIENTES JUAN CARLOS DÍAZ GUTIERREZ
IT AGUASCALIENTES JUAN JOSÉ SOTO BERNAL
IT AGUASCALIENTES JUAN MARTÍN MÉNDEZ TORRES
IT AGUASCALIENTES JULIO CÉSAR MARTÍNEZ ROMO
IT AGUASCALIENTES MARTHA ESTHELA VENEGAS PÉREZ
IT AGUASCALIENTES NANCY LILIANA DELGADILLO
IT AGUASCALIENTES OCTAVIO VALDÉS VALADEZ
IT AGUASCALIENTES OLGA MARÍA LARA SIGALA
IT AGUASCALIENTES PAULA CASTILLO ROSALES
IT AGUASCALIENTES PEDRO PABLO MARTÍNEZ PALACIOS
IT AGUASCALIENTES ROSA FABIOLA FUENTES MORALES
IT CELAYA JAVIER DIAZ CARMONA
IT CELAYA NIMROD VÁZQUEZ NAVA
IT QUERÉTARO MÓNICA BALVANERA ORTUÑO LÓPEZ
IT QUERÉTARO YOLANDA JIMÉNEZ FLORES
IT TOLUCA MARIA SONIA MIREYA MARTÍNEZ GALLEGOS
IT TOLUCA NAYELY TORRES GÓMEZ
188
PARTICIPANTES EN EL DISEÑO DE PROGRAMAS DE POSGRADO EN
SEMICONDUCTORES
INSTITUCIÓN COORDINADORES GENERALES
SAII-TECNM GAUDENCIO LUCAS BRAVO
IT MATAMOROS MARA GRASSIEL ACOSTA GONZÁLEZ
INSTITUCIÓN ACADÉMICA(O)
CENIDET MANUEL ADAM MEDINA
CRODE CELAYA ALEJANDRO ESPINOSA CALDERÓN
IT AGUASCALIENTES IRAAM ANTONIO LÓPEZ SALAS
IT AGUASCALIENTES J. ASCENCIÓN GUERRERO VIRAMONTES
IT AGUASCALIENTES JOSÉ ENRIQUE JAIME LEAL
IT AGUASCALIENTES JULIO CÉSAR MARTÍNEZ ROMO
IT AGUASCALIENTES LUIS ALBERTO ESCALERA VELASCO
IT AGUASCALIENTES MARIO ALBERTO RODRÍGUEZ DÍAZ
IT CELAYA NIMROD VÁZQUEZ NAVA
IT CIUDAD JUÁREZ JEOVANY RAFAEL RODRÍGUEZ MEJÍA
IT CIUDAD MADERO LUCIANO AGUILERA VÁZQUEZ
IT CIUDAD MADERO REINALDO DAVID MARTÍNEZ OROZCO
IT COLIMA ANA ROSA BRAÑA CASTILLO
IT MATAMOROS ALAN LEÓN GONZÁLEZ ALMAGUER
IT MÉRIDA DANIEL ARCÁNGEL LÓPEZ SAURI
IT MORELIA HÉCTOR JAVIER VERGARA HERNÁNDEZ
IT MORELIA HUGO ENRIQUE ALVA MEDRANO
IT PUEBLA ALEJANDRO DÍAZ SÁNCHEZ
IT QUERÉTARO YOLANDA JIMÉNEZ FLORES
ITS LERDO ALEJANDRINA DÁVILA ESQUIVEL
IT TORREÓN JAIME DÍAZ POSADA
189
9. REFERENCIAS
Ley General de Educación Superior. (2021). Nueva Ley publicada en el Diario Oficial
de la Federación el 20 de abril de 2021. DOF-20 -04-2021, pág. 1. Diario Oficial
de la Federación.
TecNM. (2023). Colaboracion del TecNM con el Plan Sonora de Energias Sostenibles.
Sonora, Tecnólogico Nacional de México.
190
10. GLOSARIO
191
11. ANEXOS
192
Fig. 4 Gráfica de estudiantes participantes inscritos en Diplomado en Semiconductores por
estado
193