UNIVERSIDAD DE CONCEPCIÓN

FACULTAD DE INGENIERÍA
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Laboratorio de Electrónica N°3.

Procesamiento de señales con transistores BJT

Cristian Villegas Leonard

Jeremías Pereira Manríquez
Francisco Rojas Salazar

Jorge Salgado Sagredo

Concepción, 20 de Septiembre, 2022

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I. OBJETIVOS:

1. Diseñar redes de polarización para operar transistores BJT en modo activo, y evaluar la
estabilidad térmica de puntos de operación, desviación de parámetros de transistores
y corrimiento de puntos de operación teóricos.

2. Obtener los parámetros que caracterizan a un amplificador mono-etapa: máxima incursión y

excursión simétrica, ganancia de voltaje, ganancia de corriente, impedancia de entrada y
salida, y respuesta en frecuencia.

3. Diseñar redes de polarización para operar transistores en corte y saturación para la

activación de contactores mediante señales lógicas.

II. INSTRUMENTAL Y EQUIPO:

- Osciloscopio de doble haz Tektronix TDS1000

- Osciloscopio de doble haz EZ 5020
- Generadores de señales
- Fuentes de tensión contínua de 0-30 V/3A
- Transformadores de 220 Vrms/6-0-6 V, 220Vrms/12-0-12 V.
- Multímetros electrónicos
- Resistencias
- Protoboard
- Computador personal (con Software de simulación Multisim)
- Herramientas menores (Alicate de punta, cortantes, destornillador fino, etc.)

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Marco Teórico

TRANSISTORES BJT

Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor), son
dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar el paso de corriente o
disminuir voltaje a través de sus terminales.

Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero comúnmente
son utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de señales o como conmutadores
de baja potencia. Como ejemplo se usan para controlar motores, accionar reveladores y producir
sonidos en bocinas. Estos transistores son muy comunes y de uso general los cueles pueden
encontrarse en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como en radios, alarmas, automóviles,
ordenadores, etc.

ESTRUCTURA DE LOS TRANSISTORES BJT

Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos diodos
semiconductores.

Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las letras hacen referencia a las capas
de material semiconductor que están construidos.

1-Transistor tipo NPN: Esta formado por dos capas de material tipo “N” y separadas por una capa
tipo “P”.

2-Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y separadas por una capa
tipo “N”.

Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central se
denomina base, y las laterales emisor y colector. Estos pines se representan por la inicial del
nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).

– La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada de “emitir” o

inyectar portadores mayoritarios hacia la base.

-La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una
zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es la de dejar pasar la mayor
parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector.

-La zona de C (colector), es encargada de recoger o “colectar” los portadores inyectados que han
sido capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es la zona con un nivel de dopado inferior
de las tres.

Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, debes identificar la terminal del
emisor, ya que esta tiene una flecha que cambia de dirección. En las imágenes 1 y 2 podrás
observar el esquemático del transistor tipo NPN – PNP y te darás cuenta que lo único que lo
diferencia es la orientación de la flecha.

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Los transistores BJT son fabricados en distintos materiales como Si (Silicio), Ge (Germanio) y GasAs
(Arseniuro de galio) los cuales son recubiertos en diferentes encapsulados los más comunes son
los TO-92, TO-18, SOT-23. Por lo general, se utiliza el encapsulado TO-92. En las imágenes 3, 4, 5 se
muestran los encapsulados más usados y el pinout de cada uno de ellos.

PARAMETROS PRINCIPALES DE LOS TRANSISTORES BJT

POL: Polaridad PNP- NPN (POLARITY) – Es la condición de voltaje y de corriente que se establece
en un transistor para fijar un punto de operación (Q), para mantener el transistor en la región
activa directa.

VCE: Voltaje Colector Emisor (VOLTAGE COLLECTOR EMITTER).

IC: Corriente de colector, medida en amperios (COLLECTOR CURRENT).

PD: Potencia de disipación, medidas en watts (POWER DISIPATION).

FT: Frecuencia de trabajo, medida en kilohertz (FRECUENCY).

HFE: Ganancia de corriente (CURRENT GAIN O BETA) – Este parámetro de modelo Hibrido “H” de
corriente alterna, el cual se usa para el diseño de circuitos con transistores, “F” proviene de los
términos (FORWARD CURRENT) amplificación con polarización directa y “E” de (COMMON
EMITTER) configuración de emisor común.

REGIÓN DE SATURACIÓN: Las uniones colector-base y base emisor están polarizadas

directamente, el voltaje colector-emisor es pequeño y la corriente es muy grande.

REGIÓN DE CORTE: En esta región la corriente de colector es cero o casi cero para cualquier valor
de voltaje colector-emisor, las uniones colector-base y base emisor están inversamente
polarizadas.

REGIÓN ACTIVA DIRECTA: En esta región la unión de colector-base esta polarizada en inversa y la
unión base-emisor esta polarizada en directa. Esta región nos permite utilizar al transistor como
amplificador de voltaje, de corriente o de potencia.

III. ACTIVIDADES PREVIAS:

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 1. Diseñar y simular una red de polarización para un amplificador con un BJT npn BC548C en
configuración Emisor Común (Fig.2) que cumpla con la siguiente especificación: ICQ = 20
[mA], VCEQ = 6[V], considerando una fuente de alimentación _ Vcc = 12 [V]. Suponer
VBE = 0,65 V. Registre los resultados.

V cc −V ceq 12 V −6 V
(Rc+ ℜ)= = =300 Ω
I cq 0.02 A
Hacemos Rc=200 y Re=100

Rb =0.1∙ β ∙ ℜ=3000
V bb=V be + I cq ∙1.11 ℜ=2.87 V
Rb
R 1= =3943 Ω
Vbb
1−
Vcc
VccRb
R 2= =12543 Ω
Vbb

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2. Utilizando acoplamiento capacitivo de entrada y salida, medir la máxima excursión
simétrica en la salida, sin distorsión, del amplificador. Simule su circuito considerando una
carga RL = 300[Ω] y una señal de entrada sinusoidal con una frecuencia de operación de 6
[kHz]. Registre sus resultados.

R2 Rc
C
C
+
VCC
-
Vin RL
R1 RE
CE

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7
3. Medir mediante simulación la ganancia de voltaje y de corriente (sin distorsión) y
determinar el ancho de banda para una señal de entrada sinusoidal de amplitud igual a 10
(mVmáx). Registre sus resultados.

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4. Retirar el condensador de bypass CE y mediante simulación medir nuevamente la ganancia
de voltaje y corriente del amplificador (Fig.3). Registre sus resultados.

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11
5. Diseñar y simular una red de polarización que permita operar un BJT como una compuerta
lógica NOT (Fig.4). Considere una tensión de alimentación Vcc = 12 [V] y un tren de pulsos
de 4[V]/4[kHz] como señal de control. Grafique los voltajes
de entrada y salida.

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 Cuestionario. Trabajo previo

1. ¿Qué cambios debiera realizar en su diseño, si utiliza un transistor PNP?

El colector y la base de un transistor NPN deben estar conectados a un voltaje positivo

(directo) para que la corriente fluya a través de él, por lo tanto, al reemplazarlo con un transistor
PNP, el sesgo es lo primero que debemos considerar. A diferencia de un transistor PNP, donde el
emisor debe estar conectado a un voltaje positivo y el colector y la base a un voltaje negativo. Para
garantizar que el transistor funcione correctamente, sería esencial alterar la conexión de los polos
del transistor.

2. ¿Qué se entiende por máxima excursión de señal de entrada?

La mayor amplitud de la señal de salida, ya sea positiva o negativa, sin recorte, se conoce como
excursión máxima de la señal. El punto operativo del transistor debe colocarse en el centro de la
línea de carga de CA para permitir que se mueva en la misma cantidad a lo largo de los ciclos
positivo y negativo de la señal de entrada. Esto dará como resultado la excursión de señal más
grande. Para ello, se reconoce que se producirá saturación en el semiciclo opuesto cuando se
utilice uno de los semiciclos de la entrada para provocar la saturación en la salida.

3. ¿Qué importancia tiene elegir el punto Q en el diseño de un amplificador?

La funcionalidad total del componente y el circuito depende del punto Q. Garantiza que las partes
no lineales, como los diodos, funcionen en todo el rango de trabajo con su corriente y voltaje
ideales. Además, esto fomenta una mayor utilidad, confiabilidad y vida útil de sus circuitos
electrónicos.

4. ¿Cómo asegura Ud. máxima amplificación, sin distorsión de la señal de salida?

Para diseñar un amplificador BJT con máxima excursión de señal, tomamos en consideración la
siguiente ecuación:

V ceq =R AC ∙ I CQ

Para reducir la distorsión lo mas posible debemos tener las siguientes consideraciones:

Asegúrese de que el punto de polarización no esté cerca de la saturación o del punto de corte y
que el amplificador permanezca en la región activa durante toda la oscilación de la señal. De lo
contrario, la parte superior o la inferior pueden quedar cortadas.

Utilice una buena fuente de alimentación (con ondulación baja) para evitar la inyección de
ondulación en la señal.

Separe la tierra de alimentación de la tierra de señal, aunque estén conectadas físicamente.

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 5. Explique Ud. Como obtendría las curvas características de un transistor, que relacionan la
corriente de colector, versus tensión emisor-colector, con la corriente de base como
parámetro.

Al ser un dispositivo no lineal, el funcionamiento del transistor puede ser descrito por una familia
de curvas características, como el diodo. El circuito colector-emisor se caracteriza por la curva Ic vs
Vce, manteniendo constante Ib.

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 Bibliografía

J. Carr, “Elements of Electronics Instrumentation and Measurements”, Tercera edición. Prentice

Hall, 1995.

F. Ernest, “Análisis de medidas Eléctricas”, Mc Graw Hill, 1971

Departamento de física, facultad de ciencias, Universidad Nacional de Colombia “Divisores de

tensión y corriente”, 2016

Medidores DC y AC capitulo 3 J. Carr (INFODA)

Diseño electrónico; C. S. Savant, 3era Edición

https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/408558/WEITRON/BC548C.html

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