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    Investigacion de Dispositivos de Potencia

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    Marlon Espinoza
    El documento describe cuatro dispositivos de potencia: SCR, TRIAC, DIAC y transistores IGBT. El SCR controla el flujo de corriente en un circuito, el TRIAC es un interruptor bidireccional para corriente alterna, el DIAC conduce corriente solo después de alcanzar su tensión de disparo de forma simétrica, y los transistores IGBT combinan las características de los transistores de efecto campo y bipolares para aplicaciones de alta potencia.

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    El documento describe cuatro dispositivos de potencia: SCR, TRIAC, DIAC y transistores IGBT. El SCR controla el flujo de corriente en un circuito, el TRIAC es un interruptor bidireccional para corriente alterna, el DIAC conduce corriente solo después de alcanzar su tensión de disparo de forma simétrica, y los transistores IGBT combinan las características de los transistores de efecto campo y bipolares para aplicaciones de alta potencia.

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    Investigacion de dispositivos de potencia

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    El documento describe cuatro dispositivos de potencia: SCR, TRIAC, DIAC y transistores IGBT. El SCR controla el flujo de corriente en un circuito, el TRIAC es un interruptor bidireccional para corriente alterna, el DIAC conduce corriente solo después de alcanzar su tensión de disparo de forma simétrica, y los transistores IGBT combinan las características de los transistores de efecto campo y bipolares para aplicaciones de alta potencia.

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    Investigacion de Dispositivos de Potencia

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    Marlon Espinoza
    El documento describe cuatro dispositivos de potencia: SCR, TRIAC, DIAC y transistores IGBT. El SCR controla el flujo de corriente en un circuito, el TRIAC es un interruptor bidireccional para corriente alterna, el DIAC conduce corriente solo después de alcanzar su tensión de disparo de forma simétrica, y los transistores IGBT combinan las características de los transistores de efecto campo y bipolares para aplicaciones de alta potencia.

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    Dispositivos de potencia

    Investigue las características y las aplicaciones de los siguientes dispositivos:


    1.- SCR: La función de disparo tiene como objetivo mandar abrir un circuito cuando
    exista una sobrecarga, cortocircuito o falla en la tierra. Para la tensión de disparo,
    debe preverse la intensidad de la señal. Lo que ocurre es que el SCR no admite que
    la compuerta esté negativa en relación al cátodo cuando el cátodo está negativo en
    relación al ánodo.
    2.- TRIAC: Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un
    dispositivo semiconductor, de la familia de los tiristores. La diferencia con
    un tiristor convencional es que este es unidireccional y el TRIAC es bidireccional.
    De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar
    la corriente alterna. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición
    que formarían dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: MT1, MT2
    (en este caso pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta (G). El disparo
    del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo de puerta.
    3.- DIAC: El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor
    de dos conexiones. Es un diodo bidireccional dispararle que conduce la corriente
    sólo tras haberse superado su tensión de disparo, y mientras la corriente circulante
    no sea inferior al valor característico para ese dispositivo. El comportamiento es
    fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayoría de
    los DIAC tienen una tensión de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su
    comportamiento es similar a una lámpara de neón.
    Existen principalmente dos tipos de DIAC atendiendo a su número de capas
    (pueden ser de 3 o de 4 capas); DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar
    sin conexión de base y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas.
    El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensión de avalancha
    en la unión del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor
    conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simétrico,
    funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus
    funciones.
    4.- Transistores IGBT: es un dispositivo semiconductor que se aplica como
    interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee
    las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con
    la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar,
    combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar
    como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como
    el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del
    BJT.

    Marlon Alexis Espinoza Ojeda


    Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta
    entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones
    en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y Sistemas de
    Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.

    Marlon Alexis Espinoza Ojeda

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