Saber U3

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UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA

DE COAHUILA

T.S.U. en Mecatrónica área Automatización

ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES


DOCENTE: M.C. CLAUDIA VERÓNICA GARCIA LOPEZ

ALUMNO: AUGUSTO DE JESUS RODRIGUEZ HERNANDEZ

UNIDAD: 3

TEMA: SABER U3

FECHA DE ENTREGA: 21/11/2023


1. Investigación Documental de materiales semiconductores
(tipos, estructura, característicasfísicas y eléctricas).
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un
conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el
silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del oxígeno. Otros
semiconductores son el germanio y el selenio. Los átomos de silicio tienen su orbital externo
incompleto con sólo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos
forman una red cristalina, en la que cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia
con los cuatro átomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente,
algunos electrones de valencia absorben suficiente energía calorífica para librarse del enlace
covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos
electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al potencial eléctrico de una pila, se
dirigen al polo positivo.

TIPOS

En general, hay dos tipos de átomos dopantes que dan como resultado dos tipos de
semiconductores extrínsecos. Estos dopantes que producen los cambios controlados deseados
se clasifican como

Semiconductores de tipo n.

• Semiconductores tipo p.

Los semiconductores extrínsecos son componentes de muchos dispositivos eléctricos comunes,


asícomo de muchos detectores de radiación ionizante. Para estos fines, un diodo
semiconductor(dispositivos que permiten la corriente en una sola dirección) generalmente
consta desemiconductores tipo p y tipo n colocados en unión entre sí.
semiconductores de tipo n
extrínseco - semiconductor dopado - tipo n – donante Un semiconductor extrínseco que ha si
dodo pado con átomos donadores de electrones se llama semiconductor de tipo n, porque la
mayoría de los portadores de carga en el cristal son electrones negativos. Como el silicio es un
elemento tetravalente, la estructura cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro
electrones de valencia. En el silicio, los dopantes más comunes son los elementos del grupo III y
del grupo V. Los elementos del grupo V (pentavalente) tienen cinco electrones de valencia, lo
que les permite actuar como donantes. Eso significa que la adición de estas impurezas
pentavalentes como el arsénico, el antimonio o el fósforo contribuye a la formación de
electrones libres, lo que aumenta en gran medida la conductividad del semiconductor
intrínseco.

Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p,
mientras que un cristal dopado con fósforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de
tipo n.

Los electrones de conducción están completamente dominados por la cantidad de electrones


donadores.

Por lo tanto el número total de electrones de conducción es aproximadamente igual al número


de sitios donantes, n≈N D .

La neutralidad de carga del material semiconductor se mantiene porque los sitios donantes
excitado se equilibran los electrones de conducción. El resultado neto es que el número de
electrones de conducción aumenta, mientras que el número de agujeros se reduce. El
desequilibrio de la concentración de portadores en las bandas respectivas se expresa por el
número absoluto diferente de electrones y agujeros. Los electrones son portadores
mayoritarios, mientras que los agujeros son portadores minoritarios en material de tipo n.
Semiconductores tipo p

extrínseco - semiconductor dopado - tipo p – aceptador Un semiconductor extrínseco que ha si


dodo pado con átomos aceptores de electrones se llama semiconductor de tipo p , porque la
mayoría delos portadores de carga en el cristal son agujeros de electrones (portadores de
carga positiva). El silicio semiconductor puro es un elemento tetravalente , la estructura
cristalina normal contiene 4enlaces covalentes de cuatro electrones de valencia. En el silicio,
los dopantes más comunes son los elementos del grupo III y del grupo V. Los elementos del
grupo III (trivalentes) contienen tres electrones de valencia, lo que hace que funcionen como
aceptores cuando se usan para dopar silicio. Cuando un átomo aceptor reemplaza un átomo de
silicio tetravalente en el cristal, se crea un estado vacante (un agujero de electrones). Un
agujero de electrones (a menudo simplemente el lamado agujero) es la falta de un electrón en
una posición en la que uno pudiera existir en un átomo en una red atómica. Es uno de los dos
tipos de portadores de carga que son responsables de crear corriente eléctrica en materiales
semiconductores. Estos agujeros cargados positivamente pueden moverse de un átomo a otro
en materiales semiconductores a medida que los electrones abandonan sus posiciones. La
adición de impurezas trivalentes como boro , aluminio o galio.a un semiconductor intrínseco
crea estos agujeros de electrones positivos en la estructura.

Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p,
mientras que un cristal dopado con fósforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de
tipo n.

ESTRUCTURA.

1. Los semiconductores son compuestos de átomos unidos juntos para formar una
estructura uniforme.

2. Cada átomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia que son compartidos, que
forma un enlace covalente con los cuatro átomos de Si circundantes.

3. La comprensión de cómo se organizan estos átomos es de vital importancia en la


comprensión de las propiedades de los materiales de diferentes semiconductores, y la mejor
manera de aplicar ingeniería ellos.

Semiconductores, como el silicio (Si) se componen de átomos individuales unidos entre sí en


una estructura regular y periódica para formar un entramado por el cual cada átomo está
rodeado por 8electrones. Un átomo individual se compone de un núcleo formado por un
núcleo de protones(partículas con carga positiva) y neutrones (partículas que no tienen carga),
rodeado por electrones. El número de electrones y protones es igual, de tal manera que el
átomo es eléctricamente neutro,en general. Los electrones que rodean a cada átomo en un
semiconductor son parte de un enlace covalente. Un enlace covalente se compone de dos
átomos “compartiendo" un solo electrón. Cada átomo forma 4 enlaces covalentes con los 4
átomos circundantes. Por lo tanto, entre cada átomo y sus 4 átomos circundantes, 8 electrones
se comparten. La estructura de un semiconductor se muestra en la siguiente figura.
CARACTERÍSTICAS

Los semiconductores se caracterizan por su doble funcionalidad, eficiencia energética,


diversidad de aplicaciones y bajo costo. Las características más destacadas de los
semiconductores se detallan a continuación.

– Su respuesta (conductor o aislante) puede variar dependiendo de la sensibilidad del


elemento a la iluminación, campos eléctricos y campos magnéticos del entorno.

– Si el semiconductor está sometido a una baja temperatura, los electrones se mantendrán


unidos enla banda de valencia y, por ende, no surgirán electrones libres para la circulación de
corriente eléctrica.

En cambio, si el semiconductor es expuesto a temperaturas elevadas, la vibración térmica


puede afectar la solidez de los enlaces covalentes de los átomos del elemento, con lo cual
quedan electrones libres para la conducción eléctrica.

– La conductividad de los semiconductores varía dependiendo de la proporción de


impurezas oelementos dopantes dentro de un semiconductor intrínseco.

Por ejemplo, si se incluyen 10 átomos de boro en un millón de átomos de silicio, esa


proporción aumenta la conductividad del compuesto mil veces, en comparación con la
conductividad del silicio en estado puro.

– La conductividad de los semiconductores varía en un intervalo entre 1 y 10-6 S.cm-1,


dependiendo del tipo de elemento químico empleado.

– Los semiconductores compuestos o extrínsecos pueden presentar propiedades ópticas


y eléctricas considerablemente superiores a las propiedades de los semiconductores intrínsecos.
Un ejemplo de este aspecto es el arseniuro de galio (GaAs), empleado predominantemente en
radiofrecuencia y otros usos de aplicaciones optoelectrónicas.
2. Cuadro sinóptico de materiales semiconductores (Propiedades
básicas, uniones PN, uniones NPN y PNP: transistor BJT; Unión
Al, SiO2, P: JFET, MOSFET; Unión PNPN: Tiristores)
3. Investigación documental de materiales superconductores
(Definición, estructura cristalina y características físicas y eléctricas)
DEFINICION

Los materiales superconductores son los que definen su conductividad eléctrica en base a la
temperatura que adquieran. En este artículo veremos varios ejemplos de ellos.

¿Qué es la superconductividad?

La superconductividad es un fenómeno eléctrico que poseen algunos materiales de forma


intrínseca. Estos materiales conducen a la corriente eléctrica sin ofrecer resistencia o pérdida
energética de algún tipo en ciertas condiciones (temperatura baja, presión alta, alta
temperatura), debido a la interacción entre electrones que lo conforman. A este tipo de
material se le llama superconductor, de los cuales se desprenden distintos tipos

TIPOS DE MATERIALES SUPERCONDUCTORES

Los materiales superconductores se clasifican según su capacidad para apantallar el campo


magnético en su interior de manera total, lo que definirá su posibilidad de ser usado en las
aplicaciones tecnológicas.

Una vez comprendido el concepto de superconductividad se puede deducir que un


superconductores un material que ha sido sometido a un proceso de disminución de
temperatura (generalmente utilizando helio o nitrógeno líquido) de tal magnitud que sus
propiedades eléctricas han sido modificadas para eliminar por completo la resistencia al paso
de corriente. Los superconductores se suelen clasificar en dos tipos:

-Superconductores de tipo I: El campo crítico mínimo que poseen los hace inútiles para su uso
en estas áreas, ya que el apantallamiento es imposible.
Superconductores Tipo I: Consisten en elementos conductores básicos que usualmente se
utilizan en todo, desde cableado eléctrico hasta microchips de computadoras. Hoy en día los
superconductores Tipo I tienen temperaturas críticas entre 0.000325ºK y 7.8ºK a presión
estándar(1bar o 0.986 923 27 atm). Algunos de los superconductores Tipo I además de requerir
temperaturas extremadamente bajas necesitan también estar sometidos a presiones
exorbitantes, tal es el caso del Azufre que necesita una temperatura de 17ºK (-256.15ºC) y una
presión de 9.3 millones de atm para alcanzar la superconductividad. Aproximadamente, la
mitad de los elementos de la tabla periódica pueden ser superconductores si las condiciones
adecuadas de temperatura y presión se presentan.

-Superconductores de tipo II: A diferencia de los de tipo I, estos superconductores permiten un


mayor apantallamiento, por lo que el campo magnético ingresa sin problemas para provocar la
conducción de energía. Esto los hace ideales para el uso en electrónica y tecnología.

• Superconductores Tipo II: Esta categoría está integrada por compuestos metálicos como
cobre o plomo. Estos elementos alcanzan un estado superconductor a temperaturas mucho
más altas comparadas los del Tipo I. La causa de este drástico incremento en la temperatura
aún no es comprendida por completo. La temperatura más alta alcanzada a presión estándar la
fecha es de 135ºK (-138ºC) por un compuesto que cae dentro de un grupo de
superconductores cerámicos llamados cupratos.

ESTRUCTURA CRISTALINA

Estructura cristalina del superconductor de bismuto*

La estructura de estos materiales corresponde a la estructura conocida como perovskitas, *que


es una estructura típica de los materiales ferroeléctricos. Además, el contenido, de oxígeno
parece ser sumamente importante para las propiedades superconductoras.
El interés inicial por estos materiales radicó en la alta movilidad del oxígeno a temperaturas
elevadas, lo que altera su comportamiento eléctrico, de manera tal que se había sugerido,
como una de sus posibles aplicaciones, la de sensor de oxígeno. Muchos estudios han dejado
bien claro ahora que las propiedades superconductoras del compuesto de itrio (Y), bario (Ba) y
cobre (Cu) (muy ampliamente conocido como el 1-2-3, por su composición: YBa2Cu3Ox)
dependen críticamente en la cantidad y en el ordenamiento de oxígeno, que a su vez depende
de los detalles del proceso para su obtención.

CARACTERISTICAS

La principal característica de los materiales conductores es que, en ausencia de campos


magnéticos, por debajo de una temperatura crítica, su resistividad se hace idénticamente nula
(dentro de los límites de medida, por supuesto). Esta transición se produce de forma abrupta
(es un cambio de fase). Por encima de la temperatura crítica, la resistividad es finita; a la
temperatura crítica se produce una discontinuidad de salto, y por debajo es nula. El primer
material en el que se descubrió esta propiedad (en 1911, por Kammerling Omnes) fue en el
mercurio para una temperatura de 4.2 K. Desde entonces se ha descubierto en otras
sustancias(tanto elementales como compuestas). La mayor temperatura crítica descubierta es
de 92 K (para un óxido de cobre, bario e ytrio), aun muy por debajo de la temperatura
ambiente.

La anulación de la resistividad implica que por el interior de un superconductor pueden circular


corrientes eléctricas sin disipación de energía por efecto Joule. Esto los convierte en sustancias
muy interesantes para la distribución de energía eléctrica o la generación de campos
magnéticos intensos
4. Mapa conceptual de tipos de superconductores

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