Guía Metodológica Tema 1 EA I

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Guía Metodológica Tema I

Facultad de Ingeniería Eléctrica


Departamento de Automática
GUÍA METODOLÓGICA TEMA I

ASIGNATURA: Electrónica Analógica I


Disciplina: Electrónica
Carrera: Ingeniería en Automática
Año: 2do
Semestre: 2do
Curso: 2019-2020
Tema I. Diodos semiconductores y Dispositivos de 4 capas
Objetivos
 Explicar los principios físicos de operación de diodos semiconductores y dispositivos de 4
capas.

Sistema de conocimientos
Principios físicos, características, parámetros dispositivos semiconductores: diodos y elementos
optoelectrónicos y dispositivos de control de potencia. Circuitos que ilustran la aplicación de tales
dispositivos en la conformación de ondas, la conmutación y el control.
Sistema de habilidades
 Describir e interpretar los principios físicos que determinan el funcionamiento de los diodos y
los dispositivos de 4 capas.
 Aplicar las leyes, procedimientos y métodos de análisis para los circuitos con diodos y los
dispositivos de 4 capas.
 Utilizar programas de computación para la simulación, análisis y síntesis de circuitos con
diodos y los dispositivos de 4 capas.
 Expresar con un lenguaje técnico riguroso, concreto, preciso, de forma oral y escrita, los
conocimientos relacionados con el tema.
 Adquirir de forma independiente conocimientos relacionados con el tema.

Distribución del contenido del tema


Este tema tiene 4 Conf, 2 CP, 2 CPC, 1 Sem y 1 Lab.
Guía Metodológica Tema I
Conferencia 1. Introducción a la asignatura (contenidos y horas por temas, sistema de evaluación).
Recordar: Clasificación de los materiales en conductores, semiconductores y aislantes según
las bandas de energía. Estructura cristalina del semiconductor de silicio. Semiconductores
intrínsecos y extrínsecos. Formación de semiconductores N y P.
El diodo semiconductor: La unión PN. Simbología. Funcionamiento en circuito abierto,
polarización directa, polarización inversa. Característica V-A. Voltaje umbral. Ejemplo de diodos
que trabajan en directa (Diodo rectificador) e inversa (Diodo Zener). Capacidades de la unión.
Fenómenos de ruptura y de avalancha. Parámetros termo sensibles. Medición de los diodos
rectificadores.
Conferencia 2. Tipos y parámetros distintivos de los diodos semiconductores: Diodo rectificador,
diodos de recuperación rápida (FRD y de barrera schottky), diodos zener, diodos emisores y
receptores de luz (LED y fotodiodos).
Explicación funcional del rectificador de media onda, onda completa y onda completa en puente.
Limitadores, recortadores, dobladores y multiplicadores de tensión.
Conferencia 3. Esquemas y funcionamiento de rectificadores de media onda, onda completa y onda
completa en puente. Valor medio y efectivo de una función periódica. Valores medios y
efectivos de voltaje y corriente, en rectificadores de media onda, onda completa y onda
completa con puente de diodos. Instrumentos para medir los valores medios y efectivos de
voltaje y corriente. Esquema de una fuente de alimentación no regulada. Valor del voltaje de
salida.
Explicación funcional de circuitos sencillos con diodos.
CP 1.Cálculo de circuitos rectificadores.
CPC1.Simulación de circuitos rectificadores.
L1. Medición del diodo. Identificación de sus terminales. Diodo rectificador.Diodo shottky. Diodo zener.
Montaje de una fuente no regulada.
Conferencia 4. Dispositivos de cuatro capas. Funcionamiento. Característica volt-amp del Dinistor,
Tiristor, Diac, triac. Medición de estos dispositivos. Aplicaciones de los dispositivos de cuatro
capas (rectificador de media onda, regulador de alterna).
S1.Aplicaciones de los dispositivos de 4 capas. Otros tipos de tiristores.
CP 2.Ejercicios de tiristores.
CPC2.Simulación de circuitos con tiristores.
Guía Metodológica Tema I

Bibliografía

• Texto básico: Microelectronics, Second Edition.Autores J. Millman and A.Grabel. Cap. 2


• Circuitos Microelectrónicos. Análisis y diseño. Autor Rashid. Cap. 2
• Multimedia y/o PDF “Temas de Electrónica Analógica I”. Universidad de Oriente.
Facultad de Ingeniería Eléctrica. Departamento de Telecomunicaciones. Autores
MsC. Ing Daniel Iván Garrido Rodríguez. Leandro Fidalgo Busquets. Pág 1-13.
• Electrónica de Potencia. Autor Rashid. Cap 4.
• Notas de clase

Indicaciones metodológicas y de organización de la asignatura


Ejemplos resueltos 3.2, 3.4 y 3.6 del Rashid
Ejercicios propuestos: Material Ejercicios EA I Tema 1 y 2.doc
Ejercicios propuestos: Ver en Boletas de examen versión 2019.doc los ejercicios relacionados con el
tema.

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