Estructura y Propiedades de Los Materiales

“2023, Año de Francisco Villa, el Revolucionario del Pueblo”
Universidad Tecnológica de la Selva
Rayón.
Carrera:
T.S.U construcción.
Materia:
Estructura y propiedades de los materiales.
Docente:
Mtra. Christian Gyssel Zepeda López
Presenta:
Pescador Rodríguez Jesús Emmanuel
Tercer Cuatrimestre, Grupo “A”
Actividad:
R.A
Rayón, Chiapas a viernes 18 de agosto del 2023

CARACTERÍSTICAS DE SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS E

INTRÍNSECOS.
¿QUÉ SON LOS SEMICONDUCTORES INTRÍSECOS?
Son aquellos elementos cuya estructura

molecular está conformada por un solo tipo de
átomo. Entre este tipo de semiconductores
intrínsecos se encuentra el silicio y el germanio.
La estructura molecular de los semiconductores

intrínsecos es tetraédrica; es decir, tiene enlaces
covalentes entre cuatro átomos circundantes, tal
como se presenta en la imagen a continuación.
Cada átomo de un semiconductor intrínseco tiene 4 electrones de valencia; es decir,

4 electrones orbitando en la capa más externa de cada átomo. A su vez, cada uno
de estos electrones forma enlaces con los electrones adyacentes.
CARACTERÍSTICAS
Semiconductores Extrínsecos Los semiconductores extrínsecos se caracterizan,

porque tienen un pequeño porcentaje de impurezas, respecto a los intrínsecos; esto
es, posee elementos trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice que
el elemento está dopado.
¿QUÉ SON LOS SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS?

Se conforman al incluir impurezas dentro de
los conductores intrínsecos; es decir,
mediante la incorporación de elementos
trivalentes o pentavalentes.
Este proceso se conoce como dopaje y

tiene como finalidad aumentar la
conductividad de los materiales, para
mejorar las propiedades físicas y eléctricas de estos.
Al sustituir un átomo de semiconductor intrínseco por un átomo de otro componente

se pueden obtener dos tipos de semiconductores extrínsecos.
CARACTERÍSTICAS
• Una baja temperatura permite unir la banda de valencia y no conduce

electricidad.
• Predomina en radiofrecuencia y aplicaciones optoelectrónicas.
¿QUÉ ES LA UNIÓN PN?

Una unión PN
consta de un
único cristal de
material
semiconductor
que está dopado
mediante la unión de dos materiales semiconductores de tipo N en un lado y de tipo
P en el otro. La unión PN es la frontera donde se unen las regiones N y P, por lo
que a esta estructura se la llama también diodo de unión.
UNIÓN PN POLARIZADA EN DIRECTO.
Un diodo (unión PN) en un circuito permite que

la corriente fluya más fácilmente en una
dirección que en otra. La polarización directa
aplica un voltaje a un diodo que permite que la
corriente fluya libremente, mientras que la
polarización inversa aplica un voltaje en la
dirección opuesta a un diodo.
Se facilita la difusión de portadores a través de la región de agotamiento, y conduce

a una mayor corriente de difusión.
En la presencia de un circuito externo que proporciona continuamente portadores

mayoritarios, la recombinación aumenta y agota constantemente la afluencia de
portadores a la célula solar. Esto aumenta la difusión y en última instancia, aumenta
la corriente a través de la región de agotamiento
UNIÓN PN POLARIZADA EN INVERSO.

En polarización inversa, un voltaje se
aplica a través del dispositivo de tal
manera que el campo eléctrico en la
unión aumenta. Cuanto más alto es
el campo eléctrico en la región de
agotamiento, la probabilidad de que
los portadores puedan difundirse
desde un lado de la unión a la otra,
disminuye, de ahí la corriente de
difusión disminuye también. En polarización directa, la corriente de arrastre está
limitada por el número de portadores minoritarios a cada lado de la unión p-n y es
relativamente invariante al aumento del campo eléctrico. Un pequeño aumento en
la corriente de arrastre es experimentado debido al pequeño aumento en la anchura
de la región de agotamiento, pero esto es esencialmente un efecto de segundo
orden en las células solares de silicio. En muchas células solares de película
delgada, donde la región de agotamiento es alrededor de la mitad del grosor de la
célula solar, el cambio en el agotamiento del ancho de la región con el voltaje tiene
un gran impacto en el funcionamiento de la célula.
CURVAS DE OPERACIÓN.
a) TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junción
transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite
aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de
bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
EMISOR, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente

dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a
que esta terminal funciona como emisor de portadores de
carga.
BASE, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del

colector.
COLECTOR, de extensión mucho mayor.

b) TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect

transistor) es un transistor que usa el campo eléctrico
para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad
de un canal que transporta un solo tipo de portador de
carga, por lo que también suele ser conocido como
transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres
terminales, denominados puerta (representado con la
G), drenador (D) y fuente (S). La puerta es el
terminal equivalente a la base del transistor de unión bipolar,
de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que, en el FET, el
voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la
corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos
tipos los de canal N y los de canal P, dependiendo del
tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.
CARACTERÍSTICAS
• Tiene una impedancia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).

• No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
• Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
• Es menos ruidoso.
• Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
• Es muy sensible
c) TIRISTORES
Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los

dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se
utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de
potencia. Se operan como conmutadores biestables,
pasando de un estado no conductor a un estado
conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben
ciertas características y limitaciones.
Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura

PNPN con tres uniones PN, tiene tres terminales: ánodo, cátodo y compuerta.
Es una familia de componentes electrónicos constituido por elementos
semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una
conmutación.1 Es un dispositivo análogo al tiratrón, un tipo de válvula
electrónica también utilizado para controlar la corriente2 Los materiales de
los que se compone son de tipo
semiconductor, es decir, dependiendo
de la temperatura a la que se
encuentren pueden funcionar como
aislantes o como conductores.3 Son
dispositivos unidireccionales (SCR) o
bidireccionales (Triac o DIAC). Se
emplea generalmente para el control de
potencia eléctrica.

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CARACTERÍSTICAS DE SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS E

Son aquellos elementos cuya estructura

La estructura molecular de los semiconductores

Cada átomo de un semiconductor intrínseco tiene 4 electrones de valencia; es decir,

Semiconductores Extrínsecos Los semiconductores extrínsecos se caracterizan,

¿QUÉ SON LOS SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS?

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Al sustituir un átomo de semiconductor intrínseco por un átomo de otro componente

• Una baja temperatura permite unir la banda de valencia y no conduce

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UNIÓN PN POLARIZADA EN DIRECTO.

Un diodo (unión PN) en un circuito permite que

Se facilita la difusión de portadores a través de la región de agotamiento, y conduce

En la presencia de un circuito externo que proporciona continuamente portadores

UNIÓN PN POLARIZADA EN INVERSO.

EMISOR, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente

BASE, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del

COLECTOR, de extensión mucho mayor.

b) TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect

• Tiene una impedancia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).

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