SEMICONDUCTORES
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SEMICONDUCTORES
Dopaje (semiconductores)
En la producción de semiconductores, se le denomina dopaje al proceso
intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC)
extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus
propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de
semiconductores a dopar.
A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un
conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las
capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeño. Cuando se
agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100 000
000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero.
Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10 000 átomos)
entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se
representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de
tipo P.
El dopaje fue desarrollado originalmente por John Robert Woodyard mientras
trabajaba para la empresa Sperry Gyroscope Company durante la Segunda
Guerra Mundial (1939-1945).[2]La demanda de su trabajo sobre el radar durante la
guerra no le permitió desarrollar más profundamente la investigación sobre el
dopaje, pero durante la posguerra se generó una gran demanda iniciada por la
empresa Sperry Rand, al conocerse su importante aplicación en la fabricación de
transistores.
En un proceso llamado dopaje, se agregan pequeñas cantidades de impurezas a
los semiconductores puros, lo que provoca grandes cambios en la conductividad
del material.
Características de los Materiales Semiconductores
Hay varias características de los materiales semiconductores; veamos algunas de
ellas.
1. Conductividad
El dopaje es la adición de impurezas a un material semiconductor para modificar
su conductividad eléctrica. Tanto los materiales semiconductores de tipo N como
los de tipo P pueden producirse mediante dopaje.
Impurezas como el fósforo o el arsénico se introducen en el material
semiconductor de tipo N. El material tiene un exceso de electrones libres, que
están cargados negativamente porque estas impurezas tienen un electrón más
que el átomo de silicio. En un material semiconductor de tipo P se introducen
impurezas como el boro o el aluminio. La sustancia carece de electrones, que
están cargados positivamente ya que estas impurezas tienen un electrón menos
que el átomo de silicio.
2. Banda Prohibida
La diferencia de energía entre las bandas de valencia y de conducción de un
material semiconductor se conoce como banda prohibida. La banda de conducción
es la región en la que los electrones fluyen libremente, mientras que la banda de
valencia es la región en la que los electrones están fuertemente ligados a los
átomos. La banda prohibida de un material semiconductor determina si es un
aislante o un conductor. En los conductores, la banda de valencia y la banda de
conducción se solapan, lo que permite el movimiento sin restricciones de los
electrones. En los aislantes, la banda prohibida es demasiado ancha, lo que
impide a los electrones pasar de la banda de valencia a la de conducción.
Debido a la diminuta banda prohibida de los materiales semiconductores, los
niveles de dopaje pueden hacer que actúen como conductores o aislantes.
3. Dopaje
El dopaje consiste en añadir impurezas a los materiales semiconductores para
modificar sus características eléctricas. Los dos tipos de dopaje más frecuentes
son el dopaje tipo N y el dopaje tipo P.
Durante el dopaje tipo N se añade una impureza al material semiconductor, como
fósforo o arsénico. En comparación con el átomo de silicio, estas impurezas tienen
un electrón adicional, lo que resulta en un exceso de electrones libres, que están
cargados negativamente.
Durante el dopaje tipo P se añade una impureza, como boro o aluminio, a la
sustancia semiconductora. Estas impurezas provocan una escasez de electrones,
que están cargados positivamente porque tienen un electrón menos que el átomo
de silicio.
Diodo
Un diodo es un dispositivo electrónico que conduce la electricidad en una sola
dirección. Es un dispositivo muy utilizado en la electrónica actual.
Cada circuito electrónico tiene docenas de dispositivos semiconductores como
Diodos, Transistores, Reguladores, Amplificadores Operacionales, Interruptores de
potencia, etc. en su interior. Cada uno de ellos tiene sus propias propiedades y
aplicaciones. En este artículo vamos a cubrir el dispositivo semiconductor más
básico, el diodo.
Empecemos por responder a la pregunta más básica. ¿Qué son los diodos?
•
Un diodo es un dispositivo o componente electrónico de dos terminales, que
conduce la electricidad o corriente eléctrica en una sola dirección y restringe la
corriente en la dirección opuesta.
• Un diodo es un componente electrónico especializado que actúa como un
interruptor unidireccional.
• Un diodo tiene polarización inversa cuando actúa como aislante y
polarización directa cuando permite el paso de la corriente.
• Un diodo es un componente semiconductor con dos terminales, ánodo y
cátodo.
• Los diodos se usan ampliamente en los circuitos modernos para proteger
los circuitos contra sobrevoltaje y también se usan para cambiar la corriente
alterna a corriente continua.
• Los diodos también se utilizan en interruptores, moduladores de señal,
mezcladores de señal, rectificadores, limitadores de señal, reguladores de tensión,
osciladores y demoduladores de señal.