LINEAS

DE

MICROTIRA

3-1 * Historia de la microtira

En 1949 Robert Barret (de Air Force Cambridge Research Center) propuso usar tcnicas de circuitos impresos en aplicaciones de UHF y microondas, porque hasta ese momento slo se lIsabanen la construccin de divisores de potencia. \ partir de 1950 varios laboratorios hicieron realidad las sugerencias de Barret: Airbome Instrument Laboratories (AIL) desarroll un sistema llamado "stripline", lIT una lnea de transmisin denominada "microstrip" y Sanders Associates investig el "Tri plate". Estas tres formas de lnea de transmisin soportan el modo de transmisin llamado TEM. Desde 1955 se construyeron acopladores direccionales y filtros. Evidenciando una constante c;:volucin el tema se fueron introduciendo diferentes tipos de dielctricos como la fibra de en vidrio, epoxy, Teflon, y ms tarde cuarzo, almina, zafiro y titanato de magnesio.

Mesa de soldado amiesltica para el annado artesanal de amplificadores de microondas .

3-2* Caractersticas de las microtiras

Una lnea de transmisin de microtira consiste en una tina tira conductora, colocada en un lado de un substrato dielctrico, que tiene un plano de tierra slido en el otro lado, como muestra la figura 3-1.

44
,---'

LlNEAS DE MICROTIRA
"-'-

LINEAS DE MiCROTIRA

45

linea de microtira--~",

r
/

sus trato

Zo=

1/ Vp c = Vp 1

,., " ;)-L

~~-~

dielectrico

.!~ ~--<,~.

~~~~--I---

'

pla"" AA
tierra ~V

Figura 3-1 * Lnea de microtira.

El substrato es usualmente un dielctrico de bajas prdidas. Las caractersticas de una lnea de transmisin con micratira son muy similares a una lnea de transmisin coaxil. La configuracin de los campos elctricos y magnticos que se muestran en la figura 3-2 es la etapa fmal de una modificacin progresiva de una lnea coaxil convencional. Las lneas slidas indican los campos elctricos, las rayas los magnticos. Ambos estn en el plano transversal, en ngulo recto uno con respecto al otro y a 90 grados de la direccin de propagacin, este modo recibe el nombre de electromagntico transversal o TEM.
" ,-l- I: ~-\:J.:,Y',
.'."" ,<:~:= ::>. ,._,,:;.. r-,.'.',

donde vp es la velocidad de propagacin, e es la capacidad por unidad de longitud y 1es la inductanciapor unidad de longitud. Desafortunadamente el clculo no es simple porque e y vp son funciones de la geometra de la rnicrotira y de la constante dielctrica efectiva. Estos problemas fueron analizados por muchos investigadores y tecnlogos. En 1964 Harold Wheeler public las ecuaciones de anlisis y de sntesis. Las ecuaciones de anlisis dan Zo en trminos de w/h ; las de sntesis dan w/h en funcin de Zo. Una de las desventajas es que se requieren dos tipos de ecuaciones, una para valores de w/h mayores I que 1, microtiras anchas, y otra para w/h menores que 2, microtiras finas. I Otros autores como Scheneiden y Sobol trabajaron para mejorar estas ecuaciones, pero fue I E. O. Harnmerstad quien report en la Conferencia Europea de Microondas de 1975 que:

habadesarrollado ecuacionesde anlisisy de sntesisque dabanuna exactituddel orden las

del 1%, considerado un resultado excelente. Las ecuaciones que mostramos a continuacin son las consideradas mejores en la actualidad. Las de anlisis dan Zo conociendo w/h y r :

I
I

Para w/h < 1

i)fsfk(i r~~1 S>

Figura 3-2 * Tramformacin de coaxil a m icro tira.

60 Zo=

-c-VEef

In(8hJw+w/4h)

3-3

Las dos propiedades de las microtiras de mayor impOlianciapara los diseadores de circuitos de RF son la velocidad de propagacin y la impedancia caracterstica. La propagacin de la energia en la lnea de microtira no es contenida enteramente en el substrato, Por esta razn, el modo de propagacin en microtira es llamado casi TEM. Asumiendo este modo la velocidad de propagacin en la lnea de microtira est dada por:
-- VP .. I e / ,:;-;: 'J LeJ 3-1

donde

I:r+l Eef= 2

a-l + 2

1 ( .J1+12h/w )+0,O4( l-w/h)2

3-4

Para w / h > 1 Zo = (120 n / -JEef ) / (w / h + 1,393 + 2 / 3 In (w / h + 1,444 )) 8r+l Eef= -+-( 2 I:r-l 2 1 .Jl+12h/w ) 3-5

donde

donde vp es la velocidad de propagacin, e es la velocidad de la luz y Eef es la constante dielctrica efectiva del substrato. La constante dielctTicaefectiva es siempre menor que la constante dielctrica relativa Er, porque algunas dc las lneas de campo se extienden fuera del substrato.Podemos decir entonces que la vp disminuye y cs menor que c. La impedancia caracterstica de la lnea de microtira, Z, est dada por la conocida ecuacin de la linea de transmisin:

3-6

Las ecuaciones de sntesis de Hammerstad para w/h en trminos de Zo y Er son: Para w/h < 2

46

LINEAS DE MICROTIRA
------------------------------

LINEAS DE MICROTIRA

47

w/h=

seA I e2A

-2

3-7

del

espesor

puede

ser

compensado En

por

una

ligera

reduccin

del

ancho

de

la tira por

sugerencia

de Wheeier.

otras palabras,

el ancho

efectivo

de la tira (weff,) en las frmulas ser modificadas

es algo mayor
de Wheeler para con

Paraw/h>2 w/h=2/1t(B-1-ln(2B-1)+ donde: Zo A= 60 Er-1 -(In(B-1)+0,39-0,61IEr 2fT

3-S

que

el ancho

fisico de la tira. Quiere

decir que Las

al reemplazar frmulas deben

wef I h, el verdadero
cuenta el espesor,

wl h ser menor.

tener en

de la siguiente manera:

Para 3-9 Para

w/h> 1/2n=

0,16

weffl 11= w I 11 t I n h ( 1 + In 2h I t ) + weffl h = w I h +t 11th ( 1 + In 41twI t )

3-11 3-12

r+1 -2

Er-1 + (0,23 +O,ll/Er) Er + 1

w/h < 1/ 2 1t = 0,16

B= 377 1t12 Zo .;;

3-10

Para microtira con w/h> 0,16 en circuitos de 1,6 mm de espesor con t = 35 micrones (1 ounce cooper), el factor de correccin 'w = 0,041, entonces weff = w + 0,041; para espesores de 0,8 mm da 'w = 0,074. Incorrecto

Hammerstad dice que para er < 16, el error relativo mximo es menor que 0,5% para w/h > 0,5; para w/h < 20 el error es menor que 0,8%. En la figura 3-4 mostramos cmo la relacin w/h afecta a Zo para diferentes dielctricos, como epoxi fibra de vidrio con Er =4,8 y 'renol! fibra de vidrio con Er=2,55. Mostramos estos materiales porque son comunes en la construccin de circuitos con microtiras.
' , I '!I I ! I1 i !

I
2501

i-:

: I I JJL
L -L---t---t-i- ::
I

,.. ~1-t-f5t.
! ".

.1

fltHfl~~.2
.3 .4 .3 .6
.7 1
"/h

T;-;r.:~

: J I 11 ___m_~...n m-=-+

+--

10 ,--.-

.1

.2

.3.4

.7

10

ANCHO DE LA MICROTlRA[rnrnJ

Figura 3-5 * Impedancia vs anchopara distintos espesores de dielctrico. En la figura 3-5 mostramos el efecto de Zo en funcin de w para dos dielctricos .

Figura 3-4 * Impedancia vs w/h para distintas constantes dielctricas.

3-4* Velocidad de propagacin

en la microtira

3-3 * Influencia del espesor de la microtira

Las ecuaciones de impedancia consideran espesor cero (t= O). Para espesores [mos (t/h < 0,005) los resultados tericos y experimentales coinciden. Para otros valores, el efecto

Adems de la Zo de la microtira, la velocidad de propagacin es una propiedad muy importante para el diseo de circuitos de VHF y UHF donde es necesario conocer la longitud elctrica exacta para la correcta adaptacin de.los circuitos. Como mostrbamos, la velocidad de propagacin vp est dada por:

LINEAS DE MICROTIRA 48 LINEAS DE MICROTlRA

49

---vp = el

--------------------------.JEe[
3-13
vp

= e

1.[;;

3-19

donde e es la velocidad de la luz y Eef es la constante dielctrica efectiva de la microtira. Para demostrar esta relacin, debemos recordar las ecuaciones de las lneas de transmisin, donde: y=a+ j ~= .J(g + jtl)(r + jtC) Si r = O Y g = Oentonces y = j t.Jk luego ~ = aJ.Jk (radianes I metro) La longitud de una lnea de tTansmisines nterpretada como un ngulo equivalente ~x, donde \3es la constante de fase. La distancia correspondiente a 2n es llamada una longitud de onda.
Ag = 2 n I \3 La velocidad de pTOpagacin se define como

donde la velocidad de propagacin disminuye con la raz cuadrada de la perrnitividad relativa. Si recordamos que: c=Af tenemos A.g= AOI .;; 3-21 y vp = Agf 3-20

3-14

Entonces la longitud de onda se reduce con la raz cuadrada de la permitividad relativa del material donde la lnea est inmersa. Esto puede ser reescrito para obtener la longitud de la onda en la microtira en funcin de la longitud de onda en el espacio libre, cambiando solamente la nomenclatura de Br por el valor verdadero que tendr en este tipo de lnea de transmisin, Eef: Ag = /..0I~ Eef donde la longitud de onda en el espacio libre /..0 es: 3-22

3-15

vp= Agf = aJ I \3
Esta es la velocidad de la onda viajando por la lnea. Relacionando con lo anterior tengo:

3-16 A.O 29980 I f (MHz)" (cm) = 3-23

La importancia de esta reduccin la mostramos con el siguiente ejemplo: supongamos un

substrato de almina con fr

=9

Y f= 10 GHz. La longitud en el espacio libre es de 3 cm. ,

vp = 1 I

.Jk

3-17

La velocidad de propagacin est dada tambin en tnninos de la penncabilidad absoluta ~ y de la perrnitividad B,constantes del medio donde viaja la onda : vp = 1 I

= e I ~~r fr

3-18

donde e = 2,99793 108 m I s es la velocidad de la luz en el espacio libre y aproximadamentese toma como 3 108mis. En la mayora de las lneas de transmisin ~r = 1, pues no usan materiales magnticos, entonces tenemos:

mientras que en la microtira es menor que 1 cm. Por lo tanto se disminuye el tamao de los circuitos, ventaja muy importante en todas las frecuencias. Llegado a este punto ya estoy en condiciones de calcular una lnea, es decir, encontrar su ancho y su longitud. Previamente debo seleccionar un material para la construccin de la lnea, siguiendo las recomendaciones que veremos ms adelante. Con l tendrem~s conocidas las siguientes dimensiones fsicas: el espesor del dielctrico h, el espesor del conductor t y la constante dielctrica relativa Er. Por otro lado hemos calculado cul Zo precisamos y qu longitud elctrica necesitamos. Usando las ecuaciones de Hammerstad con todos estos datos encontraremos l ancho de la microtira y su longitud fisica, concluyendo as el diseio-

50

LINh'AS DE MICROT1RA

LINEAS DE MICROTIRA

51

3-5* Prdidas
Cuatro mecanismos diferentes producen prdidas de potencia en lneas de microtira: a) Prdidas en el conductor. b) Disipacin ell el dielctrico del substratu. c) Prdidas por radiacin. d) Propagacin de ondas de superficie. Dispersin.

substratos de plstico da resultados razonables. Tambin da buenos resultados para subsiratos de almina con conductores de oro, pero usando las frmulas para el cobre. E! factor de calidad del conductor de la microtira, Qc, responde a la siguiente relacin: Qc= 1f.f/vp ac=1,26w(rnm)Z ~Eeff(GHz) 3-27

3-6* Prdidas en el conductor

Debido a la conductividad finita de la microtira y del plano de tierra, se producen prdidas, y stas pueden ser calculadas si la distribucin de corriente es conocida. La distribucin que se asume, para facilitar el uso de frmulas generales, se supone uniforme, tanto en la tira como en el plano de tierra. Entonces podemos decir que el factor de atenuacin del conductor es :
<xc

El ractor de calidad es la relacin entre la energa almacenada y la potencia disipada cuando la lnea es usada como un resonador, es una referencia muy usada para determinar las prdidas en circuitos que usan estructuras resonantes como filtros. En la frmula mencionada pareciera que Qc se incrementa con el aumento de la constante dielctrica. Sin embargo, para impedancia constante, el ancho de la microtira w decrece ms rpidamente que la raZ cuadrada de la constante dielctrica efectiva, y el valor de Qc crece cuando disminuye esta ltima. Las frmulas anteriores se usan para tiras anchas, donde son vlidas, pero para relaciones prcticas de w/h usaremos las ecuaciones de Pucel que consideran una distribucin de corriente no uniforme, alcanzando por esa razn una exactitud mayor, y son las siguientes: Para w/h ::;'h 1f. 8,68Rs ac=-P(l+-+ 21fZoh
Para 'h 1f.< w/h ::;2 3-29

= Rs / w Z

3-24

h wef

h I -"\ln wef

4WJl" ~+- t

t w

3-28

donde Rs es la resistencia del conductor, dada por:

Rs=

v27

lJ~O

3-25

ac = 8,68Rs P Q 2Jl"Zoh Para w/h ~ 2 8 68Rs wef C1,c=~ O{ +2/nln{2nc{ . . Zoh" h . . .. , - .. wef -+0.94))
'2h ,. n,

donde J es la frecuencia angular y () es la conductividad del conductor igual a 5,8 107 S/m para el cobre y 4,2 107 S/m para el oro. Entonces, resumiendo para conductores de cobre:

wef (-+
h

wef / h Jl"
'\1.. . "' e +' II ,,"u ,v, (\ yy ~

)
/

3-30

9A
~

ac = 0,072 .JfGHz / w Z

( dE / unidad de longitud)

3-26
donde

donde w es el ancho de la tira cn nnn. Esta frmula sobrestima las prdidas tericas en un 100%; sm embargo, si tenemos en cuenta las prdidas debido a la rugosidad de la superficie, en frecuencias cercanas a 1 GHz y para

P = 1 - { wef '\ , 4h J

3-31

52
----------

LINEAS DE MICROTIRA
------

LINEAS DE MICROTIRA

53

h O=l+-+-(]n wef

2h

JZWef' - - t

) t /

3-32

cr - 1 Eef 1 Qd= --Eef - 1 cr tg

3-35

Para una dada Zo las prdidas en el conductor decrecen inversamente con el espesor del substrato y aumentan con la raz cuadrada de la frecuencia. Tambin habamos mencionado que la rugosidad de la superficie incrementa las prdidas del
conductor. Ivlorgan las calcula con la siguicntc rclacin:

3-8* Prdidas por radiacin

Una microtira tiene una estructura abierta y puede perder potencia por radiacin en cualquier discontinuidad que tenga. Como muestran Lewin y Sobol, la discontinuidad que causa mayor radiacin es un circuito abierto, donde la relacin de potencia radiada a incidente es:

a.c = a.co ( 1 + 2hr arctg 1,4 ( N o?)

3-33

donde a.co es el factor de atenuacin del conductor para frecuencia cero o corriente continua. o es el factor de penetracin y A la rugosidad de la superficie en valores r.m.s. Substratos tpicos de almina tienen valores del orden de 0,1 a 0,2 micrones, mientras que un substrato de plstico tiene del orden de 0,25 mil pico a pico o 1,6 micrones r.m.s. Esto nos dice que estas prdidas son importantes para substratos de plstico.

Pr/Pi=[

32 ff no

Eef .JEef Z

(-)](-)
h

3 EefZ

45

h Aa

3-36

3-7* Prdidas del dielctrico

Expresa las prdidas que se producen en el dielctrico cuando una energa lo atraviesa. Para expresarlas se usa la tg 8, trmino que se emplea en capacitores , donde el ngulo O,llamado ngulo de prdidas, cuantifica el apartamiento de los 90 grados entre la corriente y la tensin que atraviesanun capacitar. Las prdidas en el dielctrico son usualmente menores que las del conductor, excepto por la pobre calidad de los substratos o plsticos muy finos. El factor de atenuacin est dado por:

donde no es la impedancia de la onda en el espacio libre (376,73 ohm). El primer trmino domina para altos valores de impedancia ( 100 ohm) Ybajos valores de Er, mientras que el segundo trmino lo hace para valores pequeos de impedancia (20 obro) y valores altos de Er. Para el rango medio de impedancias los dos trminos tienen el mismo orden de magnitud y pueden sobrevalorar este tipo de prdidas. Generalmente los circuitos con microtiras son blindados para evitar la radiacin. La estructura del blindaje debe ser tratada como una gua de onda y las dimensiones de la gua
deben ser lo suficientemente pequeas para que la operacin est debajo del corte. Como una

Eef - 1 2.r tg o O'"d 27,3 = ( dE I unidadde longitud)

cr - 1 Eef

'} --A .rJ"'T

primera aproximacin, esto es equivalente a requerir que las dimensiones transversales de la estructura rectangular sean menores que YzA,en el espacio libre. Judguig public clculos de los diagramas de dispersin que resultan muy buenos para Er= 9. Para propsitos de diseo las dimensiones transversales de la estructura de blindaje deben ser aproximadamente del orden de 5 veces la altra del substrato y tres veces el ancho de la tira. Para constantes dielctricas entre 2 y 10; esto i.rnplicaque la frecuencia superior l.'1litesca dc h < le/lO. Para asegurar bajas prdidas la siguiente relacin es muy usada
h / AO:S;ErO,25 65 / 3-37

donde A,es la longitud de onda de la microtira y tg o es la tangente del ngulo de prdidas del dielctrico del substrato. El factor de calidad Qd es :

Esto no L.'1validal uso dc frecuencias superiores, pero depende del circuito. e Conviene aclarar que en una gua de onda como indica la figura la longitud a no pm)de ser menor que media longitud de onda. Cualquier otra frecuencia menor que haga disminuir a

54

LINEAS DE MICROTIRA
-------------

LINEAS DE MICROTIRA
-..-------------

55

por debajo de media longitud de onda no se podr propagar por la gua. La frecuencia en que a es media longitud de onda es llamada frecuencia de corte y corresponde a la longitud de onda de corte AC,donde AC= 2a.

Er - Eefo 2 Eef (f) = 8r - 1 + G(f / tp) donde Ecfo es la constante delctrica efectiva a frecuencia cero, G es una constante, f la frecuencia y fp: fp= Z / 2 .toh = 0,40 Z/ h (mm) Para G se da : (GHz) 3-41 3-40

Db a
3-9* Dispersin

--

Figura 3-6 * Dimensiones en una gua de onda-

G = 0,6 + 0,009 Z La propagacin en la microtra se produce con el modo TEM puro, pero una pequea parte de la energa puede ser propagada en otros modos, TE YTM. A medida que la frecuencia de operacin se incrementa una energa cada vez mayor se propaga en estos otros modos. Esto se denomina prinlero dispersin y luego resonancia, cuando toda la energa se propaga en uno o ms modos. E} orden menor del modo TM no tiene frecuencia de corte y su velocidad de fase decrece con el incremento del espesor deldielctrico y con la constante dielctrica. Fuerte acoplamiento de este modo puede ocurrir cuando su velocidad de [ase est cercana a la del modo TEM de la microtira. Esto oCllrrepara lineas angostas cuyas constantes dielctricas efectivas son pequeas y por lo tanto tienen mayor velocidad de fase que las lneas anchas. La frecuencia menor donde ocurre el acoplamiento del modo TM es : h (mm) 3-38 f( GHz) = 100 / Esto da una frecuencia mucho mayor que la que se recomienda usar debido a las prdidas por radiacin. El orden menor del modo TE tiene como frecuencia de corte:

3-42

La dispersin puede ser despreciada para substratos de plsticos de bajo er. Pero debe ser tenida en cuenta para substratos de almina en frecuencias alrededor de 5 GHz.

3-10* Substratos y tecnologas

Los circuitos de microtira pueden ser hechos con diferentes tecnologas, pelcula delgada o gruesa, o imprimiendo el circuito sobre el material. Los substratos deben tener propiedades acordes con la tecnologa usada; usualmente materiales cermicos son usados con tecnologa de pelcula y los plsticos con impresin. A continuacin listamos una cantidad de materiales usados con sus caractersticas principales.
Sub
di ---- _..- ---

;;

.' ~ ((eU..' ,c

UU)

--re I . c--; I J I \j tf - 1

L ( , II ~ HHU)

e'-JO'

..,

.., (\

IPOS Er :fuJoxifibra .1-,<1 de vidrio 1r Teflon I 2,2O

tang o

Conductividad tnnca W/mIK

Adherencia lb/ in
1/1

Resistencia superficie Mil

1 f) f){\f)

'

"

Entonces ~elllaICa10S los lodos qe o son TE~yl pueden causar disp,;rsipara qle frecuencias prcticas de trabajo. Cuando la energa es transfonnada en ondas de superficie se incrementa la constante dielctTicaefectiva con el resultado de que disminuye la velocidad de fase. GetsLngerda las siguientes relaciones para la variacin de Eef:

IC-;:;im; v" H"v

Zafiro Cuarzo

o< 7,-'
11 3,5

t
I

0,018

0,0009
0,0004

ri

10,26
"1'LA'

12

3.108

0,0001 0,0015

3-11 * Substratos

para la tcnica de impresin

56
--~ ~

LlNEAS DE MICROTlRA
' ' ~' ' '--

LINEAS DE MICROTlRA ------

57

La constante dielctrica relativa de los substratos de plstico est en la regin entre 2,2 - 2,6. Hay muchos tipos diferentes, en cuanto a sus caractersticas elctricas y mecnicas y de diferente costo. Para propsitos de ingeniera, hay que tratar de lograr un equilibrio entre estas propiedades. La importancia relativa de stas puede variar con la frecuencia. El factor de calidad del dielctrico de un substrato (Qd) es independiente de la frecuencia, asunendo que la tang Oes independiente de la frecuencia. El factor de calidad del conductor (Qc), es proporcional a la raz cuadrada de la frecuencia; sin embargo, como el espesor del substrato tiene que ser reducido proporcionalmente con la fiecuencia debido a la radiacin (Qc) puede disminuir con la raz cuadrada de la frecuencia. El costo es proporcional al espesor del substrato y a sus dimensiones fsicas. En bajas fiecuencias, el costo y las prdidas en el dielctrico son menos importantes que las caractersticasmecnicas, porque se usan substratos gruesos y lneas anchas., en cambio se invierte esa relacin para alta frecuencia, con substratos finos y lneas estrechas. Para bajas frecuencias se usa una fibra de vidrio con poliestireno de cr= 2,62 de la marca Rexolite 2200; es muy barato y su tang O es 0,001 para 1 GHz., suficientemente pequeo y tiene buenas propiedades mecnicas para 1/16 pulgadas de espesor. Una desventaja es su baja adhesin de la capa conductora al substTato de 1 KN/ m. Esto puede traer problemas al soldar. Para fiecuencias de 4 a 5 GHz, fibra de vidrio con teflon es usada debido a sus excelentes caractersticas mecnicas, con adhesin de 3 KN/m; su precio es caro pero sus cualidades mecnicas lo recollendan. La variacin de la temperatura de los circuitos impresos con substratos basados en teflon pucde ser crrtica. Tienen un cambio de volumen a temperatura entre lO Y 20 grados centgrados. Medidas hechas en un resonador dan cambios en la frecuencia de resonancia de 1 % para el rango de temperatura entre - 20 y + 80 grados. Medidas en otros materiales con aporte de fibra de vidrio con poliestireno dan variaciones de 0,25 %. La tecnologa de circuitos impresos para manufacturar las microtiras es estndar.
Espesores usados en la placa conductora de cobre (tolerancias clase 1, segn lEC 249-4 A)

3-12* Substratos para la tecnologa de pelcula

Las exigencias para estos substratos son mecnicas, excepto la de tener bajas prdidas en el dielctrico. Esta tecnologa requiere buena terminacin mecnica cn el substrato. Strength mecnico, conductividad trmica y uniformidad son muy importantes. Alllnade alta pureza ( 99,5 % A12O3) es comnmente usada. Su fr = 9,7 Y su tangente igual a 0,0004 , junto con una mgosidad dc 0,1 !lm son sus caractersticas. ZafIro ( Cristal simple de Al2O3) es usado por su buena terminacin superficial. Para altas potencias se considera al berilio, con Er = 6,6, porque tiene una conductividad trmica 8 veces mayor que la almina. Para frecuencias superiores a los 10 GHz se usa el cuarzo con Er = 3,82.

3-13* Seleccin del substrato

Muchas caractersticas, mecnicas, trmicas, elctricas y econllcas, influyen sobre la decisin de una correcta eleccin de un substrato particular para una determinada aplicacin. Una serie de preguntas sera conveniente hacerse, entre las que incluimos: a) El costo puede serjustificado para determinada apJicacin? b) Qu tecnologa conviene usar para la constmccin de la microtira? c) Qu rango de frecuencias tiene su aplicacin? d) Qu terminacin de superficie necesita por las prdidas en el conductor, y como consecuencia si la adherencia es la correcta? e) Qu resistencia mecnica.y conduccin trmica nccesito ?
~ 1.-.* V~
~1 e ~4- o d CI \..1;:'
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Gramos por mctro cua~~_J_5_~2:?_L305

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1

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105 10 4,2
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J- "L"9

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~-.:II",~~ u IllU"-JC

r--J--T'-i--------,

Microncs Tolerancia ( +/-) Mils

17,5 5 0,7
v,'"

35 5 1,4
v,'"

70 8 2,8 I

(\"1

v,-'

Los circuitos con llcrotiras son ubicados normalmente en cajas metlicas para proteccin elctrica y mecnica. Las caractersticas de los circuitos pueden cambiar, dependiendo de las dimensiones de las cajas, pues resonancias elctricas pueden afectar seriamente su comportallento.Si las cajas son suficientemente grandes, sus influencias son despreciables. Para substratos de alta ei, una relacin de cinco veces enTeel espesor del subsTatoy la altura dc la caja es suficiente. Para valores bajos de fr, se hicieron pruebas con cajas de

58
- ----------

LINA'AS DE MICR071RA
-----------------

LINEAS DE MICROTlRA

59

20mm. de altura para substratos de 3mm. con variaciones muy pequeilas, consideradas tolerables para una produccin de impresos. Si las cajas metlicas son grandes, modos de cavidad pueden ser excitados. Se observa experimentalmente que los modos de cavidad son fcilmente excitables en cajas cenadas con circuitos que tengan discontinuidades, como junturas T o circuitos abiertos. Hay tres formas diferentes para suprimir los modos de cavidad. La ms simple es dividir el circuito en varios substratos y ubicados en compartimentos separados. Su desventaja es el costo y su realizacin, sin embargo es muy usada. Otra founa es simular espacio libre colocando un absorbedor o material de altas prdidas en la tapa. La tercera forma es cortocircuitar el plano de tiena con la tapa mediante pines metlicos. No hay regla para la cantidad de pines. T.C.Edwards sugiere calcular la influencia que tiene un blindaje sobre las lneas de microtira estudiando el efecto sobre Zo y Eef. Considera las siguientes relaciones: Para w Ihs; 1,3
Zo (blindada) = Zo (sin blindar)

Los valores de wef y LO se calculan con las ecuaciones de Harnmerstad y 11' = a acuerdo a la figura 3-7. .. b

- 11 de

r
a

11

DII-

I!I

1 h Figura 3-7 *Blindaje.

- AZo1

3-43

para wl h:?: 1,3 Zo (blindada) = Zo (sin blindar) - AZ02 donde AZo1 = 270 { 1 - tanh (0,28 + 1,2 y AZo2 = AZo1 ( 1 - tanh [ 1 + 0,48{(wef/h)-l} 1121 { 1+ (h' IhW ] )
3-44

~h )}

(l:

3-45

3-46

La permitividad efectiva de una lnea de microtira blindada, teniendo en cuenta slo la tapa, es:
tr'--i 8r-1.

Eef= --

+ ( ---

R) tanh [0,18 + 0,237 (h'/h)

--

{0,415 1(h'/hY}] 3-48 3-49

3-47

R=

{l + 12(bJw)(1/2 + 0,04 {l- (w/hW {l + 12(hlwWJ/2

para w/h S; 1

para w/h:?: 1