UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

ASIGNATURA DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

TRANSISTORES

Docente:

Madrid Cisneros Juan Francisco

Alumno:

Chalco Ccarita, Allison Valeria 21190285

Grande Flores, Carlos Abel 20190324

Chacon Chavez, Bill Estefhan 18190293

Quispe Lopez Danny Peter 20190037

Grupo: 5

Ciudad universitaria, junio de 2023

ANTECEDENTES DEL TRANSISTOR:

Antes de los transistores modernos que utilizamos hoy en día, hubo diferentes tipos de
transistores. El primero de ellos fueron las válvulas de vacío que eran grandes, frágiles y
consumían mucha energía. Su funcionamiento se basaba en el control del flujo de corriente
a través de un vacío en un tubo de vidrio mediante un filamento incandescente y placas
metálicas. Luego de las válvulas llegaron los transistores de contacto los cuales fueron
fabricados en 1925 por J.E. Lilienfeld,un precursor del transistor moderno. Sin embargo, los
dispositivos de contacto tenían problemas de fabricación y no se comercializaron. En 1947,
los científicos John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley en los Laboratorios Bell
inventaron el primer transistor de unión bipolar. El transistor de unión bipolar estaba
compuesto por tres capas de material semiconductor y se utilizaba el efecto de
amplificación en una unión PN. Fue un avance revolucionario, más pequeño, más fiable y
de menor consumo energético que las válvulas de vacío. En 1959, los investigadores
Gerald Pearson, Daryl Chapin y Calvin Fuller en los Laboratorios Bell desarrollaron el
transistor de efecto de campo (FET). Los FET utilizan el control de un campo eléctrico en
una región de un semiconductor para regular el flujo de corriente. Los FET son más
eficientes energéticamente y pueden funcionar a frecuencias más altas que los transistores
bipolares.Estos son solo algunos de los hitos clave en el desarrollo de los transistores.
Desde entonces, se han realizado numerosas mejoras y avances en su diseño y
fabricación, lo que ha llevado a la miniaturización y a la creación de circuitos integrados que
contienen millones de transistores en un solo chip.

CONCEPTO DE TRANSISTOR Y FABRICACIÓN:

Un transistor es un dispositivo electrónico que controla y amplifica el flujo de corriente

eléctrica. Es considerado uno de los componentes fundamentales en la electrónica
moderna. Los transistores se utilizan en una amplia variedad de aplicaciones, desde
circuitos simples hasta sistemas complejos. El transistor consta de tres capas de material
semiconductor: la capa de emisor, la capa de base y la capa de colector. Los transistores se
utilizan en una amplia gama de aplicaciones, como amplificadores de audio, circuitos
lógicos digitales, radios, televisores, computadoras, teléfonos móviles y muchos otros
dispositivos electrónicos. Su capacidad para controlar y amplificar la corriente eléctrica ha
sido fundamental para el desarrollo de la tecnología moderna.
La fabricación de transistores es un proceso altamente especializado y requiere
instalaciones y equipos avanzados. Las empresas especializadas en fabricación de
semiconductores, como las fábricas de chips, utilizan técnicas y tecnologías avanzadas
para producir transistores en grandes cantidades y a escala microscópica pero en general la
fabricación de los transistores consta de 7 pasos, los cuales son:

● Limpieza y preparación del sustrato: El sustrato de semiconductor

(generalmente una oblea de silicio) se limpia cuidadosamente para eliminar
cualquier contaminante y se prepara para el proceso de fabricación.

● Difusión y creación de regiones dopadas: Se utilizan técnicas de difusión o

implantación iónica para introducir impurezas, llamadas dopantes, en el sustrato
semiconductor. Estos dopantes modifican las propiedades eléctricas del material
y crean diferentes regiones, como el emisor, la base y el colector en un transistor
bipolar.

● Depósito de capas de aislante y conductor: Se depositan capas delgadas de

óxido o nitruro de silicio sobre el sustrato para crear capas aislantes que
protegen y aíslan las diferentes regiones del transistor. También se depositan
capas conductoras, como el aluminio o el cobre, para formar los contactos y las
interconexiones eléctricas.

● Fotolitografía: Este proceso utiliza máscaras y luz ultravioleta para exponer

selectivamente ciertas áreas del sustrato. Esto permite definir patrones precisos
de las capas aislantes, conductoras y dopadas, creando las estructuras
necesarias para el transistor.

● Grabado y eliminación de material: Se utiliza un proceso de grabado químico o

físico para eliminar el exceso de material no deseado y dar forma a las capas
según los patrones definidos durante la fotolitografía.

● Metalización: Se aplica una capa metálica sobre las áreas expuestas del
sustrato para formar los contactos eléctricos necesarios para conectar el
transistor con otros componentes.

● Encapsulado: El transistor se encapsula en un paquete protector para

protegerlo de daños mecánicos y ambientales. El paquete puede ser de plástico,
 cerámica o metal, y generalmente tiene pines o terminales de conexión para su
integración en circuitos electrónicos.

Es importante tener en cuenta que estos pasos son una simplificación del proceso de
fabricación de un transistor y que la tecnología y los procesos específicos pueden variar
según el tipo de transistor y la tecnología utilizada.

TIPOS DE TRANSISTORES

Transistor de contacto puntual:

Llamado también (transistor de punta de contacto), fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de
cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor
y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el
colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Este convivió con el transistor de unión
debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unión bipolar:

El transistor de unión bipolar se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor

como el germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre
las de un conductor eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan
en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones
PN.

Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen contaminando
el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como el arsénico o el fósforo;
mientras que las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva o huecos) se
logran contaminando con átomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el
galio.

Las tres zonas contaminadas dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas.
Transistor de efecto de campo

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue uno de los primeros de efecto de
campo en la práctica,lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P.
En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de
efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra
de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el
drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la
que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de
puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.

Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas

a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la
luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:

· Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

· Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

FUNCIONAMIENTO:

El transistor está conformado de tres partes dopadas artificialmente que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera,
que está intercalada entre las dos primeras, regula el paso de dichos portadores. A
diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo regulado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el armado de los circuitos, los transistores se les considera
un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son
elementos pasivos.

De manera simplificada, la corriente que pasa por el colector es función amplificada de la

que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través
de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule
la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o
ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se le llama Beta del
transistor. Otros cosas a tener en cuenta y que son característicos de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia
Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los
distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base
Emisor, corriente de Emisor, etc.

CARACTERÍSTICAS

Tipos de transistores: Existen diferentes tipos de transistores, incluidos los transistores de

unión bipolar (BJT), los FET de unión (JFET), los FET de puerta aislada (IGFET o MOSFET)
y los transistores de unión bipolar de puerta aislada (IGBT), entre otros. . Cada tipo tiene
propiedades y aplicaciones específicas.

Tres terminales: Uno típico tiene tres terminales: emisor, base y colector. La corriente fluye
del emisor al colector, controlada por la corriente base. Esta configuración de tres terminales
ofrece más control y flexibilidad al usar el transistor en una variedad de circuitos.

Conmutación: Los transistores también pueden actuar como interruptores electrónicos que
permiten o detienen el flujo de corriente en un circuito. Esto es importante en los circuitos
digitales donde se utilizan transistores para representar los estados lógicos "encendido" y
"apagado" (1 y 0) en sistemas binarios.

Polarización: La polarización de un transistor es la aplicación del voltaje adecuado a través

de los terminales de un transistor para garantizar un funcionamiento adecuado. La
polarización establece los puntos de operación del transistor, asegurando que opere en su
región lineal para una ganancia precisa o en su región de conmutación para un encendido y
apagado eficiente.

Amplificación de señal: Un transistor puede amplificar una señal de entrada débil y

proporcionar una señal de salida amplificada. Esto es particularmente útil en aplicaciones
tales como amplificadores de audio donde es necesario amplificar las señales eléctricas.

Potencia máxima: Cada transistor tiene una clasificación de potencia máxima que indica la
cantidad máxima de potencia que puede manejar de manera segura sin dañarse. Esta
característica es especialmente importante en amplificadores de alta potencia y aplicaciones
de conmutación de carga.

PARÁMETROS

Los parámetros del transistor pueden variar según el tipo específico de transistor que
estemos considerando. Sin embargo, aquí hay algunos parámetros generales que se usan
para describir y caracterizar los transistores:

Ganancia de corriente (β o hfe): También conocida como ganancia, es la relación entre la

corriente de colector (Ic) y la corriente de base (Ib). Este es un parámetro importante para
los amplificadores que determina la capacidad del transistor para amplificar la señal de
entrada.

Tensión de base (Vbe): Es la tensión aplicada entre la base y el emisor del transistor.
Controla el flujo de corriente entre el colector y el emisor.

Corriente base (Ib): Esta es la corriente alimentada a la base del transistor. Controla la
corriente del colector y por lo tanto el funcionamiento del transistor.

Corriente de colector (Ic): Esta es la corriente que fluye desde el colector al emisor del
transistor. Está determinado por la corriente de base y la ganancia de corriente del
transistor.

Corriente de emisor (Ie): Esta es la suma de la corriente de colector y la corriente de base.

Es decir, = Ic + Ib.
APLICACIONES MACRO
Electrónica de consumo: Los transistores son elementos importantes en la producción de
dispositivos electrónicos como televisores, radios, reproductores de música,
electrodomésticos y muchos otros productos que usamos a diario.
Telecomunicaciones: En telecomunicaciones, los transistores son esenciales en la
construcción y operación de sistemas de telefonía celular, redes alámbricas, transmisión de
radio y televisión, y otras actividades. Los transistores de potencia se utilizan para amplificar
las señales y garantizar una transmisión eficiente y de calidad.
Industria automotriz: en la industria automotriz, los transistores se utilizan en una variedad
de sistemas, desde el encendido del motor y la administración de energía hasta los
controles del vehículo y los sistemas de entretenimiento. Los transistores podrían mejorar la
eficiencia energética, el rendimiento y la seguridad de los automóviles actuales.

APLICACIONES MICRO Y NANO

Microprocesadores y circuitos integrados: Los transistores a micro y nanoescala son la base
de los microprocesadores y circuitos integrados en computadoras, teléfonos inteligentes,
tabletas y diversos dispositivos electrónicos. Estos diminutos transistores permiten chips
más potentes, más rápidos y con mayor eficiencia energética.
Nanoelectrónica: los transistores a nanoescala, como los transistores de efecto de campo
de un solo electrón, se están estudiando y desarrollando para su uso en nanoelectrónica.
Estos transistores ultrapequeños podrían revolucionar la informática y la electrónica al
permitir una mayor densidad de componentes y una mayor eficiencia energética.

PERSPECTIVA A FUTURO
Nanotecnología y computación cuántica: a medida que ingresamos en la era de la
nanotecnología, los nanotransistores y las tecnologías cuánticas se vuelven cada vez más
importantes. Estos avances podrían conducir a computadoras cuánticas más poderosas y
eficientes, capaces de resolver problemas complejos a velocidades inimaginables.
Internet de las cosas (IoT): a medida que la cantidad de dispositivos conectados en Internet
de las cosas crece exponencialmente, los transistores desempeñarán un papel fundamental
en las interconexiones y el procesamiento de datos en tiempo real.
Se espera que los transistores más pequeños y de mayor eficiencia energética hagan
avanzar el Internet de las cosas en áreas como la automatización del hogar, la atención
médica inteligente y la gestión de la energía.
Energías renovables y almacenamiento de energía: los transistores desempeñarán un papel
importante en la producción y el control de las energías renovables y el almacenamiento de
energía.
Los avances en la tecnología de transistores prometen mejorar la eficiencia y confiabilidad
de los sistemas de energía limpia, como paneles solares, turbinas eólicas y baterías de alta
capacidad.

Bibliografía:
● Martín Rodríguez, E., & González R., E. (2011). Nanoheteroestructuras de
GaAs/AlGaAs. Simulación y aplicación en transistores de alta movilidad. Ingeniería e
Investigación, 31(1), 144-153.
● Espíndola Palestino, F. Fabricación de un dispositivo tipo FET con SWCNTs para
una aplicación en telecomunicaciones.
● Sánchez, F. J. G. (2022). La evolución de los transistores.