Ejercicios Resueltos 2b

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA
"ANTONIO JOSÉ DE SUCRE"

VICERRECTORADO BARQUISIMETO
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA I (EL1154)

EJERCICIOS RESUELTOS
Polarización de Transistores BJT - Diseño
PROF. GABRIEL NORIEGA

VCC = 10V
EJERCICIO 1
Determine los valores RB y RC del circuito de
tal forma que:
a) La Corriente de Colector sea IC =
RB RC
1,2mA
b) El Diseño cumpla con Máxima IC vo
Excursión Simétrica IB
+
C
VCE
Solución (a) -
β = 150
Como la Corriente de colector deseada es de IC vi
IE
RL = 1 kΩ
= 1,2mA, determinamos la corriente de base y C
la corriente de emisor: RE = 2K
I 1,2mA
IB  C   8A
 150
I E    1I B  151 8A  1,208mA
Trazamos la malla de colector y emisor en DC
VCC  RC I C  VCE  RE I E  0V
Como desconocemos dos variables, RC y VCE, asignamos un valor para iniciar nuestro análisis.
RC  RL  1K
De donde resolvemos la malla:
10V  1K 1,2mA  VCE  2 K 1,208mA  0V
VCE  6,384V
Finalmente trazamos la malla de la base, iniciando en la fuente VCC
VCC  RB I B  VBE  RE I E  0V
10V  RB 8A  0,7V  2 K 1,208mA  0V
RB  860,5 K
Solución (b)
Si queremos tener Máxima Excursión Simétrica, debemos cumplir con la ecuación:
VCC
IC 
RDC  RAC
Donde
RDC  RC  RE  RC  2 K
RAC  RC || RL  RE  RC || 1K  2 K
Para iniciar el diseño, asignamos un valor inicial para RC.
RC  RL  1K
Entonces
RDC  RC  RE  1K  2 K  3K
RAC  RC || RL  RE  1K || 1K  2 K  2,5K
Y usando la ecuación de Máxima Excursión Simétrica determinamos IC
VCC 10V
IC    1,81mA
RDC  RAC 3K  2,5K
De donde calculamos los valores de IB e IE
I 1,81mA
IB  C   12A
 150
I E    1I B  15112A  1,83mA
Trazamos la malla de colector y emisor en DC
VCC  RC I C  VCE  RE I E  0V
10V  1K  1,81mA  VCE  2 K  1,83mA  0V
VCE  4,53V
Finalmente trazamos la malla de la base, iniciando en la fuente VCC
VCC  RB I B  VBE  RE I E  0V
10V  RB 12A  0,7V  2 K 1,83mA  0V
RB  470 K
EJERCICIO 1 -10V
Diseñe el circuito de polarización por divisor

de tensión para un BJT npn como el indicado
RC
en la figura, de tal forma que la tensión VCE R1
y la corriente IC puedan realizar una Máxima iC
Excursión Simétrica en la recta de carga. La vi iB +

vCE β = 200
corriente del colector debe ser IC = -2mA C
- vo
iE
Solución C
R 2
R = 2 kΩ R = 2 kΩ
Como la Corriente de colector deseada es de E L
IC = -2mA, determinamos la corriente de

base y la corriente de emisor:
I  2mA 10V
IB  C   10A
 200
I E    1I B  201  10A  2,01mA
Si se desea tener Máxima Excursión Simétrica, debemos cumplir con la siguiente ecuación:
V  VEE
I C  CC
RDC  RAC
Donde
RDC  RC  RE  RC  2 K
RAC  RC  RE || RL  RC  2 K || 2 K  RC  1K
A su vez, la corriente de colector debe ser IC = 2mA
V  VEE
I C  CC  2mA
RDC  R AC
 10V  10V  20V
2mA  
RC  2 K  RC  1K 2 RC  3K
De donde despejamos RC
RC  3,5 K
Ahora trazamos la malla en la base del transistor, considerando un circuito equivalente de
Thevenin en la circuitería:
VBB  RB I B  VBE  RE I E  VEE
VBB  RB  10A   0,7V   2 K   2,01mA  10V
Hay diversas combinaciones de VBB y RB que pueden satisfacer las condiciones del diseño.
Considerando la condición de estabilidad
RB  0,1RE
RB  0,1 200  2 K  40K
Despejando ahora VBB tenemos
VBB  4,88V
Finalmente
V  VEE  10V  10V
R1  CC RB  40 K  156,25K
VBB  VEE 4,88V  10V
R1 RB 156,25K  40 K
R2    53,76 K
R1  RB 156,25K  40 K
EJERCICIO 3
20V
Determine el valor de R1 y R2 para que el punto
de operación del Transistor 2 de la figura sea IC2
= 10mA, y VCE2 = 10V. Considere ambos
transistores β=200.
R2
R1
Solución VZK = 5V IB2 IC2
+
Como la Corriente de colector del Transistor 2
deseada es de IC = 10A, determinamos la IC1 -
1MΩ I +
corriente de base y la corriente de emisor: B1
VCE1
IE2
I 10mA
 100A
-
I B2  C 2 
 100 IE1
I E 2    1I B 2  101 100A  10,1mA
Solución
Trazando la malla M1 tenemos: 20V
M1
20V  1M  I B1  0,7V  0V M2
Despejamos IB1 M4
20V  0,7V
I B1   19,3A R2
1M R1
Luego determinamos las corrientes IC1 e IE1 VZK = 5V IB2 IC2

+
I C1  I B1  100 19,3A  1,93mA
IC1 -
I E1    1I B1  101 19,3A  1,94mA 1MΩ I
B1 + M3 IE2
VCE1
Luego con apoyo de la malla M2, determinamos -
la resistencia R2 IE1
20V  R2 I C 2  VCE 2  0V
20V  VCE 2 20V  10V
R2    1K
IC2 10mA
Para buscar la tensión VCE1, trazamos la malla M3
VCE 1  VZK  0,7V  0V
Como la corriente de base IB2 es positiva, el Diodo Zener se encuentra polarizado en su zona
inversa
VCE 1  5V  0,7V  0V
VCE 1  5,7V
Con lo que confirmamos el estado activo del transistor 1
Finalmente, con apoyo de la malla M4 determinamos la resistencia R1
20V  R1 I R1  VCE 1  0V
20V  R1 I B 2  I C1   VCE 1  0V
20V  VCE 2 20V  5,7V
R1   
I B 2  I C1 100A  1,93mA
R1  7,04 K

Ejercicios Resueltos 2b

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Ejercicios Resueltos 2b

Cargado por

Información del documento

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Ejercicios Resueltos 2b

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA

"ANTONIO JOSÉ DE SUCRE"

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA I (EL1154)

PROF. GABRIEL NORIEGA

Diseñe el circuito de polarización por divisor

Excursión Simétrica en la recta de carga. La vi iB +

IC = -2mA, determinamos la corriente de

I E 2    1I B 2  101 100A  10,1mA

Luego determinamos las corrientes IC1 e IE1 VZK = 5V IB2 IC2

También podría gustarte