1er Parcial Elect Aplicada I 24-10-2022

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UTN - FRBA - Electrónica Aplicada I – Primer Examen Parcial 24/10/22

Dpto. Ingeniería - Ing. Pablo G. Galli

Alumno: ……………………………………………………………………
Se aprueba con 6 puntos equivalente a nota: 6 (seis) Nota: …………………………………

Problema (1): Diseñar un amplificador mono-etapa que cumpla con los siguientes requisitos:

Transistor 2N2222 (hfe=200; HFE=200; HFEmín=150) RL=20K Rs=10K

La señal de salida debe estar en fase con la de entrada en frecuencias medias. La etapa debe ser una
“etapa separadora o seguidora” con BTJ. Se pide que en la salida se obtenga por lo menos el 70% de
la amplitud de la señal de entrada. Debe tener adecuada estabilidad de la ICQ, respecto a variaciones
del HFE.

a) Elegir correctamente la topología y dibujar circuito. (1 punto)


b) Diseñar para punto de trabajo estable frente a variaciones de HFE. (1 punto)

Detallar el circuito de señal, y luego el modelo de cuadripolo para señal débil:


c) Cumplir Avs. Verificar (1 punto)
d) Calcular RiA. (1 punto)
e) Calcular la excursión de “Vo” resultante. (1 punto)
f) Calcular la Ro y la RoA, deduciendo la expresión. (1 punto)
g) Calcular la máxima amplitud de excitación “Vs” para funcionamiento lineal. (1 punto)

Problema (2): Calcular el disipador para un MOSFET IRF240, con los siguientes datos:

Hoja de datos: Pd = 150W; Tjmax = 150°C; Rthj-c = θjc = 0.83°C/W


PdT = 20W
Ta = 50°C
Rthc-d = θcd = 0.2°C/W (TO.3 P. - Contacto Directo y Silicona) “Dato de la Tabla”
Considerar un margen de seguridad del 30% para elegir el disipador.

a) Calcular el disipador y aplicar margen de seguridad. (1 punto)


a) Calcular la temperatura del encapsulado para el punto anterior. (1 punto)
b) Dibujar gráfico de la curva de degradación de la potencia. (1 punto)

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