INGENIERIA MECATRONICA

LABORATORIO DE
ANALOGICA
TEMA: POLARIZACION TRANSISTORES JFET
PRÁCTICA N° FECHA INTEGRANTES
JOSUÉ ABAD
5 17-12-2020
MARÍA JOSÉ DOMÍGUEZ
TIEMPO: 2hr RESPONSABLE: Ing. Monica Romero S.

Resumen— La presente práctica nos enseña a 1.2 Objetivo específico:

elaborar diversos circuitos polarización del transistor
BJT PNP y NPN, analizar sus características de cada  Obtener la recta de carga y el punto de trabajo
uno de los circuitos de polarización. Q de los transistores.
 Diseñar, calcular y comprobar el
INTRODUCCIÓN funcionamiento de los siguientes circuitos de
La palabra transistor viene del parámetro: transferir una polarización de los transistores BJT obteniendo
resistencia de un circuito a otro, por esta razón se las gráficas de las rectas de carga y puntos de
escogió las cuatro letras de la palabra TRANS- trabajo:
FERENCIA y las cinco últimas de RESISTOR que en o Circuito de polarización fija con
inglés significa resistencia. dos fuentes (NPN)
o Circuito de polarización por
Un transistor está constituido por 3 porciones de
divisor de tensión (NPN)
semiconductores. Según su construcción cabe distinguir
o Circuito Autopolarización (PNP)
los Transistores “PNP” y Transistores “NPN” (Figura
o Circuito de polarización fija con
1):
una fuente y con resistencia en el
emisor (NPN)

2.- METODO
 Demostración del docente en la utilización y
manejo de los dispositivos para la práctica.

3.- EQUIPOS Y MATERIALES

Las herramientas que se van a usar en el laboratorio:

 Osciloscopio
 Multímetro
 Sondas
 Banco de trabajo
Figura 1. Símbolo del transistor NPN y transistor
 Transistores 2N3904, 2N3906
PNP
 Resistencias.
1.- OBJETIVOS
1.1 Objetivo general: 4.- MARCO TEORICO.
El funcionamiento principal de un transistor es cuando
 Analizar y verificar el comportamiento de cada
uno de los circuitos de polarización del los dos extremos (material del mismo tipo) son
transistor BJT. colocados en serie con corriente grande de electrones se
puede controlar su flujo o intensidad dejando pasar, o
no, una pequeñísima corriente por la pastilla del centro.
1
Para permitir el avance de la corriente a lo largo de la
unión np, el emisor tiene un pequeño voltaje negativo
tipo p, o componente base, que controla el flujo de
electrones. El material tipo n en el circuito de salida
sirve como elemento colector y tiene un voltaje positivo
alto con respecto a la base, para evitar la inversión del
flujo de corriente. Los electrones que salen del emisor
entran en la base, son atraídos hacia el colector cargado
positivamente y fluyen a través del circuito de salida. La
impedancia de entrada (la resistencia al paso de
corriente) entre el emisor y la base es reducida, mientras
que la impedancia de salida entre el colector y la base
es elevada. Por lo tanto, pequeños cambios en con
respecto a la capa el voltaje de la base provocan grandes
cambios en la caída de voltaje a lo largo de la resistencia
del colector, convirtiendo a este tipo de transistor en un
eficaz amplificador. Similar al tipo npn en cuanto a su
funcionamiento, el transistor de unión pnp dispone
Fig. 2. Parámetros importantes del transistor BJT
también de dos uniones y es equivalente al tubo de vacío
denominado tríodo. Otros tipos con tres uniones, tales Tensión máxima de Colector: Es la máxima tensión de
como el transistor de unión npnp, proporcionan mayor corriente continua que puede aplicarse al colector sin
amplificación que los transistores de dos uniones. dañar al transistor. Suele venir especificada por los
fabricantes. La tensión inmediatamente superior a dicho
1.1. Curva de Trabajo de un Transistor BJT valor máximo se llama tensión de ruptura, la cual
produce una corriente muy elevada debido a que rompe
En la curva de trabajo de un transistor cabe destacar los la estructura cristalina del transistor, destruyéndolo. La
siguientes puntos: tensión de ruptura es tanto menor cuanto mayor es la
corriente de base.
 Frecuencia de Corte: Es la correspondiente a
punto en el cual la ganancia de corriente cae el
0.707 de su ganancia máxima.

 Corriente de Corte: Es la corriente que circula

por el circuito de colector, debida a la corriente
inversa, cuando la corriente de entrada es cero.
A la zona situada por debajo de la característica
correspondiente a una corriente de entrada cero
se le llama región de corte.
 Saturación: La región de saturación empieza
cuando la corriente del colector deja de ser
función de la corriente de entrada y pasa a ser
función de la tensión del colector.

Fig. 3. Curva característica del Transistor BJT

La zona de funcionamiento posible aparece señalada en

la figura 3. Está comprendida entre la región de
saturación, la región de corte, la región de ruptura y la
línea de máxima disipación de potencia en el colector.

5.- PROCEDIMIENTO, CALCULOS Y MEDICIONES.

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5.1 Polarización Fija con dos fuentes (NPN) Paso 2. En el circuito colocar en la resistencia
Diseñar el circuito de polarización con 2 fuentes de RB, un potenciómetro de 200KΩ y
un transistor NPN que cumpa las siguientes completar la siguiente tabla:
características:
Vcc=15V RB(kΩ) VCE(V) IC(mA)
Vee=7V
15,25 14.486 34.244
IB=6.3 mA
Beta=135 17,47 14.529 31.4
VCE=2.25 V
18,57 14.564 29.053

21,1 14.594 27.076

23,2 14.619 25.382

25,4 14.641 23.911

27,9 14.693 20.446

47 14.79 14

100 14.881 7.94

200 14.937 4.194

Paso 3. Usando los valores de la tabla obtenida

en el paso 3, trace la recta de carga del
circuito, determine e identifique los
valores que están dentro de la zona de
corte y saturación.

Paso 1. En base a los valores calculados,

grafique la recta de carga e indique
claramente las zonas de corte,
saturación y el punto de operación Q
del circuito.

5.2 Polarización por divisor de tensión (NPN): Se

requiere que los estudiantes comprueben el
funcionamiento del circuito de polarización por
partidor de tensión del transistor BJT NPN. Para
esto es necesario revisar la teoría referente a este
tema.

3
 Paso 2. En base a los valores calculados en el
paso 1, grafique la recta de carga e
indique claramente las zonas de corte,
saturación y el punto de operación Q
del circuito.

Figure 11. Circuito de Polarización por divisor de

tensión (NPN).

Paso 1. En base al circuito de la figura

11, realice los siguientes cálculos:
Paso 3. En el circuito colocar en la resistencia
-Resistencia y voltaje Thevenin de Thevenin indicada, y completar la
-Corriente de base siguiente tabla:
-Corriente de Colector
-Voltaje Colector – Emisor RTH(kΩ) VCE(V) IC(mA)
-Voltaje máximo y corriente de
saturación. 8,4 3.299 65.76
Valores impuestos: R4=10KΩ,
9 4.136 63.224
R5=9KΩ, RC=330Ω, β=30
9,15 4.332 62.629

9,3 4.524 62.048

9,52 4.797 61.22

9,65 4.954 60.745

9,9 5.248 59.856

10,1 5.475 59.168

10,25 5.64 58.666

10,57 5.982 57.629

Paso 4. Usando los valores de la tabla obtenida

en el paso 3, trace la recta de carga del
circuito, determine e identifique los
valores que están dentro de la zona de
corte y saturación.

4
 -Corriente de Colector
-42.291 mA
-Voltaje Colector – Emisor
-1.044 V
-Voltaje máximo y corriente de
saturación.
-15V y -45.45 mA
Valores impuestos: RB=1KΩ,
RC=330Ω, β=123

Paso 5. Simular el circuito y tomar los valores

de VCE y IC en la zona de corte y
saturación.

5.3 Autopolarización (PNP): Se requiere que los

estudiantes comprueben el funcionamiento del Paso 2. En base a los valores calculados en el
circuito de autopolarización BJT PNP. Para esto es paso 1, grafique la recta de carga e
necesario revisar la teoría referente a este tema. indique claramente las zonas de corte,
Rc saturación y el punto de operación Q
330Ω del circuito.
Rb
Vcc
-15 V 1kΩ Q1

2N3906

Figure 12. Circuito autopolarización (PNP).

Paso 1. En base al circuito de la figura

12, realice los siguientes cálculos:
-Corriente de base
0.344 mA
5
 Paso 3. En el circuito colocar en la resistencia
de Base un potenciómetro de 1MΩ, y
completar la siguiente tabla:

R B (k) VCE (V) I C (mA)

1,65 -1.572 -40.685

7,23 -3.469 -34.40

14,55 -5.114 -29.968

28,81 -7.908 -23.950

45,6 -8.520 -19.642 5.3 Polarización Fija con una fuente y resistencia
de Emisor NPN: Se requiere que los estudiantes
54,9 -9.087 -17.912 comprueben el funcionamiento del circuito de
polarización fija con una fuente y resistencia de
71,1 -9.854 -15.591
emisor NPN. Para esto es necesario revisar la teoría
181 -12.216 -8.440 referente a este tema.

226 -12.654 -7.119

460 -13.712 -3.907 Rc

Rb 500Ω
800 -14.230 -2.337 Vcc 40kΩ
15 V Q1

Paso 4. Usando los valores de la tabla obtenida

en el paso 3, trace la recta de carga del 2N3904
circuito, determine e identifique los RE
valores que están dentro de la zona de 220Ω
corte y saturación.

Figure 13. Circuito autopolarización (PNP).

Paso 1. En base al circuito de la figura

13, realice los siguientes cálculos:
-Corriente de base
284,8 uA
-Corriente de Colector
14,240 mA
-Voltaje Colector – Emisor
Paso 5. Simular el circuito y tomar los valores 4,74 V
de VCE y IC en la zona de corte y saturación. -Voltaje máximo y corriente de
saturación.
15 V y 20 mA
Valores impuestos: RB=40KΩ,
RC=500Ω, RE=220Ω, β=50

6
 164,2 12.072 4.04

209,5 12.673 3.213

314 13.418 2.185

915 14.441 0.768

Paso 4. Usando los valores de la tabla obtenida

en el paso 3, trace la recta de carga del
circuito, determine e identifique los
valores que están dentro de la zona de
corte y saturación.

Paso 2. En base a los valores calculados en el

paso 1, grafique la recta de carga e
indique claramente las zonas de corte,
saturación y el punto de operación Q
del circuito. Paso 5. Simular el circuito y tomar los valores
de VCE y IC en la zona de corte y saturación.

Paso 3. En el circuito colocar en la resistencia

de Base un potenciómetro de 1MΩ, y
completar la siguiente tabla:

R B (k) VCE (V) I C (mA) ) 6.- ANEXOS.

44,1 5,730 12,799

58,8 7,673 10,114 7.- CONCLUSIONES.

El transistor significa un gran avance para la tecnología
64,8 8,249 9,320 por la variedad de aplicaciones que se puede llegar a
obtener del mismo, ya sea como amplificadores,
75,1 9,049 8,205 conmutadores, interruptores, etc. Tal como se evidenció
en el trabajo. El hecho de ser un semiconductor, brinda
98,4 10,319 6,471
la capacidad de poder generar diferentes arreglos o
circuitos de polarización que permitirán obtener
119,2 11,059 5,435
parámetros eléctricos previamente establecidos, los

7
mismos que pueden ser aplicables a cualquier proyecto
de grande o pequeña escala.
Al modelar ecuaciones para cada circuito se puede
predecir los resultados a obtener, de tal manera que se
pude determinar puntos clave en la recta de carga de un
transistor, como el de corte, carga y trabajo. Esta
información puede ser utilizada para el desarrollo o
diseño de circuitos que aporten a la innovación
tecnológica, tal como algún día lo hicieron tres grandes
científicos que inventaron este dispositivo y marcó un
antes y después para la tecnología.

8.- BIBLIOGRAFIA.
[1] Boylestad Robert, Nashelski Louis, Teoría de
circuitos y dispositivos electrónicos,10ma
edición, Prentice Hall, Mexico, 2009.
[2] W.-K. Chen, Linear Networks and Systems.
Belmont, CA: Wadsworth, 1993, pp. 123–135.
[3] Area, T. (2000). Diodo Semiconductor.
http://www.areatecnologia.com/electronica/el-
diodo.html.