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    02 Juntura PN DE W

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    La juntura p-n es la unión entre un semiconductor de tipo p y uno de tipo n. En equilibrio, se forma una zona de carga espacial donde los electrones y huecos se recombinan, creando una diferencia de potencial. Al aplicar una polarización directa, los electrones y huecos son impulsados hacia la zona opuesta, generando una corriente. El efecto Hall permite medir la densidad de portadores en un material mediante la aplicación de un campo magnético y medición de la tensión transversal inducida.

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    La juntura p-n es la unión entre un semiconductor de tipo p y uno de tipo n. En equilibrio, se forma una zona de carga espacial donde los electrones y huecos se recombinan, creando una diferencia de potencial. Al aplicar una polarización directa, los electrones y huecos son impulsados hacia la zona opuesta, generando una corriente. El efecto Hall permite medir la densidad de portadores en un material mediante la aplicación de un campo magnético y medición de la tensión transversal inducida.

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    La juntura p-n es la unión entre un semiconductor de tipo p y uno de tipo n. En equilibrio, se forma una zona de carga espacial donde los electrones y huecos se recombinan, creando una diferencia de potencial. Al aplicar una polarización directa, los electrones y huecos son impulsados hacia la zona opuesta, generando una corriente. El efecto Hall permite medir la densidad de portadores en un material mediante la aplicación de un campo magnético y medición de la tensión transversal inducida.

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    de 10

    JUNTURA P-N DE SEMICONDUCTORES

    1.1 La juntura p-n abrupta en equilibrio

    Vo

    Capítulo 1- Juntura pn – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale 1-10


    1.2 Diagramas de energía

    qVo

    1.3 La juntura p-n fuera del equilibrio

    Capítulo 1- Juntura pn – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale 2-10


    Capítulo 1- Juntura pn – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale 3-10
    Vo

    Vo - V

    Vo + V

    Capítulo 1- Juntura pn – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale 4-10


    1.4 Corriente en la juntura p-n con Polarización directa

    I = Ip + In

    I p  Aqn i2
    Dp
    Lp N D
    e V / VT

    1 ; I n  Aqni2 
    Dn V / VT
    e 
    1
    Ln N A

     Dp Dn 
    I S  Aqni2  
    L N 
     p D Ln N A 

    1.5 Corriente de saturación inversa

    Capítulo 1- Juntura pn – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale 5-10


    1.6 Distribución de las corrientes

    1.7 Contactos

    La transferencia directa de electrones libres del metal al semiconductor tipo n en uno


    de los contactos, como la extracción de electrones de la banda de valencia del
    semiconductor tipo p en el otro contacto, deben producirse sin caída óhmica
    apreciable. Las técnicas de soldaduras cumplen satisfactoriamente estos requisitos.

    Capítulo 1- Juntura pn – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale 6-10


    1.8 El diodo real

    Las razones por las que el diodo de juntura ideal no responde con precisión a las
    características de un diodo real son:

    a) Caídas de tensión asociadas a los campos eléctricos en las zonas neutras.


    b) Generación y recombinación de portadores en la zona de carga espacial
    c) Corrientes de fugas sobre las superficies de las junturas (Si)
    d) Ruptura debido a tensiones inversas excesivas.

     nVV 
    a) I  I S e  1
     T b)
     
    I R D  
    . .
    n entre 1 y 2
    V' + + V _

    Vz

    c) d)

    Capítulo 1- Juntura pn – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale 7-10


    1.9 Efecto HALL
    La fuerza sobre cada portador de la corriente en el material en presencia de un
    campo magnético perpendicular es
    Fm  evB
    La movilidad de los portadores se define como,
    v
    
    E
    Como consecuencia de la Fm, aparece un campo eléctrico transversal E, que actúa
    sobre los portadores con una fuerza eléctrica dada por,

    Fe  eE
    Cuando se alcance el equilibrio, los portadores siguen en línea recta, se cumple que
    Fe  Fm
    si reemplazamos por las ecuaciones correspondientes resulta
    E
    v
    B
    n concentración de portadores m-3
    v m/s
    e 1,610-19 C = As
    J A/m2
    La densidad de corriente es,
    J  nev
    luego
    J E

    ne B
    1 E
     RH 
    ne JB
    Como VH = Ew y J = I/wt la tensión de Hall resulta,

    1 IB IB
    VH   RH
    ne t t
    w es el espesor de la muestra. Para que sea notorio el valor de VH debe ser n
    pequeño y grande v (o ) así también como muy fina la muestra de material.
    También tenemos J = E = nev o pnv según que tipo de portadores haya. Como E
    = v/ se tiene n = nen y p = pep, entonces
    Capítulo 1- Juntura pn – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale 8-10
    n
    n   RHn n
    ne
    p
    p   RHp p
    pe
    Midiendo RH y  obtenemos 
    Si E = 1V/cm las velocidades de los portadores resultan
    En metales Aprox. 10 cm/s
    Germanio 39 m/s
    InAs 330 m/s
    InSb 780 m/s

    Los materiales comunes donde aparece el efecto Hall, que permite fabricar sensores
    de utilidad práctica, son:
    Coeficiente de
    Sensibilidad en Rango de
    Aleación temperatura
    vacío KBo A/VT temperatura
    %/°C
    InSb -1 50  100 - 20  + 80
    InAs -0,01 6 - 269  + 200
    InAsP -0,05 1 - 269  + 200

    Ejemplo: sea una tira de cobre de 1,5 cm de ancho y 2,0 mm de espesor, lleva una
    corriente de 75 A y se encuentra ubicada en una región con un campo B de 0,40 T.
    Medimos cuidadosamente y encontramos que VH = 0,81 V. Hallar EH y n
    I 75 A 6 A
    J   2,5.10
    A (2.103 m)(1,5.102 m) m2
    V 0,81.106V 5 V
    EH    5, 4.10
    w 1,5.102 m m
    JB (2,5.10 A / m2 )(0,40T ) 28 1
    n   11,6.10
    eE (1,6.1019 C )(5,4.105V / m) m3
    El valor real para el cobre es de 8,5.1028 m-3, lo cual muestra que el modelo simple
    de efecto Hall, ignorando los efectos cuánticos e interacciones con la estructura
    cristalina, debe ser usado con cuidado. También debemos observar que para buenos
    conductores el voltaje Hall es muy pequeño, aún con densidades de corriente muy
    grandes ya que n es grande a diferencia de los semiconductores que son los que
    realmente se usan en la practica.
    Podemos determinar el número de portadores por unidad de volumen de una
    sustancia a partir de n =  NA/M, siendo NA = 6,022.1023átomos/mol el número de
    Avogadro, M la masa molecular,  la densidad. Para el cobre resulta:

    8930kg / m 3 6,022.10 23 átomos / mol átomos átomos


    n 3
     8,47.10 28 3
     8,47.10 22
    63,5.10 kg / mol m cm 3
    Capítulo 1- Juntura pn – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale 9-10
    Los dispositivos de efecto Hall se utilizan como sensores para medir campo
    magnético, en pinzas amperometricas, en los motores a explosión, etc.

    Capítulo 1- Juntura pn – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale 10-10

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