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    SEMICONDUCTORES1

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    Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica puede variar desde la de un aislante hasta la de un conductor en función de factores como la temperatura o la aplicación de un campo eléctrico externo. Pueden ser intrínsecos, compuestos por un solo tipo de átomo, o extrínsecos, que permiten dopaje mediante la adición de impurezas. La unión de semiconductores dopados n y p forma un diodo semiconductor que permite el paso de corriente en un solo sentido.

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    Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica puede variar desde la de un aislante hasta la de un conductor en función de factores como la temperatura o la aplicación de un campo eléctrico externo. Pueden ser intrínsecos, compuestos por un solo tipo de átomo, o extrínsecos, que permiten dopaje mediante la adición de impurezas. La unión de semiconductores dopados n y p forma un diodo semiconductor que permite el paso de corriente en un solo sentido.

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    Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica puede variar desde la de un aislante hasta la de un conductor en función de factores como la temperatura o la aplicación de un campo eléctrico externo. Pueden ser intrínsecos, compuestos por un solo tipo de átomo, o extrínsecos, que permiten dopaje mediante la adición de impurezas. La unión de semiconductores dopados n y p forma un diodo semiconductor que permite el paso de corriente en un solo sentido.

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    Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica puede variar desde la de un aislante hasta la de un conductor en función de factores como la temperatura o la aplicación de un campo eléctrico externo. Pueden ser intrínsecos, compuestos por un solo tipo de átomo, o extrínsecos, que permiten dopaje mediante la adición de impurezas. La unión de semiconductores dopados n y p forma un diodo semiconductor que permite el paso de corriente en un solo sentido.

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    SEMICONDUCTORES

    Los semiconductores son materiales capaces de actúar como conductores o


    aislantes, ya que a temperaturas muy bajas difícilmente conducen la corriente eléctrica
    y más bien se comportan como aislantes pero, al elevar su temperatura o al ser
    sometidos a un campo eléctrico externo, su comportamiento cambia al de los
    conductores, esto se debe al hecho de que los semiconductores tienen una banda
    prohibida intermedia.
    La banda prohibida es la región ubicada entre las bandas de valencia, o capa de
    valencia del átomo, y la banda de conducción (región donde, bajo la acción de un
    campo eléctrico, se forma la corriente eléctrica). Cuando los electrones reciben una
    cierta cantidad de energía, se liberan y salen de la capa de valencia a la capa de
    conducción. La conductividad de los semiconductores puede alterarse variando la
    temperatura, lo que hace que alcancen una conductividad similar a la de los metales.
    Os semicondutores foram descobertos em 1727 pelo físico e naturalista inglês
    Stephen Gray (1666-1736), mas as leis que descrevem seus comportamentos e
    propriedades foram descritas muito mais tarde, em 1821, pelo famoso físico alemão
    Georg Simon. (1789-1854). Los semiconductores están compuestos por elementos
    químicos muy variados, que en realidad provienen de diferentes regiones de la Tabla
    Periódica, pero que comparten ciertas características químicas. Actualmente, el
    semiconductor más utilizado es el silicio (Si) y el germânio (Ge) principalmente en la
    industria electrónica e informática.
    Tipos de semicondutores
    Os semicondutores podem ser de dois tipos diferentes, dependendo de sua resposta
    ao ambiente físico em que estão:

    Semicondutores intrínsecos
    Están compuestos por un solo tipo de átomos, dispuestos en moléculas
    tetraédricas (es decir, cuatro átomos con valencia 4) y sus átomos unidos por enlaces
    covalentes. Esta configuración química impide el libre movimiento de electrones
    alrededor de la molécula, excepto en caso de aumento de temperatura: entonces los
    electrones participan en la energía disponible y "saltan", dejando un espacio libre que
    se traduce en carga positiva, que a su vez atraerá nuevos electrones. Este proceso se
    llama recombinación y la cantidad de calor requerida para ello depende del elemento
    químico en cuestión y son intrínsecamente aisladores cuando están a bajas
    temperaturas.
    Semiconductores extrínsecos
    Estos materiales permiten un proceso de dopaje, o sea, permiten que algum tipo
    de impureza sea incluida en su configuración atomica. Dependiendo de estas
    impurezas, que pueden ser pentavalentes o trivalentes, los materiales semiconductores
    son divididos em dos:
    Semiconductores extrínsecos do tipo N (donantes). En este tipo de materiales, los
    electrones superan lacunas o portadores de carga libre ("espacios" de carga positiva).
    Cuando se aplica una diferencia de potencial al material, los electrones libres se
    mueven a la izquierda del material y los agujeros a la derecha. Cuando las lacunas
    llegan al extremo derecho, los electrones del circuito externo entran en el
    semiconductor y se produce la transmisión de la corriente eléctrica.
    Semiconductores extrínsecos tipo P (aceptores). En estos materiales, la impureza
    añadida, en lugar de aumentar los electrones disponibles, aumenta las lacunas. Así,
    hablamos de material de aceptación añadido, ya que hay una mayor demanda de
    electrones que de disponibilidad y cada "espacio" libre por donde debe ir un electrón
    sirve para facilitar el paso de la corriente.
    Uniones básicas pn
    Los semiconductores dopados n y p, son eléctricamente neutros, por ello no son
    útiles como tales para su uso en elementos electrónicos. Sin embargo, cuando un
    cristal homogéneo de material semiconductor de Ge o Si, por ejemplo, es tratado con
    impurezas pentavalente y trivalente, de tal forma que la mitad del cristal homogéneo es
    dopada con impureza trivalente mientras que la otra mitad es dopada con impureza
    pentavalente, aparece una fuerza a través de la unión (de naturaleza electroquímica),
    que se manifiesta como una atracción de los electrones del material n, por el material p.
    Este último es provocado por el exceso de electrones en el material n y la
    deficiencia de ellos en el material p, que causa que los electrones del material n
    abandonen la estructura de dicho material y entren a la estructura del material p. Como
    consecuencia, la zona (muy fina) adyacente a la unión, del lado de la estructura p del
    cristal es cargada negativamente, mientras que la zona similar, pero ahora del lado de
    la estructura del material n, es cargada positivamente. La estructura de carga formada
    en la unión, constituye una barrera de potencial o de unión que impide el flujo de
    corriente eléctrica a través de ella. Cabe aclarar que este fenómeno solo se da si se
    parte de un cristal homogéneo de material semiconductor y, la unión de dos piezas
    separadas de materiales n y p no producen el efecto esperado.
    Una unión de este tipo constituye lo que se denomina un diodo semiconductor
    elemento muy útil en sistemas de rectificación de corriente alterna.
    El diodo semiconductor es un elemento o componente electrónico compuesto
    por un cristal semiconductor de silicio o germanio en una película cristalina cuyas caras
    opuestas son dopadas por diferentes materiales durante su formación, lo que provoca
    la polarización de cada extremo. Otros ejemplos de diodo semiconductor es el LED.
    Donde el material dopante de un área del semiconductor contiene átomos con un
    electrón menos en la banda de valencia en relación con el material semiconductor. En
    el enlace, los iones de este material dopante eliminan electrones de la valencia del
    semiconductor, dejando "huecos" (o agujeros), haciendo que el semiconductor se
    convierta en tipo P. En la otra área del semiconductor, el material dopante contiene
    átomos con un electrón más que el semiconductor puro en su rango de valencia. Por lo
    tanto, en el enlace, este electrón está disponible en forma de electrón libre, formando el
    semiconductor de tipo N.

    bibliografía
    Baptista, Fernandes, Pereira, Paisana, António, Carlos, Jorge, José (2012). Fundamentos de Eletrónica.
    [S.l.]: LIDEL. p. 26. ISBN 978-972-757-872-6

    Controle de autoridade

    Wd: Q11456BNCF: 43027BNF: 11935848wBRE: 3176819EBID: IDFAST: 1112198GND: 4022993-


    2JSTOR: semiconductorsLCCN: sh85119903NDL: 00562913PSH: 2125Treccani: semiconduttore

    CHAVES, Alaor S. (2001). Física. 4. Rio de Janeiro: Reichmann & Affonso. p. 113. ISBN 85-87148-53-2

    Lidia Łukasiak e Andrzej Jakubowski (2010).

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