8 Circuitos Con Diodos
8 Circuitos Con Diodos
8 Circuitos Con Diodos
• Ideal
• Simplificado
• Segmentos Lineales
pasada • DC
• AC
• AC promedio
+0.5 V Ejercicio 1
ID
+ EJEMPLO 2.6 Para la configuración de diodos en serie
Si VD • Determinar Vd, Vr e Id:
– Solución: Aun cuando la “presión” establece una corri
+ del símbolo, el nivel del voltaje aplicado es insuficient
R 1.2 k Ω V R operación en la curva de características se muestra en la
– to equivalente como aproximación apropiada, como se m
los niveles de corriente y voltaje resultantes son los sig
ID = 0 A
FIG. 2.16
VR = IR R = ID R = 10 A2 1
Circuito del diodo en serie
del ejemplo 2.6. y VD = E = 0.5 V
Vo = E - VK1 - VK2 = 12 V - 2.5 V = 9.5 V
Ejercicio
y 2 ID = IR =
VR
=
Vo
=
9.5 V
= 13.97 mA
R R 680 Æ
Ge
VK1 VK 2
+ –+ –
Vo IR
ID
rojo
+ ID 0.7 V 1.8 V +
5,6K E 12 V 680 Ω Vo
– –
FIG. 2.21
I=0 Circuito del ejemplo 2.8.
Vo = 0 V
+ V1 –
R1
E1 = 10 V
4.7 k Ω Si I
Vo Ejercicio 4
+
R2 2.2 k Ω V2 • Hallar Vr1,
–
Vr2, I, Vo
E2 = – 5 V
FIG. 2.25
Circuito del ejemplo 2.9.
Solución: Para el voltaje aplicado la “presión” de la fuente actúa para establecer una corriente a
Problema
ra 2.33. 9.
rie-paralelo
e que aparezca el voltaje de
o el resistor R2 se polariza
aunfigura
alto nivel2.155.
de intensidad
V2=4V
2.35.
12 V
ndería” ambos diodos por-
a corriente convencional a
bargo, si ambos estuvieran
ralelo, lo que viola una de ID
Si Verde
mo a través de los elemen-
Vo
iodo de incremento del vol-
undos o microsegundos. En Vo
o se silicio se “enciende” y Vo
on este voltaje; la corriente 2.2 k Ω
2,2k
I
R1
Si 3.3k Ω I1
I1
Ejercicio 8
D1 I D2
I2
+
E 20 V Si D2
– ID2
I2 R2
I2
Determinar I1, I2 e Id2
5.6 k Ω
(0) Si
endiente en la rama conectada a
E2 = 0 V Vo
a en el mismo nivel que el nivel 2 D2
n nuestras suposiciones iniciales
R 1kΩ
1 se supone que D1 está “apaga-
1 por conducto del resistor. +
E 10 V
–
FIG. 2.42
Circuitos con Diodos
Física de disposiivos electrónicos