Universidad Veracruzana

Facultad de Ingeniería en
Electrónica y
Comunicaciones

Los amplificadores BJT

clase A, B, AB y C

Experiencia Educativa:

Circuitos Integrados analógicos

Presenta:
Azuara Vargas Julio Cesar

Maestro:
Luis Javier Morales Mendoza
Poza Rica de Hgo, ver. 20/02/2023
Introducción
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor. Permite el paso de una señal en respuesta
a otra. Se puede configurar o "comportar" como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
El término «transistor», del acrónimo transfer resistor (resistor de transferencia). Se encuentra
prácticamente en todos los aparatos electrónicos como radios, televisores y computadoras.
Habitualmente dentro de los llamados circuitos integrados.

El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos
en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula
el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los
transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e
inductores que son elementos pasivos.

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la que se
inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si
desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector,
según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre corriente
de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta
y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de
Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y
varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión
Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son emisor
común, colector y base comunes.
¿QUÉ SON LOS TRANSISTORES BJT?

Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor), son
dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar el paso de corriente o
disminuir voltaje a través de sus terminales.

¿DONDE SE UTILIZAN LOS TRANSISTORES BJT?

Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero comúnmente
son utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de señales o como conmutadores
de baja potencia. Como ejemplo se usan para controlar motores, accionar reveladores y producir
sonidos en bocinas. Estos transistores son muy comunes y de uso general los cueles pueden
encontrarse en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como en radios, alarmas, automóviles,
ordenadores, etc.

¿ESTRUCTURA DE LOS TRANSISTORES BJT?

Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos diodos
semiconductores.

Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las letras hacen referencia a las
capas de material semiconductor que están construidos.

1-Transistor tipo NPN: Esta formado por dos capas de material tipo “N” y separadas por una capa
tipo “P”.

2-Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y separadas por una capa
tipo “N”.

Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central se
denomina base, y las laterales emisor y colector. Estos pines se representan por la inicial del
nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).

– La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada de “emitir” o

inyectar portadores mayoritarios hacia la base.

-La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una
zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es la de dejar pasar la
mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector.

-La zona de C (colector), es encargada de recoger o “colectar” los portadores inyectados que han
sido capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es la zona con un nivel de dopado inferior
de las tres.

Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, debes identificar la terminal del
emisor, ya que esta tiene una flecha que cambia de dirección. En las imágenes 1 y 2 podrás
observar el esquemático del transistor tipo NPN – PNP y te darás cuenta que lo único que lo
diferencia es la orientación de la flecha.
Los transistores BJT son fabricados en distintos materiales como Si (Silicio), Ge (Germanio) y
GasAs (Arseniuro de galio) los cuales son recubiertos en diferentes encapsulados los más
comunes son los TO-92, TO-18, SOT-23. Por lo general, se utiliza el encapsulado TO-92. En las
imágenes 3, 4, 5 se muestran los encapsulados más usados y el pinout de cada uno de ellos.
PARAMETROS PRINCIPALES DE LOS TRANSISTORES BJT

POL: Polaridad PNP- NPN (POLARITY) – Es la condición de voltaje y de corriente que se

establece en un transistor para fijar un punto de operación (Q), para mantener el transistor en la
región activa directa.

VCE: Voltaje Colector Emisor (VOLTAGE COLLECTOR EMITTER).

IC: Corriente de colector, medida en amperios (COLLECTOR CURRENT).

PD: Potencia de disipación, medidas en watts (POWER DISIPATION).

FT: Frecuencia de trabajo, medida en kilohertz (FRECUENCY).

HFE: Ganancia de corriente (CURRENT GAIN O BETA) – Este parámetro de modelo Hibrido “H”
de corriente alterna, el cual se usa para el diseño de circuitos con transistores, “F” proviene de los
términos (FORWARD CURRENT) amplificación con polarización directa y “E” de (COMMON
EMITTER) configuración de emisor común.

REGIÓN DE SATURACIÓN: Las uniones colector-base y base emisor están polarizadas

directamente, el voltaje colector-emisor es pequeño y la corriente es muy grande.

REGIÓN DE CORTE: En esta región la corriente de colector es cero o casi cero para cualquier
valor de voltaje colector-emisor, las uniones colector-base y base emisor están inversamente
polarizadas.

REGIÓN ACTIVA DIRECTA: En esta región la unión de colector-base esta polarizada en inversa
y la unión base-emisor esta polarizada en directa. Esta región nos permite utilizar al transistor
como amplificador de voltaje, de corriente o de potencia.

¿COMO FUNCIONAN LOS TRANSISTORES BJT?

Los transistores BJT pueden funcionar en 2 formas, como interruptor electrónico y como
amplificador con ganancia variable.

• FUNCIONAMIENTO COMO INTERRUPTOR

Para que los transistores BJT funcionen como interruptores electrónicos se debe operar en la
zona de corte y saturación para impedir o permitir el paso de corriente en un circuito.

Si se polariza en la región de corte se impide el paso de corriente, cuando se polariza en la región

de saturación se permite el paso de la corriente, de esta manera los transistores BJT funcionan
como interruptores electrónicos donde solo hay dos estados lógicos 0 y 1.
 • FUNCIONAMIENTO COMO AMPLIFICADOR

Para que los transistores BJT funcionen como amplificadores de corriente se debe aplicar una
pequeña señal de corriente en la terminal base para controlar una corriente de salida mayor en las
terminales colector y emisor. Para el uso de los transistores BJT como amplificadores, tienes que
tener en cuenta que hay distintos tipos de transistores BJT los cuales tienen diferentes
características técnicas, cada uno de ellos tiene una ganancia de corriente conocida como beta
del transistor, dependiendo del tipo de amplificación que requieras verificar la beta del transistor
para obtener la amplificación de corriente deseada.

Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación concierne de la corriente. La corriente del
colector “Ic” es proporcional a la corriente en la base multiplicada por la «beta» del transistor.

Ic = (hFE)*(Ib)
Donde:

• Ic = Corriente de colector
• hFE = Beta del transistor
• Ib = Corriente en la base
Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y en ocasiones puede variar, es por
eso que no es recomendable el uso de transistores como amplificadores electrónicos, te
recomiendo el uso de amplificadores operacionales.

CONFIGURACIONES DE LOS TRANSISTORES BJT

1. CONFIGURACIÓN EN BASE COMÚN: La terminología en base común se deriva del

hecho de que la base es común tanto para la entrada como para la salida de la
configuración. Además, la base por lo general es la terminal más cercana a, o en, un
potencial de tierra.
2. CONFIGURACIÓN EN COLECTOR COMÚN: La configuración en colector común se utiliza
sobre todo para igualar impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de entrada y
una baja impedancia de salida, lo contrario de las configuraciones en base común y en
emisor común
3. CONFIGURACIÓN EN EMISOR COMÚN: Se llama configuración en emisor común porque
el emisor es común o sirve de referencia para las terminales de entrada y salida (en este
caso es común para las terminales base y colector). De nueva cuenta se requieren dos
conjuntos de características para describir plenamente el comportamiento de la
configuración en emisor común: uno para el circuito de entrada o de base-emisor y uno
para el circuito de salida o de colector-emisor.
Clase A

El amplificador de Clase A es la forma más simple de amplificador de potencia que utiliza un

solo transistor de conmutación en la configuración de circuito de emisor común estándar como
se ha visto anteriormente para producir una salida invertida. El transistor siempre está
polarizado en "ON" para que conduzca durante un ciclo completo de la forma de onda de la
señal de entrada, produciendo la mínima distorsión y la máxima amplitud de la señal de salida.

Esto significa que la configuración del amplificador de clase A es el modo de funcionamiento ideal,
ya que no puede haber distorsión de cruce o desconexión a la forma de onda de salida incluso
durante la mitad negativa del ciclo. Las etapas de salida del amplificador de potencia de Clase A
pueden usar un único transistor de potencia o pares de transistores conectados entre sí pa ra
compartir la corriente de alta carga.

Dado que estamos interesados en entregar la máxima potencia de c.a. a la carga, mientras
consumimos la mínima potencia de CC posible del suministro, nos preocupa principalmente la
"eficiencia de conversión" del amplificador. Sin embargo, una de las principales desventajas de
los amplificadores de potencia y especialmente del amplificador de Clase A es que su eficiencia
de conversión general es muy baja, ya que las grandes corrientes significan que se pierde una
cantidad considerable de energía en forma de calor.
Clase B

Los amplificadores de Clase B usan dos o más transistores polarizados de tal forma que cada
transistor solo conduce durante un medio ciclo (realmente, "casi" medio ciclo) de la onda de
entrada. Tienen un rendimiento muy superior a los de Clase A y su diseño no es muy complicado,
pero sus aplicaciones se limitan enormemente debido a una característica su propio diseño: una
distorsión llamada de "cruce por cero". Aún así, se utilizan incluso en amplificadores que no
requieran buena fidelidad y sí facilidad de diseño y rendimiento, como los amplificadores de
bocinas y megáfonos de mano.

Para mejorar la eficiencia de potencia total del amplificador de clase A previo, reduciendo la
potencia desperdiciada en forma de calor, es posible diseñar el circuito amplificador de potencia
con dos transistores en su etapa de salida, produciendo lo que comúnmente se denomina
amplificador de clase B; también conocido como configuración de amplificador Push-Pull (empuja-
tira en español). Para construir este tipo de amplificador se utilizan necesariamente transistores
denominados "complementarios", es decir, de las mismas características eléctricas pero con
distintas uniones P-N: si uno es del tipo NPN, el otro ha de ser igual pero de tipo PNP. Veamos
cómo se construyen:

transistores complementarios BJT en funcionamiento clase B, configuración Push-Pull

Los amplificadores Push-Pull utilizan transistores complementarios de potencia, que reciben la
misma señal de entrada que es igual en magnitud, pero en fase opuesta entre sí . Esto da lugar
a que un transistor solamente amplifica la mitad o 180º del ciclo de la onda de entrada; mientras
que el otro transistor amplifica la otra mitad o restante 180º del ciclo de onda de entrada.
Conjuntamente, estas “dos mitades” amplificadas cada una por un transistor, "excitan" o "atacan"
la carga o resistencia de salida, dando lugar en ella a la señal completa amplificada.

Por consiguiente, el ángulo de conducción para este tipo de circuito amplificador es escasamente
inferior a 180º o 50% de la señal de entrada (para cada transistor). Este efecto de empujar y tirar
de los semiciclos alternos por los transistores da a este tipo de circuito su divertido nombre "push-
pull", pero en general se lo conoce como el amplificador de clase B.

Realmente los transistores en un amplificadr de clase B no llegan al conducir el 50%, ya que

ambos necesitan tener una polarización al menos de 0'65 volt Emisor-Base para empezar a
conducir y amplificar. Esto supone que de la señal de entrada, en los primeros 0'65 volt. (positivos
y negativos), la señal de salida va a estar a "0". Y sólo cuando en la entrada se superen los 0'65
volt. E-B podrá empezar a amplificar la salida. Esto, al final, produce inevitablemente una falta de
amplificación en torno a los valores cercanos a "0" volt. denominada "distorsión de paso por cero"
o "distorsión de cruce", característica de los amplificadores en Clase B.

formas de señal de saldia debida a la "distorsión de cruce" o "de paso por 0"
en un amplificador Clase B, Push-Pull
Clase AB

El problema de "distorsión de cruzamiento" (Crossover Distortion) característico de

los amplificadores de clase B se puede reducir considerablemente aplicando un ligero voltaje de
polarización hacia adelante a las bases de los dos transistores, de modo que tengan -incluso sin
aplicarles señal de entrada- una pequeña polarización en zona activa. Como cada transistor
amplica sólo media onda de la señal de entrada, y como a la salida se obtiene la "suma" de la
señal de uno y del otro, ese nivel de polarización continua e igual para cada uno la final en la
carga va a dar cero, es decir, señal de salida nula mientras no apliquemos señal de entrada a las
bases de los transistores.
Este pequeño nivel de polarización se puede construir de varias formas:

▪ a través de un pequeño transformador con toma intermedia, cuyo primario es

excitado por la señal proveniente de la etapa previa, y cuyo secundario -dividido en
dos semi-mitades que generan dos señales iguales pero desfasadas 180º- se conecta
a las bases de ambos transistores; entonces cada unión Emisor-Base de cada
transistor recibe la misma cantidad de señal pero cada uno recibe el inverso de la
señal que le llega al otro. De esta manera, sólo uno va a amplificar cada semi-ciclo
de la señal que llega al transformador.
Y luego, a la salida de los colectores, se ha de montar otro transformador -
también con toma intermedia ahora en el primario- que reciba las dos señales
invertidas de los colectores de los transistores, y cuyo secundario acabe atacando la
resistencia de carga.

polarización de las uniones B-E de los transistores clase B

mediante transformador con toma intermedia
▪ a través de una red de resistencias y diodos de polarización en Emisor-Base de
los dos transistores, que en este caso han de ser complementarios (uno NPN y otro
PNP). Ambas uniones de ambos transistores han de recibir la misma tensión para
polarizarlos escasamente en el comienzo de la zona activa de cada uno, lo que, como
 ya hemos dicho, darán lugar en la carga a la suma de la amplificación de cada uno
de ellos. Este método evita la engorrosa necesidad de transformador excitador en las
uniones Base-Emisor y también el otro transformador de salida, que recoja las dos
intensidades de los dos colectores. Por esta razón, esta última solución de
polarización de clase B es la más utilizada.
El nivel de polarización adecuado se ajusta con un par de diodos, cuya unión P-N es
similar a la unión B-E de los transistores. Los condensadores separan la componente
de c.c. de polarización para que no afecte a la etapa amplificadora previa.

polarización de las uniones B-E de los transistores clase B

mediante red de polarización con resistencias-diodos
En ambos casos, se trata de que ambos transistores en clase B se encuentren ligeramente
polarizados incluso sin señal de excitación, de modo que cuando les llegue la más mínima señal,
sean capaces enseguida de amplificarla sin demora, consiguiendo de este modo que la suma de
ambos semiciclos -que amplifica cada uno de los transistores-, sea una señal limpia fiel reflejo de
la entrada. Eliminamos así la "distorsión de cruzamiento" o de "paso por cero" típica de los
amplificadores clase B,

Dada la necesidad de polarización de los transistores, la clase AB tiene algo menos de

rendimiento que la clase B, pero compensa sobremanera con la mejora evidente de calidad en la
amplificación. Es por ello que la mayoría de los amplificadores de baja y media potencia de audio,
incluso HiFi, utilicen esta tecnología para implementar la etapa de potencia de salida.
Clase C

Los amplificadores de potencia en clase C parten de la premisa siguiente: no se trata de amplificar con
calidad la señal de entrada, se trata simplemente de amplificar la señal de entrada de modo que a la
salida se obtenga el máximo rendimiento posible pero sólo para un rango de frecuencias muy reducido,
en torno a una de "resonancia".

Son amplificadores que desde luego no sirven para señales de audio, por la distorsión. Su campo de
aplicación está en las telecomunicaciones, en radiofrecuencia, F, donde se requiere un incremento en
el nivel de potencia y no se requiere linealidad entre la tensión de entrada y tensión de salida. Los
amplificadores Clase C pueden ser modulados en amplitud para amplificar una portadora modulada en
frecuencia.

etapa amplificadora a transistor BJT con circuito tanque resonante

Circuito resonante y la amplificación en clase C

Este tipo de amplificadores se reconoce porque tienen, en lugar de la resistencia de colector típica, un
"circuito tanque" formado por un condensador y bobina diseñados para que en un estrecho margen
de frecuencias entren en sintonía -por lo que también se le llama "circuito resonante"-y, modiificando
la impedancia del circuito L-C produzcan la conducción del transistor. Es por eso que a este tipo de
circuitos les llama amplificadores "resonantes" o "sintonizados".

En torno a la frecuencia de resonancia, estos amplificadores obtienen una ganancia altísima; fuera de
esta frecuencia, la amplificación es muy reducida y el consumo es mínimo.

la ganancia en tensión está muy localizada en torno a la frecuencia de resonancia

Amplificadores de potencia con BJT: la clase C
Bibliografía
Francisco, J. (2018). Departamento de Electricidad-Electrónica. Obtenido de Amplificadores de potencia con BJT: la
clase A: https://cifpn1.com/electronica/?p=4060

NASHELSKY, R. L. (2009). ELECTRONICA: TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS . NAUCALPAN DE

JUAREZ, ESTADO DE MEXICO: pearson education.

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Ramirez, J. (2016). SIMBOLOS Y COMPONENTES ELECTRONICOS. Ciudad de mexico : IMORI KIYS ELECTRONICA PARA
LA EDUCACION.

varios. (noviembre de 2022). wikipedia. Obtenido de transistor: https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor